圖案化的剛性載體基板及用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種圖案化的剛性載體基板，包括載體玻璃，以及，沉積在所述載體玻璃上表面的鏤空形狀的薄膜。本發(fā)明還公開了一種用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，包括：所述的圖案化的剛性載體基板，覆蓋在所述剛性載體基板之上的柔性基板，以及，作為所述柔性基板與所述剛性載體基板的粘接層的氮氧化硅薄膜。實(shí)施本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可以防止處于剛性載體基板與超薄玻璃之間的粘接層在剝離過程中殘留在超薄玻璃上，有效降低在剝離過程中對超薄玻璃的損害。
【專利說明】
圖案化的剛性載體基板及用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖案化的剛性載體基板及用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前柔性AMOLED(Active_MatrixOrganic Light-Emitting D1de，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)基板材料主要有:聚合物基板，如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)基板、PI(聚酰亞胺薄膜)基板等;金屬箔、超薄玻璃等。其中，聚合物基板化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定且耐高溫性差;金屬箔易于制備，但其中研究較多的Cu(銅)箔的環(huán)境穩(wěn)定性差，而其他金屬箔由于成本、穩(wěn)定性等因素也未能得到廣泛應(yīng)用。超薄玻璃不僅具有傳統(tǒng)玻璃透光性好、耐熱性與耐高溫、尺寸穩(wěn)定、阻水阻氧特性、表面平坦等優(yōu)點(diǎn)，還具有良好的柔性，其能滿足現(xiàn)代電子顯示柔性化、輕便化的發(fā)展需求。
[0003]但是，現(xiàn)有的超薄玻璃需要搭載在剛性載體基板上才能得到應(yīng)用，目前將柔性基板固定在剛性載體基板的方法主要為:使用粘合劑來制備犧牲層。使用粘合劑時，其流動性將會污染玻璃，剝離犧牲層后將會有粘合劑殘留在玻璃上。此外，目前的犧牲層在經(jīng)過LTPS(Low Temperature Poly-Si I icon，低溫多晶娃)高溫退火或者熱處理工藝后很難剝離，更加限制了超薄玻璃在柔性LTPS的應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種圖案化的剛性載體基板及用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，防止處于剛性載體基板與超薄玻璃之間的粘接層在剝離過程中殘留在超薄玻璃上，有效降低在剝離過程中對超薄玻璃的損害。
[0005]為解決以上技術(shù)問題，一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種圖案化的剛性載體基板，包括:載體玻璃，以及，沉積在所述載體玻璃上表面的鏤空形狀的薄膜。
[0006]進(jìn)一步地，所述薄膜通過干法或濕法刻蝕獲得一種或多種形狀的鏤空圖案。
[0007]進(jìn)一步地，所述薄膜通過CVD (化學(xué)氣相沉積)方式或PVD (物理氣相沉積)方式沉積在所述載體玻璃的上表面。
[0008]優(yōu)選地，所述剛性載體基板用作為有機(jī)發(fā)光裝置的柔性襯底。
[0009]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，包括:以上所述任一項(xiàng)的圖案化的剛性載體基板，覆蓋在所述剛性載體基板之上的柔性基板，以及，作為所述柔性基板與所述剛性載體基板的粘接層的氮氧化硅(S1N)薄膜。
[0010]優(yōu)選地，所述柔性基板為厚度小于200微米的超薄玻璃;所述氮氧化硅薄膜的厚度小于或等于500微米;所述剛性載體基板上的載體玻璃的厚度大于0.3毫米。
[0011]在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述氮氧化硅薄膜采用化學(xué)氣相沉積生成。
[0012]在又一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述氮氧化硅薄膜采用離子沉積生成。
