封裝結(jié)構(gòu)及封裝基板結(jié)構(gòu)的制作方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝基板結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可于其可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂上直接電鍍形成圖案化線路層的封裝結(jié)構(gòu)及封裝基板結(jié)構(gòu)?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]現(xiàn)今的信息社會下，人類對電子產(chǎn)品的依賴性與日倶增。為因應(yīng)現(xiàn)今電子產(chǎn)品高速度、高效能、且輕薄短小的要求，具有可撓曲特性的軟性電路板已逐漸應(yīng)用于各種電子裝置中，例如:移動電話(MobilePhone)、筆記本電腦(NotebookPC)、數(shù)碼相機(jī)(digitalcamera)、平板電腦(tabletPC)、印表機(jī)(printer)與光碟機(jī)(diskplayer)等。[0003]—般而言，線路板的制作主要是將一絕緣基板的單面或相對兩表面上進(jìn)行前處理、濺鍍(sputter)、壓合銅或電鍍銅，再進(jìn)行黃光制程，以于此絕緣基板的單面或相對兩表面上形成線路層。然而，此制程的步驟繁復(fù)，且濺鍍的制程的成本較高。此外，利用圖案化干膜層作電鍍屏障所形成的圖案化線路層較難以達(dá)到現(xiàn)今對細(xì)線路(finepitch)的需求。再者，絕緣基板的材料多半采用聚酰亞胺或是ABF(Ajinomotobuild-upfilm)樹脂，其價(jià)格較昂貴。因此，目前封裝基板的制作不僅步驟繁復(fù)，且成本也偏高。[0004]此外，為提高封裝絕緣基板的線路密度，業(yè)界一般是使用硅晶片作為絕緣基板，但硅絕緣基板制程復(fù)雜，需歷經(jīng)晶片廠制程的減薄研磨、長時(shí)間的深蝕刻導(dǎo)通孔、清洗、氧化、濺鍍、電鍍、覆蓋光阻、曝光、顯影、蝕刻、清洗、氧化、覆蓋光阻、曝光、顯影、蝕刻、清洗等繁復(fù)的制程，且硅絕緣基板的厚度一般至少約為200微米，其厚度因結(jié)構(gòu)脆性與制程上的限制而難以縮減，進(jìn)而導(dǎo)致使用此封裝基板的封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度無法有效減少，又因制程復(fù)雜導(dǎo)致成本高漲。此外，上述兩種封裝絕緣基板所形成的導(dǎo)通線路，因?qū)儆诘邮街瞥?，因此均是形成于絕緣介電層的平面之上。[0005]因此，如何選擇性地電鍍形成圖案化線路層于絕緣材上，并如何將此技術(shù)應(yīng)用于封裝結(jié)構(gòu)上，為現(xiàn)今業(yè)界亟欲解決的問題之一?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝基板結(jié)構(gòu)，其可于可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂上直接電鍍形成圖案化線路層，因而簡化其制程步驟，且整體的厚度較薄，線路設(shè)計(jì)也較具彈性。[0007]本發(fā)明的一種封裝基板結(jié)構(gòu)包括第一可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂、第一圖案化線路層、復(fù)數(shù)個(gè)金屬柱、復(fù)數(shù)個(gè)接墊及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔?？蛇x擇性電鍍環(huán)氧樹脂包括復(fù)數(shù)個(gè)凹穴、相對的第一表面及第二表面。凹穴設(shè)置在第一表面上且可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂包含非導(dǎo)電的金屬復(fù)合物。金屬柱分別設(shè)置在凹穴內(nèi)并突出于第一表面。第一圖案化線路層直接設(shè)置在第一表面，第一可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂暴露第一圖案化線路層的上表面。第一圖案化線路層的上表面低于第一表面或與第一表面共平面。接墊直接設(shè)置在第二表面上。導(dǎo)通孔設(shè)置在可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂內(nèi)以電性連接接墊至對應(yīng)的金屬柱。[0008]本發(fā)明的一種封裝結(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)如前所述的封裝基板結(jié)構(gòu)，其中所述的封裝基板結(jié)構(gòu)通過各自的金屬柱而彼此連接，且所述的封裝基板結(jié)構(gòu)的所述的第一表面彼此相對。[0009]本發(fā)明的一種封裝基板結(jié)構(gòu)，包括可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂、第一圖案化線路層、第二圖案化線路層以及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔。可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂包括相對的第一表面及第二表面，且可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂包含非導(dǎo)電的金屬復(fù)合物。第一圖案化線路層直接設(shè)置在第一表面，且第一圖案化線路層的上表面低于第一表面或與第一表面共平面。第二圖案化線路層直接設(shè)置在第二表面，且第二圖案化線路層的上表面低于第二表面或與第二表面共平面。導(dǎo)通孔設(shè)置在可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂內(nèi)以電性連接相對應(yīng)的第一圖案化線路層與第二圖案化線路層。[0010]基于上述，本發(fā)明主要是利用可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂的可選擇性電鍍的特性，可直接在可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂的表面上直接電鍍形成圖案化線路層、導(dǎo)通孔或是接墊等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂包含有非導(dǎo)電的金屬復(fù)合物，以使可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂在選擇性地接受雷射或是紫外光照射后，可選擇性地在其表面上直接電鍍形成圖案化線路層、導(dǎo)通孔或是接墊等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。因此，可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂可適用于各種封裝基板結(jié)構(gòu)，以在利用其特性而于其上形成線路層。[0011]此外，據(jù)此形成的圖案化線路層可符合微細(xì)線路的標(biāo)準(zhǔn)，還提供了封裝基板結(jié)構(gòu)上的連接線路的設(shè)計(jì)彈性。