電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可確保高阻抗值的電子部件。作為電子部件的共模扼流線圈(10)包含層疊體(12)。層疊體(12)是多個(gè)絕緣體層(28a～28e、31)在厚度方向?qū)盈B而構(gòu)成的，且在多個(gè)絕緣體層(28a～28e、31)的層疊方向設(shè)置有凹陷的凹部(30)。層疊體(12)內(nèi)設(shè)置有2個(gè)線圈導(dǎo)體(16a、16b)。凹部(30)填充有磁性樹(shù)脂材料(21)。磁性樹(shù)脂材料(21)由將軟磁性金屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成。軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μm以下。含磁粉樹(shù)脂是將軟磁性金屬粉在65vol％～85vol％的范圍混合而成的含磁粉樹(shù)脂。
【專利說(shuō)明】
電子部件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及電子部件，特別涉及具有線圈導(dǎo)體和磁性樹(shù)脂材料的例如共模扼流線 圈等電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 日本特開(kāi)2013-153184公報(bào)中公開(kāi)有共模扼流線圈（參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 中公開(kāi)的共模扼流線圈包含由Ni-Zn鐵氧體等鐵氧體燒結(jié)體構(gòu)成的鐵氧體基板。鐵氧體基 板上形成有由經(jīng)加熱固化的聚酰亞胺樹(shù)脂材料構(gòu)成的絕緣層。由Cu、Au、Al或Ag等導(dǎo)電材料 構(gòu)成的線圈導(dǎo)體層以被絕緣層包圍的方式形成。在包含線圈導(dǎo)體層的中央部(磁芯部)的絕 緣層上，形成有由含有鐵氧體粒子的環(huán)氧樹(shù)脂材料構(gòu)成的復(fù)合鐵氧體樹(shù)脂層。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2013-153184公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 上述的共模扼流線圈中，作為鐵氧體粒子(氧化物磁性材料），針對(duì)高頻可舉出Ni-Zn鐵氧體。然而，Ni-Zn鐵氧體粉由于開(kāi)口孔多，有時(shí)在環(huán)氧樹(shù)脂材料中無(wú)法填充62vol%以 上的鐵氧體粒子。在這種情況下，復(fù)合鐵氧體樹(shù)脂層的透磁率μ低(μ<6)，不適于充分確保 在共模扼流線圈的高頻區(qū)域例如IOOMHz下的阻抗值(Z值）。
[0007] 因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種可確保高阻抗值的電子部件。
[0008] 本發(fā)明所涉及的電子部件的特征在于，具備：多個(gè)絕緣體層在厚度方向?qū)盈B而構(gòu) 成且在多個(gè)絕緣體層的層疊方向設(shè)置有凹陷的凹部的層疊體以及設(shè)置于層疊體內(nèi)的至少1 個(gè)線圈導(dǎo)體;并且，凹部填充有磁性樹(shù)脂材料，其中，磁性樹(shù)脂材料由將軟磁性金屬粉混合 于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成，軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下，并且，含磁粉 樹(shù)脂是將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol %的范圍混合而成的含磁粉樹(shù)脂。
[0009] 本發(fā)明所涉及的電子部件中，軟磁性金屬粉優(yōu)選為結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性 Fe-Si系合金，熱固性樹(shù)脂優(yōu)選由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成。
[0010] 此外，本發(fā)明所涉及的電子部件中，優(yōu)選軟磁性金屬粉的粉體表面被絕緣涂布。
[0011] 本發(fā)明所涉及的電子部件中，填充于層疊體的凹部的磁性樹(shù)脂材料由將軟磁性金 屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成，軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下，含 磁粉樹(shù)脂是將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol %的范圍混合而成的含磁粉樹(shù)脂。因此，本 發(fā)明所涉及的電子部件中，可以達(dá)成在更高頻區(qū)域的高Z值(高μ值)化，例如可得到用作面 向高頻差動(dòng)傳送所對(duì)應(yīng)的共模濾波器的共模扼流線圈等電子部件。
