本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，在制作oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示面板時(shí)，薄膜沉積方法主要有真空蒸鍍和溶液制程兩種方法。這兩種方法中都需要設(shè)置像素定義層，以減少相鄰像素間的串色等問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)中，有的在像素定義層中引入無(wú)機(jī)納米顆粒，增加光的散射或者起到吸水效果等作用，傳統(tǒng)工藝流程是先將納米顆粒材料摻雜到像素定義層材料中，然后對(duì)其曝光顯影，但在曝光過(guò)程中，摻雜的納米顆粒會(huì)對(duì)光造成散射，降低曝光精度。

綜上所述，現(xiàn)有的oled顯示面板將納米顆粒材料摻雜到像素定義層材料中，然后對(duì)其曝光顯影，摻雜的納米顆粒會(huì)對(duì)光造成散射，降低曝光精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的oled顯示面板將納米顆粒材料摻雜到像素定義層材料中，然后對(duì)其曝光顯影，摻雜的納米顆粒會(huì)對(duì)光造成散射，降低曝光精度的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成用于限定每個(gè)子像素的發(fā)光區(qū)域的像素定義層薄膜；

在所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒；其中所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)相鄰子像素之間的區(qū)域；

對(duì)形成納米顆粒后的像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理，保留位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域的材料，形成像素定義層的圖形。

較佳的，所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒，包括：

在所述像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液；

對(duì)所述襯底基板進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使所述混合溶液中的納米顆粒進(jìn)入到所述像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域。

較佳的，在所述像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液，包括：

采用噴墨打印或連續(xù)打印的工藝，將含有納米顆粒的混合溶液打印到所述像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域。

較佳的，所述混合溶液還包括用于承載所述納米顆粒的極性溶劑。

較佳的，所述極性溶劑包括下列溶劑中的一種或組合：

水、醇類和酯類。

較佳的，所述混合溶液中納米顆粒的質(zhì)量為0.5％-30％。

較佳的，在所述像素定義層薄膜上形成的所述混合溶液的厚度，不大于所述像素定義層薄膜的厚度。

較佳的，所述圖案化處理包括曝光和顯影。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括襯底基板，以及設(shè)置在所述襯底基板上的像素定義層，所述像素定義層僅在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)包含納米顆粒，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)相鄰子像素之間的區(qū)域。

較佳的，所述顯示基板采用如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法制作，以形成襯底基板，以及設(shè)置在所述襯底基板上的預(yù)設(shè)區(qū)域、且包含納米顆粒的像素定義層。

較佳的，所述納米顆粒均勻分散在所述像素定義層中；或，

所述納米顆粒為團(tuán)聚成線型的結(jié)構(gòu)。

較佳的，所述納米顆粒的材料包含下列材料中的一種或組合：二氧化硅，氮化硅，氧化鈣或氧化鋇。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示基板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示基板的制作方法，先制作的像素定義層薄膜，并在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒之后，再對(duì)像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理，由于進(jìn)行圖案化處理時(shí)，只相應(yīng)的保留位于預(yù)設(shè)區(qū)域的材料，因而，在像素定義層薄膜中增加的納米顆粒不會(huì)對(duì)圖案化處理工藝造成影響，也不會(huì)影響其精度。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法的步驟流程圖；

圖2a-2c分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成顯示基板的制作方法中各步驟執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒的方法步驟流程圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的在像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示基板的制作方法的整體步驟流程圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括團(tuán)聚成線型的納米顆粒的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

其中，附圖中膜層厚度和區(qū)域形狀不反映其真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板，主要是針對(duì)能夠電致發(fā)光的自發(fā)光顯示基板，例如oled基板、qled基板、microled基板等，對(duì)位于非顯示區(qū)域的像素定義層制作工藝進(jìn)行的改進(jìn)，不僅在像素定義層中增加了納米顆粒，而且由于僅在像素定義層薄膜上處于相鄰子像素之間的區(qū)域形成了納米顆粒，因而增加的納米顆粒不會(huì)對(duì)圖案化處理工藝造成影響，也不會(huì)影響其精度。下面對(duì)顯示基板具體的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法的步驟流程圖，具體可以采用如下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟101，在襯底基板上形成用于限定每個(gè)子像素的發(fā)光區(qū)域的像素定義層薄膜；

步驟102，在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒；其中預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)相鄰子像素之間的區(qū)域；

步驟103，對(duì)形成納米顆粒后的像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理，保留位于預(yù)設(shè)區(qū)域的材料，形成像素定義層的圖形。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法，先制作像素定義層薄膜，之后在像素定義層薄膜上的預(yù)設(shè)區(qū)域形納米顆粒，由于僅在像素定義層薄膜上處于相鄰子像素之間的區(qū)域形成了納米顆粒，因而增加的納米顆粒不會(huì)對(duì)圖案化處理工藝造成影響，也不會(huì)影響其精度。

