一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的是一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]通常，集成電路包含形成在基板上的NM0S(η型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管和PMOS (Ρ型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管的組合。集成電路的性能與其所包含的晶體管的性能有直接關(guān)系。因此，希望提尚晶體管的驅(qū)動(dòng)電流以增強(qiáng)其性能。
[0004]美國專利申請(qǐng)N0.20100038685 A公開了一種晶體管，在該晶體管的溝道區(qū)與源/漏區(qū)之間形成位錯(cuò)，這種位錯(cuò)產(chǎn)生拉應(yīng)力，該拉應(yīng)力提高了溝道中的電子迀移率，由此晶體管的驅(qū)動(dòng)電流得以增加。對(duì)已經(jīng)形成了柵極電介質(zhì)和柵極的半導(dǎo)體基板進(jìn)行硅注入，從而形成非晶區(qū)域。對(duì)該半導(dǎo)體基板進(jìn)行退火，使得非晶區(qū)域再結(jié)晶，在再結(jié)晶過程中，水平方向和豎直方向上的兩個(gè)不同的晶體生長前端相遇，從而形成了位錯(cuò)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述問題，提出一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板。
[0006]—種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導(dǎo)電層;第一導(dǎo)電層上的第一柵極絕緣層;第一柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層;至少部分形成在該半導(dǎo)體層上且包括相互隔開的數(shù)據(jù)線和漏極電極的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括阻擋金屬構(gòu)成的下部膜和A1或A1合金構(gòu)成的上部膜;覆蓋該半導(dǎo)體層的鈍化層；以及形成在該第二導(dǎo)電層之上并與第二導(dǎo)電層接觸的第三導(dǎo)電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導(dǎo)電層接觸下部膜的該第一部分;上部膜的邊緣橫貫下部膜;鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔;第三導(dǎo)電層的至少一部分位于鈍化層上；以及上部膜的該至少一邊緣不與接觸孔的邊界重合;鈍化層接觸接觸孔附近的下部膜;下部膜包含Cr、Mo或Mo合金;還包括位于半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電層之間的歐姆接觸層;歐姆接觸層具有與第二導(dǎo)電層基本相同的平面形狀;半導(dǎo)體層的邊界或者與第二導(dǎo)電層的邊界大致重合，或者位于第二導(dǎo)電層之外;第三導(dǎo)電層包括ΙΤ0或ΙΖ0。
[0007]所述陣列板還包括設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線;所述數(shù)據(jù)線與第一柵極線相交，所述第一柵極線包括柵電極;所述第一柵極絕緣層，設(shè)置在柵極線上并具有暴露所述數(shù)據(jù)線的接觸孔;所述鈍化層設(shè)置在半導(dǎo)體層上;進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述鈍化層之間的絕緣體層;還包括層間絕緣層，該層間絕緣層設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線之間；第三導(dǎo)電層包括接觸漏極電極的像素電極;鈍化層具有用于漏極電極與像素電極之間的接觸的第一接觸孔、露出第一導(dǎo)電層的一部分的第二接觸孔、以及露出數(shù)據(jù)線的一部分的第三接觸孔，并且第三導(dǎo)電層包括通過第二接觸孔接觸第一導(dǎo)電層的第一接觸輔助部分、以及通過第三接觸孔接觸數(shù)據(jù)線的第二接觸輔助部分;第二導(dǎo)電層的第一部分不平坦。
[0008]所述晶體管陣列板還包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構(gòu)成管殼，在管殼上設(shè)置扁平外引線，在陶瓷金屬化管底座上均設(shè)有八部分獨(dú)立且平行排列的金屬化區(qū)域，將八個(gè)硅整流二極管芯片通過導(dǎo)電膠分別粘接在對(duì)應(yīng)的金屬化區(qū)域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內(nèi)部部分進(jìn)行電氣連接，管殼腔體內(nèi)部采用AB膠進(jìn)行填充。
[0009]所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復(fù)合而成，所述基板由外而內(nèi)共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3_。
【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板的橫截面示意圖；
[0011]圖2是基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中，1是基板;2是第一導(dǎo)電層;3是第二導(dǎo)電層;4是半導(dǎo)體層;5是歐姆接觸層;6是第二導(dǎo)電層;7是一棚■極絕緣層；11是娃層、12是氣化娃層、13是碳化娃層、14是碳層、15是氧化鋁基體層。
【具體實(shí)施方式】
[0013]—種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導(dǎo)電層;第一導(dǎo)電層上的第一柵極絕緣層;第一柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層;至少部分形成在該半導(dǎo)體層上且包括相互隔開的數(shù)據(jù)線和漏極電極的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括阻擋金屬構(gòu)成的下部膜和A1或A1合金構(gòu)成的上部膜;覆蓋該半導(dǎo)體層的鈍化層；以及形成在該第二導(dǎo)電層之上并與第二導(dǎo)電層接觸的第三導(dǎo)電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導(dǎo)電層接觸下部膜的該第一部分;上部膜的邊緣橫貫下部膜;鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔;第三導(dǎo)電層的至少一部分位于鈍化層上；以及上部膜的該至少一邊緣不與接觸孔的邊界重合;鈍化層接觸接觸孔附近的下部膜;下部膜包含Cr、Mo或Mo合金;還包括位于半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電層之間的歐姆接觸層;歐姆接觸層具有與第二導(dǎo)電層基本相同的平面形狀;半導(dǎo)體層的邊界或者與第二導(dǎo)電層的邊界大致重合，或者位于第二導(dǎo)電層之外;第三導(dǎo)電層包括ΙΤ0或ΙΖ0。