[0012] 本發(fā)明所涉及的電子部件中，軟磁性金屬粉是結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性Fe-Si 系合金，熱固性樹(shù)脂由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成時(shí)，可以達(dá)成在更高頻區(qū)域的 高Z值(高μ值)化，并且能夠在磁性樹(shù)脂材料中實(shí)現(xiàn)由低粘度化所致的填充性的提高、印刷 性的提尚。
[0013] 進(jìn)而，本發(fā)明所涉及的電子部件中，軟磁性金屬粉的粉體表面被絕緣涂布時(shí)，可以 達(dá)成在更高頻區(qū)域的高Z值(高μ值)化和高Q值化，并且例如可得到用作面向高頻差動(dòng)傳送 所對(duì)應(yīng)的共模濾波器的共模扼流線圈等電子部件。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明，可得到可確保高阻抗值的電子部件。
[0015] 從參照附圖進(jìn)行的以下的用于實(shí)施發(fā)明的方式的說(shuō)明，可進(jìn)一步明確本發(fā)明的上 述的目的、其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1是表示本發(fā)明所涉及的作為電子部件的共模扼流線圈的一個(gè)例子的外觀立體 圖。
[0017] 圖2是圖1所示的共模扼流線圈的分解立體圖。
[0018] 圖3是圖1的線III-III的截面圖。
[0019] 符號(hào)說(shuō)明
[0020] 10共模扼流線圈
[0021] 12層疊體
[0022] 14a~14d外部電極
[0023] 16a、16b 線圈導(dǎo)體
[0024] 17a~17d引出導(dǎo)體
[0025] 21、22磁性樹(shù)脂材料(絕緣材料）
[0026] 24粘接層
[0027] 28a~28e絕緣體層
[0028] 29磁性體基板
[0029] 30 凹部
[0030] 31磁性體基板(絕緣體層）
[0031] vl、v2通孔導(dǎo)體
【具體實(shí)施方式】
[0032]圖1是表示本發(fā)明所涉及的作為電子部件的共模扼流線圈的一個(gè)例子的外觀立體 圖，圖2是圖1所示的共模扼流線圈的分解立體圖，圖3是圖1的線III-III的截面圖。
[0033] 以下，將圖1所示的共模扼流線圈10的層疊方向定義為z軸方向，從z軸方向俯視 時(shí)，將沿著共模扼流線圈10的長(zhǎng)邊的方向定義為X軸方向，將沿著共模扼流線圈10的短邊的 方向定義為y軸方向。X軸，y軸和z軸互相垂直。
[0034] 如圖1所示，共模扼流線圈10形成長(zhǎng)方體狀。此外，如圖1~圖3所示，共模扼流線圈 10具備層疊體12、外部電極14a~14d、線圈導(dǎo)體16a、16b、引出導(dǎo)體17a~17d、通孔導(dǎo)體vl、 v2、磁性樹(shù)脂材料21、22 (絕緣材料）、粘接層24和磁性體基板29。另外，如圖1所示，將共模扼 流線圈10的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱為側(cè)面Sl，將X軸方向的正方向側(cè)的面稱為側(cè)面S2。 [0035]如圖1和圖2所示，層疊體12形成長(zhǎng)方體狀，是將絕緣體層28a~28e和磁性體基板 31(第1的磁性體基板)層疊而構(gòu)成的。絕緣體層28a~28e是以從z軸方向的正方向側(cè)依次排 列的方式層疊。此外，如圖2所示，絕緣體層28a~28e在從z軸方向俯視時(shí)形成長(zhǎng)方形狀。另 外，絕緣體層28a~28e由聚酰亞胺樹(shù)脂或聚酰亞胺酰胺樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂材料構(gòu)成。此外，絕 緣體層28a~28e也可以由玻璃陶瓷等絕緣性無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。
[0036]如圖2所示，磁性體基板31在層疊體12中位于z軸方向的負(fù)方向的一端。此外，磁性 體基板31在從z軸方向俯視時(shí)形成長(zhǎng)方形狀。并且，磁性體基板31是由鐵氧體等磁性材料構(gòu) 成的絕緣體層。
[0037] 進(jìn)而，如圖2和圖3所示，層疊體12上設(shè)置有凹部30。凹部30設(shè)置于層疊體12的X軸 方向和y軸方向的大約中心，從z軸方向俯視時(shí)形成圓形。凹部30貫通絕緣體層28a~28e，從 層疊體12的z軸方向的正方向側(cè)的面(即，絕緣體層28a的z軸方向的正方向側(cè)的面）向z軸方 向的負(fù)方向側(cè)凹陷。另外，凹部30的底部位于磁性體基板31(第1磁性體基板)的主面間。 [0038]如圖3所示，凹部30的形狀從與層疊方向垂直的方向俯視時(shí)在z軸方向的負(fù)方向側(cè) 形成凸的放射線狀。此外，凹部30的內(nèi)周面SlO由連續(xù)的面構(gòu)成。應(yīng)予說(shuō)明，這里所說(shuō)的連續(xù) 是指沒(méi)有角地圓滑。
