半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用 W02] 本申請(qǐng)要求于2014年9月2日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng) No. 10-2014-0116461的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部公開(kāi)W引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明構(gòu)思設(shè)及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0004] 半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED)由于其諸如低功耗和高亮度之類(lèi)的一系列優(yōu)點(diǎn)而廣泛 用作光源。具體地說(shuō)，近來(lái)，半導(dǎo)體發(fā)光器件在大尺寸液晶顯示器化CD)中已經(jīng)被用作照明 設(shè)備和背光裝置。運(yùn)種半導(dǎo)體發(fā)光器件可具有運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)（例如封裝結(jié)構(gòu)）：該結(jié)構(gòu)能夠 連接至外部電路，W允許將其安裝在諸如照明設(shè)備之類(lèi)的各種裝置中。 陽(yáng)0化]同時(shí)，可在半導(dǎo)體發(fā)光器件生長(zhǎng)之后將用于針對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光器件的外延生長(zhǎng)工藝 中的襯底（下文中稱(chēng)作'生長(zhǎng)襯底'）去除。由于襯底中產(chǎn)生電連接或光學(xué)損耗問(wèn)題，因此 會(huì)去除襯底。在運(yùn)種情況下，會(huì)需要支持外延生長(zhǎng)的薄膜的另一種方法。例如，可在半導(dǎo)體 發(fā)光器件中采用具有特定厚度（例如60 ym至150 ym的厚度）或更厚的電極結(jié)構(gòu)或者包 括該電極結(jié)構(gòu)的襯底。
[0006] 然而，該方法對(duì)于消散從有源層發(fā)出的熱來(lái)說(shuō)可能是不利的，并且具體地說(shuō)，在大 電流操作中產(chǎn)生的熱會(huì)使裝置特性劣化，從而導(dǎo)致可靠性變差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本公開(kāi)的一方面設(shè)及一種具有新穎電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其致力于解決在 現(xiàn)有發(fā)光器件中存在的問(wèn)題。
[0008] 根據(jù)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其具有彼此相 對(duì)的第一表面和第二表面、分別形成第一表面和第二表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層和第 二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、W及設(shè)置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層 之間的有源層。第一電極設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上，并且連接至第一導(dǎo)電類(lèi) 型的半導(dǎo)體層，并且第二電極設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面上，并且連接至第二導(dǎo) 電類(lèi)型的半導(dǎo)體層。連接電極連接至第二電極并且延伸至層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面。 支承襯底設(shè)置在第二電極上，并且絕緣層設(shè)置為使連接電極與有源層和第一導(dǎo)電類(lèi)型的半 導(dǎo)體層絕緣。
[0009] 第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層可為n型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層可為 P型半導(dǎo)體層。
[0010] 第二電極可包括透光電極，并且支承襯底可包括透光襯底。
[0011] 在運(yùn)種情況下，第二電極可設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的大部分上。第 一電極可包括反射電極。
[0012] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括分別設(shè)置在第一表面上的第一電極的一部分和連接電 極的一部分上的第一導(dǎo)電凸塊和第二導(dǎo)電凸塊。
[0013] 層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面可設(shè)為主發(fā)光表面，并且第一電極可設(shè)置在層疊式 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面的一部分上。
[0014] 層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括從第一表面延伸至第二表面W將第二電極的一部分暴 露出來(lái)的通孔，并且連接電極可連接至第二電極的暴露的部分，設(shè)置在通孔的內(nèi)側(cè)壁上，并 且可延伸至層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面。
[0015] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括設(shè)置在第二電極的連接至通孔的部分上的蝕刻停止層。
[0016] 蝕刻停止層可包括導(dǎo)電材料，并且可設(shè)置在第二電極與支承襯底之間。可將第二 電極的其上形成有通孔的部分的至少一部分去除，W將蝕刻停止層的一部分暴露出來(lái)，并 且連接電極可連接至蝕刻停止層的暴露的部分。所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括連接至蝕刻 停止層并且延伸至在第二電極與支承襯底之間的空間中的至少一個(gè)指狀電極。
[0017] 作為另外一種選擇，蝕刻停止層可包括絕緣材料，并且可布置為包圍第二電極的 暴露的部分。
[0018] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括平坦化層，該平坦化層位于第二電極與支承襯底之間， 并且具有接合至支承襯底的平坦化的表面。
[0019] 絕緣層可設(shè)置在通孔的內(nèi)側(cè)壁上，并且可延伸至層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面。 在運(yùn)種情況下，絕緣層可延伸W覆蓋第一電極的一部分，并且連接電極可延伸至絕緣層的 延伸部分上。
[0020] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括包圍層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的絕緣構(gòu)件。連接電極 可設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上，并且絕緣層可設(shè)置在連接電極與層疊式半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)的側(cè)表面之間。
