一種oled顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，OLED顯示器由于顯示優(yōu)美、輕便、抗震性能好、工作溫度范圍寬、環(huán)境友好等諸多良好特性，其消費(fèi)市場(chǎng)及顯示技術(shù)蓬勃發(fā)展?，F(xiàn)有的帶有觸控功能的OLED顯示器在原OLED基板玻璃上增加了一ITO觸屏電極，使OLED在發(fā)光的同時(shí)也能實(shí)現(xiàn)觸摸功能，但觸屏ITO在光輸出過程中也不可避免地充當(dāng)了光反射和散射介質(zhì)，使得出光率下降;從實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)看來，OLED器件亮度大約下降8%?10%。
[0003]一份公開號(hào)為CN103594489A的專利文件中公開了一種具有觸控功能的OLED顯示裝置，該OLED顯示裝置包括:0LED顯示器以及設(shè)置在OLED蓋板出光側(cè)或者入光側(cè)的觸控電極、OLED內(nèi)部填充的絕緣材料和第一增透層、第二增透層，該OLED顯示裝置利用第二電極、第一增透層、第二增透層、填充材料和觸控面板之間折射率的不同，逐步過渡光線，以減少光的損失，但存在制造工藝的復(fù)雜、程序繁瑣以及成本過高的的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種OLED顯示器，包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之間設(shè)置有OLED器件，所述第一基板遠(yuǎn)離第二基板的一側(cè)設(shè)置有觸控電極，所述第一基板和觸控電極之間設(shè)置有增透層。該OLED顯示器采用光的干涉原理，利用增透層增加光的透射強(qiáng)度，使OLED顯示器的光輸出量增大、殼度提尚，有利于減小光損失、提尚器件的使用壽命。
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0006]—種OLED顯示器，包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之間設(shè)置有OLED器件，所述第一基板遠(yuǎn)離第二基板的一側(cè)設(shè)置有觸控電極，所述第一基板和觸控電極之間設(shè)置有增透層。
[0007]進(jìn)一步地，所述OLED器件設(shè)置在第一基板面向第二基板的一側(cè)，或者第二基板面向第一基板的一側(cè)。
[0008]進(jìn)一步地，所述OLED器件若設(shè)置在第二基板面向第一基板的一側(cè)，則第二基板和OLED器件之間還可以設(shè)置有TFT層，則為AMOLED顯示器。第一基板還可以進(jìn)一步設(shè)置為高透過率的復(fù)合barrier film層。
[0009]進(jìn)一步地，所述OLED器件為陰極出射的OLED器件，或者陽極出射的OLED器件。
[0010]進(jìn)一步地，所述OLED器件依次包括:第一電極、有機(jī)功能層以及第二電極。
[0011]進(jìn)一步地，如果所述的OLED器件為陰極出射的OLED器件，則第一電極為全反射陽極，第二電極為透明陰極，所述有機(jī)功能層在由所述第一電極指向第二電極的方向上依次設(shè)置為:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層;如果所述的OLED器件為陽極出射的OLED器件，則第一電極為全反射陰極，第二電極為透明陽極，所述有機(jī)功能層在由所述第一電極指向第二電極的方向上依次設(shè)置為:電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
[0012]進(jìn)一步地，所述觸控電極為ITO電極，但不限于此。
[0013]進(jìn)一步地，所述增透層不小于OLED顯示器的有效顯示區(qū)域，保證光輸出的均勻性。
[0014]進(jìn)一步地，所述增透層是由MgF2、或Nb205、或T1x、或ZnS、或S1x、或SiNx、或S1xNy等一種或多種材料組成的單層或者多層膜，但不限于上述材料。
[0015]進(jìn)一步地，所述增透層的厚度為100-10000A。
[0016]進(jìn)一步地，所述增透層的平均折射率為1.23-1.6。
[0017]進(jìn)一步地，所述增透層通過溶膠-凝膠、或磁控濺射、或熱蒸鍍等方法制備在第一基板上。
[0018]進(jìn)一步地，所述增透層必須在設(shè)置OLED有機(jī)功能層及陰極之前涂覆在第一基板上。
[0019]進(jìn)一步地，所述觸控電極遠(yuǎn)離第一基板的一側(cè)涂覆有保護(hù)層。
[0020]本實(shí)用新型具有如下有益效果:該OLED顯示器采用光的干涉原理，利用增透層增加光的透射強(qiáng)度，使OLED顯示器的光輸出量增大、亮度提高，有利于減小光損失、提高器件的使用壽命。
【附圖說明】
[0021 ]圖1為本實(shí)用新型提供的OLED顯示器的一結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型提供的OLED顯示器的另一結(jié)構(gòu)圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型提供的OLED器件的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0025]如圖1-2所示，一種OLED顯示器，包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板I和第二基板2，第一基板I和第二基板2通過密封膠6固定密封，所述第一基板I和第二基板2之間設(shè)置有OLED器件3，所述第一基板I遠(yuǎn)離第二基板2的一側(cè)設(shè)置有觸控電極4，所述第一基板I和觸控電極4之間設(shè)置有增透層5。所述OLED器件3設(shè)置在第一基板I面向第二基板2的一側(cè)(如圖1所示)，則為PMOLED結(jié)構(gòu);或者設(shè)置在第二基板2面向第一基板I的一側(cè)(如圖2所示)，若采用此種結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步地在第二基板2和OLED器件3之間設(shè)置TFT層，則為AMOLED結(jié)構(gòu)，此時(shí)，第一基板I可以為高透過率的復(fù)合barrier film層。
