低溫多晶硅陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶娃(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子迀移率，可以有效的減小薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)的器件的面積，進而提升像素的開口率。
[0003]然而由于LTPS工藝復(fù)雜，特別是互補金屬氧化物(Complementary Metal OxideSemiconductor,簡稱CMOS)工藝需要分別進行磷重摻雜和硼重摻雜，才能形成良好的金屬半導(dǎo)體特性。
[0004]傳統(tǒng)的處理方法，是在柵極絕緣膜成膜后進行低摻雜漏極(Lightly dopedDrain，簡稱LDD)的低摻雜和正溝道金屬氧化物(Positive Channel Metal OxideSemiconductor，簡稱PM0S)TFT區(qū)域的重摻雜。然而在上述摻雜過程中，需要用較高能量進行離子的注入，不僅耗能較大而且會因為離子穿過柵極絕緣膜會造成柵極絕緣膜質(zhì)的損壞，進而影響到LTPS陣列基板的品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法，可以避免低溫多晶硅陣列基板在制作時因高能量離子的注入而造成損壞，進而影響到LTPS陣列基板的品質(zhì)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了以下方案:
[0007]—種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，包括:
[0008]在玻璃基板上沉積遮光層，并蝕刻出第一遮光圖案；
[0009]在所述遮光層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進行結(jié)晶化處理、和蝕刻處理，以形成PMOS薄膜晶體管區(qū)域；
[0010]在所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域上涂布第一光阻，以使所述非晶硅層上形成遮擋溝道;
[0011]在所述遮擋溝道之外的PMOS薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)植入高濃度硼離子形成硼重摻雜區(qū)域，其中所述高濃度硼是指硼離子濃度大于IXlO13個/立方厘米；以及
[0012]分別沉積柵極絕緣膜、柵極金屬、公共電極、鈍化保護層、和像素電極，以形成低溫多晶硅陣列基板。
[0013]優(yōu)選地，在玻璃基板上沉積遮光層，并蝕刻出第一遮光圖案，之后還包括:
[0014]在所述遮光層上沉積緩沖層。
[0015]優(yōu)選地，在所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域上涂布第一光阻，以使所述非晶硅層上形成遮擋溝道，具體包括:
[0016]涂布光阻層，曝光顯影后在所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域上形成所述第一光阻；
[0017]將所述第一光阻蝕刻到預(yù)設(shè)的尺寸，以使所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域上形成遮擋溝道，其中所述尺寸至少包括:所述第一光阻的高度、長度或?qū)挾取?br>[0018]優(yōu)選地，所述分別沉積柵極絕緣膜、柵極金屬、公共電極、鈍化保護層、和像素電極，以形成所述低溫多晶硅陣列基板，具體包括:
[0019]沉積柵極絕緣膜和柵極金屬，并蝕刻出柵極圖形；
[0020]沉積公共電極，并蝕刻出所述公共電極圖形；
[0021]沉積鈍化保護層，并蝕刻出第一接觸孔；以及
[0022]沉積像素電極，并蝕刻出所述像素電極的圖形。
[0023]優(yōu)選地，在所述制作方法中:
[0024]沉積柵極絕緣膜和柵極金屬，之前還包括:沉積層間介質(zhì)膜，并蝕刻出第二接觸孔；以及
[0025]沉積像素電極，之前還包括:沉積像素絕緣膜，并蝕刻出像素絕緣膜圖形。
[0026]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例還提供了以下方案:
[0027]—種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，包括:
[0028]在玻璃基板上沉積遮光層，并蝕刻出第二遮光圖案；
[0029]在所述遮光層上沉積非晶硅層，通過結(jié)晶技術(shù)形成多晶硅后并蝕刻以形成NMOS薄膜晶體管區(qū)域；
[0030]在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域的兩端植入高濃度磷以形成磷重摻雜區(qū)域，其中所述高濃度磷是指磷離子濃度大于IXlO13個/立方厘米；
[0031]通過對第二光阻行蝕刻，以形成蝕刻區(qū)域；
[0032]在所述蝕刻區(qū)域內(nèi)注入低濃度磷，以形成低摻雜區(qū)域，其中所述低濃度磷是指磷離子濃度小于IXlO13個/立方厘米；以及
[0033]分別沉積柵極絕緣膜、柵極金屬、公共電極、鈍化保護層、和像素電極，以形成低溫多晶硅陣列基板。
[0034]優(yōu)選地，通過對第二光阻進行蝕刻，以形成蝕刻區(qū)域，具體包括:
[0035]通過半透式光罩在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域上形成二層階梯狀的第二光阻；以及