[0021] 絕緣構(gòu)件可包括透光粘合劑材料，并且可設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面與 支承襯底之間，W將層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接合至支承襯底。絕緣構(gòu)件可由與支承襯底的材料 相同的材料形成。
[0022] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括設(shè)置在第二電極與支承襯底之間并且被構(gòu)造為保護(hù)第 二電極的電極保護(hù)層。
[0023] 支承襯底可由玻璃或聚合物樹(shù)脂形成。支承襯底可包括巧光物或量子點(diǎn)。
[0024] 根據(jù)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括彼此相 對(duì)的第一表面和第二表面、分別形成第一表面和第二表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層和第 二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、W及設(shè)置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層 之間的有源層。第一電極設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上，并且連接至第一導(dǎo)電類(lèi) 型的半導(dǎo)體層。第二電極設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面上，連接至第二導(dǎo)電類(lèi)型的 半導(dǎo)體層，并且由透光電極形成。連接電極連接至第二電極W延伸至層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 第一表面，并且連接電極的設(shè)置在第一表面上的部分被設(shè)為焊盤(pán)區(qū)域。透光襯底設(shè)置在第 二電極上，并且絕緣層設(shè)為使連接電極與有源層和第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層絕緣。絕緣層 延伸W覆蓋第一電極的一部分，并且連接電極的焊盤(pán)區(qū)域設(shè)置在絕緣層的延伸的部分上。 [00巧]在一個(gè)示例中，透光粘合劑層設(shè)置在透光襯底與第二電極之間。連接電極可設(shè)置 在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上，并且絕緣層可設(shè)置在連接電極與層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè) 表面之間。半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括絕緣構(gòu)件，該絕緣構(gòu)件包圍層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表 面和第一表面，并且由透光粘合劑材料形成W接合至透光襯底。層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)表 面可包括朝著第二表面傾斜的表面。
[00%] 根據(jù)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：支承襯底，該支承襯底包括被劃分 為第一區(qū)和第二區(qū)的上表面，其中第一區(qū)設(shè)為焊盤(pán)區(qū)域。層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括按次序設(shè) 置在支承襯底的上表面的第二區(qū)中的第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、有源層和第一導(dǎo)電類(lèi)型的 半導(dǎo)體層。第一電極設(shè)置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上，并且第二電極設(shè)置在第二導(dǎo)電類(lèi) 型的半導(dǎo)體層與支承襯底之間，并延伸至第一區(qū)。
[0027] 支承襯底可包括透光襯底。第二電極可包括：設(shè)置在第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與 支承襯底之間的透光電極；連接至透光電極并且設(shè)置在第二區(qū)中的金屬電極；W及設(shè)置在 金屬電極上的焊盤(pán)電極。
[0028] 金屬電極可包括：第一表面，其具有連接至透光電極的一部分；和第二表面，其與 第一表面相對(duì)。第二表面可埋置在支承襯底中。金屬電極可包括延伸至透光電極與支承襯 底之間的空間中的至少一個(gè)指狀電極。
[0029] 根據(jù)另一示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該層疊式 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括按次序堆疊的第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、有源層和第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體 層。第一電極設(shè)置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上，并且第二電極設(shè)置在第二導(dǎo)電類(lèi)型的半 導(dǎo)體層上。絕緣層設(shè)置在第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、有源層和第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的 按次序的堆疊件的暴露的邊緣上。連接電極連接至第二電極，并且在絕緣層上延伸至層疊 式半導(dǎo)體的具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的表面。
[0030] 層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可具有延伸穿過(guò)第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、有源層和第一導(dǎo)電 類(lèi)型的半導(dǎo)體層的多個(gè)通孔。絕緣層可設(shè)置在所述多個(gè)通孔的每一個(gè)的暴露的邊緣上。連 接電極可設(shè)置在各個(gè)通孔的絕緣層上，W從絕緣層延伸至層疊式半導(dǎo)體的具有第一導(dǎo)電類(lèi) 型的半導(dǎo)體層的表面。
[0031] 半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包括設(shè)置在第二電極上的透光襯底。多個(gè)蝕刻停止觸點(diǎn)可 設(shè)置在透光襯底與第二電極之間，并且各自可與所述多個(gè)通孔中的對(duì)應(yīng)的通孔對(duì)齊。多個(gè) 指狀電極可設(shè)置在透光襯底與第二電極之間，并且可從所述多個(gè)蝕刻停止觸點(diǎn)的每一個(gè)延 伸。
