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晶片的加工方法

文檔序號:9377900閱讀:400來源:國知局
晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶片的加工方法,尤其是涉及將形成在晶片的外周的倒角部部分性去除的邊緣修剪方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體晶片的表面上形成有IC、LSI等大量器件,并且一個個器件通過形成為格子狀的分割預定線(間隔道)而劃分,通過磨削裝置對該半導體晶片的背面進行磨削而加工為規(guī)定的厚度后,通過切削裝置(Dicing(劃線)裝置)沿著分割預定線進行切削而被分割為一個個器件,分割出的器件被廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電子設備。
[0003]伴隨近年來的電子設備的小型化,要求將形成有多個器件的半導體晶片(下文中有時簡稱為晶片)最終磨削得更薄,例如ΙΟΟμπι以下,進而50μπι以下。此外,根據(jù)器件的不同,還存在在背面磨削之后實施例如將背面用金屬膜覆蓋的步驟、或者對背面進行清洗的步驟等其他步驟的情況。
[0004]另一方面,為了防止晶片在制造工序中破裂或者產(chǎn)生灰塵而在其外周上形成有從晶片的表面直至背面的圓弧狀的倒角。由此,如果將晶片磨削得較薄,則外周的倒角部分形成為刀刃狀。如果晶片外周的倒角部分形成為刀刃狀,則會產(chǎn)生從外周發(fā)生缺損而使晶片破損的問題。
[0005]因此,在日本特開2007-152906號公報中提出了如下加工方法:通過切削刀具將外周的倒角部部分性去除后,即實施了邊緣修剪加工后,對晶片的背面進行磨削直至晶片的厚度達到器件的最終厚度。
[0006]專利文獻1:日本特開2007-152906號公報
[0007]但是,如果使切削刀具從晶片的表面切入晶片的倒角部來實施邊緣修剪加工,則因加工而產(chǎn)生的污染物會附著在晶片的表面的器件上。由于如果在器件表面附著有污染物則會成為引起器件不良等的原因,因此成為問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于這一點而完成的,其目的在于提供一種晶片的加工方法,即使實施邊緣修剪加工也能夠降低引起器件不良的可能。
[0009]根據(jù)本發(fā)明,提供一種晶片的加工方法,該晶片在表面上具有形成有多個器件的器件區(qū)域、以及圍繞所述器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域,在外周緣部上具有從表面至背面的圓弧狀的倒角部,其特征在于,該晶片的加工方法具備:片材粘貼步驟,經(jīng)由配設在所述外周剩余區(qū)域的粘合劑將相對于晶片具有密合性以及粘力的片材粘貼到晶片的表面上;以及去除步驟,在實施了所述片材粘貼步驟后,從晶片的表面使切削刀具以規(guī)定的深度切入所述倒角部并且沿外周緣切削所述晶片來去除所述倒角部的一部分,并且至少使與所述器件區(qū)域相鄰的一部分的所述粘合劑殘存。
[0010]優(yōu)選所述晶片的加工方法還具有磨削步驟,在實施了所述去除步驟后,對晶片的背面進行磨削直至所述器件的最終厚度,在所述去除步驟中,使所述切削刀具從晶片的表面切入直至所述最終厚度的深度。
[0011]在本發(fā)明中,在實施去除步驟(邊緣修剪加工)前,將相對于晶片具有密合性以及粘力的片材粘貼到晶片的表面。因而,因去除步驟的切削而產(chǎn)生的污染物會附著到片材上,而不會附著到器件表面上。
[0012]進而,由于片材通過配設于外周剩余區(qū)域的粘合劑而被粘貼到晶片上,因此防止了此后將片材從晶片上剝離時在器件上殘存糊或者粘合劑。因而,能夠降低因異物附著于器件上而引起的器件不良的可能。
【附圖說明】
[0013]圖1是半導體晶片的表面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0014]圖2是示出片材粘貼步驟的剖視圖。