[0039]如圖2和圖3所示，凹部30填充有磁性樹(shù)脂材料21 (絕緣材料）。磁性樹(shù)脂材料21由 將軟磁性金屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成。軟磁性金屬粉的平均粒徑為12 μπι以下，優(yōu)選為5μηι。此外，含磁粉樹(shù)脂是將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol%的范圍混合 而成的含磁粉樹(shù)脂。軟磁性金屬粉優(yōu)選為結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性Fe-Si系合金，熱固 性樹(shù)脂優(yōu)選由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成。此外，軟磁性金屬粉的粉體表面優(yōu)選 例如以包含Si和P的絕緣體進(jìn)行絕緣涂布。該磁性樹(shù)脂材料21的透磁率高于絕緣體層28a~ 28e的透磁率。
[0040]如圖2和圖3所示，線圈導(dǎo)體16a(第1線圈導(dǎo)體）、16b(第2線圈導(dǎo)體)設(shè)置于層疊體 12內(nèi)且通過(guò)互相電磁式耦合而構(gòu)成共模扼流線圈。更詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體16a是設(shè)置于絕緣 體層28(：的2軸方向的正方向側(cè)的面的線狀導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體16b是設(shè)置于絕緣體層28d的z軸 方向的正方向側(cè)的面的線狀導(dǎo)體。即，線圈導(dǎo)體16a、16b夾著絕緣體層28c與z軸方向?qū)χ拧?此外，線圈導(dǎo)體16a、16b-起形成一邊圍著凹部30的周圍順時(shí)針旋轉(zhuǎn)一邊接近中心的漩渦 形狀。
[0041 ]如圖2所示，引出導(dǎo)體17a設(shè)置于層疊體12的絕緣體層28b的z軸方向的正方向側(cè)的 面。此外，引出導(dǎo)體17a在從z軸方向俯視時(shí)從與線圈導(dǎo)體16a的內(nèi)側(cè)的端部重疊的位置引出 至共模扼流線圈10的側(cè)面S2。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體17a包含引出部19a和連接部20a。引出 部19a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端在從z軸方向俯視時(shí)與線圈導(dǎo)體16a的內(nèi)側(cè)的端部重疊。 引出部19a從X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端開(kāi)始直線地延伸至絕緣體層28b的X軸方向的正方 向側(cè)的邊附近，并且朝著y軸方向的負(fù)方向側(cè)彎曲。連接部20a與引出部19a的另一端連接， 引出至絕緣體層28b的X軸方向的正方向側(cè)的邊。由此，連接部20a露出為從共模扼流線圈10 的側(cè)面S2向y軸方向延伸的線狀。
[0042]如圖2所示，引出導(dǎo)體17b設(shè)置于層疊體12的絕緣體層28c的z軸方向的正方向側(cè)的 面。從線圈導(dǎo)體16a的外側(cè)的端部引出至共模扼流線圈10的側(cè)面S1。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體 17b包含引出部19b和連接部20b。引出部19b從線圈導(dǎo)體16a的外側(cè)的端部開(kāi)始直線地延伸 至絕緣體層28c的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊附近，并且朝著y軸方向的負(fù)方向側(cè)彎曲。連接部 20b與引出部19b的端部連接，引出至絕緣體層28c的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊。由此，連接部 20b露出為從共模扼流線圈10的側(cè)面SI向y軸方向延伸的線狀。
[0043]如圖2所示，引出導(dǎo)體17c設(shè)置于層疊體12的絕緣體層28d的z軸方向的正方向側(cè)的 面。從線圈導(dǎo)體16b的外側(cè)的端部引出至共模扼流線圈10的側(cè)面S1。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體 17c包含引出部19c和連接部20c。引出部19c從線圈導(dǎo)體16b的外側(cè)的端部開(kāi)始直線地延伸 至絕緣體層28d的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊附近，并且朝著y軸方向的正方向側(cè)彎曲。連接部 20c與引出部19c的端部連接，引出至絕緣體層28d的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊。由此，連接部 20c露出為從共模扼流線圈10的側(cè)面Sl向y軸方向延伸的線狀。