[0032] 半導(dǎo)體發(fā)光器件可替代性地包括設(shè)置在第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與第二電極之 間的多個(gè)蝕刻停止觸點(diǎn)，并且各個(gè)蝕刻停止觸點(diǎn)可與所述多個(gè)通孔中的對(duì)應(yīng)的通孔對(duì)齊。 通孔和連接電極可延伸穿過(guò)蝕刻停止觸點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0033] 從W下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，將更清楚地理解本公開(kāi)的W上和其它方面、特征 和其它優(yōu)點(diǎn)，其中：
[0034] 圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0035] 圖2A和圖2B分別是示出圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極布局的示例的底部平 面圖和頂部平面圖；
[0036] 圖3是示出圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極布局的另一示例的底部平面圖；
[0037] 圖4示出了其中圖I所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件被倒裝忍片接合至電路襯底的示例；
[0038] 圖5A至圖5G是示出制造圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要工藝步驟的 剖視圖；
[0039] 圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的倒裝忍片接合的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0040] 圖7是示出可在圖6所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件中采用的電極布局的示例的底部平面 圖；
[0041] 圖8A至圖8G是示出制造圖6所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要工藝步驟的 剖視圖；
[0042] 圖9是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的倒裝忍片接合的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0043] 圖IOA至圖IOE是示出制造圖9所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要工藝步驟 的剖視圖；
[0044] 圖11是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的倒裝忍片接合的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0045] 圖12A至圖12F是示出制造圖11所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要工藝步 驟的剖視圖；
[0046] 圖13是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的倒裝忍片接合的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0047] 圖14A至圖14E是示出制造圖13所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要工藝步 驟的剖視圖；
[0048] 圖15是示出圖13所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的改進(jìn)示例的剖視圖；
[0049] 圖16A至圖16C是示出根據(jù)各個(gè)示例性實(shí)施例的具有改進(jìn)的光提取效率的倒裝忍 片接合的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0050] 圖17至圖21是示出根據(jù)各個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；
[0051] 圖22A至圖22F是示出制造根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要 工藝步驟的剖視圖；
[0052] 圖23A至圖23D是示出圖22A至圖22F所示的主要工藝步驟中使用的掩模圖案的 平面圖；
[0053] 圖24A至圖24F是示出制造根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中的主要 工藝步驟的剖視圖；
[0054] 圖25A至圖2抓是示出可在示例性實(shí)施例中采用的緩沖器結(jié)構(gòu)的各種示例的剖視 圖；
[0055] 圖26和圖27是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件的剖視圖；
[0056] 圖28是用于描述可在示例性實(shí)施例中采用的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的CIE 1931色度坐標(biāo) 系；
[0057] 圖29和圖30示出了其中根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件應(yīng)用于背光單元的 示例；
[0058] 圖31示出了包括根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的照明設(shè)備的示例；W及
[0059] 圖32示出了包括根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的大燈的示例。
【具體實(shí)施方式】
[0060] 下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的實(shí)施例。
[0061] 然而，本公開(kāi)可按照許多不同形式例示，而不應(yīng)理解為限于本文闡述的特定實(shí)施 例。相反，提供運(yùn)些實(shí)施例W使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將把本公開(kāi)的范圍完全傳 達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中，為了清楚起見(jiàn)，可夸大元件的形狀和尺寸，并且相同的附圖 標(biāo)記將始終用于指代相同或相似的元件。在本公開(kāi)中，諸如"上部分"、"上表面"、"下部分"、 "下表面"或"偵懐面"之類(lèi)的方向性術(shù)語(yǔ)指示相對(duì)于圖中所示的特定取向的位置。運(yùn)些術(shù) 語(yǔ)應(yīng)該參照各個(gè)元件的相對(duì)位置更廣泛地理解，因此會(huì)根據(jù)其中發(fā)光器件被保持或設(shè)置的 方向或取向而改變。
[0062] 在本公開(kāi)中，提供對(duì)"一個(gè)示例性實(shí)施例"或"示例性實(shí)施例"的參照W強(qiáng)調(diào)特定 特征、結(jié)構(gòu)或特性，而不一定指相同的實(shí)施例。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)或特性在一個(gè)或多個(gè)實(shí) 施例中可按照任何合適的方式組合。例如，在特定示例性實(shí)施例中描述的上下文除非其被 特別描述為與其它實(shí)施例中的上下文矛盾或不一致，否則即使在其它實(shí)施例中未描述也可 用于其它實(shí)施例中。