[0015]圖3是示出去除步驟的局部剖視側(cè)視圖。
[0016]圖4是實施去除步驟后的晶片的剖視圖。
[0017]圖5是示出磨削步驟的局部剖視側(cè)視圖。
[0018]標號說明
[0019]11:半導體晶片;lle:倒角部;12:切削單兀;15:器件;16:切削刀具;17:器件區(qū)域;18:圓形凹部;19:外周剩余區(qū)域;20:磨削單元;23:粘合劑;25:片材;26:磨輪;30:磨具。
【具體實施方式】
[0020]下面參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細的說明。參照圖1,示出了半導體晶片11的表面?zhèn)攘Ⅲw圖。半導體晶片(下文中有時簡稱為晶片)11例如由厚度為700 μ??的硅晶片構(gòu)成,在其表面Ila上,多個分割預定線(間隔道)13形成為格子狀,并且在由多個間隔道13劃分出的各區(qū)域中形成有IC、LSI等器件15。
[0021]這樣構(gòu)成的晶片11在其表面的平坦部上具備:器件區(qū)域17,其上形成有器件15 ;以及外周剩余區(qū)域19,其圍繞器件區(qū)域17。在晶片11的外周部形成有圓弧狀的倒角部He。標號21是作為示出硅晶片的結(jié)晶方向的標記的缺口。
[0022]在本發(fā)明的晶片的加工方法中,首先如圖2所示實施片材粘貼步驟:在晶片11的外周剩余區(qū)域19上配設粘合劑23,經(jīng)由粘合劑23將相對于晶片具有密合性以及粘力的片材25粘貼到晶片11的表面Ila上。
[0023]粘合劑23既可以配設于晶片11的外周剩余區(qū)域19的全周,也可以不連續(xù)地配設。當在對晶片11的背面Ilb進行磨削時只通過片材25來吸引保持晶片的表面?zhèn)鹊那闆r下,優(yōu)選在外周剩余區(qū)域19的全周配設粘合劑23,以使磨削液不會進入晶片11的器件區(qū)域17。但是,當在剝離片材25之后將保護帶粘貼到晶片11的表面Ila上的情況下,粘合劑23可以不連續(xù)地配設于外周剩余區(qū)域19。
[0024]對于片材25而言,優(yōu)選雖然在與器件抵接的面上不具有粘合層,但具有相對于晶片的密合性以及能夠追隨器件凹凸的粘力,并且具有適當?shù)暮穸群腿菀撞僮鞯膹埩?。其材料?yōu)選是例如樹脂或橡膠、陶瓷制成的材料等,優(yōu)選例如由因商品名Saran Wrap (莎綸包裝紙)(注冊商標)而公知的聚偏二氯乙烯膜形成的食品用包裝膜。食品用包裝膜相對于晶片11具有密合性以及粘力(吸附性)。但是,也可以替代食品用包裝膜而粘貼其他的樹脂制片材。
[0025]實施了片材粘貼步驟之后,如圖3所示,通過切削裝置的卡盤工作臺10吸引保持晶片11的背面Ilb側(cè),使片材25露出。在圖3中,切削裝置的切削單元12包含:主軸,其被驅(qū)動而旋轉(zhuǎn);以及切削刀具16,其安裝于主軸14的末端部。優(yōu)選切削刀具16是整體由切刃構(gòu)成的厚度較厚的所謂套圈刀具。
[0026]并且,以如下方式實施去除步驟(邊緣修剪步驟):從晶片11的表面Ila將沿箭頭A方向高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具16以規(guī)定的深度(從晶片11的表面Ila至最終厚度的深度)切入晶片11的倒角部He,使卡盤工作臺10沿箭頭B方向以低速旋轉(zhuǎn),沿晶片11的外周緣對晶片進行切削來去除倒角部He的一部分,并且至少使與器件區(qū)域17相鄰的一部分的粘合劑23殘存。
[0027]圖4示出實施了去除步驟后的晶片11的剖視圖。如果實施去除步驟,則晶片11的倒角部Ile的一部分被去除而在晶片11的外周形成有環(huán)狀的切口(環(huán)狀的槽)27。
[0028]在本實施方式的去除步驟(邊緣修剪步驟)中,由于在晶片11的表面Ila上粘貼有片材25,因此因去除步驟而產(chǎn)生的污染物會附著到片材25上,而不會附著到器件15的表面上。
[0029]實施去除步驟后,實施如下的磨削步驟:對晶片11的背面Ilb進行磨削直至器件15的最終厚度。在該磨削步驟中,如圖5所示,通過磨削裝置的卡盤工作臺18對粘貼在晶片11的表面Ila上的片材25側(cè)進行吸引保持,使晶片11的背面Ilb露出。
