晶片的生成方法
【專利摘要】提供晶片的生成方法，從錠高效地生成晶片。晶片的生成方法包含分離起點形成步驟，照射對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光束聚光點，形成與錠的正面平行的改質(zhì)層和從改質(zhì)層伸長的裂痕而形成分離起點。分離起點形成步驟包含改質(zhì)層形成步驟，c軸相對于正面的垂線傾斜偏離角，使激光束的聚光點沿著與在正面和c面之間形成偏離角的方向垂直的方向相對地移動而形成直線狀的改質(zhì)層。在改質(zhì)層形成步驟中，使激光束的偏光面與加工方向相符而照射激光束。
【專利說明】
晶片的生成方法
技術(shù)領域
[0001] 本發(fā)明涉及晶片的生成方法，將六方晶單晶錠切片成晶片狀。
【背景技術(shù)】
[0002] 在以硅等作為原材料的晶片的正面上層疊功能層，在該功能層上在通過多個分割 預定線劃分出的區(qū)域中形成有IC、LSI等各種器件。并且，通過切削裝置、激光加工裝置等加 工裝置對晶片的分割預定線實施加工，將晶片分割成各個器件芯片，分割得到的器件芯片 廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電子設備。
[0003] 并且，在以SiC、GaN等六方晶單晶作為材料的晶片的正面上層疊有功能層，在所層 疊的功能層上通過形成為格子狀的多條分割預定線進行劃分而形成有功率器件或者LED、 LD等光器件。
[0004] 形成有器件的晶片通常是利用線切割對錠進行切片而生成的，對切片得到的晶片 的正面背面進行研磨而精加工成鏡面(例如，參照日本特開2000-94221號公報）。
[0005] 在該線切割中，將直徑約為100~300μπι的鋼琴絲等一根金屬絲纏繞在通常設置于 二~四條間隔輔助輥上的多個槽中，按照一定間距彼此平行配置且使金屬絲在一定方向或 者雙向上行進，將錠切片成多個晶片。
[0006] 但是，當利用線切割將錠切斷，并對正面背面進行研磨而生成晶片時，會浪費錠的 70~80 %，存在不經(jīng)濟這樣的問題。特別是SiC、GaN等六方晶單晶錠的莫氏硬度較高，利用 線切割而進行的切斷很困難，花費相當長的時間，生產(chǎn)性較差，在高效地生成晶片方面存在 課題。
[0007] 為了解決這些問題，在日本特開2013-49161號公報中記載了如下技術(shù):將對于SiC 具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在六方晶單晶錠的內(nèi)部而進行照射，在切斷預定 面上形成改質(zhì)層和裂痕，并施加外力而沿著形成有改質(zhì)層和裂痕的切斷預定面割斷晶片， 從錠分離晶片。
[0008] 在該公開公報所記載的技術(shù)中，以脈沖激光束的第一照射點和距該第一照射點最 近的第二照射點處于規(guī)定的位置的方式，將脈沖激光束的聚光點沿著切斷預定面呈螺旋狀 照射，或者呈直線狀照射，而在錠的切斷預定面上形成非常高密度的改質(zhì)層和裂痕。
[0009] 專利文獻1:日本特開2000-94221號公報 [0010] 專利文獻2:日本特開2013-49161號公報
[0011]但是，在專利文獻2所記載的錠的切斷方法中，激光束的照射方法相對于錠呈螺旋 狀或者直線狀，對于在直線狀的情況下掃描激光束的方向則沒有任何規(guī)定。
[0012] 在專利文獻2所記載的錠的切斷方法中，將激光束的第一照射點與距該第一照射 點最近的第二照射點之間的間距設定為Ιμπι~ΙΟμπι。該間距是從改質(zhì)層產(chǎn)生的裂紋沿著c面 延伸的間距。
