有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材料、摻雜方法及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材料、摻雜方法及制備方法。摻雜方法包括：在保證客體材料摻雜濃度不變的情況下，將至少兩種主體材料的摻雜濃度分別由高到低和由低到高線性變化，實(shí)現(xiàn)線性摻雜。本發(fā)明采用線性摻雜的方式來(lái)制作發(fā)光層材料，本發(fā)明的方法具有均勻性好和重復(fù)性高的特點(diǎn)，利用該發(fā)光層材料可提高制備的OLED器件的發(fā)光效率，降低了效率滾降和亮度衰減，延長(zhǎng)了器件壽命，器件性能得到大大提高，同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)大尺寸器件的量產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材料、摻雜方法及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示材料領(lǐng)域，尤其涉及有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材料、摻雜方法及 制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光器件(Organic Light Emitting Devices，0LED)作為新一代顯示器件， 受到研究人員的廣泛關(guān)注。有機(jī)電致發(fā)光器件與液晶顯示器件(LCD)相比，具有亮度高，主 動(dòng)發(fā)光，視角寬，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，是平板顯示領(lǐng)域的后起之秀，呈現(xiàn)出發(fā)展和應(yīng)用前景。
[0003] 目前，大部分高效率0LED器件以及在商業(yè)化量產(chǎn)的產(chǎn)品中都是采用在發(fā)光層中摻 雜的方式。摻雜是指將一定量的客體材料混入主體材料中，通過(guò)能量傳遞或者電荷轉(zhuǎn)移來(lái) 獲得更高器件性能的技術(shù)。主客體摻雜發(fā)光方式的出現(xiàn)是近年來(lái)0LED快速發(fā)展的關(guān)鍵因素 之一，這是由于其采用了擁有優(yōu)越載流子傳輸特性和發(fā)光特性的主體材料搭配各種高熒光 或磷光效率的發(fā)光材料，從而獲得高效的電致發(fā)光效率和不同的光色。從分子設(shè)計(jì)角度來(lái) 說(shuō)，一種材料的傳輸性能和發(fā)光效率往往不能兼得，因此使用主客體摻雜的方式，可以對(duì)不 同類型材料各取所長(zhǎng)。在主客體摻雜的器件中，客體材料之所以能夠高效的發(fā)光，是因?yàn)楦?能量的發(fā)光主體材料將能量傳遞給低能量的發(fā)光客體材料中。另外，因?yàn)橹黧w材料上產(chǎn)生 的激子將能量傳遞給發(fā)光效率更高的客體在材料上來(lái)發(fā)光，器件工作的穩(wěn)定度也更高。
[0004] 如圖1所示，傳統(tǒng)的摻雜工藝都是將客體材料均勻地?fù)诫s在客體材料中。結(jié)合圖2 和圖3所示，這種技術(shù)在目前常見(jiàn)的雙發(fā)光層和混合主體結(jié)構(gòu)的發(fā)光層結(jié)構(gòu)（圖中主體1代 表一種主體材料，主體2代表另一種主體材料，客體代表客體材料，EML代表發(fā)光層)設(shè)計(jì)中 可以提高器件效率。雖然這一方法已經(jīng)被證明可以得到很好的器件性能，但仍然存在諸多 問(wèn)題，比如工作電壓高、外量子效率低，電流效率會(huì)逐漸衰減，發(fā)光效率較低等等。
[0005] 因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材 料、摻雜方法及制備方法，旨在解決現(xiàn)有摻雜方法還是存在工作電壓高、外量子效率低，電 流效率會(huì)逐漸衰減，發(fā)光效率較低等問(wèn)題。
[0007] 本發(fā)明的技術(shù)方案如下： 一種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其中，包括步驟： 將發(fā)光層的兩種主體材料以及一種客體材料置于用于蒸鍍的腔體中，并將用于沉積各 層材料的基板置于所述腔體中； 然后對(duì)腔體進(jìn)行抽真空處理； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 以完成線性慘雜。
[0008] 所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其中，采用線性蒸鍍方式來(lái)實(shí) 現(xiàn)線性摻雜。
