薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種透明導(dǎo)電膜為金屬納米線的薄膜太陽(yáng)能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜太陽(yáng)能電池透明導(dǎo)電層為半導(dǎo)體材料，如ITO、FTO, AZO等，其在實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池透光性要求的前提下，卻不能避免其自身材料因素導(dǎo)致的電阻存在，使得太陽(yáng)能電池器件作為橫向光電收集器件而載流子收集效率不高，成為影響其光電轉(zhuǎn)換效率的瓶頸。而金屬的導(dǎo)電性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于半導(dǎo)體，同時(shí)如果把金屬做成納米線結(jié)構(gòu)布置于玻璃基底之上，作為透光與導(dǎo)電的太陽(yáng)能窗口層，則可以實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜優(yōu)越的性能，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提供一種測(cè)試硅基薄膜的缺陷態(tài)密度，進(jìn)而為硅基薄太陽(yáng)能電池的材料特性改善提供解決方案。
[0004]為了達(dá)成上述目的，提供了一種薄膜太陽(yáng)能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導(dǎo)電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。
[0005]一些實(shí)施例中，所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。
[0006]一些實(shí)施例中，所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ m0
[0007]一些實(shí)施例中，所述金屬納米線層在所述玻璃基底進(jìn)行工藝的控制與生長(zhǎng)。
[0008]一些實(shí)施例中，所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10mm。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的測(cè)薄膜太陽(yáng)能電池，以金屬納米線替代半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實(shí)現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0010]以下結(jié)合附圖，通過(guò)示例說(shuō)明本發(fā)明主旨的描述，以清楚本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0011]結(jié)合附圖，通過(guò)下文的詳細(xì)說(shuō)明，可更清楚地理解本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0012]圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]參見(jiàn)本發(fā)明具體實(shí)施例的附圖，下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施例的限制。相反，提出這些實(shí)施例是為了達(dá)成充分及完整公開(kāi)，并且使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員完全了解本發(fā)明的范圍。
[0014]現(xiàn)參考附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導(dǎo)電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。
[0016]所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ m。所述金屬納米線層在所述玻璃基底進(jìn)行工藝的控制與生長(zhǎng)。所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10mm。
[0017]如圖1所示，本發(fā)明所提供的薄膜太陽(yáng)能電池，以玻璃作為基板I，基板I的表面上依次為金屬納米線2、光電吸收層3、背電極層4。
[0018]金屬納米線2為銀鈉米線，鈉米銀膜層厚度為500 μπι，納米線之間的寬度為5mm ；其中背電極層4AZ0膜與鋁膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的測(cè)薄膜太陽(yáng)能電池，以金屬納米線替代半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實(shí)現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0020]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書(shū)所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜太陽(yáng)能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導(dǎo)電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ m。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金屬納米線層在所述玻璃基底進(jìn)行工藝的控制與生長(zhǎng)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10_。
【專利摘要】一種薄膜太陽(yáng)能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導(dǎo)電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。根據(jù)本發(fā)明的測(cè)薄膜太陽(yáng)能電池，以金屬納米線替代半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實(shí)現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31/0224, H01L31/0445
【公開(kāi)號(hào)】CN104979413
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510407757
【發(fā)明人】彭壽, 王蕓, 崔介東, 石麗芬, 曹欣
【申請(qǐng)人】中國(guó)建材國(guó)際工程集團(tuán)有限公司, 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院
【公開(kāi)日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2015年7月13日