[0013] 由于以這種方式照射激光束時的間距非常小，因此不論激光束的照射方法是螺旋 狀或者直線狀，都需要以非常小的間距間隔照射激光束，存在無法充分實現(xiàn)生產(chǎn)性的提高 這樣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 本發(fā)明是鑒于這樣的點而完成的，其目的在于，提供一種晶片的生成方法，能夠高 效地從錠生成晶片。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的生成方法，從六方晶單晶錠生成晶片，該六方晶單晶 錠具有:第一面和位于該第一面的相反側(cè)的第二面;從該第一面至該第二面的c軸；以及與 該c軸垂直的c面，該晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步驟:分離起點形成步驟，將 對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在錠內(nèi)的距該第一面相當于 要生成的晶片的厚度的深度，并且使該聚光點與該六方晶單晶錠相對地移動而對該第一面 照射該激光束，形成與該第一面平行的改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿著c面伸長的裂痕而形成分 離起點；以及晶片剝離步驟，在實施了該分離起點形成步驟之后，從該分離起點將相當于晶 片的厚度的板狀物從該六方晶單晶錠剝離而生成六方晶單晶晶片，該分離起點形成步驟包 含如下的步驟:改質(zhì)層形成步驟，該c軸相對于該第一面的垂線傾斜偏離角，使激光束的聚 光點沿著與在該第一面和該c面之間形成偏離角的第二方向垂直的第一方向相對地移動， 而形成在第一方向上延伸的直線狀的改質(zhì)層；以及轉(zhuǎn)位步驟，在該第二方向上使該聚光點 相對地移動而轉(zhuǎn)位規(guī)定的量，在該改質(zhì)層形成步驟中，激光束的偏光面朝向與該第二方向 垂直的第一方向。
[0016] 優(yōu)選六方晶單晶錠從SiC錠、GaN錠或者AlN錠中進行選擇。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的晶片的生成方法，由于重復如下的步驟:使激光束的聚光點沿著在 錠的第一面和c面之間形成偏離角的方向垂直的方向上相對地移動，而在錠內(nèi)部形成直線 狀的改質(zhì)層，并且在形成有該偏離角的方向上進行了轉(zhuǎn)位之后，使激光束的聚光點沿著與 形成該偏離角的方向垂直的方向相對地移動而形成直線狀的改質(zhì)層，因此改質(zhì)層形成在距 第一面規(guī)定的深度，并且裂痕在改質(zhì)層的兩側(cè)沿著c面?zhèn)鞑?，從而通過裂痕連結(jié)一個改質(zhì)層 和鄰接的改質(zhì)層，能夠從分離起點將相當于晶片的厚度的板狀物從六方晶單晶錠容易地剝 離，而生成六方晶單晶晶片。
[0018] 由于將激光束移動的方向設定在與形成偏離角的方向垂直的方向，因此從改質(zhì)層 的兩側(cè)沿著c面?zhèn)鞑ザ纬傻牧押凵扉L得非常長，因此能夠增大轉(zhuǎn)位量。
[0019] 并且，由于使激光束的偏光面朝向與形成該偏離角的方向垂直的方向而實施改質(zhì) 層形成步驟，因此裂痕的大小穩(wěn)定，能夠順暢地實施晶片剝離工序。
[0020] 因此，能夠充分地實現(xiàn)生產(chǎn)性的提高，并且能夠充分地減輕所舍棄的錠的量而將 其抑制為30 %左右。