[0009] 所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其中，在線性蒸鍍過(guò)程中，控制 所述基板在不同材料的蒸發(fā)源之間移動(dòng)，完成線性摻雜。
[0010] 所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其中，米用有機(jī)氣相沉積的方 式將不同材料沉積于基板上，完成線性摻雜。
[0011]所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其中，向腔體中通入惰性氣體， 并且流經(jīng)盛裝有不同材料的坩堝，通過(guò)所述惰性氣體附帶起相應(yīng)坩堝中的材料，進(jìn)而使各 材料傳送至基板處沉積，在沉積過(guò)程中，通過(guò)調(diào)節(jié)惰性氣體流速控制各材料的摻雜濃度。
[0012] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料，其中，采用如上所述的摻雜方法制得。
[0013] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其中，包括步驟： 先對(duì)基板進(jìn)行清洗，清洗完畢后進(jìn)行吹干處理，然后加熱烘干； 將器件各層材料和基板放置在腔體中，對(duì)腔體抽真空;器件的發(fā)光層材料包括兩種主 體材料以及一種客體材料； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 完成線性摻雜。
[0014] 所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其中，采用線性蒸鍍方式來(lái)實(shí)現(xiàn)線性摻雜。
[0015] 所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其中，采用有機(jī)氣相沉積的方式將不同材 料沉積于基板上，完成線性摻雜。
[0016] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，包括如上所述的制備方法制成。
[0017]有益效果:本發(fā)明采用線性摻雜的方式來(lái)制作發(fā)光層材料，本發(fā)明的方法具有均 勻性好和重復(fù)性高的特點(diǎn)，利用該發(fā)光層材料可提高制備的0LED器件的發(fā)光效率，降低了 效率滾降和亮度衰減，延長(zhǎng)了器件壽命，器件性能得到大大提高，同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)大尺寸器件 的量產(chǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中均勻摻雜在有機(jī)層中的摻雜濃度示意圖。
[0019] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中雙發(fā)光層結(jié)構(gòu)中主客體材料的摻雜方式示意圖。
[0020] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中混合主體結(jié)構(gòu)中主客體材料的摻雜方式示意圖。
[0021] 圖4為本發(fā)明中線性摻雜在有機(jī)層中的摻雜濃度示意圖。
[0022] 圖5為本發(fā)明中線性摻雜主體結(jié)構(gòu)中主客體材料的摻雜方式示意圖。
[0023]圖6為傳統(tǒng)真空熱蒸鍍法的原理圖。
[0024]圖7為本發(fā)明中移動(dòng)蒸鍍法的原理圖。
[0025] 圖8為本發(fā)明中有機(jī)氣相沉積的原理圖。
[0026] 圖9為本發(fā)明中一個(gè)具體實(shí)施例的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027] 圖10為圖9實(shí)施例的有機(jī)材料能級(jí)圖。
[0028] 圖11為圖9實(shí)施例中線性摻雜主體結(jié)構(gòu)中的摻雜濃度變化示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 本發(fā)明提供有機(jī)電致發(fā)光器件、發(fā)光層材料、摻雜方法及制備方法，為使本發(fā)明的 目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描 述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0030] 本發(fā)明所提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其包括步驟： 將發(fā)光層的兩種主體材料以及一種客體材料置于用于蒸鍍的腔體中，并將用于沉積各 層材料的基板置于所述腔體中； 然后對(duì)腔體進(jìn)行抽真空處理； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 以完成線性慘雜。
