晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及晶片的加工方法，在該晶片中，在正面上多條分割預(yù)定線形成為格子 狀，并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，沿著分割預(yù)定線分割該 晶片。
【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面上通過(guò)排列 成格子狀的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域中形成IC、LSI等器件。通過(guò)沿 著分割預(yù)定線將W運(yùn)種方式形成的半導(dǎo)體晶片切斷，而對(duì)形成有器件的區(qū)域進(jìn)行分割從而 制造出各個(gè)器件忍片。
[0003] 上述的沿著半導(dǎo)體晶片的分割預(yù)定線進(jìn)行的切斷通常是通過(guò)被稱為劃片銀的切 削裝置而進(jìn)行的。該切削裝置具有:卡盤(pán)工作臺(tái)，其保持半導(dǎo)體晶片或光器件晶片等被加工 物;切削構(gòu)件，其用于對(duì)保持在該卡盤(pán)工作臺(tái)上的被加工物進(jìn)行切削；W及切削進(jìn)給構(gòu)件， 其用于使卡盤(pán)工作臺(tái)與切削構(gòu)件相對(duì)地移動(dòng)。切削構(gòu)件包含主軸單元，該主軸單元具有主 軸、裝配于該主軸的切削刀具W及對(duì)主軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)。切削刀具由圓盤(pán)狀的基 臺(tái)和裝配于該基臺(tái)的側(cè)面外周部的環(huán)狀的切刃構(gòu)成，切刃例如通過(guò)電鑄將粒徑3WI1左右的 金剛石磨粒固定于基臺(tái)并形成為厚度20WI1左右。
[0004] 而且，由于切削刀具具有20皿左右的厚度，因此作為劃分器件的分割預(yù)定線，其寬 度需要為50WI1左右，存在分割預(yù)定線相對(duì)于晶片的面積所占的面積比率較大，生產(chǎn)性變差 運(yùn)樣的問(wèn)題。
[0005] 另一方面，近年來(lái)，作為對(duì)半導(dǎo)體晶片等晶片進(jìn)行分割的方法，如下的被稱為內(nèi)部 加工的激光加工方法也被實(shí)用化:使用對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，將聚 光點(diǎn)定位在應(yīng)該進(jìn)行分割的區(qū)域的內(nèi)部而照射脈沖激光光線。使用了運(yùn)種被稱作內(nèi)部加工 的激光加工方法的分割方法是如下的技術(shù):使聚光點(diǎn)從晶片的一個(gè)面?zhèn)葘?duì)準(zhǔn)至內(nèi)部而照射 對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線連續(xù)地形成改 質(zhì)層，沿著因形成該改質(zhì)層而導(dǎo)致強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線施加外力，由此將晶片斷裂并分 害Il (例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
[0006] 作為像上述那樣對(duì)沿著分割預(yù)定線形成改質(zhì)層的晶片的分割預(yù)定線施加外力并 將晶片分割成各個(gè)器件忍片的方法，在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了如下技術(shù):通過(guò)將沿著分割 預(yù)定線形成有改質(zhì)層的晶片粘貼在裝配于環(huán)狀的框架的劃片帶上，并擴(kuò)展劃片帶而對(duì)晶片 施加拉力，沿著形成有改質(zhì)層且強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線將晶片分割成各個(gè)器件忍片。
[0007] 并且，在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了如下技術(shù):在沿著分割預(yù)定線連續(xù)地形成改質(zhì)層 的晶片的正面上粘貼保護(hù)帶，將保護(hù)帶側(cè)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)上，然后對(duì)于晶片的背面一邊 供給磨削水一邊進(jìn)行磨削而將其形成為規(guī)定的厚度并且將晶片分割成各個(gè)器件忍片。
[000引專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004-160493號(hào)公報(bào)
[0009] 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2005-223282號(hào)公報(bào)
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2013-165229號(hào)公報(bào)