【附圖說明】
[0021] 圖1是適合實施本發(fā)明的晶片的生成方法的激光加工裝置的立體圖。
[0022]圖2是激光束產(chǎn)生單元的框圖。
[0023] 圖3的(A)是六方晶單晶錠的立體圖，圖3的(B)是其主視圖。
[0024] 圖4是說明分離起點形成步驟的立體圖。
[0025] 圖5是六方晶單晶徒的俯視圖。
[0026] 圖6是說明改質(zhì)層形成步驟的示意性剖面圖。
[0027] 圖7是說明改質(zhì)層形成步驟的示意性俯視圖。
[0028] 圖8的(A)是說明轉(zhuǎn)位步驟的示意性俯視圖，圖8的(B)是說明轉(zhuǎn)位量的示意性俯視 圖。
[0029] 圖9是說明晶片剝離步驟的立體圖。
[0030] 圖10是所生成的六方晶單晶晶片的立體圖。
[0031] 圖11是示出加工方向與激光束的偏光面之間的關系的示意圖。
[0032] 標號說明
[0033] 2:激光加工裝置；11:六方晶單晶錠；Ila:第一面(正面）；Ilb:第二面(背面）；13: 第一定向平面;15:第二定向平面;17:第一面的垂線；19: c軸;21: c面;23:改質(zhì)層;25:裂痕； 26:支承工作臺；30:激光束照射單元;36:聚光器(激光頭）；54:按壓機構(gòu);56:頭;58:按壓部 件。
【具體實施方式】
[0034]以下，參照附圖詳細地說明本發(fā)明的實施方式。參照圖1，示出了適合實施本發(fā)明 的晶片的生成方法的激光加工裝置2的立體圖。激光加工裝置2包含以能夠在X軸方向上移 動的方式搭載在靜止基臺4上的第一滑動塊6。
[0035]第一滑動塊6借助由滾珠絲杠8和脈沖電動機10構(gòu)成的加工進給機構(gòu)12沿著一對 導軌14在加工進給方向、即X軸方向上移動。
[0036]第二滑動塊16以能夠在Y軸方向上移動的方式搭載在第一滑動塊6上。即，第二滑 動塊16借助由滾珠絲杜18和脈沖電動機20構(gòu)成的分度進給機構(gòu)22沿著一對導軌24在分度 進給方向、即Y軸方向上移動。
[0037]在第二滑動塊16上搭載有支承工作臺26。支承工作臺26能夠借助加工進給機構(gòu)12 和分度進給機構(gòu)22在X軸方向和Y軸方向上移動，并且借助收納在第二滑動塊16中的電動機 而旋轉(zhuǎn)。
[0038]在靜止基臺4上豎立設置有柱28,在該柱28上安裝有激光束照射機構(gòu)(激光束照射 構(gòu)件)30。激光束照射機構(gòu)30由收納在外殼32中的圖2所示的激光束產(chǎn)生單元34和安裝于外 殼32的前端的聚光器(激光頭)36構(gòu)成。在外殼32的前端安裝有具有顯微鏡和照相機的攝像 單元38，該攝像單元38與聚光器36在X軸方向上排列。
[0039]如圖2所示，激光束產(chǎn)生單元34包含振蕩出YAG激光或者YV04激光的激光振蕩器 40、重復頻率設定構(gòu)件42、脈沖寬度調(diào)整構(gòu)件44以及功率調(diào)整構(gòu)件46。雖然未特別圖示，但 激光振蕩器40具有布魯斯特窗，從激光振蕩器40射出的激光束是直線偏光的激光束。
[0040] 借助激光束產(chǎn)生單元34的功率調(diào)整構(gòu)件46被調(diào)整為規(guī)定的功率的脈沖激光束被 聚光器36的反射鏡48反射，進而借助聚光透鏡50將聚光點定位在作為固定于支承工作臺26 的被加工物的六方晶單晶錠11的內(nèi)部而進行照射。