[0013]實(shí)施本發(fā)明提供的技術(shù)方案，將各類薄膜沉積在載體玻璃上并通過干法或濕法刻蝕將其圖案化，當(dāng)結(jié)合超薄玻璃形成用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板時，一方面，作為粘接層的氮氧化硅(S1N)薄膜與超薄玻璃之間的接觸力(范德華力)小于S1N與剛性載體基板上的薄膜之間的接觸力(范德華力)，因而保證了在超薄玻璃與剛性載體基板的剝離過程中，超薄玻璃經(jīng)過LTPS高溫工藝后仍能較易剝離且不會殘留有S1N;另一方面，剛性載體基板上的各種薄膜經(jīng)過LTPS高溫工藝后較難與載體玻璃剝離，圖形化的鏤空形狀減少了接觸面積減小粘附力，從而有利于剝離過程的實(shí)施，有效降低在剝離過程中對超薄玻璃的損害。本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以在柔性LTPS、TFT-LCD(其中，TFT為Thin Film Transistor的簡稱，中文譯為薄膜場效應(yīng)晶體管;LCD為液晶平板顯示器)、AM0LED中得到應(yīng)用，也有利于制備超薄器件，同時使得超薄玻璃和剛性載體基板可以重復(fù)利用。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明提供的圖案化的剛性載體基板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2是本發(fā)明提供的剛性載體基板的一個制造過程的示意圖。
[0016]圖3是本發(fā)明提供的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0018]參見圖1，是本發(fā)明提供的圖案化的剛性載體基板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]在本實(shí)施例中，所述的圖案化的剛性載體基板10包括載體玻璃101，以及，沉積在所述載體玻璃101上表面的鏤空形狀的薄膜102。
[0020]具體實(shí)施，所述薄膜102通過干法或濕法刻蝕獲得一種或多種形狀的鏤空圖案1021。例如，鏤空圖案1021可以選擇方形、圓形、菱形等各種有利于減少接觸面積從而減少粘附力的鏤空形狀。在本實(shí)施例中，所述薄膜102通過CVD(化學(xué)氣相沉積)方式或PVD(物理氣相沉積)方式沉積在所述載體玻璃101的上表面。圖案化的薄膜101經(jīng)過LTPS高溫工藝后較難與載體玻璃1I剝離，有利于剝離過程的實(shí)施。
[0021 ]在本實(shí)施例中，圖案化的剛性載體基板10上的薄膜102可以為ITO(氧化銦錫)、Ti02( 二氧化鈦)、SiNx(氮化矽)、A1203(氧化鋁)中的任意一項(xiàng)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)不同的基板制造方法選擇不同的薄膜102。具體實(shí)施時，所述沉積有薄膜102的剛性載體基板10優(yōu)選用作為有機(jī)發(fā)光裝置的柔性襯底。
[0022]參看圖2，是本發(fā)明提供的剛性載體基板的一個制造過程的示意圖。
[0023]具體地，在載體玻璃101(厚度大于0.3臟)上沉積一層11'0、1102、3丨他^1203等類型的薄膜102，并對其進(jìn)行刻蝕(干法、濕法)得到方形、圓形、菱形等各種有利于減少接觸面積從而減少粘附力的鏤空形狀；圖案化的薄膜102經(jīng)過LTPS高溫工藝后較難與載體玻璃101剝離，因而更有利于剝離過程的實(shí)施。
[0024]參看圖3，是本發(fā)明提供的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]在本實(shí)施例中，所述的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板包括圖1實(shí)施例提供的圖案化的剛性載體基板10，覆蓋在所述剛性載體基板10之上的柔性基板20，以及，作為所述柔性基板20與所述剛性載體基板10的粘接層的氮氧化硅(S1N)薄膜30。
[0026]其中，優(yōu)選地，所述柔性基板20為厚度小于200微米的超薄玻璃；所述氮氧化硅S1N薄膜的厚度小于或等于500微米;所述剛性載體基板10上的載體玻璃101的厚度大于
0.3暈米。
[0027]在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，所述氮氧化硅薄膜S1N采用化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposit1n，簡稱CVD)生成。具體實(shí)施過程中，本實(shí)施例提供的CVD法使用笑氣(N2O)、氨氣(NH3)、硅烷(SiH4)，其流量范圍分別為100?100sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，氣體流量單位)、50?500sccm、50?300sccm，在溫度為200?350°C，功率為1600?3500W環(huán)境下制備S1N薄膜;然后使用傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)和XPS(X射線光電子能譜分析)表征S1N薄膜組分、應(yīng)力、厚度等參數(shù)，以生成所需的S1N薄膜。
