微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其像素單元與發(fā)光二極管顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括發(fā)光堆疊層、絕緣層、第一電極與第二電極。發(fā)光堆疊層包含四角柱體并設(shè)于基底上，其中四角柱體包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，且四角柱體的頂部具有凹槽，第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁與基底表面分別具有小于90度的夾角。絕緣層覆蓋第一側(cè)壁、第三側(cè)壁以及部分頂部。第一電極覆蓋發(fā)光堆疊層的第一側(cè)壁、四角柱體頂部上的部分絕緣層以及凹槽的底部表面。第二電極覆蓋第三側(cè)壁以及四角柱體頂部上的部分絕緣層，藉由絕緣層的開口接觸發(fā)光堆疊層。
【專利說明】
微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其像素單元與發(fā)光二極管顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤指一種可達(dá)成高解析畫面且提升亮度的 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，以及包含前述微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的像素單元與發(fā)光二極管顯示面 板。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管顯不器（light emitting diode display, LED display)由于具有不 需彩色濾光片與不需背光模塊等特性以及低耗電、高對(duì)比和高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，一直以來 都被視為可能取代液晶顯示器(LCD)而成為下一世代顯示技術(shù)主流。并且，由于近年來LED 顯示器技術(shù)越趨成熟，已經(jīng)可以應(yīng)用于智慧型手機(jī)（smart phone)、電視（TV)、電腦屏幕 (computer monitor)等產(chǎn)品，因此業(yè)界更致力于發(fā)展微型LED顯示器，以使LED顯示器具有 更高的解析度。
[0003] 傳統(tǒng)微型LED所發(fā)射出的側(cè)向光會(huì)朝水平方向行進(jìn)，因此無法到達(dá)其頂側(cè)的使用 者視角區(qū)，為了提高光線利用率并增加視角區(qū)亮度，現(xiàn)有LED顯示器會(huì)于單顆或數(shù)顆微型 LED外圍設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)，并于遮光結(jié)構(gòu)表面鍍上反射層以形成反射面而反射光線，使微型 LED的光線能多數(shù)反射至使用者視角范圍，進(jìn)而提升亮度。然而，遮光結(jié)構(gòu)的設(shè)置會(huì)使得微 型LED無法緊密排列，擺放空間受到限縮，進(jìn)一步限制了畫面解析度的提升可能性。另一方 面，由于反射面須將微型LED四面環(huán)繞才具有最佳效果，但此結(jié)構(gòu)會(huì)增加制程的繁瑣性，不 利生產(chǎn)，然而若使數(shù)顆微型LED共用同一反射面，則會(huì)使得微型LED距離某些反射面過遠(yuǎn)，造 成反射效果不佳。此外，在實(shí)際制程與產(chǎn)品中，遮光結(jié)構(gòu)的反射面較難以制作成具有平坦表 面的斜面，而是會(huì)形成圓弧形表面，使得光線無法有效集中，因此導(dǎo)入使用者視角范圍的光 線有限。由上述可知，業(yè)界仍須持續(xù)研究如何提高LED顯示器的整體亮度以及解析度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明的目的之一在于提供一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其通過微型發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)之間的發(fā)光面與反射面的配置，以提升亮度并進(jìn)而提升畫面解析度，并將其應(yīng)用于像素 單元及顯示面板。
[0005] 本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括發(fā)光（light emitting) 堆疊層、絕緣層、第一電極與第二電極。發(fā)光堆疊層包含四角柱體并設(shè)于一基底上，其中四 角柱體包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，第一側(cè)壁鄰接于第二側(cè)壁與第四 側(cè)壁，第三側(cè)壁鄰接于第二側(cè)壁與第四側(cè)壁并且相對(duì)于第一側(cè)壁，且四角柱體的頂部具有 凹槽。另外，發(fā)光堆疊層的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁于基底表面互相相 接圍成一四邊形，且第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁與基底表面分別具有小于 90度的第一夾角、第二夾角、第三夾角以及第四夾角。絕緣層覆蓋了發(fā)光堆疊層的第一側(cè) 壁、第三側(cè)壁以及部分頂部，絕緣層未覆蓋凹槽的底部表面。另外，絕緣層于發(fā)光堆疊層的 頂部上具有鄰近于第三側(cè)壁設(shè)置的開口而未覆蓋部分發(fā)光堆疊層。第一電極覆蓋發(fā)光堆疊 層的第一側(cè)壁表面以及頂部上的部分絕緣層，并覆蓋凹槽的底部表面。第二電極覆蓋發(fā)光 堆疊層的第三側(cè)壁表面以及頂部上的部分絕緣層，并藉由開口而與發(fā)光堆疊層相接觸。
[0006] 本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管顯示面板，其包括第一子像素與第二子 像素。第一子像素包含二個(gè)第一發(fā)光二極管元件，各第一發(fā)光二極管元件分別包括一個(gè)如 上所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，且第一發(fā)光二極管元件用來產(chǎn)生第一色光。第二子像素包 含二個(gè)第二發(fā)光二極管元件，各第二發(fā)光二極管元件分別包括一個(gè)如上所述的微型發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)，且第二發(fā)光二極管元件用來產(chǎn)生第二色光，其中第二色光不同于第一色光。第二 子像素與第一子像素相鄰并排，且第二子像素與第一子像素中的任一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 的第一側(cè)壁或第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁或第 四側(cè)壁。
[0007] 本發(fā)明的又一實(shí)施例提供一種像素單元，其包括多個(gè)如上所述的微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)，相鄰并排于基底上，其中第二側(cè)壁與第四側(cè)壁分別為微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光面， 而第一電極與第二電極覆蓋第一側(cè)壁與第三側(cè)壁的部分分別為微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的反 射面，且任一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光面面對(duì)于相鄰的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的其中一 個(gè)反射面，使得由發(fā)光面發(fā)出的光線可以經(jīng)由反射面反射。
