晶片加工用帶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及晶片加工用帶，特別是設(shè)及具有切割膠帶和忍片接合膜運(yùn)2個(gè)功能的 晶片加工用帶。
【背景技術(shù)】
[0002] 近來，開發(fā)了兼具切割膠帶和忍片接合膜（也稱為忍片貼裝膜）運(yùn)2個(gè)功能的切 割-忍片接合帶，所述切割膠帶在將半導(dǎo)體晶片切斷分離（切割）為各個(gè)忍片時(shí)用于將半 導(dǎo)體晶片固定，所述忍片接合膜用于將切斷后的半導(dǎo)體忍片與引線框或封裝基板等粘接， 或者在堆疊封裝中用于將半導(dǎo)體忍片之間層疊、粘接。
[0003] 作為運(yùn)樣的切割-忍片接合帶，考慮到與晶片的粘貼、切割時(shí)向貼片環(huán)框上的安 裝等作業(yè)性，有的實(shí)施了預(yù)切割加工。
[0004] 預(yù)切割加工后的切割-忍片接合帶的例子示于圖4和圖5。圖4為示出將切割-忍 片接合帶卷取為漉筒狀后的狀態(tài)的圖，圖5 (a)為切割-忍片接合帶的俯視圖，圖5化）為圖 5(a)的線B-B的剖視圖。切割-忍片接合帶50包含脫模膜51、粘接劑層52和粘合膜53。 粘接劑層52被加工為與晶片的形狀對應(yīng)的圓形，具有圓形標(biāo)簽形狀。粘合膜53是與切割 用的貼片環(huán)框的形狀對應(yīng)的圓形部分的周邊區(qū)域被除去后的膜，如圖所示，具有圓形標(biāo)簽 部53a和包圍其外側(cè)的周邊部53b。粘接劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的中屯、對 齊層疊，并且粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a覆蓋粘接劑層52,且在其周圍與脫模膜51接觸。
[0005] 在切割晶片時(shí)，從層疊狀態(tài)的粘接劑層52和粘合膜53剝離脫模膜51，如圖6所 示，在粘接劑層52上粘貼半導(dǎo)體晶片W的背面，在粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的外周部粘 合固定切割用貼片環(huán)框R。在該狀態(tài)下切割半導(dǎo)體晶片W，之后，對粘合膜53實(shí)施紫外線照 射等固化處理，拾取半導(dǎo)體忍片。此時(shí)，粘合膜53由于固化處理而粘合力下降，因此易于從 粘接劑層52剝離，半導(dǎo)體忍片W在背面附著有粘接劑層52的狀態(tài)被拾取。在半導(dǎo)體忍片 的背面附著的粘接劑層52之后在將半導(dǎo)體忍片與引線框、封裝基板或者其他半導(dǎo)體忍片 粘接時(shí)，作為忍片接合膜發(fā)揮作用。
[0006] 另外，如上所述的切割-忍片接合帶50中，粘接劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽 部53a層疊而成的部分比粘合膜53的周邊部53b厚。因此，在作為產(chǎn)品卷為漉筒狀時(shí)，粘 接劑層52和粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的層疊部分與粘合膜53的周邊部53a的高差相 互重合，產(chǎn)生在柔軟的粘接劑層52表面轉(zhuǎn)印高差的現(xiàn)象、即圖7所示的轉(zhuǎn)印痕跡（也稱為 標(biāo)簽痕跡、皺權(quán)或卷印）。運(yùn)樣的轉(zhuǎn)印痕跡的產(chǎn)生特別是在粘接劑層52由柔軟的樹脂形成 時(shí)或具有厚度時(shí)、W及切割-忍片接合帶50的卷數(shù)多時(shí)較為顯著。而且，若產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡， 則由于粘接劑層與半導(dǎo)體晶片的粘接不良，在晶片的加工時(shí)有可能產(chǎn)生問題。
[0007] 為了解決運(yùn)樣的問題，開發(fā)了如下的晶片加工用帶：在脫模膜的與設(shè)置有粘接劑 層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且脫模膜的短邊方向的兩端部設(shè)置支承構(gòu)件（例如 參照專利文獻(xiàn)1)。運(yùn)樣的晶片加工用帶由于設(shè)置有支承構(gòu)件，因此在將晶片加工用帶卷取 為漉筒狀時(shí)，能夠?qū)⑹┘佑谀z帶的卷取壓分散、或者使該壓力集中于支承構(gòu)件，因此能夠抑 制轉(zhuǎn)印跡在粘接劑層上的形成。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利第4360653號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明要解決的課題