[0041] 參照圖3的(A)，示出了作為加工對象物的六方晶單晶錠11的立體圖。圖3的（B)是 圖3的(A)所示的六方晶單晶錠11的主視圖。六方晶單晶錠（以下，有時簡稱為錠)11由SiC單 晶錠、GaN單晶錠或者ALN單晶錠構(gòu)成。
[0042] 錠11具有第一面(上表面）lla和與第一面Ila相反側(cè)的第二面(背面）llb。由于錠 11的正面Ila是激光束的照射面因此將其研磨成鏡面。
[0043] 錠11具有第一定向平面13和與第一定向平面13垂直的第二定向平面15。第一定向 平面13的長度形成為比第二定向平面15的長度長。
[0044] 錠11具有c軸19和c面21，該c軸19相對于正面Ila的垂線17向第二定向平面15方向 傾斜偏離角α，該c面21與c軸19垂直。c面21相對于錠11的正面Ila傾斜偏離角α。通常在六方 晶單晶錠11中，與較短的第二定向平面15的伸長方向垂直的方向是c軸的傾斜方向。
[0045] 在錠11中按照錠11的分子級設定有無數(shù)個c面21。在本實施方式中，偏離角α被設 定為4°。但是，偏離角α不限于4°，能夠在例如1°~6°的范圍中自由地設定而制造出錠11。
[0046] 再次參照圖1，在靜止基臺4的左側(cè)固定有柱52,在該柱52上經(jīng)由形成于柱52的開 口 53以能夠在上下方向上移動的方式搭載有按壓機構(gòu)54。
[0047] 在本實施方式的晶片的生成方法中，如圖4所示，以錠11的第二定向平面15在X軸 方向上排列的方式例如利用蠟或者粘接劑將錠11固定在支承工作臺26上。
[0048] 即，如圖5所示，使箭頭A方向與X軸相符而將錠11固定在支承工作臺26上，其中，該 A方向即是與形成有偏離角α的方向Yl、換言之c軸19的與正面Ila的交點19a相對于錠11的 正面Ila的垂線17所存在的方向垂直的方向。
[0049] 由此，沿著與形成有偏離角α的方向垂直的方向A掃描激光束。換言之，與形成有偏 離角α的方向Yl垂直的A方向成為支承工作臺26的加工進給方向。
[0050] 在本發(fā)明的晶片的生成方法中，將從聚光器36射出的激光束的掃描方向設為與錠 11的形成有偏離角α的方向Yl垂直的箭頭A方向是很重要的。
[0051] 即，本發(fā)明的晶片的生成方法的特征在于探索出如下情況:通過將激光束的掃描 方向設定為上述這樣的方向，從形成于錠11的內(nèi)部的改質(zhì)層傳播的裂痕沿著c面21非常長 地伸長。
[0052] 在本實施方式的晶片的生成方法中，首先，實施分離起點形成步驟，將對于固定于 支承工作臺26的六方晶單晶錠11具有透過性的波長(例如1064nm的波長)的激光束的聚光 點定位在距第一面(正面Hla相當于要生成的晶片的厚度的深度，并且使聚光點與六方晶 單晶錠11相對地移動而對正面Ila照射激光束，形成與正面Ila平行的改質(zhì)層23以及從改質(zhì) 層23沿著c面21傳播的裂痕25而成為分離起點。
[0053]該分離起點形成步驟包含:改質(zhì)層形成步驟，c軸19相對于正面Ila的垂線17傾斜 偏離角α，在與在c面21和正面Ila之間形成有偏離角α的方向即圖5的箭頭Yl方向垂直的方 向即A方向上使激光束的聚光點相對地移動而在錠11的內(nèi)部形成改質(zhì)層23和從改質(zhì)層23沿 著c面21傳播的裂痕25;以及轉(zhuǎn)位步驟，如圖7和圖8所示，在形成有偏離角的方向即Y軸方向 上使聚光點相對地移動且轉(zhuǎn)位規(guī)定的量。