【附圖說明】
[0008] 圖1A繪示本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的上視示意圖。
[0009] 圖1B繪示本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的外觀示意圖。
[0010] 圖2為沿圖1AA-A'剖線所繪示的本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0011]圖3為沿圖1AB-B'剖線所繪示的本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0012] 圖4繪示圖1A所示微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光堆疊層的上視示意圖。
[0013] 圖5繪示本發(fā)明像素單元的實(shí)施例的上視示意圖。
[0014] 圖6繪示圖5所示本發(fā)明像素單元的側(cè)面示意圖。
[0015]圖7繪示本發(fā)明像素單元的第一變化實(shí)施例的微型發(fā)光二極管的側(cè)面示意圖。 [0016]圖8繪示本發(fā)明像素單元的第二變化實(shí)施例的微型發(fā)光二極管的側(cè)面示意圖。
[0017]圖9繪示本發(fā)明發(fā)光二極管顯示面板的實(shí)施例的上視示意圖。
[0018]圖10繪示表1中各實(shí)例像素單元應(yīng)用于發(fā)光二極管顯示面板的半峰全寬卬1!11-Width at Half-Maximum，F(xiàn)WHM)不意圖。
[0019] 其中，附圖標(biāo)記：
[0020] 100、202、204 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
[0021] 102 發(fā)光堆疊層
[0022] 102a 第一型摻雜半導(dǎo)體層
[0023] l〇2b 主動(dòng)層
[0024] 102c 第二型摻雜半導(dǎo)體層
[0025] l〇2t 頂部
[0026] l〇2u 凹槽
[0027] l〇2ul 底部表面
[0028] 1021 第一側(cè)壁
[0029] 1022 第二側(cè)壁
[0030] 1023 第三側(cè)壁
[0031] 1024 第四側(cè)壁
[0032] 104 絕緣層
[0033] l〇4a 開口
[0034] 1〇6 第一電極
[0035] 108 第二電極
[0036] 11〇 基底
[0037] 130 發(fā)光面
[0038] 140 反射面
[0039] 200 像素單元
[0040] 212 第一導(dǎo)線
[0041] 214 第二導(dǎo)線
[0042] 300 發(fā)光二極管顯示面板
[0043] 302 第一子像素
[0044] 304 第二子像素
[0045] 306 第三子像素
[0046] 312 第一發(fā)光二極管元件
[0047] 314 第二發(fā)光二極管元件
[0048] 316 第三發(fā)光二極管元件
[0049] 322 共用電極線
[0050] 324 信號(hào)線
[0051 ] al 第一夾角
[0052] a2 第二夾角
[0053] a3 第三夾角
[0054] a4 第四夾角
[0055] al30 發(fā)光面夾角
[0056] al40 反射面夾角
[0057] D1 第一方向
[0058] D2 第二方向
[0059] p 區(qū)域
[0060] QL 四邊形
【具體實(shí)施方式】
[0061]為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉 本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。 [0062]請(qǐng)參考圖1A至圖3,圖1A繪示本發(fā)明微型發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的上視示 意圖，圖1B繪示本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的外觀示意圖，圖2為沿圖1AA-A'剖線 所繪示的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，而圖3為沿圖1AB-B'剖線所繪示的微型發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖1A至圖3所示，本實(shí)施例的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100包括發(fā) 光(light emitting)堆疊層102、絕緣層104、第一電極106與第二電極108,以下將依序介紹 上述元件的結(jié)構(gòu)以及彼此的相對(duì)設(shè)置關(guān)系。微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的發(fā)光堆疊層102設(shè)于 基底110上，其中發(fā)光堆疊層102包括第一型摻雜半導(dǎo)體層102a、主動(dòng)層102b以及第二型摻 雜半導(dǎo)體層l〇2c，并且依序由下而上堆疊于基底110上。請(qǐng)同時(shí)參考圖4,圖4繪示圖1A所示 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光堆疊層的上視示意圖，其中圖4相較于圖1A僅繪示出發(fā)光堆疊 層102的結(jié)構(gòu)，也就是說，圖4僅繪示第一型摻雜半導(dǎo)體層102a、主動(dòng)層102b以及第二型摻雜 半導(dǎo)體層102c。本發(fā)明的發(fā)光堆疊層102包含四角柱體，精確地說，發(fā)光堆疊層102包含介于 四角柱體與四角錐體之間的類四角柱體，其包括第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁 1023以及第四側(cè)壁1024,其中第一側(cè)壁1021鄰接于第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024,第三側(cè) 壁1023鄰接于第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024并且相對(duì)于第一側(cè)壁1021。在本實(shí)施例中，第 一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024的形狀皆為梯形。此外，發(fā)光 堆疊層102的第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024與基底110的 表面分別具有第一夾角al、第二夾角a2、第三夾角a3以及第四夾角a4,其中第一夾角al、第 二夾角a2、第三夾角a3以及第四夾角a4的角度皆小于90度。換句話說，第一夾角al、第二夾 角a2、第三夾角a3以及第四夾角a4的角度為銳角。所以當(dāng)?shù)谝粋?cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第 三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024設(shè)置于基底110上，第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁 1023以及第四側(cè)壁1024之間會(huì)互相朝所相對(duì)的側(cè)壁傾斜。