[0026]所述增透層5是由MgF2、或Nb205、或T1x、或ZnS、或S1x、或SiNx、或S1xNy等一種或多種材料組成通過溶膠-凝膠、或磁控濺射、或熱蒸鍍等方法制備在第一基板I上的單層或者多層膜，但增透層5的材料和制備方法不限于上述的材料和方法。為了使增透層5能與OLED發(fā)出的光線最大程度上產(chǎn)生干涉效應(yīng)，增透層5的厚度等于OLED發(fā)出的光線的波長(zhǎng)的四分之一，即為100-10000A，平均折射率為1.23-1.6 WLED發(fā)出的光線在增透層中由于干涉效應(yīng)而全部通過增透層，不發(fā)生反射，光線的損失降到最低。為保證光線輸出的均勻性，增透層5的覆蓋面積應(yīng)不小于OLED顯示器的有效顯示區(qū)域。
[0027]所述觸控電極4為ITO電極，但不限于此，進(jìn)一步地，觸控電極4遠(yuǎn)離第一基板I的一側(cè)還涂覆有保護(hù)層。
[0028]如圖3所示，所述OLED器件3依次包括:第一電極31、有機(jī)功能層32以及第二電極33ο
[0029]如果所述的OLED器件3為陰極出射的OLED器件，則第一電極31為全反射陽極，第二電極33為透明陰極，所述有機(jī)功能層32在由所述第一電極31指向第二電極33的方向上依次設(shè)置為:空穴注入層321、空穴傳輸層322、發(fā)光層323、電子傳輸層324和電子注入層325。對(duì)于陰極出射的OLED器件，全反射陽極為高反射率的金屬或是合金薄膜電極，可以為Ag電極、或Ag的合金電極、或Al電極、或Al的合金電極、或Cu電極、或Cu的合金電極、或Pt電極、或Pt的合金電極等。為了出盡空穴注入，空穴注入層321采用高功函數(shù)材料制作，如ΙΤ0、ΙΖ0、AZ0、ZT0、Mo03、Ti02等。透明陽極采用透射或半透射材料制作，如厚度為lnm-30nm的ΙΤ0、IZ0、AZ0、ZT0、A1及其合金薄膜，Mg及其合金薄膜、Ag及其合金薄膜等。
[0030]如果所述的OLED器件3為陽極出射的OLED器件，則第一電極31為全反射陰極，第二電極33為透明陽極，所述有機(jī)功能層32在由所述第一電極31指向第二電極33的方向上依次設(shè)置為:電子注入層321、電子傳輸層322、發(fā)光層323、空穴傳輸層324和空穴注入層325。對(duì)于陽極出射的OLED器件，全反射陰極為高反射率的金屬或是合金薄膜電極，可以為Ag電極、或Ag的合金電極、或Al電極、或Al的合金電極、或Cu電極、或Cu的合金電極、或Pt電極、或Pt的合金電極等。為了促進(jìn)電子注入，電子注入層321采用低功函數(shù)材料制作，如LiF、LiQ(8-羥基喹啉鋰)、LaB6、12Ca0.7Al203、Mg0、Al203、Ca、Cs、Na、K 等;為了促進(jìn)空穴注入，空穴注入層325采用高功函數(shù)材料制作，如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ΑΖ0(氧化鋁鋅)、ZTO(氧化鋅錫)、Mo03、Ti02等。透明陽極采用透射或半透射材料制作，如厚度為lnm-30nm的IT0、IZ0、AZ0、ZT0、A1及其合金薄膜、或厚度為lnm-30nm的Mg及其合金薄膜、或厚度為Inm-30nm的Ag及其合金薄膜等。
[0031]上述OLED顯示器可以為AMOLED顯示器，即可以在OLED器件3與所述第二基板2之間設(shè)置TFT基板，通過TFT基板的TFT電極對(duì)OLED器件3進(jìn)行有源驅(qū)動(dòng)，構(gòu)成，AMOLED顯示器。
[0032]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均應(yīng)落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED顯示器，其特征在于，包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之間設(shè)置有OLED器件，所述第一基板遠(yuǎn)離第二基板的一側(cè)設(shè)置有觸控電極，所述第一基板和觸控電極之間設(shè)置有增透層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述OLED器件設(shè)置在第一基板面向第二基板的一側(cè)，或者第二基板面向第一基板的一側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述OLED器件為陰極出射的OLED器件，或者陽極出射的OLED器件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述OLED器件依次包括:第一電極、有機(jī)功能層以及第二電極。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述增透層不小于OLED顯示器的有效顯示區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述增透層是由MgF2、或Nb205、或T1x、或ZnS、或S1x、或SiNx、或S1xNy中的一種或多種材料組成的單層或者多層膜。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述增透層的厚度為100-10000A08.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述增透層的平均折射率為1.23-1.6。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述增透層采用溶膠-凝膠、或磁控濺射、或熱蒸鍍方法制備在第一基板上。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述觸控電極為ITO電極。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種OLED顯示器，包括：相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之間設(shè)置有OLED器件，所述第一基板遠(yuǎn)離第二基板的一側(cè)設(shè)置有觸控電極，所述第一基板和觸控電極之間設(shè)置有增透層。該OLED顯示器采用光的干涉原理，利用增透層增加光的透射強(qiáng)度，使OLED顯示器的光輸出量增大、亮度提高，有利于減小光損失、提高器件的使用壽命。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/52
【公開號(hào)】CN205122588
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520992053
【發(fā)明人】羅志猛, 趙云, 張為蒼, 何基強(qiáng)
【申請(qǐng)人】信利半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年12月4日