[0044]如圖2所示，引出導(dǎo)體17d設(shè)置于層疊體12的絕緣體層28e的z軸方向的正方向側(cè)的 面。此外，引出導(dǎo)體17d在從z軸方向俯視時(shí)從與線圈導(dǎo)體16b的內(nèi)側(cè)的端部重疊的位置引出 至共模扼流線圈10的側(cè)面S2。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體17d包含引出部19d和連接部20d。引出 部19d的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端在從z軸方向俯視時(shí)與線圈導(dǎo)體16b的內(nèi)側(cè)的端部重疊。 引出部19d從X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端開(kāi)始直線地延伸至絕緣體層28e的X軸方向的正方 向側(cè)的邊附近，并且朝著y軸方向的正方向側(cè)彎曲。連接部20d與引出部19d的另一端連接， 引出至絕緣體層28e的X軸方向的正方向側(cè)的邊。由此，連接部20d露出為從共模扼流線圈10 的側(cè)面S2向y軸方向延伸的線狀。
[0045] 如圖2所示，通孔導(dǎo)體vl在z軸方向貫通絕緣體層28b，且將線圈導(dǎo)體16a的內(nèi)側(cè)的 端部與引出導(dǎo)體17a的引出部19a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端連接。如圖2所示，通孔導(dǎo)體 v2在z軸方向貫通絕緣體層28d，且將線圈導(dǎo)體16b的內(nèi)側(cè)的端部與引出導(dǎo)體17d的引出部 19d的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的一端連接。
[0046] 如圖1所示，外部電極14a、14b分別設(shè)置于共模扼流線圈10的側(cè)面Sl，與引出導(dǎo)體 17b、17c連接。更詳細(xì)而言，外部電極14a、14b在側(cè)面Sl分別以在z軸方向延伸的方式設(shè)置。 此外，外部電極14a、14b以從y軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)這樣的順序排列。外部電極14a 與引出導(dǎo)體17b的連接部20b連接。此外，外部電極14b與引出導(dǎo)體17c的連接部20c連接。
[0047] 如圖1所示，外部電極14c、14d分別設(shè)置于共模扼流線圈10的側(cè)面S2,與引出導(dǎo)體 17a、17d連接。更詳細(xì)而言，外部電極14c、14d在側(cè)面S2分別以延伸至z軸方向的方式設(shè)置。 此外，外部電極14c、14d以從y軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)這樣的順序排列。外部電極14c 與引出導(dǎo)體17a的連接部20a連接。此外，外部電極14d與引出導(dǎo)體17d的連接部20d連接。 [0048]如圖2和圖3所示，在層疊體12的絕緣體層28a的z軸方向的正方向側(cè)的面上設(shè)置有 層狀的磁性樹(shù)脂材料22。磁性樹(shù)脂材料22在從z軸方向俯視時(shí)形成長(zhǎng)方形狀。此外，磁性樹(shù) 脂材料22由將軟磁性金屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成。軟磁性金屬粉的平 均粒徑為12μηι以下，優(yōu)選為5μηι。此外，含磁粉樹(shù)脂是將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol% 的范圍混合而成的含磁粉樹(shù)脂。軟磁性金屬粉優(yōu)選為結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性Fe-Si系 合金，熱固性樹(shù)脂優(yōu)選由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成。此外，優(yōu)選將軟磁性金屬粉 的粉體表面以例如包含Si和P的絕緣體進(jìn)行絕緣涂布。該例子中，磁性樹(shù)脂材料22和磁性樹(shù) 脂材料21由相同材料構(gòu)成。
[0049]如圖2和圖3所示，在磁性樹(shù)脂材料22的z軸方向的正方向側(cè)的面上，夾著粘接層24 設(shè)置有磁性體基板29(第2磁性體基板）。磁性體基板29在從z軸方向俯視時(shí)形成長(zhǎng)方形狀。 磁性體基板29是由鐵氧體等磁性材料構(gòu)成的磁性體基板，設(shè)置有線圈導(dǎo)體16a、16b等的絕 緣體層28a~28e、夾著磁性樹(shù)脂材料22和粘接層24,位于與磁性體基板31 (第1的磁性體基 板)相反側(cè)。另外，粘接層24由環(huán)氧樹(shù)脂等熱固型的粘接劑構(gòu)成，用于提高磁性樹(shù)脂材料22 與磁性體基板29的粘接強(qiáng)度。