如圖4所示，第一型摻雜半導(dǎo)體層 102a于基底110上的投影面積大于主動(dòng)層102b于基底110上的投影面積，而主動(dòng)層102b于基 底110上的投影面積大于第二型摻雜半導(dǎo)體層102c于基底110上的投影面積，換句話說，發(fā) 光堆疊層102的平行于基底110表面的剖面面積會(huì)隨著遠(yuǎn)離基底110而縮小，且因?yàn)榘l(fā)光堆 疊層102具有平行于基底110表面的頂面，與第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以 及第四側(cè)壁1024的頂部分別相接，因此發(fā)光堆疊層102呈現(xiàn)一種介于四角柱體與四角錐體 之間的類四角柱體，而在本說明書中仍以四角柱體來形容發(fā)光堆疊層102的外觀。另一方 面，根據(jù)本實(shí)施例，發(fā)光堆疊層102的第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四 側(cè)壁1024的底部于基底110表面互相相接圍成一四邊形，如圖4中以四邊形QL所表示者，而 第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024分別對(duì)應(yīng)四邊形QL的一邊。 在一較佳實(shí)施例中，第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024的底部 邊長相等，因此，第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第四側(cè)壁1024的底部于 基底110的表面互相相接圍成一正方形，換句話說，發(fā)光堆疊層102于基底110上的垂直投影 為正方形。然而，本發(fā)明并不以此為限，第一側(cè)壁1021、第二側(cè)壁1022、第三側(cè)壁1023以及第 四側(cè)壁1024的底部邊長可不完全相等，而發(fā)光堆疊層102于基底110上的投影也不一定是正 方形，例如可以為邊長不完全相等的矩形，或是平行四邊形。再者，四角柱體的頂部102t具 有凹槽102u，且第一型摻雜半導(dǎo)體層102a曝露于凹槽102u的底部。在本實(shí)施例中，凹槽102u 大體上位于四角柱體的頂部102t中心，但不以此為限。
[0063]根據(jù)本發(fā)明，第一型摻雜半導(dǎo)體層102a具有第一摻雜導(dǎo)電型，而第二型摻雜半導(dǎo) 體層102c具有第二摻雜導(dǎo)電型，且第一摻雜導(dǎo)電型不同于第二摻雜導(dǎo)電型型式。例如在本 實(shí)施例中，第一摻雜導(dǎo)電型為η型，而第二摻雜導(dǎo)電型為p型，但不以此為限，在其他實(shí)施例 中，兩者的導(dǎo)電型可相反。本實(shí)施例的發(fā)光堆疊層102的材料可包括砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷 砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGalnP)、磷化鎵(GaP)、氮化銦鎵（InGaN)、氮化鎵(GaN)、磷 化鎵(GaP)、磷化鋁鎵銦(AlGalnP)、磷化鎵鋁(AlGaP)或硒化鋅(ZnSe)等，但不以此為限。例 如第一型摻雜半導(dǎo)體層102a的材料可包括η型氮化鎵(GaN)或η型砷化鎵(GaAs)，而第二型 摻雜半導(dǎo)體層l〇2c的材料可包括p型氮化鎵(GaN)或p型砷化鎵(GaAs);或者第一型摻雜半 導(dǎo)體層102a的材料可包括p型氮化鎵(GaN)或p型砷化鎵(GaAs)，而第二型摻雜半導(dǎo)體層 102c的材料可包括η型氮化鎵(GaN)或η型砷化鎵(GaAs)。例如主動(dòng)層102b的材料可包括氮 化銦鎵（InGaN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)。
[0064] 發(fā)光堆疊層102可利用半導(dǎo)體材料的種類以控制主動(dòng)層發(fā)光的色調(diào)，例如微型發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)1〇〇設(shè)計(jì)成紅光、綠光或藍(lán)光微型發(fā)光二極管時(shí)，則其主動(dòng)層l〇2b可能具有不 同的材料。在一具體較佳實(shí)施例中，例如第一型摻雜半導(dǎo)體層1 〇2a材料為η型氮化鎵(GaN)， 第二型摻雜半導(dǎo)體層102c材料為p型氮化鎵(GaN)，主動(dòng)層102b的材料為氮化銦鎵(InGaN)， 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100可發(fā)出藍(lán)光。
[0065] 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的絕緣層104設(shè)于發(fā)光堆疊層102的外側(cè)，覆蓋了發(fā)光堆 疊層102的第一側(cè)壁1021、第三側(cè)壁1023、部分頂部102t表面以及凹槽102u的側(cè)壁，而發(fā)光 堆疊層102的第二側(cè)壁1022、第四側(cè)壁1024、其他部分的頂部102t以及凹槽102u的底部則未 被絕緣層104覆蓋，因此凹槽102u的底部暴露出第一型摻雜半導(dǎo)體層102a。如圖3所示，絕緣 層104于發(fā)光堆疊層102的頂部102t上具有開口 104a，開口 104a未覆蓋部分的發(fā)光堆疊層 102，也就是開口 104a曝露出部分的發(fā)光堆疊層102。在本實(shí)施例中，絕緣層104的開口 104a 未覆蓋部份的第二型摻雜半導(dǎo)體層l〇2c，也就是開口 104a曝露出部份的第二型摻雜半導(dǎo)體 層102c。本實(shí)施例的絕緣層104可為透明或半透明，以減少透光度的影響，使亮度提升，例如 其材料可為二氧化硅(Si0 2)、氮化硅(SiNx)，但不以此為限。
[0066] 第一電極106覆蓋發(fā)光堆疊層102的第一側(cè)壁1021以及頂部102t上的部分絕緣層 104,亦即第一電極106覆蓋了設(shè)于第一側(cè)壁1021上的絕緣層104。并且，第一電極106還覆蓋 了凹槽102u的底部表面102ul，由于凹槽102u的底部表面102ul未被絕緣層104覆蓋，因此第 一電極106經(jīng)由凹槽102u的底部而與所曝露的第一型摻雜半導(dǎo)體層102a直接接觸，換句話 說，第一電極106與第一型摻雜半導(dǎo)體層102a于凹槽102u的底部電性連接。另一方面，第二 電極108覆蓋發(fā)光堆疊層102的第三側(cè)壁1023以及頂部102t上的部分絕緣層104,亦即第二 電極108覆蓋了設(shè)于第三側(cè)壁1023上的絕緣層104,所以第二電極108與第一電極106分別位 于微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的相對(duì)兩側(cè)，亦即第一電極106與第二電極108相對(duì)設(shè)置且結(jié)構(gòu) 上兩者互不連接。另外，第二電極108藉由絕緣層104的開口 104a而與發(fā)光堆疊層102的第二 型摻雜半導(dǎo)體層l〇2c相接觸，換句話說，第二電極108與第二型摻雜半導(dǎo)體層102c經(jīng)由絕緣 層104的開口 104a電性連接。在本實(shí)施例中，由于第一型摻雜半導(dǎo)體層102a的摻雜導(dǎo)電型為 η型，而第二型摻雜半導(dǎo)體層102c的摻雜導(dǎo)電型為p型，故第一電極106當(dāng)作微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)100的陰極電極，而第二電極108為陽極電極。在變化實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層 102a可具有p型的第一摻雜導(dǎo)電型，而第二型摻雜半導(dǎo)體層102c具有η型的第二摻雜導(dǎo)電 型，故第一電極106為陽極電極，第二電極108為陰極電極。根據(jù)本發(fā)明，第一電極106與第二 電極108的材料為反射性金屬材料，例如銅、銀或其他適合的反射性金屬材料，以作為微型 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100表面的反射面140,用來將光線朝微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100相反于基底 110的方向反射，亦即朝圖2與圖3的上側(cè)反射光線而增加向上射出光線的亮度。