[0036]通過縱向蝕刻所述第二光阻中的第一階梯部分及對應(yīng)的非晶硅層，來形成所述蝕刻區(qū)域。
[0037]優(yōu)選地，在所述蝕刻區(qū)域內(nèi)注入低濃度磷，以形成低摻雜區(qū)域，之后還包括:
[0038]剝除所述第二光阻。
[0039]優(yōu)選地，在所述制作方法中:
[0040]沉積柵極絕緣膜和柵極金屬，之前還包括:沉積層間介質(zhì)膜，并蝕刻出第一接觸孔；沉積鈍化保護層，還包括:蝕刻出第二接觸孔；以及
[0041]沉積像素電極，之前，還包括:沉積像素絕緣膜，并蝕刻出像素絕緣膜圖形。
[0042]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了以下方案:
[0043]—種低溫多晶娃陣列基板，包括:
[0044]玻璃基板；
[0045]遮光層圖形，包括第一遮光層圖形和第二遮光層圖形，皆沉積于所述玻璃基板上;
[0046]緩沖層，沉積于所述遮光層圖形上；
[0047]多晶娃層，沉積于所述緩沖層上，包括:
[0048]PMOS薄膜晶體管區(qū)域、在PMOS薄膜晶體管區(qū)域周圍所形成溝道中的由高濃度硼形成的硼重摻雜區(qū)域；
[0049]NMOS薄膜晶體管區(qū)域、在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域周邊的由低濃度磷形成的低摻雜區(qū)域、由高濃度磷形成的磷重摻雜區(qū)域；以及
[0050]沉積于所述多晶硅層上的柵極絕緣層和柵極。
[0051]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在柵極絕緣膜成膜前分別在NMOS薄膜晶體管區(qū)域注入高濃度磷以形成磷重摻雜區(qū)域和注入低濃度磷形成低摻雜區(qū)域、或在PMOS薄膜晶體管區(qū)域注入高濃度硼形成硼重摻雜，以形成對應(yīng)的歐姆接觸，可以避免對柵極絕緣膜的破壞，大幅減小離子植入時的能量，同時降低光阻固化程度，減小光阻剝離難度，有效提高產(chǎn)品良率可以避免對柵極絕緣膜的破壞，有效提高陣列基板的良率。
【附圖說明】
[0052]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面對實施例中所需要使用的附圖作簡單的介紹。下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲取其他的附圖。
[0053]圖1為本發(fā)明實施例一中的低溫多晶硅陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0054]圖2A?圖2D分別為本發(fā)明實施例一中的低溫多晶硅陣列基板的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖3為本發(fā)明實施例二中的低溫多晶硅陣列基板的模塊示意圖。
【具體實施方式】
[0056]請參照附圖中的圖式，其中相同的組件符號代表相同的組件。以下的說明是基于所例示的本發(fā)明具體實施例，其不應(yīng)被視為限制本發(fā)明未在此詳述的其它具體實施例。
[0057]實施例一
[0058]請參閱圖1，所示為本發(fā)明實施例中的低溫多晶硅陣列基板的制作方法的基本流程示意圖。在本實施例中，將制備PMOS型薄膜晶體管與NMOS型薄膜晶體管
[0059]在步驟SlOl中，在玻璃基板上形成PMOS薄膜晶體管區(qū)域及NMOS薄膜晶體管區(qū)域。
[0060]如圖2A所示，本步驟具體包括:
[0061](I)在玻璃基板100上沉積遮光層，并進行蝕刻形成遮光層圖形200 ;
[0062](2)在所述遮光層圖形200上依次形成緩沖層300、和非晶硅層；
[0063](3)沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進行結(jié)晶化處理、和蝕刻處理，以形成PMOS薄膜晶體管區(qū)域400A及NMOS薄膜晶體管區(qū)域400B。
[0064]在步驟S102中，在所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域上形成第一光阻，通過半透式光罩在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域上形成帶有溝道的第二光阻。
[0065]如圖2B所示，本步驟具體包括:
[0066](I)在所述基板上涂布光阻層；
[0067](2)通過曝光顯影后，所述PMOS薄膜晶體管區(qū)域400A上形成第一光阻401A，在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域400B上形成帶有溝道的第二光阻401B，其中所述第二光阻401B對應(yīng)于曝光時的半透式光罩。
[0068]在步驟S103，在所述第二光阻的溝道兩端植入高濃度磷以形成磷重摻雜區(qū)域。
[0069]如圖2B所示，其中，所述磷重摻雜區(qū)域410B的高度與所述第二光阻的高度相同。
[0070]在步驟S104，在所述NMOS薄膜晶體管區(qū)域與所述第二光阻上進行蝕刻以形成蝕刻區(qū)域，并在所述蝕刻區(qū)域內(nèi)注入低濃度磷，以形成低摻雜區(qū)域。
[0071 ] 如圖2C所示，本步驟具體包括:
[0072](I)將所述第一光阻和所述第二光阻蝕刻到預(yù)設(shè)高度和寬度，如圖402A和402B所示，以及使所述第二光