[0050] 以上述方式構(gòu)成的共模扼流線圈10中，線圈導(dǎo)體16a、16b在從z軸方向俯視時(shí)重 疊。由此，線圈導(dǎo)體16a以產(chǎn)生的磁流可通過(guò)線圈導(dǎo)體16b的方式形成，線圈導(dǎo)體16b以產(chǎn)生 的磁流可通過(guò)線圈導(dǎo)體16a的方式形成。因此，線圈導(dǎo)體16a與線圈導(dǎo)體16b以進(jìn)行磁耦合的 方式形成，線圈導(dǎo)體16a與線圈導(dǎo)體16b以構(gòu)成共模扼流線圈的方式形成。而且，外部電極 14a、14b作為輸入端子使用，外部電極14c、14d作為輸出端子使用。即，差動(dòng)傳送信號(hào)從外部 電極14a、14b輸入，從外部電極14c、14d輸出。然后，差動(dòng)傳送信號(hào)含有共模噪音時(shí)，線圈導(dǎo) 體16a、16b通過(guò)共模噪音的電流在相同方向產(chǎn)生磁流。因此，磁流以彼此加強(qiáng)的方式形成， 產(chǎn)生對(duì)共模噪音的電流的阻抗。其結(jié)果，共模噪音的電流變換為熱而妨礙通過(guò)線圈導(dǎo)體 16a、16b。此外，正常模式的電流流動(dòng)時(shí)，線圈導(dǎo)體16a、16b在逆方向產(chǎn)生磁流。因此，磁流以 彼此抵消的方式形成，對(duì)于正常模式的電流，不產(chǎn)生阻抗。因此，正常模式的電流可以通過(guò) 線圈導(dǎo)體16a、16b。
[0051] 接著，對(duì)該共模扼流線圈10的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下，對(duì)1個(gè)共 模扼流線圈10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明，實(shí)際上，制作將多個(gè)層疊體12、磁性樹(shù)脂材料22、粘接 層24和磁性體基板29連接的層疊母體，在切斷層疊母體后形成外部電極14a~14d，得到多 個(gè)模扼流線圈10。
[0052]首先，磁性體基板31上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂或聚酰亞胺酰胺樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣體層 28e。具體而言，通過(guò)旋涂法在磁性體基板31上涂布樹(shù)脂膜，從而形成絕緣體層28e。
[0053] 形成的絕緣體層28e上通過(guò)光刻法形成以Ag、Cu或Au這樣的導(dǎo)電性高的材料為主 成分的引出導(dǎo)體17d。具體而言，通過(guò)鍍覆、蒸鍍、濺射等在絕緣體層28e的表面整面形成金 屬膜。然后，對(duì)金屬膜涂布感光性抗蝕膜，進(jìn)行曝光和顯影。其后，通過(guò)蝕刻除去從感光性抗 蝕膜露出的金屬膜的部分后，利用有機(jī)溶劑除去感光性抗蝕膜。由此，形成引出導(dǎo)體17d。
[0054] 接著，在絕緣體層28e和引出導(dǎo)體17d上通過(guò)光刻法形成由聚酰亞胺樹(shù)脂或聚酰亞 胺酰胺樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣體層28d。具體而言，通過(guò)旋涂法在絕緣體層28e上涂布感光性樹(shù)脂 膜。然后，對(duì)感光性樹(shù)脂膜進(jìn)行曝光和顯影，形成了形成有成為通孔導(dǎo)體v2的通孔的絕緣體 層 28d。
[0055] 通過(guò)光刻法在形成的絕緣體層28d上形成以Ag、Cu或Au等導(dǎo)電性高的材料為主成 分的線圈導(dǎo)體16b、引出導(dǎo)體17c和通孔導(dǎo)體v2。具體而言，通過(guò)鍍覆、蒸鍍、濺射等在絕緣體 層28d的表面整面形成金屬膜。此時(shí)，在絕緣體層28d的通孔填充金屬，形成通孔導(dǎo)體v2。然 后，對(duì)金屬膜涂布感光性抗蝕膜，進(jìn)行曝光和顯影。其后，通過(guò)蝕刻除去從感光性抗蝕膜露 出的金屬膜的部分后，除去感光性抗蝕膜。由此，形成線圈導(dǎo)體16b、引出導(dǎo)體17c和通孔導(dǎo) 體v2〇
[0056] 其后，反復(fù)進(jìn)行與絕緣體層28d的形成工序和線圈導(dǎo)體16b、引出導(dǎo)體17c和通孔導(dǎo) 體 V2的形成工序同樣的工序。由此，形成絕緣體層28a~28c、線圈導(dǎo)體16a、引出導(dǎo)體17a、 17b和通孔導(dǎo)體vl。通過(guò)以上工序(第1工序)完成了層疊體12。
[0057] 進(jìn)而，使用干膜抗蝕劑和噴砂機(jī)形成凹部30(第2工序）。更詳細(xì)而言，在絕緣體層 28a上貼附感光性樹(shù)脂膜。貼附后，對(duì)未形成凹部30的部分(受光部）照射光。然后，通過(guò)顯影 除去未照射光的部分(非受光部）。接著，對(duì)通過(guò)顯影除去的部分進(jìn)行噴砂。由此，絕緣體層 28a~28e和磁性體基板31被削去，形成凹部30。另外，通過(guò)噴砂，凹部30貫通絕緣體層28a~ 28e。進(jìn)而，凹部30的底部到達(dá)磁性體基板31。另外，使用噴砂機(jī)對(duì)多個(gè)絕緣體層28a~28e和 磁性體基板31同時(shí)形成凹部30,因此凹部30的內(nèi)周面SlO成為沒(méi)有角且光滑的面。形成凹部 30后，除去感光性樹(shù)脂膜的受光部。