[0012] 一般而言，粘合膜53覆蓋粘接劑層52、且在其周圍與脫模膜51接觸，由于粘接劑 層52的厚度，有時(shí)在粘接劑層52的周緣部在脫模膜51與粘合膜53之間產(chǎn)生極微的空隙， 從而殘留空氣（air)。運(yùn)樣的脫模膜51與粘合膜53之間的空氣也有時(shí)發(fā)生移動(dòng)而向圓形 標(biāo)簽部53a的外側(cè)逃逸，此時(shí)不會對物性造成顯著影響。
[001引但是，晶片加工用帶在保存時(shí)和運(yùn)送時(shí)被置于低溫狀態(tài)（例如-20°C~5°C )，有時(shí) 被冷卻至-40°CW下。在運(yùn)樣的低溫下，粘合膜的粘合力有時(shí)顯著下降而不表現(xiàn)出來。另一 方面，被置于溫度變化大的特殊環(huán)境下，如在向半導(dǎo)體晶片W貼合時(shí)被加熱，在加工半導(dǎo)體 晶片W時(shí)的使用時(shí)被置于常溫狀態(tài)等。由于運(yùn)樣的低溫所致的粘合力的下降、或者溫度變 化所引起的脫模膜、粘接劑層和粘合膜的尺寸變化，有時(shí)在粘接劑層與脫模膜之間、脫模膜 與粘合膜之間W及粘接劑層與粘合膜之間浸入空氣。進(jìn)入到粘接劑層與粘合膜之間的空氣 導(dǎo)致對半導(dǎo)體晶片W的貼合不良，有可能引起半導(dǎo)體晶片W的切割工序、忍片的拾取工序、 忍片接合工序中的成品率的下降。
[0014] 在像專利文獻(xiàn)1的晶片加工用帶那樣設(shè)置支承構(gòu)件時(shí)，已知，為了有效地防止轉(zhuǎn) 印痕跡而增大支承構(gòu)件的厚度時(shí)，若將晶片加工用帶卷取為漉筒狀的狀態(tài)，則在與粘接劑 層對應(yīng)的部分的上表面，晶片加工用帶未被卷曲而成為中空狀態(tài)，若該中空部分增大，則易 于將粘接劑層周緣部的空氣引誘至粘接劑層的內(nèi)側(cè)。
[0015] 因此，本發(fā)明的課題在于提供一種晶片加工用帶，所述晶片加工用帶能夠降低標(biāo) 簽痕跡的產(chǎn)生，且能夠降低粘接劑層與粘合膜之間的空氣（air)的卷入。
[0016] 解決課題的方法
[0017] 為了解決W上的課題，本發(fā)明所設(shè)及的晶片加工用帶的特征在于，具有：長的脫模 膜；粘接劑層，設(shè)置在上述脫模膜的第1面上、且具有規(guī)定的平面形狀；粘合膜，具有標(biāo)簽部 和包圍上述標(biāo)簽部的外側(cè)的周邊部，上述標(biāo)簽部W覆蓋上述粘接劑層、且在上述粘接劑層 的周圍與上述脫模膜接觸的方式設(shè)置，并且具有規(guī)定的平面形狀；W及支承構(gòu)件，設(shè)置在上 述脫模膜的與設(shè)置有上述粘接劑層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且設(shè)置在上述脫模 膜的短邊方向的兩端部，上述支承構(gòu)件具有上述粘接劑層的厚度的1. 0倍W上且4. 0倍W 下的厚度。
[0018] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述支承構(gòu)件的線性膨脹系數(shù)為3(K)ppm/°C W 下。
[0019] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述支承構(gòu)件的線性膨脹系數(shù)與上述脫模膜的 線性膨脹系數(shù)之差為25化pm/°C W下。
[0020] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶的上述粘合膜優(yōu)選：具有粘合劑層和基材膜，上述基材 膜與上述支承構(gòu)件之間的靜摩擦系數(shù)為0. 2~2. 0。
[0021] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：支承構(gòu)件設(shè)置于上述脫模膜的上述第2面上的、 與在上述第1面設(shè)置的上述粘接劑層的外側(cè)對應(yīng)的區(qū)域。