[0054]如圖6和圖7所示，當在X軸方向上將改質(zhì)層23形成為直線狀時，裂痕25從改質(zhì)層23 的兩側(cè)沿著c面21傳播而形成。在本實施方式的晶片的生成方法中包含轉(zhuǎn)位量設定步驟，對 從直線狀的改質(zhì)層23起在c面方向上傳播而形成的裂痕25的寬度進行測量，設定聚光點的 轉(zhuǎn)位量。
[0055]在轉(zhuǎn)位量設定步驟中，如圖6所示，當將從直線狀的改質(zhì)層23起在c面方向上傳播 而形成在改質(zhì)層23的單側(cè)的裂痕25的寬度設為Wl的情況下，將應該進行轉(zhuǎn)位的規(guī)定的量W2 設定為Wl以上2W1以下。
[0056]這里，以如下的方式設定優(yōu)選的實施方式的改質(zhì)層形成步驟的激光加工方法。 [0057] 光源:Nd: YAG脈沖激光
[0058] 波長：1064nm
[0059] 重復頻率:80kHz
[0060] 平均輸出：3.2W [0061 ] 脈沖寬度:4ns
[0062] 光斑直徑：10μπι
[0063] 聚光透鏡的數(shù)值孔徑(NA) :0.45
[0064] 進給速度：160mm/s
[0065] 轉(zhuǎn)位量:400μπι
[0066] 在上述的激光加工條件中，在圖6中，將從改質(zhì)層23沿著c面?zhèn)鞑サ牧押?5的寬度 Wl設定為大致250μπι，將轉(zhuǎn)位量W2設定為400μπι。
[0067] 但是，激光束的平均輸出不限于3.2W，在本實施方式的加工方法中，將平均輸出設 定為2W~4.5W而得到良好的結(jié)果。在平均輸出為2W的情況下，裂痕25的寬度Wl為大致100μ m，在平均輸出為4.5W的情況下，裂痕25的寬度Wl為大致350μπι。
[0068] 由于在平均輸出小于2W的情況下和大于4.5W的情況下，無法在錠11的內(nèi)部形成良 好的改質(zhì)層23,因此優(yōu)選照射的激光束的平均輸出在2W~4.5W的范圍內(nèi)，在本實施方式中 對錠11照射平均輸出為3.2W的激光束。在圖6中，將形成改質(zhì)層23的聚光點的距正面I Ia的 深度Dl設定為500μηι。
[0069] 參照圖8的(A)，示出了用于說明激光束的掃描方向的示意圖。利用往路Xl和返路 Χ2實施分離起點形成步驟，對于利用往路Xl在六方晶單晶錠11中形成了改質(zhì)層23的激光束 的聚光點而言，在轉(zhuǎn)位了規(guī)定的量之后，利用返路Χ2在六方晶單晶錠11中形成改質(zhì)層23。
[0070] 并且，在分離起點形成步驟中，在激光束的聚光點的應該進行轉(zhuǎn)位的規(guī)定的量被 設定為W以上2W以下的情況下，優(yōu)選在六方晶單晶錠11中定位激光束的聚光點并將聚光點 的轉(zhuǎn)位量設定為W以下直到形成最初的改質(zhì)層23為止。
[0071 ]例如，如圖8的(B)所示，在應該對激光束的聚光點進行轉(zhuǎn)位的規(guī)定的量為400μπι的 情況下，以轉(zhuǎn)位量200Μ1執(zhí)行多次激光束的掃描直到在錠11中形成最初的改質(zhì)層23為止。
[0072] 最初的激光束的掃描是空打，如果判明在錠11的內(nèi)部最初形成了改質(zhì)層23，則設 定為轉(zhuǎn)位量400μπι而在錠11的內(nèi)部形成改質(zhì)層23。
[0073] 如果以這種方式轉(zhuǎn)位進給規(guī)定的量，并且完成了在錠11的整個區(qū)域的深度為Dl的 位置上形成多個改質(zhì)層23和形成從改質(zhì)層23沿著c面21延伸的裂痕25,則實施晶片剝離工 序，施加外力而從由改質(zhì)層25和裂痕23構(gòu)成的分離起點將相當于要形成的晶片的厚度的板 狀物從六方晶單晶錠11分離而生成六方晶單晶晶片27。