[0058]接著，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法將磁性樹(shù)脂材料21(絕緣材料)嵌入至凹部30,并且形成層 狀的磁性樹(shù)脂材料22(第3工序）。具體而言，在將糊狀的含磁粉樹(shù)脂搭載于絕緣體層28a上 的狀態(tài)下，壓接橡膠滾軸使其滑動(dòng)。其后，使糊狀的含磁粉樹(shù)脂熱固化。由此，在凹部30嵌入 磁性樹(shù)脂材料21，形成磁性樹(shù)脂材料22。
[0059] 作為用于形成磁性樹(shù)脂材料21、22的含磁粉樹(shù)脂，可以使用將軟磁性金屬粉在使 芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺溶解于有機(jī)溶劑而成的樹(shù)脂清漆中進(jìn)行混合而成的材料。 在這種情況下，軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下（優(yōu)選為5. Ομπι)，且扁平率例如為 0.65。此外，作為含磁粉樹(shù)脂，可使用將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol %的范圍進(jìn)行混合 而成的材料。進(jìn)而，可確保高的透磁率μ和Z值的方面考慮優(yōu)選使用結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié) 晶性Fe-Si系合金作為該軟磁性金屬粉。此外，優(yōu)選將軟磁性金屬粉的粉體表面例如以包含 Si和P的絕緣體進(jìn)行絕緣涂布。
[0060] 作為上述芳香族四羧酸二酐，可舉出均苯四酸二酐(PMDA)、3,3'，4,4'_聯(lián)苯四羧 酸(8?0厶）、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6!^)、3,3'，4,4'-二苯甲酮四羧酸二 酐、2,2'，3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3'，4'-二苯甲酮四羧酸二酐、萘-1，2,5,6-四羧 酸二酐、萘-1，2，4，5-四羧酸二酐、萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、萘-1，2，6，7-四羧酸二酐等。
[0061] 此外，作為芳香族二胺，可舉出4,6_二甲基-間苯二胺、2,5_二甲基-對(duì)苯二胺、2， 二氨基均二甲苯、2，4_甲苯二胺、間苯二胺、3，3' -二氨基二苯基丙烷、4,4' -二氨基二苯 基乙烷、3,3'-二氨基二苯基乙烷、4，4'_二氨基二苯基甲烷、3,3'-二氨基二苯基甲烷、4， 4'_二氨基二苯硫醚、3,3'-二氨基二苯砜、4,4'_二氨基二苯基醚、3,3'_二氨基二苯基醚、 1，3_雙(3-氨基苯氧基)苯、1，3_雙(4-氨基苯氧基)苯、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、聯(lián)苯胺、 3，3 ' -二氨基聯(lián)苯、3，3 ' -二甲基-4，4 ' -二氨基聯(lián)苯、3，3 ' -二甲氧基聯(lián)苯胺、4，4" -二氨基-對(duì)三聯(lián)苯等。
[0062] 另外，作為溶解芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺的有機(jī)溶劑，可使用NMP(N_甲基 吡咯烷酮)或γ-丁內(nèi)酯等。
[0063] 此外，作為上述結(jié)晶性Fe-Ni系合金，可舉出78-?61'11^11〇7(?61'11^11〇7八）、36-Permalloy(Permalloy D)、45Permalloy(Permalloy Β)、42Permalloy等，作為結(jié)晶性Fe-Si 系合金，可舉出娃鋼(6.5%娃鋼、無(wú)方向性娃鋼等）或Fe-Si-Cr合金(Fe-4Si-5Cr、Fe-5C;r-3Si等）、鐵硅鋁合金(F e-9.5Si-5.5Al)等，將這些合金的l種或2種以上作為軟磁性金屬粉 使用。
[0064]磁性樹(shù)脂材料21、22在固化溫度250 °C以上固化。作為磁性樹(shù)脂材料21、22，在上述 的芳香族四羧酸二酐與芳香族二胺的當(dāng)量比率為80:100~100:80的范圍內(nèi)可得到?jīng)]有問(wèn) 題的固化物。
[0065]接著，在磁性樹(shù)脂材料22上涂布環(huán)氧樹(shù)脂等的熱固型的粘接劑而形成粘接層24。 然后，在粘接層24上貼附磁性體基板29。其后，通過(guò)進(jìn)行熱處理而粘接磁性樹(shù)脂材料22與磁 性體基板29。
[0066] 接著，通過(guò)切割將層疊體12、磁性樹(shù)脂材料22、粘接層24和磁性體基板29的集合體 分割成多個(gè)芯片。然后，對(duì)芯片進(jìn)行磨光而進(jìn)行倒角。
[0067] 接著，使用金屬掩模等遮蔽板將以Ag為主成分的導(dǎo)體膜形成于層疊體12、磁性樹(shù) 脂材料22、粘接層24和磁性體基板29上。
[0068]最后，在導(dǎo)體膜上實(shí)施Ni/Sn鍍覆。由此，形成外部電極14a~14d。通過(guò)以上工序完 成了共模扼流線圈10。