并且，可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂以模塑的方式定型，因而對其厚度及外型上具有較大的設(shè)計(jì)彈性，可輕易制作出厚度極薄的可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂，因此，本發(fā)明的封裝基板結(jié)構(gòu)不僅符合細(xì)線路的標(biāo)準(zhǔn)，且制作步驟簡單，整體的厚度也較薄。[0012]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下?！靖綀D說明】[0013]圖1A至圖1B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝基板結(jié)構(gòu)的制作流程的剖面示意圖。[0014]圖2是圖1B的封裝基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。[0015]圖3是圖1B的封裝基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。[0016]圖4至圖7是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0017]圖8至圖9是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的示意圖。[0018]圖10至圖15是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的示意圖。[0019]圖16A至圖16B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝基板結(jié)構(gòu)的部份制作流程的剖面示意圖。[0020]圖17至圖20是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0021]圖21至圖23是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0022]圖24是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的制作流程的示意圖。[0023]圖25至圖26是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0024]圖27是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的制作流程的示意圖。[0025]圖28至圖31是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0026]圖32A及圖32B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的基板結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖。[0027]圖33至圖34是依照本發(fā)明的不同實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0028]圖35是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。[0029]圖36是圖35的導(dǎo)線架的示意圖。[0030]圖37及圖38為圖35封裝基板結(jié)構(gòu)的制作流程示意圖。[0031]附圖標(biāo)記說明:[0032]10:封裝結(jié)構(gòu)；[0033]20:離形膜；[0034]100、100a?l、200、200a?f、300a?b、400a?d、500a?c:封裝基板結(jié)構(gòu)；[0035]110:第一可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂；[0036]112、512:凹穴;[0037]114、514:第一表面；[0038]116、516:第二表面；[0039]118:貫孔；[0040]120:第一圖案化線路層；[0041]122:上表面；[0042]130:金屬柱；[0043]130b:圖案化阻障層；[0044]130a:圖案化金屬基材；[0045]140、540:第二圖案化線路層；[0046]150:第一導(dǎo)通孔；[0047]160、190、360、390、530、630:芯片；[0048]160、532:第一芯片；[0049]162:第一焊墊；[0050]164:主動表面；[0051]166:背面；[0052]170、270、560、650、570:導(dǎo)線；[0053]180、280、580:焊球；[0054]182:底膠；[0055]185:無線射頻芯片；[0056]190、360、534:第二芯片；[0057]192、362:第二焊墊；[0058]195、390:第三芯片；[0059]210:第二可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂；[0060]212:第三表面；[0061]214:第四表面；[0062]220:第三圖案化線路層；[0063]240:第四圖案化線路層；[0064]250:第二導(dǎo)通孔；[0065]260:第三導(dǎo)通孔；[0066]265、550:導(dǎo)通孔；[0067]290、295:封裝膠體；[0068]310:第三可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂；[0069]312:第五表面；[0070]350:第四導(dǎo)通孔；[0071]410:介電層；[0072]412:外表面；[0073]420:第一重配置線路層；[0074]510、610:可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂；[0075]515:貫孔；[0076]520、640:圖案化線路層；[0077]590:封裝蓋體；[0078]580,620:導(dǎo)線架；[0079]582:上表面；[0080]584:下表面；[0081]586、624:引腳;[0082]595:屏蔽金屬層；[0083]622:芯片座?！揪唧w實(shí)施方式】[0084]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的各實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語，例如上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本發(fā)明。并且，在下列各實(shí)施例中，相同或相似的元件將采用相同或相似的標(biāo)號。[0085]圖1A至圖1B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝基板結(jié)構(gòu)的制作流程的剖面示意圖。本實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟:首先，請參照圖1A，提供金屬基材，并在金屬基材的相對兩表面上形成圖案化阻障層130b，接著，再以圖案化阻障層130b作為蝕刻屏障，對金屬基材的其中表面進(jìn)行半蝕刻制程，以形成如圖1A所示的圖案化金屬基材130a，其具有復(fù)數(shù)個(gè)彼此相連的金屬凸柱。在本實(shí)施例中，圖案化阻障層130b的材料可包括金、銀、鋁或其他適合的材料。接著，形成第一可選擇性電鍍環(huán)氧樹脂110在當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5