[0022] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述支承構(gòu)件支承構(gòu)件沿上述脫模膜的長邊方 向連續(xù)地設(shè)置。
[0023] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶中，上述支承構(gòu)件可W被著色。此時(shí)，支承構(gòu)件優(yōu)選根 據(jù)晶片加工用帶的種類被著色。另外，可W據(jù)晶片加工用帶的厚度被著色。
[0024] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述支承構(gòu)件具有2層W上的層疊結(jié)構(gòu)。
[00巧]另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述支承構(gòu)件為在選自聚對苯二甲酸乙二醇醋、 聚丙締和高密度聚乙締中的樹脂膜基材上涂布有粘接合劑的粘接合帶。
[00%]另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：23°C條件下的上述粘合膜的拉伸儲存彈性模量 化與23°C條件下的上述脫模膜的拉伸儲存彈性模量Ea之比化/Ea為0.0 Ol~100。
[0027] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：上述脫模膜的厚度化與上述粘合膜的厚度化之 比化/化為0. 07~2. 5。
[0028] 另外，上述半導(dǎo)體加工用帶優(yōu)選：在溫度23±2°C、剝離速度300mm/min的 條件下的T型剝離試驗(yàn)中，上述粘接劑層與上述脫模膜之間的剝離力Fl為0. 025~ 0. 075N/100mm，上述粘接劑層與上述粘合膜之間的剝離力F2為0. 08~10N/100mm，F(xiàn)l<F2。
[0029] 發(fā)明效果
[0030] 根據(jù)本發(fā)明，能夠降低標(biāo)簽痕跡的產(chǎn)生，且能夠降低粘接劑層與粘合膜之間的空 氣（air)的卷入。
【附圖說明】
[0031] 圖1(a)為本發(fā)明的實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的俯視圖，化）為（a)的線 A-A的剖視圖。
[0032] 圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的剖視圖。
[0033] 圖3為本發(fā)明的再另一實(shí)施方式所設(shè)及的晶片加工用帶的剖視圖。
[0034] 圖4為現(xiàn)有的晶片加工用帶的立體圖。
[0035] 圖5(a)為現(xiàn)有的晶片加工用帶的俯視圖，化）為（a)的線B-B的剖視圖。
[0036] 圖6為示出晶片加工用帶與切割用貼片環(huán)框貼后的狀態(tài)的剖視圖。
[0037] 圖7為用于說明現(xiàn)有的晶片加工用帶的問題的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] W下基于附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1(a)為本發(fā)明的實(shí)施方式所設(shè) 及的晶片加工用帶（切割-忍片接合帶）的俯視圖，圖1(b)為圖1(a)的線A-A的剖視圖。
[0039] 如圖1(a)和圖1(b)所示，晶片加工用帶10具有長的脫模膜11、粘接劑層12、粘 合膜13和支承構(gòu)件14。
[0040] 粘接劑層12設(shè)置在脫模膜的第1面上，具有與晶片的形狀對應(yīng)的圓形標(biāo)簽形狀。 粘合膜13具有圓形標(biāo)簽部13a和包圍該圓形標(biāo)簽部13a的外側(cè)的周邊部13b，所述圓形標(biāo) 簽部13a W覆蓋粘接劑層12、且在粘接劑層12的周圍與脫模膜接觸的方式設(shè)置。周邊部 13b包括將圓形標(biāo)簽部13a的外側(cè)完全包圍的形態(tài)、和如圖所示的不完全包圍的形態(tài)。圓形 標(biāo)簽部13a具有與切割用的貼片環(huán)框?qū)?yīng)的形狀。而且，支承構(gòu)件14設(shè)置在脫模膜11的 與設(shè)置有粘接劑12和粘合膜13的第1面Ila相反的第2面1化上、且設(shè)置在脫模膜11的