一種測試結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，特別是涉及一種測試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電容是集成電路工藝中常用的電子元器件，其可以被廣泛的應(yīng)用于耦合器、濾波器以及振蕩器等電路中?，F(xiàn)有的集成電路電容中，金屬-絕緣體-金屬(Metal InsulatorMetal, MIM)型電容逐漸成為了射頻集成電路中的主流。這是由于其通常制作在金屬互聯(lián)層中，既與集成電路工藝相兼容，又與襯底間距較遠(yuǎn)，可以克服由多晶硅-介質(zhì)層-多晶硅(Poly Insulator Poly, PIP)型電容具有的寄生電容大、器件性能隨頻率增大而明顯下降的弊端。MIM電容普遍應(yīng)用于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體COMS及高頻工藝制程中，具有低阻抗、高電容等優(yōu)良特性。
[0003]為了確保MM電容的性能，需要對(duì)MM電容進(jìn)行測試，例如MM電容的擊穿電壓Vbdo如圖1所示為現(xiàn)有MM電容測試結(jié)構(gòu)I的剖視圖，如圖2所示為現(xiàn)有MM電容測試結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖1?圖2所示，現(xiàn)有MIM電容測試結(jié)構(gòu)I包括位于底層的下電極11、位于所述下電極11上方的介質(zhì)層12、位于所述介質(zhì)層12上方的上電極13，所述下電極11通過第一通孔14連接到第一頂層金屬15，所述上電極13通過第二通孔16連接到第二頂層金屬17，所述第一頂層金屬15及所述第二頂層金屬17用于測試。如圖3所示，所述第一頂層金屬15用于施加電壓、所述第二頂層金屬17用于接收輸出信號(hào)時(shí)測得的漏電流及擊穿電壓Vbd，與所述第二頂層金屬17用于施加電壓、所述第一頂層金屬15用于接收輸出信號(hào)時(shí)測得的漏電流及擊穿電壓Vbd是不同的；從下電極加壓測得的漏電流較大，從上電極加壓測得的漏電流較小。為了準(zhǔn)確檢測MIM電容的性能，需要分別單獨(dú)對(duì)所述第一頂層金屬15用于施加電壓、所述第二頂層金屬17用于接收輸出信號(hào)；所述第二頂層金屬17用于施加電壓、所述第一頂層金屬15用于接收輸出信號(hào)的情況進(jìn)行測試，以得到較為準(zhǔn)確的測量結(jié)果，這就需要對(duì)兩個(gè)MM電容進(jìn)行兩次測量，然后選擇其中性能較差的一組數(shù)據(jù)作為MM電容的評(píng)價(jià)結(jié)果，造成了晶圓的浪費(fèi)、操作的繁瑣以及時(shí)間的浪費(fèi)。
[0004]因此，如何解決現(xiàn)有技術(shù)中MM電容的性能測試操作繁瑣、浪費(fèi)時(shí)間的問題已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種測試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中MIM電容的性能測試中浪費(fèi)晶圓、操作繁瑣、浪費(fèi)時(shí)間等問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種測試結(jié)構(gòu)，所述測試結(jié)構(gòu)至少包括:第一 MIM結(jié)構(gòu)、第二 MM結(jié)構(gòu)、第一測試焊盤以及第二測試焊盤，其中，所述第一MIM結(jié)構(gòu)與所述第二 MM結(jié)構(gòu)平行設(shè)置，所述第一測試焊盤連接于所述第一 MM結(jié)構(gòu)的下電極及所述第二 MM結(jié)構(gòu)的上電極，所述第二測試焊盤連接于所述第一 MIM結(jié)構(gòu)的上電極及所述第二 MIM結(jié)構(gòu)的下電極。
[0007]優(yōu)選地，還包括位于所述第一 MM結(jié)構(gòu)的上、下電極之間的第一介質(zhì)層以及位于所述第二 MM結(jié)構(gòu)的上、下電極之間的第二介質(zhì)層。
[0008]更優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層及所述第二介質(zhì)層為SiN。
[0009]優(yōu)選地，所述第一 MM結(jié)構(gòu)及所述第二 MM結(jié)構(gòu)的上電極為TaN。
[0010]優(yōu)選地，所述第一 MM結(jié)構(gòu)及所述第二 MM結(jié)構(gòu)的下電極為Cu。
[0011]優(yōu)選地，所述第一測試焊盤及第二測試焊盤為Al。
[0012]如上所述，本實(shí)用新型的測試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:
[0013]本實(shí)用新型的測試結(jié)構(gòu)將所述第一 MIM結(jié)構(gòu)的上電極與所述第二 MIM結(jié)構(gòu)的下電極相連后連接一焊盤、所述第一 MIM結(jié)構(gòu)的下電極與所述第二 MIM結(jié)構(gòu)的上電極相連后連接另一焊盤，僅需在其中一個(gè)焊盤上加壓，另一焊盤接收輸出信號(hào)即可同時(shí)檢測到從M頂結(jié)構(gòu)上電極傳輸?shù)较码姌O的信號(hào)及從下電極傳輸?shù)缴想姌O的信號(hào)，操作簡便，省時(shí)省力。
【附圖說明】
[0014]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的MM電容測試結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0015]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的MM電容測試結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0016]圖3顯示為MM電容測試的漏電流示意圖。
[0017]圖4顯示為本實(shí)用新型的測試結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0018]圖5顯示為本實(shí)用新型的測試結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0019]元件標(biāo)號(hào)說明
[0020]IMIM電容測試結(jié)構(gòu)
[0021]11下電極
[0022]12介質(zhì)層
[0023]13上電極
[0024]14第一通孔
[0025]15第一頂層金屬
[0026]16第二通孔
[0027]17第二頂層金屬
[0028]2測試結(jié)構(gòu)
[0029]21第一 MM 結(jié)構(gòu)
[0030]211 第一 MM結(jié)構(gòu)的下電極
[0031]212 第一介質(zhì)層
[0032]213 第一 MM結(jié)構(gòu)的上電極
[0033]22第二 MM 結(jié)構(gòu)
[0034]221 第二 MM結(jié)構(gòu)的下電極
[0035]222第二介質(zhì)層
[0036]223 第二 MM結(jié)構(gòu)的上電極
[0037]23第一測試焊盤
[0038]24第二測試焊盤
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下通過特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0040]請(qǐng)參閱圖4?圖5。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0041]如圖4?圖5所示，本實(shí)用新型提供一種測試結(jié)構(gòu)2，所述測試結(jié)構(gòu)2至少包括:第一 MM結(jié)構(gòu)21、第二 MM結(jié)構(gòu)22、第一測試焊盤23以及第二測試焊盤24，其中，所述第一MIM結(jié)構(gòu)21與所述第二 MM結(jié)構(gòu)22平行設(shè)置，所述第一測試焊盤23連接于所述第一 MM結(jié)構(gòu)的下電極211及所述第二 MM結(jié)構(gòu)的上電極223，所述第二測試焊盤24連接于所述第一 MIM結(jié)構(gòu)的上電極213及所述第二 MM結(jié)構(gòu)的下電極221。
[0042]如圖4所示，所述第一 MM結(jié)構(gòu)21依次包括:位于下層的所述第一 MM結(jié)構(gòu)的下電極211、位于所述第一 MM結(jié)構(gòu)的下電極211上層的第一介質(zhì)層212以及位于