在具體實(shí)施時(shí)，可以不限定形成像素定義層薄膜的具體方式和制作使用的材料，例如，具體形成方式可以采用旋涂工藝、狹縫式涂布工藝或靜電散射涂布工藝等；以及制作材料可以采用聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亞胺、氟化甲基丙烯酸甲酯或聚硅氧烷等。只要是在執(zhí)行完步驟101之后，形成如圖2a所示的結(jié)構(gòu)，即在襯底基板10上形成了用于制作像素定義層圖形的像素定義層薄膜11即可。

在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟102時(shí)，如圖2b所示，為了防止在后續(xù)對(duì)像素定義層薄膜進(jìn)行曝光顯影等圖案化處理工藝時(shí)，影響其精度，本發(fā)明實(shí)施例中僅在像素定義層薄膜上方的預(yù)設(shè)區(qū)域s形成納米顆粒121，該預(yù)設(shè)區(qū)域s是指的不需要進(jìn)行曝光顯影的位于相鄰子像素之間的區(qū)域，當(dāng)然也可以根據(jù)需要擴(kuò)展到其它的區(qū)域。

在具體實(shí)施時(shí)，在執(zhí)行完上述步驟102之后，納米顆粒121進(jìn)入到像素定義層薄膜11內(nèi)部，然后繼續(xù)執(zhí)行步驟103，對(duì)形成納米顆粒121后的像素定義層薄膜11進(jìn)行圖案化處理，其圖案化處理的步驟主要包括曝光和顯影；而圖案化處理的目的是去除掉預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其它區(qū)域的材料，保留位于預(yù)設(shè)區(qū)域的材料(包括像素定義層薄膜的材料和位于其中的納米顆粒)，形成像素定義層的圖形，如圖2c所示。另外，在曝光顯影結(jié)束后，需要對(duì)形成的像素定義層的圖形進(jìn)行后烘烤，其工藝溫度一般是在200℃-250℃，并且持續(xù)烘烤10min-120min。

在具體實(shí)施時(shí)，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，僅在像素定義層薄膜上處于相鄰子像素之間的區(qū)域形成了納米顆粒，因而增加的納米顆粒不會(huì)對(duì)圖案化處理工藝造成影響，也不會(huì)影響其精度。

下面具體介紹如何在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒，如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒的方法步驟流程圖，具體可以采用如下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟1021，在像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液；

步驟1022，對(duì)襯底基板進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使混合溶液中的納米顆粒進(jìn)入到像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域。

在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1021時(shí)，需要先在像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域s的上方形成含有納米顆粒的混合溶液。而形成納米顆粒的方法是采用溶液法，即將納米顆粒溶到溶劑中，然后再采用噴墨打印或連續(xù)打印(nozzleprinting)的工藝，將含有納米顆粒121的混合溶液12打印到像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域s，形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。其中，連續(xù)打印工藝在打印時(shí)噴嘴噴出的墨滴(即需要打印的含有納米顆粒的混合溶液)是連續(xù)滴下的，可以通過(guò)控制連續(xù)打印工藝時(shí)，單次打印的時(shí)長(zhǎng)和打印的位置等參數(shù)，實(shí)現(xiàn)將含有納米顆粒的混合溶液打印到像素定義層薄膜上的預(yù)設(shè)區(qū)域s。

而具體制作的混合溶液12的厚度不能過(guò)厚，如圖4所示，較佳的，在像素定義層薄膜上形成的混合溶液12的厚度d1，不大于像素定義層薄膜11的厚度d2。

具體的，上述混合溶液，除了包括納米顆粒外，還需要包括溶劑，較佳的，混合溶液還包括用于承載納米顆粒的極性溶劑。而極性溶劑的具體材料也可以不做限定，只要是既能夠溶解納米顆粒，又不會(huì)腐蝕或影響像素定義層薄膜即可。較佳的，極性溶劑包括下列溶劑中的一種或組合：水、醇類和酯類。

在具體制作混合溶液時(shí)，可根據(jù)工藝需要相應(yīng)調(diào)整納米顆粒的量，納米顆粒含量過(guò)多，則容易發(fā)生團(tuán)聚，而且也不容易在像素定義層薄膜上涂覆均勻，較佳的，混合溶液中納米顆粒的質(zhì)量含量為0.5％-30％。