[0067] 需注意的是，由于第一電極106與第二電極108未覆蓋發(fā)光堆疊層102的第二側(cè)壁 1022與第四側(cè)壁1024,故第二側(cè)壁1022表面與第四側(cè)壁1024表面不具有反射面140,且發(fā)光 堆疊層102的主動(dòng)層102b暴露于第二側(cè)壁1022表面與第四側(cè)壁1024表面，使得第二側(cè)壁 1022與第四側(cè)壁1024分別形成微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的發(fā)光面130,且此兩個(gè)發(fā)光面130 相對(duì)設(shè)置于微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的兩側(cè)。由上述可知，微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的四個(gè) 側(cè)壁表面共具有兩發(fā)光面130與兩反射面140,且兩發(fā)光面130與兩反射面140互相相對(duì)設(shè) 置，而任一發(fā)光面130與兩個(gè)反射面140相鄰設(shè)置。再者，由于第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024 當(dāng)作微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)1〇〇的發(fā)光面130,因此第二夾角a2與第四夾角a4定義為發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)100的發(fā)光面夾角al30。另一方面，由于覆蓋第一側(cè)壁1021與第三側(cè)壁1023的第一電 極106與第二電極108定義為反射面140,故第一夾角al與第三夾角a3定義為反射面夾角 al40〇
[0068] 請(qǐng)參考圖5,圖5繪示本發(fā)明像素單元的實(shí)施例的上視示意圖。如圖5所示。本發(fā)明 像素單元200包括多個(gè)如圖1A至圖3所示的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,其應(yīng)用于發(fā)光二極管 顯示面板，且微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100相反于基底110的方向?yàn)榘l(fā)光二極管顯示面板的顯示 面或出光面，亦即使用者由微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的頂部一側(cè)觀賞顯示畫面。在較佳實(shí)施 例中，本發(fā)明像素單元200包括偶數(shù)個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,其中本實(shí)施例以包括兩個(gè) 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)202、204為例，但不以此為限。因此，像素單元200中的各微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)100分別具有兩個(gè)發(fā)光面130與兩個(gè)反射面140。根據(jù)本發(fā)明，為了使發(fā)光面130發(fā)出 的光線可以經(jīng)由反射面140朝顯示面反射，像素單元200的任一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100 的發(fā)光面130面對(duì)于相鄰的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的其中一個(gè)反射面140,使得由任一發(fā) 光面130發(fā)出的光線可以經(jīng)由相鄰的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的反射面140朝上反射，亦即 由發(fā)光面130發(fā)出的光線在經(jīng)由反射面140反射后的行進(jìn)方向包括朝著相反于基底110的方 向射出，以進(jìn)入使用者的視角范圍，以增加顯示面的亮度。由上述可知，由于像素單元200所 包含的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的數(shù)量為偶數(shù)，因此面向圖5上、下側(cè)與左、右側(cè)設(shè)置的發(fā)光 面130和反射面140數(shù)量皆相等，可以均勻化整體像素單元200朝上、下側(cè)與左、右側(cè)的發(fā)光 亮，進(jìn)而均勻化朝顯示面反射的光線的分布。
[0069]此外，在較佳實(shí)施例中，像素單元200中任一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一側(cè)壁 1021面對(duì)與其兩相鄰并排設(shè)置的另一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二側(cè)壁1022,而各微 型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第三側(cè)壁1023面對(duì)與其兩相鄰并排設(shè)置的另一個(gè)微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)100的第四側(cè)壁1024,也就是說，各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100與其相鄰的微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)100具有旋轉(zhuǎn)90度的配置。在較佳實(shí)施例中，像素單元200的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100 的第二電極108互相電性連接，換句話說，在同一像素單元200中的各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 100的第二電極108為等電位，而與其電性連接的第二型摻雜半導(dǎo)體層102c以等電位驅(qū)動(dòng)。 如圖5所示，像素單元200可包括多個(gè)第一導(dǎo)線212,分別電連接于一個(gè)第一電極106,以使第 一電極106與電壓源電性連接，例如電連接于共用電壓源以提供定電壓給微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)100。另一方面，像素單元200還可另包含第二導(dǎo)線214,用來電性連接同一像素單元200 中各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二電極108。第一導(dǎo)線212與第二導(dǎo)線214可設(shè)置于基底 110的表面，或埋設(shè)于基底110中。藉由上述設(shè)計(jì)，當(dāng)發(fā)光二極管顯示面板包括多個(gè)像素單元 200并列配置時(shí)，可以簡化像素單元200之間的布線復(fù)雜度，并同時(shí)達(dá)成各發(fā)光面130面對(duì)反 射面140的設(shè)計(jì)。