[0069] 該共模扼流線圈10中，填充于層疊體12的凹部30的磁性樹(shù)脂材料21由將軟磁性金 屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形成，軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下，磁 性樹(shù)脂材料是將軟磁性金屬粉在65vol %~85vol %的范圍混合而成的含磁粉樹(shù)脂。因此， 該共模扼流線圈10中，可以達(dá)成在更高頻區(qū)域的高Z值(高μ值)化，例如用作面向高頻差動(dòng) 傳送所對(duì)應(yīng)的共模濾波器。
[0070] 尤其是在該共模扼流線圈10中，線圈導(dǎo)體16a、16b進(jìn)行了磁耦合，但通過(guò)在磁芯部 (線圈導(dǎo)體16a、16b的中央部)使用磁性樹(shù)脂材料21，可提高其磁耦合，提高共模阻抗值(Z 值)的同時(shí)，可以達(dá)成由線圈導(dǎo)體的卷線數(shù)的減少所致的低直流電阻(Rdc)化。
[0071] 此外，該共模扼流線圈10中，軟磁性金屬粉是結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性Fe-Si 系合金，熱固性樹(shù)脂由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成時(shí)，可以達(dá)成在更高頻區(qū)域的 高Z值(高μ值)化，并且能夠在磁性樹(shù)脂材料21、22中實(shí)現(xiàn)低粘度化所致的填充性的提高和 印刷性的提尚。
[0072] 進(jìn)而，該共模扼流線圈10中，軟磁性金屬粉的粉體表面被絕緣涂布時(shí)，可以達(dá)成在 更高頻區(qū)域的高Z值(高μ值)化和高Q值化，并且例如可用作面向高頻差動(dòng)傳送所對(duì)應(yīng)的共 模濾波器。
[0073] (實(shí)驗(yàn)例1)
[0074] 實(shí)驗(yàn)例1中，如表1所示的各條件那樣改變條件而制作圖1所示的共模扼流線圈10， 調(diào)查了其材料特性和產(chǎn)品特性。
[0075] 表 1
[0077]這種情況下，將用于形成磁性樹(shù)脂材料21、22的軟磁性金屬粉的金屬種、結(jié)晶性、 平均粒徑和填充量設(shè)為表1所示的各條件。
[0078]使用聚酰亞胺樹(shù)脂作為絕緣體層28a~28e的材料。
[0079] 此外，使用Ag作為線圈導(dǎo)體16a、16b，引出導(dǎo)體17a~17d和通孔導(dǎo)體vl，v2的材料。
[0080] 進(jìn)而，以0.45mmX 0.30mmX 0.30mm形成共模扼流線圈10的外形尺寸。
[0081] 作為共模扼流線圈10的材料特性，對(duì)于將磁性樹(shù)脂材料21、22形成為環(huán)狀而成的 材料(環(huán)形磁芯），調(diào)查了透磁率μ的實(shí)數(shù)部μ'和虛數(shù)部μ"與透磁率μ，作為共模扼流線圈10 的產(chǎn)品特性，調(diào)查了共模扼流線圈10的阻抗值。
[0082]關(guān)于用于研究材料特性和產(chǎn)品特性的特性測(cè)量器，使用"Agilent Ε4991Α RF阻 抗/材料分析儀(Agilent Technologies公司)"測(cè)量它們的材料特性和產(chǎn)品特性。在這種情 況下，在空腔共振器內(nèi)插入將磁性樹(shù)脂材料21、22形成為環(huán)狀而成的材料(環(huán)形磁芯），由插 入前后的環(huán)形磁芯的電阻變化量測(cè)量Z值、L值和R值，進(jìn)而，算出μ'值和μ"值。此外，作為共 模扼流線圈10的產(chǎn)品特性，測(cè)量共模扼流線圈10的IOOMHz下的電阻值(Ζ值）。
[0083]將其材料特性和產(chǎn)品特性的調(diào)查結(jié)果一并示于表1。
[0084]由表1所示的結(jié)果可知，共模扼流線圈10中，作為軟磁性金屬粉的42Permalloy(平 均粒徑D50值為5. Ομπι的粉）的填充量在65vol %~85vol %的范圍內(nèi)，可得到共模濾波器特 性即在IOOMHz下的Z值為58.5 Ω以上的特性。另外，作為共模扼流線圈10的部件規(guī)格，如表1 所示，阻抗的公稱值為90.0 Ω，最大值為121.5 Ω，最小值為58.5 Ω，容許范圍為90 Ω 土 35%〇
[0085] 如此，本發(fā)明的范圍內(nèi)的共模扼流線圈10可以確保高阻抗值。
[0086] (實(shí)驗(yàn)例2)
[0087] 實(shí)驗(yàn)例2中，與實(shí)驗(yàn)例1相比，以表2所示的各條件進(jìn)行改變而制作圖1所示的共模 扼流線圈1 〇，調(diào)查了其材料特性和產(chǎn)品特性。
[0088] 表 2
[0090] 在這種情況下，將用于形成磁性樹(shù)脂材料21、22的軟磁性金屬粉的金屬種、結(jié)晶 性、絕緣涂覆(絕緣涂布）、平均粒徑和填充量設(shè)為表2所示的各條件。