[0031] 例如將兩種主體材料的摻雜濃度分別由高到低（連續(xù)減小）和由低到高（連續(xù)增 大)線性變化，同時(shí)要保證客體材料相比發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變。
[0032] 本發(fā)明的摻雜方法可以有效拓寬載流子復(fù)合區(qū)域，并且隨著電流的增加，該區(qū)域 還將進(jìn)一步拓寬，因此激子復(fù)合幾率大大增加，不僅提高了器件效率，還可以降低磷光0LED 器件中因 TTA(三重態(tài)-三重態(tài)湮滅)和TPQ(三重態(tài)-極化子淬滅)而造成的效率滾降。同時(shí)線 性摻雜也可以實(shí)現(xiàn)大尺寸器件的量產(chǎn)，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
[0033] 與傳統(tǒng)均勻摻雜技術(shù)不同的是，本發(fā)明中所采用線性摻雜技術(shù)，其摻雜濃度在整 個(gè)需要摻雜的發(fā)光層材料中并不是均勻不變的，如圖4所示，隨著厚度的增加，在線性摻雜 主體結(jié)構(gòu)中，兩種主體材料的摻雜濃度也在變化，而客體材料的摻雜濃度不變，如圖5所示。 如將本發(fā)明的摻雜方法應(yīng)用在磷光材料中，磷光材料比熒光材料具有更高的內(nèi)量子效率， 器件發(fā)光效率也會(huì)更高。而磷光0LED發(fā)光的最主要問(wèn)題之一就是效率滾降：隨著電流密度 的增加，器件電流效率會(huì)逐漸衰減。這不僅影響著0LED在高亮度下的應(yīng)用，還會(huì)因?yàn)榘坠?0LED中不同發(fā)光材料效率滾降不一致而造成在不同電流密度下的色偏。造成這種效率滾降 的主要因素就是TTA和TPQ過(guò)程。這兩種過(guò)程可以用以下反應(yīng)式表示：
式中，D表示施主，A表示受主。受主的三重激發(fā)態(tài)或者陽(yáng)離子和陰離子都能使得施主的 三重激發(fā)態(tài)以不發(fā)光的方式回到基態(tài)，從而降低器件發(fā)光效率。
[0034]因?yàn)閱伟l(fā)光層結(jié)構(gòu)中激子一般會(huì)在發(fā)光層和傳輸層的界面處復(fù)合，復(fù)合區(qū)域很窄 而導(dǎo)致器件性能不佳。所以目前很多器件采用雙發(fā)光層和混合主體結(jié)構(gòu)提高器件的發(fā)光效 率和壽命，這兩種結(jié)構(gòu)都可以平衡發(fā)光層中空穴和電子濃度，拓寬復(fù)合區(qū)域，有效改善器件 效率滾降問(wèn)題，可以有效提高器件性能，但在雙發(fā)光層結(jié)構(gòu)中，發(fā)光層分為兩層，分別使用 兩種不同的主體材料，由于這兩種材料間存在能皇，因此激子趨向于在發(fā)光層兩種主體材 料的界面處復(fù)合，復(fù)合區(qū)域仍然較窄。另外，載流子會(huì)在兩種不同的發(fā)光主體材料間積累， 增加了 TTA和TPQ發(fā)生的幾率。而混合主體結(jié)構(gòu)是在單一發(fā)光層中將發(fā)光材料與兩種或多種 主體材料共混的結(jié)構(gòu)，由于兩種主體材料摻雜比例的不同，因此發(fā)光層中空穴或者電子的 注入性能并不能都達(dá)到最優(yōu)。
[0035] 本發(fā)明所采用的線性摻雜方法，則結(jié)合了上述兩種主體結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，并且彌補(bǔ)了 各自不足，空穴和電子可以分別在兩種主體材料上向發(fā)光層內(nèi)部傳輸，這樣可以有效地調(diào) 節(jié)激子復(fù)合區(qū)域，因此，在本發(fā)明所形成的線性主體結(jié)構(gòu)中，激子復(fù)合區(qū)域更寬，TTA和TPQ 也可以被有效抑制。
[0036] 本發(fā)明中，摻雜方法尤為重要，若采用傳統(tǒng)的真空熱蒸鍍法，如圖6所示，其是通過(guò) 調(diào)節(jié)不同材料在石英坩堝中的溫度，從而控制蒸發(fā)速率以實(shí)現(xiàn)一定比例的摻雜，但其材料 利用率非常低，大部分材料都浪費(fèi)在基板以外的腔體內(nèi)。另外，由于溫度控制等其他因素， 蒸鍍速率很難精確控制，所以并不是最適合做線性摻雜器件。本發(fā)明可采用線性蒸鍍方式 來(lái)實(shí)現(xiàn)線性摻雜。由于熱蒸鍍的材料是以錐形發(fā)散的形式向上蒸發(fā)的，所以在線性蒸鍍過(guò) 程中，如圖7所示，控制基板以某一速度在不同材料的蒸發(fā)源之間移動(dòng)，并設(shè)置主體材料和 客體材料的蒸發(fā)速率和比例，從而完成線性摻雜，其均勻性高，重復(fù)性高。