[0070] 如前所述，本發(fā)明像素單元200中各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的發(fā)光面130分別面 對(duì)一反射面140,因此不會(huì)有現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)微型發(fā)光二極管元件同時(shí)共用遮光結(jié)構(gòu)反射 面的問題，故可避免發(fā)光面130距離反射面140過遠(yuǎn)的情形，可以有效提高出光效果，再者， 因?yàn)橥幌袼貑卧?00中的各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100本身提供了相鄰的另一個(gè)微型發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)100反射面，所以不需另外在微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100之間設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)以反射 光線，因此可以縮小像素單元200中相鄰微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100之間的距離，進(jìn)而簡化制 程并提高畫面解析度。
[0071] 請(qǐng)參考圖6,圖6繪示圖5所示本發(fā)明像素單元的側(cè)面示意圖，其中圖6另繪示出了 像素單元的光線行進(jìn)示意圖。如圖6所示，在本實(shí)施例中，發(fā)光面夾角al30與反射面夾角 al40相同，換句話說，微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024的第二夾角 a2與第四夾角a4相同于第一側(cè)側(cè)壁1021與第三側(cè)邊1023側(cè)壁的第一夾角al與第三夾角a3 角度。當(dāng)光線經(jīng)主動(dòng)層l〇2b產(chǎn)生而由發(fā)光面130發(fā)出時(shí)，大部分的光線會(huì)直接行進(jìn)至其所面 對(duì)的反射面140,而由于反射面夾角al40為銳角，因此可以將光線朝著相反于基底110的方 向射出，亦即朝顯示面射出。本發(fā)明并不限制反射面夾角al40與發(fā)光面夾角al30的關(guān)系，亦 即不限制發(fā)光面夾角al30與反射面夾角al40必須相等，可以依需求而使反射面140與發(fā)光 面130分別具有不同的傾斜度，以提高朝顯示面反射的光線量以及整體像素單元200的亮 度。需注意的是，由于垂直于發(fā)光面130的光線亮度最強(qiáng)，且光線主要是從主動(dòng)層102b發(fā)出， 因此在設(shè)計(jì)發(fā)光面夾角al30與反射面夾角al40時(shí)，可以考慮到主動(dòng)層102b的位置、由主動(dòng) 層102b射出并垂直于發(fā)光面130的光線的行進(jìn)路線以及相鄰微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100之間 的距離，以調(diào)整發(fā)光面夾角al30與反射面夾角al40之間的關(guān)系，提高光線利用率。
[0072] 請(qǐng)參考圖7至8,圖7繪示本發(fā)明像素單元的第一變化實(shí)施例的微型發(fā)光二極管的 側(cè)面示意圖，圖8繪示本發(fā)明像素單元的第二變化實(shí)施例的側(cè)面示意圖。如圖7所示，在第一 變化實(shí)施例中，發(fā)光面夾角al30大于反射面夾角al40,換句話說，微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100 的第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024的第二夾角a2與第四夾角a4大于第一側(cè)壁1021與第三側(cè) 壁1023的第一夾角al與第三夾角a3。如圖8所示，在第二變化實(shí)施例中，發(fā)光面夾角al30小 于反射面夾角al40,換句話說，微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二側(cè)壁1022與第四側(cè)壁1024的 第二夾角a2與第四夾角a4小于第一側(cè)壁1021與第三側(cè)壁1023的第一夾角al與第三夾角a3。 需注意的是，在本發(fā)明圖5與圖6所繪實(shí)施例與本發(fā)明第一、第二變化實(shí)施例中，反射面夾角 al40中的第一夾角al相同于第三夾角a3,發(fā)光面夾角al30中的第二夾角a2相同于第四夾角 a4,換句話說，同一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的各發(fā)光面夾角al30皆相等，且同一微型發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)1〇〇的各反射面夾角al40皆相等。然而，在其他變化實(shí)施例中，反射面夾角al40 中的第一夾角al可不同于第三夾角a3,發(fā)光面夾角al30中的第二夾角a2可不同于第四夾角 a4，可如前所述依需要而調(diào)整設(shè)計(jì)各夾角角度。
[0073] 請(qǐng)參考圖9,圖9繪示本發(fā)明發(fā)光二極管顯示面板的實(shí)施例的上視示意圖。如圖9所 示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管顯示面板300包括第一子像素302與第二子像素304,其中第一子 像素302包括如圖5所示的像素單元200并且包含二個(gè)第一發(fā)光二極管元件312,各第一發(fā)光 二極管元件312分別包括一個(gè)如圖1A至圖3所示的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,且第一發(fā)光二 極管元件312用來產(chǎn)生第一色光;第二子像素304包括如圖5所示的像素單元200并且包含二 個(gè)第二發(fā)光二極管元件314,各第二發(fā)光二極管元件314分別包括一個(gè)如圖1A至圖3所示的 微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,第二發(fā)光二極管元件314用來產(chǎn)生第二色光，且第二色光不同于 第一色光?？蛇x擇性的，本實(shí)施例的發(fā)光二極管顯示面板300可另包括第三子像素306,其中 第三子像素306包括如圖5所示的像素單元200并且包含二個(gè)第三發(fā)光二極管元件316,各第 三發(fā)光二極管元件316分別包括一個(gè)如圖1Α至圖3所示的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,第三發(fā) 光二極管元件316用來產(chǎn)生第三色光，且第三色光不同于第一色光與第二色光，例如第一色 光、第二色光與第三色光分別為紅光、藍(lán)光及綠光的其中一者，但不以此為限。所以，本實(shí)施 例的第一發(fā)光二極管元件312、第二發(fā)光二極管元件314及第三發(fā)光二極管元件316所包含 的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的主動(dòng)層102b可具有不完全相同的材料，以發(fā)出不同色光。在本 實(shí)施例中，第一子像素302、第二子像素304及第三子像素306中的二個(gè)第一發(fā)光二極管元件 312、二個(gè)第二發(fā)光二極管元件314及二個(gè)第三發(fā)光二極管元件316分別沿第一方向D1相鄰 排列，使第一子像素302、第二子像素304及第三子像素306具有平行第一方向D1的長邊與平 行第二方向D2的短邊。本實(shí)施例的第一方向D1與第二方向D2實(shí)質(zhì)上互相垂直，但不以此為 限。