[0014]所述陣列板還包括設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線;所述數(shù)據(jù)線與第一柵極線相交，所述第一柵極線包括柵電極;所述第一柵極絕緣層，設(shè)置在柵極線上并具有暴露所述數(shù)據(jù)線的接觸孔;所述鈍化層設(shè)置在半導(dǎo)體層上;進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述鈍化層之間的絕緣體層;還包括層間絕緣層，該層間絕緣層設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線之間；第三導(dǎo)電層包括接觸漏極電極的像素電極;鈍化層具有用于漏極電極與像素電極之間的接觸的第一接觸孔、露出第一導(dǎo)電層的一部分的第二接觸孔、以及露出數(shù)據(jù)線的一部分的第三接觸孔，并且第三導(dǎo)電層包括通過第二接觸孔接觸第一導(dǎo)電層的第一接觸輔助部分、以及通過第三接觸孔接觸數(shù)據(jù)線的第二接觸輔助部分;第二導(dǎo)電層的第一部分不平坦。
[0015]所述晶體管陣列板還包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構(gòu)成管殼，在管殼上設(shè)置扁平外引線，在陶瓷金屬化管底座上均設(shè)有八部分獨(dú)立且平行排列的金屬化區(qū)域，將八個(gè)硅整流二極管芯片通過導(dǎo)電膠分別粘接在對(duì)應(yīng)的金屬化區(qū)域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內(nèi)部部分進(jìn)行電氣連接，管殼腔體內(nèi)部采用AB膠進(jìn)行填充。
[0016]所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復(fù)合而成，所述基板由外而內(nèi)共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3_。
[0017]最后應(yīng)說明的是:顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，其特征在于:所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導(dǎo)電層;第一導(dǎo)電層上的第一柵極絕緣層；第一柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；至少部分形成在該半導(dǎo)體層上且包括相互隔開的數(shù)據(jù)線和漏極電極的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括阻擋金屬構(gòu)成的下部膜和A1或A1合金構(gòu)成的上部膜;覆蓋該半導(dǎo)體層的鈍化層；以及形成在該第二導(dǎo)電層之上并與第二導(dǎo)電層接觸的第三導(dǎo)電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導(dǎo)電層接觸下部膜的該第一部分;上部膜的邊緣橫貫下部膜;鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔;第三導(dǎo)電層的至少一部分位于鈍化層上；以及上部膜的該至少一邊緣不與接觸孔的邊界重合;鈍化層接觸接觸孔附近的下部膜；下部膜包含Cr、Mo或Mo合金;還包括位于半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電層之間的歐姆接觸層;歐姆接觸層具有與第二導(dǎo)電層基本相同的平面形狀;半導(dǎo)體層的邊界或者與第二導(dǎo)電層的邊界大致重合，或者位于第二導(dǎo)電層之外;第三導(dǎo)電層包括IT0或IZ0。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于:所述陣列板還包括設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線;所述數(shù)據(jù)線與第一柵極線相交，所述第一柵極線包括柵電極;所述第一柵極絕緣層，設(shè)置在柵極線上并具有暴露所述數(shù)據(jù)線的接觸孔;所述鈍化層設(shè)置在半導(dǎo)體層上;進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述鈍化層之間的絕緣體層;還包括層間絕緣層，該層間絕緣層設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線之間；第三導(dǎo)電層包括接觸漏極電極的像素電極;鈍化層具有用于漏極電極與像素電極之間的接觸的第一接觸孔、露出第一導(dǎo)電層的一部分的第二接觸孔、以及露出數(shù)據(jù)線的一部分的第三接觸孔，并且第三導(dǎo)電層包括通過第二接觸孔接觸第一導(dǎo)電層的第一接觸輔助部分、以及通過第三接觸孔接觸數(shù)據(jù)線的第二接觸輔助部分;第二導(dǎo)電層的第一部分不平坦。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于:所述晶體管陣列板還包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構(gòu)成管殼，在管殼上設(shè)置扁平外引線，在陶瓷金屬化管底座上均設(shè)有八部分獨(dú)立且平行排列的金屬化區(qū)域，將八個(gè)硅整流二極管芯片通過導(dǎo)電膠分別粘接在對(duì)應(yīng)的金屬化區(qū)域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內(nèi)部部分進(jìn)行電氣連接，管殼腔體內(nèi)部采用AB膠進(jìn)行填充。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于:所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復(fù)合而成，所述基板由外而內(nèi)共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導(dǎo)電層；第一導(dǎo)電層上的第一柵極絕緣層；第一柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；至少部分形成在該半導(dǎo)體層上且包括相互隔開的數(shù)據(jù)線和漏極電極的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括阻擋金屬構(gòu)成的下部膜和Al或Al合金構(gòu)成的上部膜；覆蓋該半導(dǎo)體層的鈍化層；以及形成在該第二導(dǎo)電層之上并與第二導(dǎo)電層接觸的第三導(dǎo)電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導(dǎo)電層接觸下部膜的該第一部分；上部膜的邊緣橫貫下部膜；鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔；第三導(dǎo)電層的至少一部分位于鈍化層上。
【IPC分類】H01L27/092
【公開號(hào)】CN205122585
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520957291
【發(fā)明人】吳炳剛, 齊鳳波, 侯宏程, 韋心平
【申請(qǐng)人】沈陽飛達(dá)電子有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年11月26日