當(dāng)納米顆粒溶解在溶劑中時(shí)，由于溶劑之間極性差異性，一般納米顆粒不會(huì)擴(kuò)散到像素定義層薄膜中，但為了使納米顆粒能進(jìn)入到像素定義層薄膜的內(nèi)部，需要使溶劑揮發(fā)，伴隨著溶劑的揮發(fā)，納米顆粒會(huì)被分割分散到像素定義層薄膜的內(nèi)部。

在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1022時(shí)，通過(guò)對(duì)襯底基板進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使承載納米顆粒的極性溶劑揮發(fā)，在揮發(fā)過(guò)程中，納米顆粒會(huì)進(jìn)入到像素定義層薄膜的內(nèi)部；形成如圖2c所示的結(jié)構(gòu)，即納米顆粒隨著溶劑的揮發(fā)進(jìn)入到像素定義層薄膜的預(yù)設(shè)區(qū)域中，可以是如圖2c所示的分散的納米顆粒狀，也可以是團(tuán)聚成線型的納米顆粒(該種情況會(huì)在后面進(jìn)行介紹)。

其中，由于后續(xù)在對(duì)像素定義層薄膜進(jìn)行曝光顯影之前，也需要進(jìn)行預(yù)烘烤的過(guò)程，因此，上述預(yù)烘烤的步驟也可以作為曝光顯影之前的預(yù)烘烤步驟，不需要增加額外的制作工藝，即可實(shí)現(xiàn)使位于像素定義層薄膜的預(yù)設(shè)區(qū)域上方的混合溶液中納米顆粒，進(jìn)入到像素定義層薄膜內(nèi)部。在進(jìn)行預(yù)烘烤時(shí)，工藝溫度一般是在80℃-150℃，并且持續(xù)烘烤80s-200s。

為了清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法，如圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示基板的制作方法的整體步驟流程圖，包括以下步驟：

步驟501，在襯底基板上形成用于限定每個(gè)子像素的發(fā)光區(qū)域的像素定義層薄膜；

步驟502，在像素定義層薄膜上遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域形成含有納米顆粒的混合溶液；

步驟503，對(duì)襯底基板進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使混合溶液中的納米顆粒進(jìn)入到像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域；

步驟504，對(duì)形成納米顆粒后的像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理，保留位于預(yù)設(shè)區(qū)域的材料，形成像素定義層的圖形。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖2c所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括襯底基板，以及設(shè)置在襯底基板上的像素定義層，像素定義層僅在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)包含納米顆粒，預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)相鄰子像素之間的區(qū)域。該顯示基板的實(shí)施可以參見上述任一顯示基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

較佳的，該顯示基板可以采用如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法制作，以形成襯底基板，以及設(shè)置在襯底基板上的預(yù)設(shè)區(qū)域、且包含納米顆粒的像素定義層。即形成如圖2c所示的結(jié)構(gòu)。

具體的，納米顆?？梢跃鶆蚍稚⒃谙袼囟x層中；或，納米顆粒為團(tuán)聚成線型的結(jié)構(gòu)。圖2c中，像素定義層中包括的是分散的納米顆粒；而在制作過(guò)程中，納米顆粒也可能發(fā)生團(tuán)聚而形成線型的形狀，如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括團(tuán)聚成線型的納米顆粒的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6中位于像素定義層圖形中的納米顆粒為團(tuán)聚的線型。

其中，圖2c和圖6僅是簡(jiǎn)單示意一下納米顆粒和像素定義層的相對(duì)關(guān)系，并不用于限定本發(fā)明，在實(shí)際制作中形成的圖形可能會(huì)稍有變化，比如形成的像素定義層的形狀、團(tuán)聚成線型的納米顆粒的形狀等。

具體的，納米顆粒的材料可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。較佳的，納米顆粒的材料包含下列材料中的一種或組合：二氧化硅，氮化硅，氧化鈣或氧化鋇。其中，二氧化硅、氮化硅的作用主要是提高光散射，增加出光效率；而氧化鈣或氧化鋇的作用主要是吸水，提高器件的壽命。而為了不影響噴墨打印的精度、以及像素定義層的制作等，納米顆粒一般選取直徑小于100納米的粒子。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示基板。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述任一顯示基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示基板的制作方法，先制作的像素定義層薄膜，并在像素定義層薄膜中的預(yù)設(shè)區(qū)域形成納米顆粒之后，再對(duì)像素定義層薄膜進(jìn)行圖案化處理，由于進(jìn)行圖案化處理時(shí)，只相應(yīng)的保留位于預(yù)設(shè)區(qū)域的材料，因而，在像素定義層薄膜中增加的納米顆粒不會(huì)對(duì)圖案化處理工藝造成影響，也不會(huì)影響其精度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。