根據(jù)本實(shí)施例，第一子像素302、第二子像素304與第三子像素306相鄰交替并排，舉例而 言，第一子像素302、第二子像素304與第三子像素306可沿第二方向D2交替輪流排列，但不 以此為限。此外，第一子像素302、第二子像素304及第三子像素306中的任一微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)100的第一側(cè)壁1021或第三側(cè)壁1023面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)100的第二側(cè)壁1022或第四側(cè)壁1024,換句話說，任一子像素中的任一微型發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)100的發(fā)光面130面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的反射面140。 [0074]本實(shí)施例的發(fā)光二極管顯示面板300另可包括至少一共用電極線322與多個(gè)信號(hào) 線324,其中共用電極線322電性連接于第一子像素302、第二子像素304及第三子像素306的 各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一電極106,而信號(hào)線324分別電性連接于第一子像素302、 第二子像素304及第三子像素306的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二電極108的至少其中一 者。因此，本實(shí)施例的共用電極線322與各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一型摻雜半導(dǎo)體層 102a電性連接，而各信號(hào)線324則至少與其中一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二型摻雜半 導(dǎo)體層l〇2c電性連接，但不以此為限;例如發(fā)光二極管顯示面板300也可包含多個(gè)共用電極 線322分別電性連接部分的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一型摻雜半導(dǎo)體層102a。另外，信 號(hào)線324更可分別電性連接于薄膜晶體管元件(TFT)，藉由薄膜晶體管元件的運(yùn)作而個(gè)別驅(qū) 動(dòng)各子像素，亦即通過信號(hào)線324將薄膜晶體管元件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供信號(hào)給各子像素，但不 以此為限。由于本實(shí)施例的信號(hào)線324同時(shí)電連接于各子像素中兩個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 100的第二電極108,因此圖5所示的第二導(dǎo)線214可視為信號(hào)線324的一部分，而圖5所示的 第一導(dǎo)線212可視為共用電極線322的一部分，第一導(dǎo)線212由各子像素向外延伸而彼此共 同電性連接，但不以此為限。
[0075]由于發(fā)光二極管顯示面板300另具有共用電極線322與多個(gè)信號(hào)線324,故本實(shí)施 例設(shè)計(jì)使第一子像素302、第二子像素304及第三子像素306中的任一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 100的第一側(cè)壁1021面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第二側(cè)壁1022， 而任一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第三側(cè)壁1023面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)100的第四側(cè)壁1024,也就是說，各微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100與其相鄰的微型發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)100具有旋轉(zhuǎn)±90度的配置。其配置結(jié)果如圖9的區(qū)域P所示，其中區(qū)域P是由兩相 鄰子像素組成，此配置可將兩相鄰子像素中的四個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的第一電極106 面向區(qū)域P的外側(cè)，第二電極108面向區(qū)域P的內(nèi)側(cè)，以同時(shí)達(dá)成發(fā)光面130面對(duì)反射面140的 設(shè)計(jì)與簡化共用電極線322與信號(hào)線324的布線復(fù)雜度。
[0076]由上述可知，由于本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管顯示面板300采用如圖5所示的像素 單元200作為子像素，且子像素中的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100具有特定配置方式，因此各微 型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的發(fā)光面130分別面對(duì)另一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的反射面140,使 得微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100之間不需另外設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)以反射光線，因此可以縮小相鄰微 型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100之間的距離，進(jìn)而簡化制程并提高畫面解析度。再者，經(jīng)由前述的共 用電極線322與信號(hào)線324的布線原則，可以經(jīng)由簡單的配線設(shè)計(jì)而個(gè)別驅(qū)動(dòng)各子像素的信 號(hào)。
[0077] 請(qǐng)參考表1及圖10。表1為本發(fā)明像素單元的各實(shí)例的發(fā)光面夾角角度與反射面夾 角角度的對(duì)應(yīng)表，其中同一微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)1〇〇中的發(fā)光面夾角al30皆相同，而同一微 型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)1〇〇中的反射面夾角al40皆相同。圖10繪示表1中各實(shí)例像素單元應(yīng)用于 發(fā)光二極管顯示面板的半峰全寬(Full-Width at Half-Maximum,FWHM)示意圖，其表示出 發(fā)光二極管顯示面板的各視角范圍的光線強(qiáng)度。如表1及圖10所示，在表1中，實(shí)例E1的發(fā)光 面夾角al30為70度，反射面夾角al40介于50度與60度之間，因此實(shí)例E1的發(fā)光面夾角al30 大于反射面夾角al40,其光線行進(jìn)方式可對(duì)應(yīng)于圖7;實(shí)例E2的發(fā)光面夾角al30為60度，反 射面夾角al40介于55度與65度之間，因此實(shí)例E2的發(fā)光面夾角al30可大于、小于或等于反 射面夾角al40，其光線行進(jìn)方式可對(duì)應(yīng)于圖6至圖8;實(shí)例E3的發(fā)光面夾角al30為50度，反射 面夾角al40介于60度與70度之間，因此實(shí)例E3的發(fā)光面夾角al30小于反射面夾角al40，其 光線行進(jìn)方式可對(duì)應(yīng)于圖8;實(shí)例E4的發(fā)光面夾角al30為20度，反射面夾角al40介于75度與 85度之間，因此實(shí)例E4的發(fā)光面夾角al30小于反射面夾角al40,其光線行進(jìn)方式可對(duì)應(yīng)于 圖8。