[0028]進(jìn)一步地，本發(fā)明提供的所述氮氧化硅薄膜30還可以采用離子沉積生成。具體地，采用六甲基二硅氮烷(HMDSN)或六甲基環(huán)三硅胺烷(HMCTSN)和氨，在基片溫度小于60°C時即可沉積生成氮化硅薄膜RF power( 10-300W)，其制備環(huán)境參數(shù)還包括:壓強(qiáng)(10-400mTorr) ,NH3的氣流量為0.5?30sccm，HMDSN或HMCTSN的氣流量為0.5?30sccm;然后使用傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)和XPS(X射線光電子能譜分析)表征S1N薄膜組分、應(yīng)力、厚度等參數(shù)，以生成所需的S1N薄膜。由于等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，允許在低溫的環(huán)境下沉積出所期望的薄膜。
[0029]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以采用低壓化學(xué)氣相沉積(Low-pressureCVD,簡稱LPCVD)等方式，在低壓環(huán)境制備出所需薄膜。降低壓力可以減少不必要的氣相反應(yīng)，以增加晶圓上薄膜的一致性。
[0030]實(shí)施本發(fā)明提供的技術(shù)方案，通過將圖案化的各類薄膜較為牢固地粘貼在載體玻璃上，當(dāng)結(jié)合超薄玻璃形成用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板時，一方面，作為粘接層的氮氧化硅(S1N)薄膜與超薄玻璃之間的接觸力(范德華力)小于S1N與剛性載體基板上的薄膜之間的接觸力(范德華力)，因而保證了在超薄玻璃與剛性載體基板的剝離過程中，超薄玻璃經(jīng)過LTPS高溫工藝后仍能較易剝離且不會殘留有S1N;另一方面，剛性載體基板上的各種薄膜經(jīng)過LTPS高溫工藝后較難與載體玻璃剝離，圖形化的鏤空形狀減少了接觸面積減小粘附力，從而有利于剝離過程的實(shí)施，有效降低在剝離過程中對超薄玻璃的損害。本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以在柔性LTPS、TFT-LCD(其中，TFT為Thin Film Transistor的簡稱，中文譯為薄膜場效應(yīng)晶體管；LCD為液晶平板顯示器)、AM0LED中得到應(yīng)用，也有利于制備超薄器件，同時使得超薄玻璃和剛性載體基板可以重復(fù)利用。
[0031]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖案化的剛性載體基板，其特征在于，包括:載體玻璃，以及，沉積在所述載體玻璃上表面的鏤空形狀的薄膜。2.如權(quán)利要求1所述的圖案化的剛性載體基板，其特征在于，所述薄膜通過干法或濕法刻蝕獲得一種或多種形狀的鏤空圖案。3.如權(quán)利要求1所述的圖案化的剛性載體基板，其特征在于，所述薄膜通過CVD方式或PVD方式沉積在所述載體玻璃的上表面。4.如權(quán)利要求1所述的圖案化的剛性載體基板，其特征在于，所述剛性載體基板用作為有機(jī)發(fā)光裝置的柔性襯底。5.—種用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，其特征在于，包括:所述權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)的圖案化的剛性載體基板，覆蓋在所述剛性載體基板之上的柔性基板，以及，作為所述柔性基板與所述剛性載體基板的粘接層的氮氧化硅薄膜。6.如權(quán)利要求5所述的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，其特征在于，所述柔性基板為厚度小于200微米的超薄玻璃;所述氮氧化硅薄膜的厚度小于或等于500微米;所述剛性載體基板上的載體玻璃的厚度大于0.3毫米。7.如權(quán)利要求5所述的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜采用化學(xué)氣相沉積生成。8.如權(quán)利要求5所述的用于有機(jī)發(fā)光裝置的組合基板，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜采用離子沉積生成。
【文檔編號】H01L51/50GK105977391SQ201610321340
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年5月16日
【發(fā)明人】劉海燕, 張毅先, 任思雨, 蘇君海, 李建華
【申請人】信利（惠州）智能顯示有限公司