[0091] 對(duì)于軟磁性金屬粉的絕緣涂布，對(duì)Fe42Ni (結(jié)晶）、Fe-Si-Cr (結(jié)晶）和Fe-Si (結(jié)晶） 分別使用包含P的磷酸涂布劑以磷酸涂布處理的方式進(jìn)行，對(duì)Fe-Si-Cr(非晶質(zhì))使用包含 Si的硅烷偶聯(lián)劑以硅烷偶聯(lián)處理的方式進(jìn)行。磷酸涂布處理是化成處理的代表性的方法之 一，在鋼鐵、鋅等金屬表面生成磷酸鋅等金屬鹽的薄的皮膜(微米級(jí)的皮膜）。此外，硅烷偶 聯(lián)處理是氫鍵式的吸附于無(wú)機(jī)質(zhì)表面后進(jìn)行脫水縮合反應(yīng)而牢固地進(jìn)行化學(xué)結(jié)合的代表 性方法之一，在鋼鐵、鋅等金屬表面生成氧化硅等氧化物的薄的皮膜(數(shù)十微米級(jí)的皮膜）。 尤其是粒度(平均粒徑)低的軟磁性金屬粉有氧化燃燒的危險(xiǎn)性，為了兼顧防止氧化燃燒， 需要絕緣涂布。
[0092]另外，與實(shí)驗(yàn)例1同樣地使用聚酰亞胺樹(shù)脂作為絕緣體層28a~28e的材料。
[0093] 此外，使用Ag作為線圈導(dǎo)體16a、16b、引出導(dǎo)體17a~17d和通孔導(dǎo)體vl、v2的材料。
[0094] 進(jìn)而，以0.45mm X 0.30mm X 0.30mm形成共模扼流線圈10的外形尺寸。
[0095]然后，與實(shí)驗(yàn)例1同樣地研究共模扼流線圈10的材料特性和產(chǎn)品特性，將其材料特 性和產(chǎn)品特性的調(diào)查結(jié)果一并示于表2。
[0096] 由表2所示的結(jié)果可知，共模扼流線圈10中，軟磁性金屬粉的填充量為本發(fā)明的范 圍內(nèi)的75vo 1 %時(shí)，可得到軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下且共模濾波器特性即在 IOOMHz下的Z值為58.5 Ω以上的特性。
[0097] 此外，由表2所示的結(jié)果可知，共模扼流線圈10中，通過(guò)將軟磁性金屬粉的粉體表 面絕緣涂布，還能達(dá)成高Q值化。另外，通過(guò)使用非晶質(zhì)粉作為軟磁性金屬粉，共模濾波器特 性在本發(fā)明的目標(biāo)范圍內(nèi)下降，但預(yù)計(jì)Q值增加。
[0098] 而且，由表2所示的結(jié)果還可知，為了確保高Z值和高Q值，優(yōu)選使用結(jié)晶性且粒徑 更細(xì)的軟磁性金屬粉。
[00"]上述共模扼流線圈10中，凹部30的形狀在從與層疊方向垂直的方向俯視時(shí)在ζ軸 方向的負(fù)方向側(cè)呈凸的放射線狀，進(jìn)而，磁性樹(shù)脂材料21的形狀是對(duì)應(yīng)于凹部30的形狀，但 本發(fā)明中，凹部30、磁性樹(shù)脂材料21的形狀也可以形成為例如圓柱狀或角柱狀等其它形狀。
[0100] 此外，上述共模扼流線圈10中，使用干膜抗蝕劑和噴砂機(jī)形成凹部30,凹30也可以 使用激光加工形成。
[0101] 而且，上述共模扼流線圈10具有2個(gè)線圈導(dǎo)體16a、16b和磁性樹(shù)脂材料21，但本發(fā) 明也能夠應(yīng)用于具有1個(gè)線圈導(dǎo)體和磁性樹(shù)脂材料的電感器或具有3個(gè)以上的線圈導(dǎo)體和 磁性樹(shù)脂材料的濾波器等其它電子部件。此外，本發(fā)明除線圈導(dǎo)體和磁性樹(shù)脂材料以外，也 能夠應(yīng)用于具有電容器元件、電阻元件或能動(dòng)元件等元件的電子部件。
[0102] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0103] 本發(fā)明所涉及的電子部件尤其可作為具有線圈導(dǎo)體和磁性樹(shù)脂材料的例如共模 扼流線圈等電子部件很好地使用。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電子部件，其特征在于，具備：由多個(gè)絕緣體層在厚度方向?qū)盈B而構(gòu)成且在所述 多個(gè)絕緣體層的層疊方向設(shè)置有凹陷的凹部的層疊體，以及設(shè)置于所述層疊體內(nèi)的至少1 個(gè)線圈導(dǎo)體;并且，所述凹部填充有磁性樹(shù)脂材料， 其中，所述磁性樹(shù)脂材料由將軟磁性金屬粉混合于熱固性樹(shù)脂而成的含磁粉樹(shù)脂形 成， 所述軟磁性金屬粉的平均粒徑為12μπι以下， 所述含磁粉樹(shù)脂是將所述軟磁性金屬粉在65vol %~85vol %的范圍混合而成的含磁 粉樹(shù)脂。2. 如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述軟磁性金屬粉是結(jié)晶性Fe-Ni系合金或結(jié)晶性Fe-Si系合金， 所述熱固性樹(shù)脂由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺構(gòu)成。3. 如權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于，所述軟磁性金屬粉的粉體表面被絕 緣涂布。
【文檔編號(hào)】H01F17/00GK105913997SQ201610099839
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年2月23日
【發(fā)明人】丸澤博, 問(wèn)井孝臣, 石田康介, 勝田瑞穗
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社村田制作所