在圖10中，當(dāng)顯示面板包含實(shí)例E1、實(shí)例E2與實(shí)例E3所代表角度配置的微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)時(shí)，其具有較均勻的光線角度分布，亦即在較大的視角范圍中都具有較佳的光線強(qiáng) 度與光線均勻度，而當(dāng)顯示面板包含實(shí)例E4所代表角度配置的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)時(shí)，于 顯示面上僅于±10度視角內(nèi)有較優(yōu)良的光線強(qiáng)度，因此，實(shí)例E1、實(shí)例E2與實(shí)例E3所代表的 角度配置于本發(fā)明中為較佳實(shí)施例，換句話說，當(dāng)?shù)诙A角a2與第四夾角a4的范圍介于50 度與70度之間，且第一夾角al與第三夾角a3的范圍介于50度與70度之間時(shí)，具有較佳且均 勻的光線角度分布。
[0078] 表1本發(fā)明像素單元各實(shí)例的發(fā)光面與反射面夾角角度的對(duì)應(yīng)表
[0080]綜上所述，本發(fā)明的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與利用其在像素單元和發(fā)光二極管顯示 面板的配置設(shè)計(jì)，可使微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光面的發(fā)光光線經(jīng)由鄰近微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)的反射面反射，使發(fā)光二極管的光線能多數(shù)反射至使用者視角范圍，以提升亮度與出 光效果，因此，本發(fā)明不須利用遮光結(jié)構(gòu)上的反射金屬以反射光線，故可以縮小相鄰微型發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)之間的距離，進(jìn)而簡化制程并提高畫面解析度。另一方面，微型發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)的發(fā)光面分別面對(duì)一反射面，因此不會(huì)有現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)微型發(fā)光二極管元件同時(shí)共用 遮光結(jié)構(gòu)的反射面的問題，故可避免發(fā)光面距離反射面過遠(yuǎn)的情形，可以有效提高出光效 果。此外，本發(fā)明微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的反射面為平坦的傾斜面，藉由調(diào)整及設(shè)計(jì)出光面與 反射面的角度，可以控制光線行進(jìn)路徑以增加光線利用率。
[0081]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與 修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含： 一發(fā)光堆疊層，設(shè)于一基底上，該發(fā)光堆疊層包含一四角柱體，其中該四角柱體包括一 第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁、一第三側(cè)壁以及一第四側(cè)壁，該第一側(cè)壁鄰接于該第二側(cè)壁與該第 四側(cè)壁，該第三側(cè)壁鄰接于該第二側(cè)壁與該第四側(cè)壁并且相對(duì)于該第一側(cè)壁，該第一側(cè)壁、 該第二側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及該第四側(cè)壁的底部于該基底表面互相相接圍成一四邊形，該 第一側(cè)壁、該第二側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及該第四側(cè)壁與該基底表面分別具有小于90度的一 第一夾角、一第二夾角、一第三夾角以及一第四夾角，且該四角柱體的一頂部具有一凹槽； 一絕緣層，覆蓋該第一側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及部分該頂部，其中該絕緣層未覆蓋該凹槽 的一底部表面，且該絕緣層于該頂部上具有一開口而未覆蓋部分該發(fā)光堆疊層，該開口鄰 近于該第三側(cè)壁設(shè)置； 一第一電極，覆蓋該第一側(cè)壁表面以及該頂部上的部分該絕緣層，并覆蓋該凹槽的該 底部表面；以及 一第二電極，覆蓋該第三側(cè)壁表面以及該頂部上的部分該絕緣層，并藉由該開口而與 該發(fā)光堆疊層相接觸。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光堆疊層包括一第一 型摻雜半導(dǎo)體層、一主動(dòng)層以及一第二型摻雜半導(dǎo)體層依序由下而上堆疊于該基底上。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極經(jīng)由該凹槽的 底部而與該第一型摻雜半導(dǎo)體層直接接觸。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極經(jīng)由該開口而 與該第二型摻雜半導(dǎo)體層直接接觸。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一型摻雜半導(dǎo)體層于 該基底上的投影面積大于該主動(dòng)層于該基底上的投影面積，而該主動(dòng)層于該基底上的投影 面積大于該第二型摻雜半導(dǎo)體層于該基底上的投影面積。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極未與該第二電 極結(jié)構(gòu)上連接。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極與該第二電極 的材料包括具反射性的金屬材料。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極與該第二電極 的材料分別為銅或銀。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一夾角相同于該第三 夾角，該第二夾角相同于該第四夾角。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二夾角與該第四夾 角的范圍為50度至70度，該第一夾角與該第三夾角的范圍為50度至70度。11. 一種發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，包括： 一第一子像素，包含二個(gè)第一發(fā)光二極管元件，各該第一發(fā)光二極管元件分別包括一 個(gè)如第1項(xiàng)所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，且該等第一發(fā)光二極管元件用來產(chǎn)生一第一色光； 以及 一第二子像素，包含二個(gè)第二發(fā)光二極管元件，各該第二發(fā)光二極管元件分別包括一 個(gè)如權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，且該等第二發(fā)光二極管元件用來產(chǎn)生一第二 色光，其中該第二色光不同于該第一色光； 其中該第二子像素與該第一子像素相鄰并排，且該第二子像素與該第一子像素中的任 一該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁或該第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)該微型 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)壁或該第四側(cè)壁。