[0037]另外，本發(fā)明還可采用有機(jī)氣相沉積方式(0VPD)將不同材料沉積于基板上，來(lái)實(shí) 現(xiàn)線性摻雜。有機(jī)氣相沉積也可以很好的克服傳統(tǒng)熱蒸鍍方法的缺陷，并且同樣適用于大 尺寸基板的量產(chǎn)。具體通過(guò)調(diào)節(jié)惰性氣體流速控制摻雜比例。其工作原理如圖8所示，向腔 體中通入惰性氣體，惰性氣體如N 2流經(jīng)加熱的盛裝有不同材料的坩堝并附帶起相應(yīng)坩堝中 的有機(jī)材料，進(jìn)而使有機(jī)材料被傳送至基板處沉積，在沉積過(guò)程中，沉積速率可以很容易地 通過(guò)流量控制器來(lái)調(diào)節(jié)，因此只要調(diào)節(jié)惰性氣體流速就可以控制摻雜比例，易于制備線性 摻雜器件。
[0038]本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料，其采用如上所述的摻雜方法制 得。
[0039] 本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括步驟： 先對(duì)基板進(jìn)行清洗，清洗完畢后進(jìn)行吹干處理，然后加熱烘干； 將器件各層材料和基板放置在腔體中，對(duì)腔體抽真空;器件的發(fā)光層材料包括兩種主 體材料以及一種客體材料； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 完成線性摻雜。
[0040] 進(jìn)一步，采用線性蒸鍍方式來(lái)實(shí)現(xiàn)線性摻雜。
[0041] 或者，采用有機(jī)氣相沉積的方式將不同材料沉積于基板上，完成線性摻雜。
[0042] 本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括如上所述的制備方法制成。
[0043] 下面提供一個(gè)具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件制備過(guò)程進(jìn)行具體描 述。
[0044]首先對(duì)ΙΤ0基板按順序分別用玻璃清洗劑、丙酮和異丙醇進(jìn)行超聲清洗處理，每一 步的超聲清洗處理時(shí)間均為15分鐘，超聲清洗結(jié)束后用去離子水沖洗ΙΤ0基板以除去殘留 溶液，然后迅速用高純氮?dú)獯蹈刹⒗^續(xù)加熱烘干。
[0045] 然后將各層材料，如EIL(電子注入層），ETL(電子傳輸層），EML(發(fā)光層），HTL(空穴 傳輸層），HIL(空穴注入層）以及陰極，和ΙΤ0基板都放置在腔體中，對(duì)腔體抽真空，直到真空 度降為5Xl(T6T〇rr以下方可開(kāi)始蒸鍍，制備過(guò)程中不打開(kāi)腔體進(jìn)行破真空動(dòng)作。
[0046] 本實(shí)施例所采用的器件結(jié)構(gòu)，如圖9所示，具體為：IT0/Mo03(1 nm)/mCP(50 nm)/ EML (2〇 nm)/TPBi (5〇 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)。該器件有機(jī)材料能級(jí)圖，如圖 10所 示，其中TPBi/LiF是電子注入與傳輸結(jié)構(gòu)，ITBi作為電子傳輸層，同時(shí)作為發(fā)光主體材料， 空穴傳輸層也使用了發(fā)光主體材料mCP來(lái)減少界面處的空穴累積，Ir(tfmppy)2(tpip)作為 發(fā)光客體材料(即摻雜材料），該發(fā)光客體材料在所有EML中的摻雜比例均為10 wt%。本發(fā)明 中線性摻雜主體結(jié)構(gòu)中的摻雜濃度變化示意圖如圖11所示，在制備過(guò)程中，發(fā)光層中發(fā)光 主體材料mCP:TPBi的摻雜比例為3:1 (8 nm)/l:l (4 nm)/l:3 (8 nm)，將發(fā)光主體材料 mCP和TPBi的蒸鍍速率設(shè)置在0.1~2 A/s范圍內(nèi)，如mCP和TPBi的蒸鍍速率可分別設(shè)置為 (1 · 8 A/s: 0 · 6A/s)/(0 · 4A/s : 0 · 4A/s)/(0 · 6A/s: 1 · 8A/s)，慘雜材料Ir(tfmppy)2( tpip)根 據(jù)摻雜比例l〇wt%設(shè)置蒸鍍速率為0.011-0.22 A/s(如0.1 A/s)。金屬電極材料的蒸鍍速率 為5~10 A/s(如7 A/s)。這些蒸鍍速率可以根據(jù)石英晶振片實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。在采用線性蒸鍍時(shí)， IT0基板移動(dòng)速度可設(shè)置在2-lOcm/s(如5cm/s)在不同蒸發(fā)源之間進(jìn)行移動(dòng);在采用有機(jī)氣 相沉積進(jìn)行蒸鍍時(shí)，所用惰性氣體％壓強(qiáng)可為lOOPa，惰性氣體流速可設(shè)置為Ο.Ι-lm/s(如 0.5 m/s)，從而帶動(dòng)有機(jī)材料在ΙΤ0基板上沉積。