[0030]在圖5中,磨削裝置的磨削單元20包含:主軸22,其被驅(qū)動而旋轉(zhuǎn);輪座24,其固定于主軸22的末端;以及磨輪26,其以能夠裝卸的方式安裝于輪座24。磨輪26由環(huán)狀的輪基座28以及在輪基座28的下表面外周部環(huán)狀粘貼的多個磨具30構(gòu)成。
[0031]在磨削步驟中,使卡盤工作臺18沿箭頭a方向以約300rpm旋轉(zhuǎn),并且,一邊使磨輪26沿箭頭b方向以約6000rpm旋轉(zhuǎn),一邊使未圖示的磨削單元進給機構(gòu)工作,使磨具30接觸晶片11的背面lib。
[0032]以規(guī)定的磨削進給速度將磨削單元20向下方以規(guī)定量磨削進給來對晶片11的背面Ilb進行磨削,將晶片11磨削為規(guī)定的厚度(器件15的最終厚度)。通過該背面磨削,晶片11的倒角部He被全部去除。
[0033]進行晶片11的背面磨削時,將片材25從晶片11的表面Ila剝離,將表面保護帶粘貼到晶片11的表面上之后實施磨削步驟?;蛘?,也可以不將片材25從晶片11的表面Ila剝離,而將表面保護帶粘貼到片材25上。
[0034]在本發(fā)明的片材粘貼步驟中,由于片材25是通過配設于晶片11的外周剩余區(qū)域19的粘合劑23而被粘貼到晶片11的表面Ila上的,因此防止了在磨削步驟結(jié)束后,將片材25從晶片11上剝離時,在器件15上殘存糊或粘合劑。因而,防止了因異物附著于器件15上而引起的器件不良。
【主權(quán)項】
1.一種晶片的加工方法,該晶片在表面上具有形成有多個器件的器件區(qū)域、以及圍繞所述器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域,在外周緣部上具有從表面至背面的圓弧狀的倒角部,其特征在于,該晶片的加工方法具備: 片材粘貼步驟,經(jīng)由配設在所述外周剩余區(qū)域的粘合劑將相對于晶片具有密合性以及粘力的片材粘貼到晶片的表面上;以及 去除步驟,在實施了所述片材粘貼步驟后,從晶片的表面使切削刀具以規(guī)定的深度切入所述倒角部并且沿外周緣切削所述晶片來去除所述倒角部的一部分,并且至少使與所述器件區(qū)域相鄰的一部分的所述粘合劑殘存。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法,其中, 所述晶片的加工方法還具有磨削步驟,在實施了所述去除步驟后,對晶片的背面進行磨削直至所述器件的最終厚度, 在所述去除步驟中,使所述切削刀具從晶片的表面切入直至所述最終厚度的深度。
【專利摘要】本發(fā)明提供晶片的加工方法,該晶片的加工方法即使實施邊緣修剪加工,也能夠降低引起器件不良的可能。一種晶片的加工方法,該晶片在表面上具有形成有多個器件的器件區(qū)域、以及圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域,在外周緣部上具有從表面至背面的圓弧狀的倒角部,其特征在于,該晶片的加工方法具備:片材粘貼步驟,經(jīng)由配設在所述外周剩余區(qū)域的粘合劑將相對于晶片具有密合性以及粘力的片材粘貼到晶片的表面上;以及去除步驟,在實施了所述片材粘貼步驟后,從晶片的表面使切削刀具以規(guī)定的深度切入所述倒角部并且沿外周緣切削所述晶片來去除所述倒角部的一部分,并且至少使與所述器件區(qū)域相鄰的一部分的所述粘合劑殘存。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/683
【公開號】CN105097614
【申請?zhí)枴緾N201510245836
【發(fā)明人】卡爾·普利瓦西爾
【申請人】株式會社迪思科
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年5月14日
【公告號】DE102015208975A1, US20150332911
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