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，另包括： 一共用電極線，電性連接于該等第一子像素與該等第二子像素的各該微型發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)的該第一電極；以及 多個(gè)信號(hào)線，分別電性連接于該等第一子像素與該等第二子像素的該等微型發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)的該等第二電極的至少其中一者。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該第二子像素與該第一 子像素中的任一該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)該微型 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)壁，而任一該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰 并排的另一個(gè)該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第四側(cè)壁。14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，另包括一第三子像素， 且該第三子像素包含二個(gè)第三發(fā)光二極管元件，各該第三發(fā)光二極管元件分別包括一個(gè)如 權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，該等第三發(fā)光二極管元件用來產(chǎn)生一第三色光，其 中該第三色光不同于該第一色光與該第二色光，其中該第三子像素中的任一該微型發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁或該第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 的該第二側(cè)壁或該第四側(cè)壁。15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該第一色光、該第二色 光與該第三色光分別為紅光、藍(lán)光與綠光。16. -種像素單元，包含多個(gè)微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，相鄰并排于一基底上，其特征在于， 各該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)分別包括： 一發(fā)光堆疊層，設(shè)于該基底上，該發(fā)光堆疊層包含一四角柱體，其中該四角柱體包括一 第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁、一第三側(cè)壁以及一第四側(cè)壁，該第一側(cè)壁鄰接于該第二側(cè)壁與該第 四側(cè)壁，該第三側(cè)壁鄰接于該第二側(cè)壁與該第四側(cè)壁并且相對(duì)于該第一側(cè)壁，該第一側(cè)壁、 該第二側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及該第四側(cè)壁的底部于該基底表面互相相接圍成一四邊形，且 該第一側(cè)壁、該第二側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及該第四側(cè)壁與該基底表面分別具有小于90度的 一第一夾角、一第二夾角、一第三夾角以及一第四夾角，且該四角柱體的一頂部具有一凹 槽，其中該第二側(cè)壁與該第四側(cè)壁分別為該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的一發(fā)光面； 一絕緣層，覆蓋該第一側(cè)壁、該第三側(cè)壁以及部分該頂部，其中該絕緣層未覆蓋該凹槽 的一底部表面，且該絕緣層于該頂部上具有一開口而未覆蓋部分該發(fā)光堆疊層，該開口鄰 近于該第三側(cè)壁設(shè)置； 一第一電極，覆蓋該第一側(cè)壁表面以及該頂部上的部分該絕緣層，并覆蓋該凹槽的該 底部表面，且該第一電極覆蓋該第一側(cè)壁的部分為該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的一反射面；以 及 一第二電極，覆蓋該第三側(cè)壁表面以及該頂部上的部分該絕緣層，并藉由該開口而與 該發(fā)光堆疊層相接觸，其中該第二電極不與該第一電極連接，且該第二電極覆蓋該第三側(cè) 壁表面的部分為該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的一反射面； 其中該等微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的其中任一者的該發(fā)光面面對(duì)于相鄰的該等微型發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)的其中一個(gè)該反射面，使得由該發(fā)光面發(fā)出的光線可以經(jīng)由該反射面反射。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素單元，其特征在于，由該發(fā)光面發(fā)出的光線在經(jīng)由該反 射面反射后的行進(jìn)方向包括朝著相反于該基底的方向射出。18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素單元，其特征在于，該等微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該等第 二電極互相電性連接。19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素單元，其特征在于，該等微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的數(shù)量為 偶數(shù)，且各該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁或該第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè) 該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)壁或該第四側(cè)壁。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素單元，其特征在于，各該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第一 側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)壁，而各該微型發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)的該第三側(cè)壁面對(duì)與其相鄰并排的另一個(gè)該微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的該第四側(cè)壁。
【文檔編號(hào)】H01L33/24GK106025029SQ201610557470
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月15日
【發(fā)明人】楊文瑋, 吳宗典, 張正杰
【申請(qǐng)人】友達(dá)光電股份有限公司