改善溝槽形貌方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)，尤其涉及一種改善溝槽形貌方法。
【背景技術(shù)】
[0002]溝槽是一種在半導(dǎo)體芯片制造工藝中的常用結(jié)構(gòu)，例如在制造靜態(tài)感應(yīng)晶體管(Static Induct1n Transistor,簡(jiǎn)稱 SIT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junct1n Field-EffectTransistor，簡(jiǎn)稱JFET)等時(shí)，需要在溝槽內(nèi)制備金屬作為肖特基接觸。溝槽的制造過程如下:首先在硅晶片上涂布掩膜材料使之形成所需的掩膜圖形，然后采用干法刻蝕或者濕法刻蝕對(duì)硅晶片進(jìn)行刻蝕，去除掩膜后形成溝槽。
[0003]在對(duì)硅晶片進(jìn)行干法刻蝕或者濕法刻蝕的過程中，都不可避免的對(duì)溝槽內(nèi)壁造成損傷。現(xiàn)有技術(shù)通常采用熱氧化法，在刻蝕后形成的圖案上形成犧牲氧化層，然后刻蝕掉形成的犧牲氧化層，從而改善溝槽的形貌。
[0004]然而，硅晶片被氧化生成二氧化硅形成犧牲氧化層時(shí)體積會(huì)增大，通常一立方厘米的硅可以生成二立方厘米的二氧化硅，氧化過程中溝槽內(nèi)壁坑洼的邊緣會(huì)首先閉合，導(dǎo)致坑洼的底部無法與反應(yīng)氣體接觸，從而使得溝槽內(nèi)壁形成二氧化硅的方向、速度不一致，為確保能夠完全修復(fù)受損的溝槽表面，需要形成較厚的犧牲氧化層，進(jìn)而造成了資源的浪費(fèi)、影響了器件的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種改善溝槽形貌方法，以克服現(xiàn)有的改善溝槽形貌的方法影響器件的性能的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供了一種改善溝槽形貌方法，包括:
[0007]在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅；
[0008]采用熱氧化法，對(duì)所述多晶硅按照制備厚度進(jìn)行氧化形成氧化層，并采用刻蝕法去除所述氧化層；
[0009]采用熱氧化法，在去除所述氧化層后形成的圖案上，形成犧牲氧化層，并采用刻蝕法去除所述犧牲氧化層。
[0010]進(jìn)一步地，所述在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅，包括:
[0011]米用氣相沉積法,在形成有溝槽的娃晶片表面沉積一層多晶娃。
[0012]進(jìn)一步地，所述氣相沉積法，包括:
[0013]低壓化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
[0014]進(jìn)一步地，所述多晶硅的厚度為0.01微米至0.5微米。
[0015]進(jìn)一步地，所述采用刻蝕法去除所述氧化層，包括:
[0016]采用干法刻蝕法或濕法刻蝕法，去除所述氧化層。
[0017]進(jìn)一步地，所述熱氧化法，包括:
[0018]干氧氧化法、濕氧氧化法。
[0019]進(jìn)一步地，所述犧牲氧化層的厚度為0.01微米至0.1微米。
[0020]本發(fā)明的技術(shù)效果是:通過在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅、按照制備厚度進(jìn)行氧化形成氧化層、去除該氧化層，使得新形成的圖案在形成犧牲氧化層時(shí)，其表面二氧化硅的生長(zhǎng)方向和生長(zhǎng)速度基本一致，從而僅需要較薄的犧牲氧化層即可修復(fù)損傷的溝槽表面，解決了現(xiàn)有技術(shù)中需要形成較厚的犧牲氧化層，浪費(fèi)資源、影響器件的性能的技術(shù)問題。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明改善溝槽形貌方法實(shí)施例一的流程圖；
[0022]圖2為執(zhí)行步驟a后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0023]圖3為執(zhí)行步驟b后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0024]圖4為執(zhí)行步驟c后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0025]圖5為執(zhí)行步驟101后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0026]圖6為執(zhí)行步驟102后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0027]圖7為執(zhí)行步驟103后形成的圖案的側(cè)視圖；
[0028]圖8為本發(fā)明改善溝槽形貌方法實(shí)施例二的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]圖1為本發(fā)明改善溝槽形貌方法實(shí)施例一的流程圖。如圖1所示，本實(shí)施例的方法可以包括:
[0030]步驟101、在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅。
[0031]具體地，現(xiàn)有技術(shù)通過如下步驟在硅晶片上形成溝槽。
[0032]步驟a:在硅晶片上涂布如光刻膠、介質(zhì)層等掩膜材料，形成如圖2所示的圖案。
[0033]步驟b:采用干法刻蝕或者濕法刻蝕對(duì)涂布掩膜材料后形成的圖案進(jìn)行刻蝕，其中具體可采用例如反應(yīng)離子刻蝕(Reactive 1n Etching,簡(jiǎn)稱RIE)法、感應(yīng)稱合等離子體(Inductively Coupled Plasma,簡(jiǎn)稱ICP)刻蝕法等刻蝕方法進(jìn)行刻蝕,形成如圖3所示的圖案。其中，在對(duì)涂布掩膜材料后形成的圖案進(jìn)行刻蝕的過程中，會(huì)對(duì)凹槽內(nèi)壁造成損傷，形成例如圖3中示出的溝槽內(nèi)壁的缺陷。另外，在對(duì)涂布掩膜材料后形成的圖案進(jìn)行刻蝕的過程中，還會(huì)有雜質(zhì)粒子落在溝槽內(nèi)壁上。需要說明的是，圖3中示出的溝槽內(nèi)壁缺陷，其形狀和個(gè)數(shù)僅為示例性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在該工藝過程中，可能形成多個(gè)溝槽內(nèi)壁缺陷、形成任意形狀的溝槽內(nèi)壁缺陷。
[0034]步驟c:利用例如氫氟酸等的酸性溶液、例如氫氧化鉀等的堿性溶液去除涂布的掩膜材料，形成如圖4所示的圖案。
[0035]上述步驟a至步驟c為現(xiàn)有技術(shù)形成溝槽結(jié)構(gòu)的工藝過程。本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)實(shí)際需要采用其它工藝形成溝槽。
[0036]本實(shí)施例步驟101基于上述步驟a至步驟c形成溝槽后的圖案，在具有溝槽的硅晶片表面通過沉積、濺射等方法制備一層多晶硅，形成如圖5所示的圖案。其中，多晶硅能夠?qū)喜蹆?nèi)壁的缺陷填補(bǔ)起來。
[0037]步驟102、采用熱氧化法，對(duì)所述多晶硅按照制備厚度進(jìn)行氧化形成氧化層，并采用刻蝕法去除所述氧化層。
[0038]具體地，在制備多晶硅時(shí)，可以根據(jù)工藝條件制備所需厚度的多晶硅層，在采用熱氧化法進(jìn)行氧化時(shí)，可以根據(jù)制備的多晶硅層的厚度，控制熱氧化工藝的時(shí)間和溫度，使得多晶硅層剛好被完全氧化形成氧化層，而填補(bǔ)在溝槽內(nèi)壁的多晶硅不被氧化。然后，采用濕法刻蝕法或者干法刻蝕法去除形成的氧化層，形成如圖6所示的圖案。需要說明的是，為保證在步驟101中