[0011] 然而，如果在沿著分割預(yù)定線連續(xù)地形成有改質(zhì)層的晶片的正面上粘貼保護(hù)帶， 并將保護(hù)帶側(cè)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)上而對(duì)于晶片的背面一邊磨削水一邊進(jìn)行磨削由此將其 形成為規(guī)定的厚度并且將晶片分割成各個(gè)器件忍片，則存在如下的問(wèn)題:磨削水從被分割 成各個(gè)器件忍片的間隙侵入而污染器件忍片的側(cè)面和正面從而使器件忍片的品質(zhì)降低。
[0012] 并且，如果在已被分割成各個(gè)器件忍片的晶片的背面上裝配粘接膜并且粘貼劃片 帶，并通過(guò)擴(kuò)展該劃片帶而沿著各個(gè)器件忍片將粘接膜斷裂，則存在如下的問(wèn)題：由于粘接 膜形成為比晶片稍大，因此粘接膜的外周部會(huì)破碎而飛散并附著于器件忍片的正面而使器 件忍片的品質(zhì)降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種晶片的加工方 法，當(dāng)在沿著分割預(yù)定線形成有改質(zhì)層的晶片的正面上粘貼保護(hù)帶，并將保護(hù)帶側(cè)保持在 卡盤(pán)工作臺(tái)上而對(duì)于晶片的背面一邊供給磨削水一邊進(jìn)行磨削而將其形成為規(guī)定的厚度 并且將晶片分割成各個(gè)器件忍片時(shí)，能夠在不污染器件忍片的側(cè)面和正面的情況下實(shí)施。
[0014] 為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，該晶片 中，在正面上W格子狀形成有多條分割預(yù)定線，并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū) 域中形成有器件，沿著該分割預(yù)定線將該晶片分割成各個(gè)器件忍片，該晶片的加工方法的 特征在于，具有如下的工序:保護(hù)膜形成工序，在晶片的正面上包覆液狀樹(shù)脂而形成保護(hù) 膜，該液狀樹(shù)脂因照射紫外線而硬化;保護(hù)膜硬化工序，對(duì)該保護(hù)膜照射紫外線而使保護(hù)膜 硬化;保護(hù)帶粘貼工序，在該保護(hù)膜的表面上粘貼保護(hù)帶；改質(zhì)層形成工序，將聚光點(diǎn)定位 在晶片內(nèi)部而沿著該分割預(yù)定線照射對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線，在晶片的內(nèi) 部沿著該分割預(yù)定線形成改質(zhì)層；W及背面磨削工序，在實(shí)施了該保護(hù)帶粘貼工序和該改 質(zhì)層形成工序之后，一邊供給磨削水一邊對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而將晶片薄化至規(guī)定的厚 度，并且W該改質(zhì)層作為斷裂起點(diǎn)而沿著分割預(yù)定線將晶片分割成各個(gè)器件忍片。
[0015] 優(yōu)選晶片的加工方法還具有如下的工序:粘接膜斷裂工序，在實(shí)施了所述背面磨 削工序之后，在已被分割成各個(gè)器件忍片的晶片的背面上粘貼粘接膜并且在該粘接膜上粘 貼劃片帶，從晶片的正面將該保護(hù)帶剝離，通過(guò)擴(kuò)展該劃片帶而將該粘接膜沿著各個(gè)器件 忍片斷裂；W及保護(hù)膜去除工序，對(duì)實(shí)施了該粘接膜斷裂工序的各個(gè)器件忍片的正面供給 清洗液而去除該保護(hù)膜。
[0016] 優(yōu)選由水溶性樹(shù)脂構(gòu)成，在所述保護(hù)膜去除工序中供給清洗水而去除該保護(hù)膜。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法，雖然在背面磨削工序中混入了磨削屑的磨削水從 因分割成各個(gè)器件忍片而產(chǎn)生的間隙侵入，但由于在晶片的正面上形成有保護(hù)膜，因此磨 削水不會(huì)到達(dá)器件忍片的正面。因此，解決了混入磨削屑的磨削水污染器件忍片而使品質(zhì) 降低運(yùn)樣的問(wèn)題。并且，由于包覆在晶片的正面上的保護(hù)膜因被紫外線照射而硬化，因此在 磨削過(guò)程中抑制晶片的移動(dòng)，并且即使分割成各個(gè)器件忍片也通過(guò)比較牢固地包覆在晶片 的正面上的保護(hù)膜來(lái)抑制間隙的擴(kuò)展，因此能夠阻止磨削水的侵入，減少器件忍片的側(cè)面 污染。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1是半導(dǎo)體晶片的立體圖。
[0019] 圖2是示出保護(hù)膜形成工序的說(shuō)明圖。
[0020] 圖3是示出保護(hù)膜硬化工序的說(shuō)明圖。
[0021 ]圖4是示出保護(hù)帶粘貼工序的說(shuō)明圖。
[0022] 圖5是用于實(shí)施改質(zhì)層形成工序的激光加工裝置的主要部分立體圖。
[0023] 圖6是示出改質(zhì)層形成工序的說(shuō)明圖。
[0024] 圖7是示出背面磨削工序的說(shuō)明圖。
[0025] 圖8是示出晶片支承工序的第1實(shí)施方式的說(shuō)明圖。
[0026] 圖9是示出晶片支承工序的第2實(shí)施方式