穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前的閃存產(chǎn)品(線寬是0.12um的閃存產(chǎn)品)，測(cè)試參數(shù)字線閾值電壓(VtWL)存在較大的變化。具體地說(shuō)，字線閾值電壓VtWL取決于兩個(gè)因素:一個(gè)因素是字線下閾值(Vtl)，另一個(gè)因素是浮柵下閾值(Vt2)。
[0003]不穩(wěn)定的字線閾值電壓VtWL是由于浮柵的氮化硅對(duì)下一次單元注入存在厚度變化影響。單元注入的硼(Boron)的注入能量峰值40kev大致對(duì)應(yīng)于大約1300A的厚度。而較小的厚度變化將極大地改變閾值。
[0004]圖1和圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的制造方法的相關(guān)步驟。如圖1和圖2所示，在硅片布置光刻膠，并去除硅片的有源區(qū)100上的光刻膠，而留下硅片的外圍部分200上的光刻膠；隨后對(duì)硅片的有源區(qū)100的一部分執(zhí)行第一次注入(如圖1的向下的箭頭所示)；此后，對(duì)硅片執(zhí)行處理以便在硅片上依次形成柵極氧化層101、多晶硅層102、氮化硅層103以及掩模層104 ;并且針對(duì)第一次注入的有源區(qū)100的一部分，完全刻蝕掉氮化硅層103以及掩模層104，并部分地刻蝕多晶硅層102，隨后執(zhí)行第二次注入(如圖2的向下的箭頭所示)。
[0005]在上述方法步驟中，如圖3所示，第一次注入的注入條件(例如注入能量、注入時(shí)間、注入元素)被選擇成使得在硅片中形成的摻雜情況使得在最終的閃存單元形成期望的字線下閾值Vtl ;而第二次注入的注入條件(例如注入能量、注入時(shí)間、注入元素)被選擇成使得第二次注入與第一次注入共同地形成期望的浮柵下閾值Vt2。
[0006]然而，由于期望的浮柵下閾值Vt2受到第一次注入以及第二次注入的影響，而第二次注入易受到之前形成的層的厚度的影響，所以得到的期望的浮柵下閾值Vt2很可能不精確。因此，期望能夠提供一種能夠使得閃存單元字線閾值電壓穩(wěn)定的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠避免浮柵下閾值之前形成的層的厚度的影響從而使得閃存單元字線閾值電壓穩(wěn)定的方法。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，包括:在硅片布置光刻膠，并去除硅片的有源區(qū)上的光刻膠，而留下硅片的外圍部分上的光刻膠；對(duì)硅片的有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域執(zhí)行第一注入處理，其中第一注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的浮柵下閾值；對(duì)硅片執(zhí)行閃存單元形成工藝以便在有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域上形成閃存單元；對(duì)硅片的有源區(qū)執(zhí)行第二注入處理以便對(duì)閃存單元兩側(cè)的字線所對(duì)應(yīng)的硅片區(qū)域形成摻雜，其中第二注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的字線下閾值。
[0009]優(yōu)選地，在閃存單元形成工藝中不對(duì)閃存單元形成區(qū)域進(jìn)行離子注入。
[0010]優(yōu)選地，所述閃存單元是NOR型閃存單元。
[0011]優(yōu)選地，第一注入處理的注入條件包括注入能量、注入時(shí)間和注入元素。
[0012]優(yōu)選地，第二注入處理的注入條件包括注入能量、注入時(shí)間和注入元素。
[0013]優(yōu)選地，所述方法被并入制造閃存存儲(chǔ)器的工藝之中。
[0014]由此，在根據(jù)本發(fā)明的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法中，浮柵下閾值和字線下閾值分別由兩個(gè)單獨(dú)的注入步驟決定，從而提高了形成的閾值的精確性，進(jìn)而提供了由浮柵下閾值和字線下閾值共同影響的閃存單元字線閾值的穩(wěn)定性。由此，本發(fā)明提供了一種能夠避免浮柵下閾值之前形成的層的厚度的影響從而使得閃存單元字線閾值電壓穩(wěn)定的方法。
【附圖說(shuō)明】
[0015]結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的制造方法。
[0017]圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的制造方法。
[0018]圖3示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的字線閾值電壓。
[0019]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法的第一注入步驟。
[0020]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法的中間步驟。
[0021]圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例得到的穩(wěn)定閃存單元字線的第二注入步驟。
[0022]需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024]圖4至圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法的各個(gè)步驟。
[0025]例如，圖4至圖6所示的所述方法可有利地并入制造閃存存儲(chǔ)器的工藝之中。
[0026]具體地，參照?qǐng)D4至圖6，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法包括:
[0027]在硅片布置光刻膠，并去除硅片的有源區(qū)100上的光刻膠，而留下硅片的外圍部分200上的光刻膠；
[0028]隨后，對(duì)硅片的有源區(qū)100的閃存單元形成區(qū)域執(zhí)行第一注入處理(如圖4的向下的箭頭所示)，其中第一注入處理的注入條件(例如注入能量、注入時(shí)間、注入元素)被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的浮柵下閾值Vt2 ;
[0029]此后，對(duì)硅片執(zhí)行閃存單元形成工藝以便在有源區(qū)100的閃存單元形成區(qū)域上形成閃存單元300 (例如，如圖5所示的NOR型閃存單元)，其中在閃存單元形成工藝中不對(duì)閃存單元形成區(qū)域進(jìn)行離子注入(即，省略掉【背景技術(shù)】中描述的如圖2所示的第二次注入)；
[0030]然后，對(duì)硅片的有源區(qū)100執(zhí)行第二注入處理(如圖6的向下的箭頭所示)以便對(duì)閃存單元300兩側(cè)的字線所對(duì)應(yīng)的硅片區(qū)域形成摻雜，其中第二注入處理的注入條件(例如注入能量、注入時(shí)間、注入元素)被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的字線下閾值 Vtl ο
[0031]其中，如圖6所示，在第二注入處理中，第二注入處理注入的閃存單元形成區(qū)域被閃存單元300阻擋，從而閃存單元300下方的硅片的摻雜不會(huì)被第二注入處理影響。
[0032]由此，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法中，浮柵下閾值Vt2和字線下閾值Vtl分別由兩個(gè)單獨(dú)的注入步驟決定，從而提高了形成的閾值的精確性，進(jìn)而提供了由浮柵下閾值Vt2和字線下閾值Vtl共同影響的閃存單元字線閾值的穩(wěn)定性。由此，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供了一種能夠避免浮柵下閾值之前形成的層的厚度的影響從而使得閃存單元字線閾值電壓穩(wěn)定的方法。
[0033]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于包括: 在硅片布置光刻膠，并去除硅片的有源區(qū)上的光刻膠，而留下硅片的外圍部分上的光刻膠； 對(duì)硅片的有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域執(zhí)行第一注入處理，其中第一注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的浮柵下閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于還包括:對(duì)硅片執(zhí)行閃存單元形成工藝以便在有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域上形成閃存單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于還包括:對(duì)硅片的有源區(qū)執(zhí)行第二注入處理以便對(duì)閃存單元兩側(cè)的字線所對(duì)應(yīng)的硅片區(qū)域形成摻雜，其中第二注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的字線下閾值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于，在閃存單元形成工藝中不對(duì)閃存單元形成區(qū)域進(jìn)行離子注入。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于，所述閃存單元是NOR型閃存單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于，第一注入處理的注入條件包括注入能量、注入時(shí)間和注入元素。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于，第二注入處理的注入條件包括注入能量、注入時(shí)間和注入元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，其特征在于，所述方法被并入制造閃存存儲(chǔ)器的工藝之中。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種穩(wěn)定閃存單元字線閾值電壓的方法，包括：在硅片布置光刻膠，并去除硅片的有源區(qū)上的光刻膠，而留下硅片的外圍部分上的光刻膠；對(duì)硅片的有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域執(zhí)行第一注入處理，其中第一注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的浮柵下閾值；對(duì)硅片執(zhí)行閃存單元形成工藝以便在有源區(qū)的閃存單元形成區(qū)域上形成閃存單元；對(duì)硅片的有源區(qū)執(zhí)行第二注入處理以便對(duì)閃存單元兩側(cè)的字線所對(duì)應(yīng)的硅片區(qū)域形成摻雜，其中第二注入處理的注入條件被選擇成使得在最終的閃存單元形成期望的字線下閾值。其中，在閃存單元形成工藝中不對(duì)閃存單元形成區(qū)域進(jìn)行離子注入。
【IPC分類】H01L21-8247, H01L27-115
【公開號(hào)】CN104538364
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410844118
【發(fā)明人】沈思杰
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月25日