[0074]該晶片剝離工序例如借助圖9所示的按壓機構(gòu)54實施。按壓機構(gòu)54包含：頭56,其 借助內(nèi)設于柱52內(nèi)的移動機構(gòu)而在上下方向上移動；以及按壓部件58,其相對于頭56如圖9 的(B)所示那樣在箭頭R方向上旋轉(zhuǎn)。
[0075]如圖9的(A)所示，將按壓機構(gòu)54定位在固定于支承工作臺26的錠11的上方，如圖9 的(B)所示，使頭56下降直到按壓部件58壓接于錠11的正面Ila為止。
[0076]當在使按壓部件58壓接于錠11的正面Ila的狀態(tài)下使按壓部件58在箭頭R方向上 旋轉(zhuǎn)時，在錠11中產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)應力，錠11從形成有改質(zhì)層23和裂痕25的分離起點斷裂，能夠從 六方晶單晶錠11中分離出圖IO所示的六方晶單晶晶片2 7。
[0077] 優(yōu)選在從錠11分離晶片27之后，對晶片27的分離面和錠11的分離面進行研磨而加 工成鏡面。
[0078] 接著，作為六方晶單晶錠11采用SiC錠，對SiC錠實施10條激光加工，如圖11所示， 在使激光束的偏光面的方向相對于加工方向+X方向變化成A、B、C、D，而對從各激光加工中 所形成的改質(zhì)層向右側(cè)延伸的最大的裂痕和最小的裂痕進行測量。在以下的實驗1至實驗4 中，如圖2所示，使1/2波長板47旋轉(zhuǎn)而相對于加工方向使激光束的偏光面發(fā)生變化。
[0079] (實驗 1)
[0080] 使激光束的偏光面與加工方向A(與形成偏離角的方向垂直的方向）相符而實施改 質(zhì)層形成步驟。 最大裂痕（μηι) 最小裂痕（μηι) 第一條 3S8 288 第二條 382 305 第三條 385 294 第四條 378 2:89 第五條 380 2:9:5
[0081] 第六條 383 305 第七條 381 294 第八條 363 289 第九條 375 288 第十條 382 290 合計 3767 2937 6704
[0082] (實驗2)
[0083] 使激光束的偏光面與垂直于加工方向A的方向B(形成偏離角的方向）相符而實施 改質(zhì)層形成步驟。 最大裂痕（μηι) 最小裂痕（μηι)
[0084] 第一條 357 278 第二條 432； 276 第三條 345: 264 第四條 342: 253 第五條 445 295 第六條 352: 263
[0085] 第七條 382: 255 第八條 452 289 第九條 375: 263 第十條 353 260 介 U· 3835 2696 65:31
[0086] (實驗3)
[0087] 使激光束的偏光面與相對于加工方向右45°的方向、即C方向相符而實施改質(zhì)層形 成步驟。 最大裂痕（μιη) 最小裂痕（μηι) 辦·條 366 299 第二條 31:9 232 第三條 282: 1Β9 第四條 365 283 第五條 321 222
[0088] 第六條 2.83 186 第七條 355 276 第八條 332 251 第九條 273 16：5 第十條 342 263 合計 3238 2366 5604
[0089] (實驗 4)
[0090] 使激光束的偏光面與相對于加工方向左45°的方向、即D方向相符而實施改質(zhì)層形 成步驟。 最大裂痕（..μ?ι> 最小裂痕（μ??).