[0047]綜上所述，本發(fā)明采用線性摻雜的方式來(lái)制作發(fā)光層材料，本發(fā)明的方法具有均 勻性好和重復(fù)性高的特點(diǎn)，利用該發(fā)光層材料可提高制備的0LED器件的發(fā)光效率，降低了 效率滾降和亮度衰減，延長(zhǎng)了器件壽命，器件性能得到大大提高，同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)大尺寸器件 的量產(chǎn)。
[0048]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可 以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保 護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其特征在于，包括步驟： 將發(fā)光層的兩種主體材料以及一種客體材料置于用于蒸鍍的腔體中，并將用于沉積各 層材料的基板置于所述腔體中； 然后對(duì)腔體進(jìn)行抽真空處理； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 以完成線性慘雜。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其特征在于，采用 線性蒸鍍方式來(lái)實(shí)現(xiàn)線性摻雜。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其特征在于，在線 性蒸鍍過(guò)程中，控制所述基板在不同材料的蒸發(fā)源之間移動(dòng)，完成線性摻雜。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其特征在于，采用 有機(jī)氣相沉積的方式將不同材料沉積于基板上，完成線性摻雜。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料的摻雜方法，其特征在于，向腔 體中通入惰性氣體，并且流經(jīng)盛裝有不同材料的坩堝，通過(guò)所述惰性氣體附帶起相應(yīng)坩堝 中的材料，進(jìn)而使各材料傳送至基板處沉積，在沉積過(guò)程中，通過(guò)調(diào)節(jié)惰性氣體流速控制各 材料的摻雜濃度。6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層材料，其特征在于，采用如權(quán)利要求卜5任一項(xiàng)所述的 摻雜方法制得。7. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括步驟： 先對(duì)基板進(jìn)行清洗，清洗完畢后進(jìn)行吹干處理，然后加熱烘干； 將器件各層材料和基板放置在腔體中，對(duì)腔體抽真空;器件的發(fā)光層材料包括兩種主 體材料以及一種客體材料； 抽至預(yù)設(shè)真空度后再開(kāi)始蒸鍍，在蒸鍍過(guò)程中，設(shè)置所述兩種主體材料的摻雜濃度分 別連續(xù)增大和連續(xù)減小，同時(shí)設(shè)置所述客體材料相對(duì)于發(fā)光層總量的摻雜濃度保持不變， 完成線性摻雜。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，采用線性蒸鍍方 式來(lái)實(shí)現(xiàn)線性摻雜。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，采用有機(jī)氣相沉 積的方式將不同材料沉積于基板上，完成線性摻雜。10. -種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求7~9任一項(xiàng)所述的制備方法 制成。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105932177SQ201610320771
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月16日
【發(fā)明人】楊帆, 付東
【申請(qǐng)人】Tcl集團(tuán)股份有限公司