[0063] 圖1是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。
[0064] 參照?qǐng)D1，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10可包括層疊式半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)L其具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層14、第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層16、設(shè)置在第一導(dǎo)電 類(lèi)型的半導(dǎo)體層14與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層16之間的有源層15。半導(dǎo)體發(fā)光器件10 還可包括分別連接至第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層14和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層16的第一電 極17和第二電極18。 陽(yáng)0化]在示例性實(shí)施例中，第一電極17和第二電極18可設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L中 的彼此相對(duì)的第一表面和第二表面上。支承襯底25可設(shè)置在第二電極18上，W支承層疊 式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L。
[0066] 半導(dǎo)體發(fā)光器件10還可包括作為與第二電極18相關(guān)的電極組件的連接電極28。 連接電極28可連接至第二電極18,并且可延伸至層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第一表面。
[0067] 根據(jù)示例性實(shí)施例的連接電極28可利用延伸穿過(guò)層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L并且連接 層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第一表面和第二表面的通孔H形成。第二電極18的一部分可通過(guò) 通孔H暴露出來(lái)，并且暴露的部分可設(shè)為連接至連接電極28的接觸區(qū)域C。連接電極28可 連接至第二電極18的接觸區(qū)域C，并且形成在通孔H的內(nèi)側(cè)壁上。連接電極28的設(shè)置在層 疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第一表面上的部分28a可設(shè)為焊盤(pán)區(qū)域。
[0068] 按照運(yùn)種方式，設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第二表面上的第二電極18可通過(guò)連 接電極28拉至與第二表面相對(duì)的第一表面，因此將第二電極18連接至外部電路的焊盤(pán)區(qū) 域可設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第一表面上。
[0069] 在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層14和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層16分別是n型氮化物 半導(dǎo)體層和P型氮化物半導(dǎo)體層的情況下，可更有益地應(yīng)用運(yùn)種電極結(jié)構(gòu)。由于P型氮化 物半導(dǎo)體層比n型氮化物半導(dǎo)體層具有更大程度的接觸電阻，因此難W實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。然 而，在該示例性實(shí)施例中，由于第二電極18設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第二表面上，因此 第二電極18與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層16之間的接觸區(qū)域可擴(kuò)大，因此可確保與P型氮 化物半導(dǎo)體層的歐姆接觸。
[0070] 根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10可為其中光主要沿著支承襯底25的方向 發(fā)射的倒裝忍片結(jié)構(gòu)。
[0071] 第一電極17可包括具有高反射率W及歐姆接觸特征的電極材料。例如，第一電極 17可包括4旨、化、41、化、？(1、^、腳、]\%、化、？1、411等。作為另外一種選擇，第一電極17可 包括諸如銅錫氧化物（ITO)之類(lèi)的透明導(dǎo)電氧化物或透明導(dǎo)電氮化物。例如，第一電極17 可W W透光電極和反射電極的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)，或W透光電極和諸如Si〇2之類(lèi)的絕緣材料的組 合來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0072] 第二電極18可包括透光電極，并且支承襯底25可包括透光襯底。第二電極18可 為諸如Ni/Au之類(lèi)的透光金屬、諸如ITO之類(lèi)的透明導(dǎo)電氧化物或透明導(dǎo)電氮化物。支承 襯底25可為玻璃襯底或由透光聚合物樹(shù)脂形成的襯底。
[0073] 連接電極28可通過(guò)絕緣層26與第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層14和有源層15電隔離。 如圖1所示，絕緣層26可形成在通孔H的內(nèi)側(cè)壁上。絕緣層26可形成在層疊式半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)L的側(cè)表面上，并且設(shè)為用于半導(dǎo)體發(fā)光器件10的純化層。絕緣層26還可形成為延伸 至第一電極17的表面上。絕緣層26可為氧化娃或氮化娃。
[0074] 在示例性實(shí)施例中，第一電極17可具有足夠的面積W有效地反射光。同時(shí)，設(shè)置 在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第一表面上的焊盤(pán)區(qū)域28a可延伸至第一電極17的上表面的一 部分上，W使得連接電極28具有連接至外部電路（或用于與外部電路連接）的足夠的焊盤(pán) 區(qū)域。絕緣層26可包括設(shè)置在焊盤(pán)區(qū)域28a與第一電極17之間的額外延伸部分26a(請(qǐng) 參見(jiàn)圖1中的"I")，從而焊盤(pán)區(qū)域28a和第一電極17彼此不電連接。 陽(yáng)075] 圖2A和圖2B示出了可在本公開(kāi)的示例性實(shí)施例中采用的電極布局的特定示例。 圖2A和圖2B示出了分別設(shè)置在層疊式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)L的第二表面和第一表面上的電極的布 局的示例。
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