[0091] 第一條 387 313 第二條 350 257 第三條 322: 265 第四條 334 276 第五條 39:0 308 第六條 342 243
[0092] 第七條 369 261 第八條 3· 302 第九條 313 272 第十條 356 264 合計 3:543 2761 6304
[0093] 根據(jù)實驗1至實驗4中得到的數(shù)據(jù)進行以下的考察。
[0094] "考察：1"
[0095] 在實驗1中，最大裂痕的最大值與最小值的差為27μηι，最小裂痕的最大值與最小值 的差為6μηι。
[0096] 在實驗2中，最大裂痕的最大值與最小值的差為87μηι，最小裂痕的最大值與最小值 的差為31μηι。
[0097] 在實驗3中，最大裂痕的最大值與最小值的差為93μηι，最小裂痕的最大值與最小值 的差為134μηι。
[0098] 在實驗4中，最大裂痕的最大值與最小值的差為79μηι，最小裂痕的最大值與最小值 的差為56μηι。
[0099] 因此，裂痕的長度偏差最小的是實驗1。
[0100] "考察:2"
[0101] 在實驗1中，最大裂痕的最大值與最小裂痕的最小值的差為94μηι。
[0102] 在實驗2中，最大裂痕的最大值與最小裂痕的最小值的差為199μηι。
[0103] 在實驗3中，最大裂痕的最大值與最小裂痕的最小值的差為201μηι。
[0104] 在實驗4中，最大裂痕的最大值與最小裂痕的最小值的差為147μηι。
[0105] 因此，裂痕的長度的差最小的為實驗1。
[0106] "考察：3"
[0107] 在實驗1中，當對所有的最大裂痕與最小裂痕的進行合算時得到6704μπι。
[0108] 在實驗2中，當對所有的最大裂痕與最小裂痕進行合算時得到6531μπι。
[0109] 在實驗3中，當對所有的最大裂痕與最小裂痕進行合算時得到5604μπι。
[0110] 在實驗4中，當對所有的最大裂痕與最小裂痕進行合算時得到6304μπι。
[0111] 因此，裂痕形成得最好的為實驗1。
[0112] 如以上的考察1至考察3明確的那樣，判別出基于實驗1的激光加工、即，使激光束 的偏光面與加工方向即+X方向（與形成偏離角的方向垂直的方向）相符而照射激光束而形 成改質(zhì)層的加工方法能夠最有效地從SiC錠生成SiC晶片。
【主權(quán)項】
1. 一種晶片的生成方法，從六方晶單晶錠生成晶片，該六方晶單晶錠具有:第一面和位 于該第一面的相反側(cè)的第二面;從該第一面至該第二面的C軸；以及與該C軸垂直的C面，該 晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步驟： 分離起點形成步驟，將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在 錠內(nèi)的距該第一面相當于要生成的晶片的厚度的深度，并且使該聚光點與該六方晶單晶錠 相對地移動而對該第一面照射該激光束，形成與該第一面平行的改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿著 c面伸長的裂痕而形成分離起點；以及 晶片剝離步驟，在實施了該分離起點形成步驟之后，從該分離起點將相當于晶片的厚 度的板狀物從該六方晶單晶錠剝離而生成六方晶單晶晶片， 該分離起點形成步驟包含如下的步驟： 改質(zhì)層形成步驟，該C軸相對于該第一面的垂線傾斜偏離角，使激光束的聚光點沿著與 在該第一面和該C面之間形成偏離角的第二方向垂直的第一方向相對地移動，而形成在第 一方向上延伸的直線狀的改質(zhì)層；以及 轉(zhuǎn)位步驟，在該第二方向上使該聚光點相對地移動而轉(zhuǎn)位規(guī)定的量， 在該改質(zhì)層形成步驟中，激光束的偏光面朝向與該第二方向垂直的第一方向。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的生成方法，其中， 六方晶單晶錠從SiC錠、GaN錠或者A1N錠中進行選擇。
【文檔編號】B23K26/08GK106041328SQ201610191139
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月30日 公開號201610191139.8, CN 106041328 A, CN 106041328A, CN 201610191139, CN-A-106041328, CN106041328 A, CN106041328A, CN201610191139, CN201610191139.8
【發(fā)明人】平田和也, 高橋邦充, 西野曜子
【申請人】株式會社迪思科