專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在芯片內(nèi)埋入1個以上線圈的電子元器件。
作為以往的這種電子元器件，在圖2中給出多層電感器的側(cè)面剖視圖。
在圖2中，20為多層電感器，由磁性材料形成的長方芯體片21、埋入芯片21內(nèi)的螺旋狀線圈22及設(shè)置在芯片21縱向兩端的一對端電極23構(gòu)成。圖中，線圈22的旋繞中心線Y與連接端電極23的方向(芯片縱向)垂直，線圈22的端部引出到芯片端部表面并與各端電極23連接。
當(dāng)將該多層電感器20安裝在基板的導(dǎo)體圖形上時(shí)有兩個方向，一個如圖3所示線圈22的旋繞中心線Y與基板Z的安放面垂直，另一個如圖4所示線圈22的旋繞中心線Y與基板Z的安放面平行。
對于圖3的安放方向及圖4的安放方向，由于線圈22與基板Z的位置關(guān)系不同，使得對于芯片外部磁通的磁阻產(chǎn)生差異，這表現(xiàn)出為電感量的差異。特別是對于使用相對磁導(dǎo)率低的材料作為芯片材料的多層電感器，因安放方向不同產(chǎn)生較大的磁阻差，表現(xiàn)出電感量有很大差異。
為了解決這樣的問題，提出一種不因安放方向不同而改變線圈旋繞中心線相對于基板面的方向的多層電感器(特開平8-55726號公報(bào))。
該多層電感器一般稱為縱向多層型電感器，如圖5至7所示，在連接端電極的方向上形成多層構(gòu)造。
即圖5至圖7所示縱向多層型電感器30的芯片31是將上層磁性材料片A、線圈層磁性材料片B1-B4及下層磁性材料片C疊層而形成。在上層磁性材料片A上形成矩形引出導(dǎo)體Pa，使其與通孔h重疊。在線圈層磁性材料片B1～B4上，形成4種近似U字形狀的線圈用導(dǎo)體Pb1～Pb4，使其端部與通孔h重疊。另外，在下層磁性材料片C上，形成矩形引出導(dǎo)體Pc，使其與通孔h重疊。再在芯片31的疊層方向兩端形成端電極33，從而構(gòu)成縱向多層型電感器30。
這里線圈用導(dǎo)體Pb1～Pb4之間通過通孔h連接而形成線圈32，線圈32的兩端分別通過在上層及下層磁性材料片A及C形成的多個引出導(dǎo)體Pa及Pc而構(gòu)成的引出導(dǎo)體34a及34b與端電極33相連。
在圖5至圖7所示構(gòu)成的縱向多層型的多層電感器30中，當(dāng)電流流過電感器時(shí)，產(chǎn)生與線圈32的旋繞中心線Y平行的磁通及沿著以引也導(dǎo)體34a和34b為中心的圓周而旋繞的磁通，由于這些磁通形成了芯片的電感量。
但是，當(dāng)將該多層電感器30安裝在基板Z上時(shí)，對于圖8所示的安放方向及圖9所示的安放方向、即正反面反過來安放的狀態(tài)，引出導(dǎo)體34a及34b與基板Z之間的距離產(chǎn)生差異。因此出現(xiàn)這樣的問題，即對于這些引出導(dǎo)體34a及34b周圍產(chǎn)生的磁通的磁阻產(chǎn)生差異，從而由于安放方向不同導(dǎo)致電感量產(chǎn)生差異。
本發(fā)明的目的在于提供具有不因安放方向不同導(dǎo)致電感量產(chǎn)生差異的線圈的電子元器件。
在本發(fā)明的電子元器件中，在具有長方體形狀的芯片內(nèi)埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，將線圈的旋繞中心線設(shè)定在形成端電極的一對相對的芯片端面的各自中心點(diǎn)相連直線上，同時(shí)將從旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與前述端電極連接的引出導(dǎo)體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安放在基板上時(shí)至少即使反過來安放也保持線圈的旋繞軌跡及引出導(dǎo)體與基板之間有相同的距離。
具有這樣構(gòu)成的電子元器件，例如如果垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面是正方形，則安放在基板上時(shí)，除芯片端面以往的四個面中，即使任何一個面對著基板，線圈及引出導(dǎo)體與基板之間的距離都相同。這樣，任何一個安放方向的磁阻都相同，線圈及引出導(dǎo)體產(chǎn)生的電感量不會因安放方向不同而變化。因而上述電子元器件不會產(chǎn)生因安放方向不同導(dǎo)致電感量產(chǎn)生差異。另外，當(dāng)芯片形狀為長方體且垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面不是正方形時(shí)，即使安放在基板上時(shí)將正反面反過來安放，但任何一種情況的引出導(dǎo)體與基板之間的距離仍然相同。因而，當(dāng)垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面為正方形以外的形狀時(shí)，即使將正反面反過來安放在基板上，也不會因安放方向不同導(dǎo)致電感量產(chǎn)生差異。
再有，在本發(fā)明中，芯片做成圓柱形狀時(shí)也與上述相同，構(gòu)成的電子元器件不會因安放方向不同導(dǎo)致電感量產(chǎn)生差異。例如，在具有圓柱形狀的芯片內(nèi)埋入線圈、在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極的電子元器件中，將線圈的旋繞中心線設(shè)定在形成端電極的一對相對的芯片端面的各自中心點(diǎn)相連直線上，同時(shí)將從旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡與線圈旋繞中心線通過的中心點(diǎn)的距離設(shè)定為在繞圈旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中總是保持一定，而且分別在芯片兩端將連接線圈端與端電極的引出導(dǎo)體設(shè)置在線圈旋繞中心線上。
附圖簡要說明

圖1所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖2所示為以往例的多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖3所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)舉例。
圖4所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)舉例。
圖5所示為以往例的縱向多層型多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖6所示為以往例的縱向多層型多層電感器的立體圖。
圖7所示為以往例的縱向多層型多層電感器的多層構(gòu)造圖。
圖8所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)的側(cè)面剖視圖。
圖9所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)的側(cè)面剖視圖。
圖10所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖11所示為本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖12所示為本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖13a至圖13f所示為本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)有關(guān)的其他的線圈旋繞軌跡圖。
圖14所示為本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖15所示為本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖16所示為本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖17所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖18所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖19所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖20所示為本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖21所示為本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)中引出導(dǎo)體的形成位置圖。
圖22所示為本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖23所示為本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)中引出導(dǎo)體的形成位置圖。
圖24所示為本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖25所示為本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖26所示為本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖27所示為本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖28所示為本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖29所示為本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖30所示為本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的引出導(dǎo)體配置圖。
圖31所示為本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)有關(guān)的引出導(dǎo)體的其他配置舉例。
圖32所示為本發(fā)明第10實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖33所示為本發(fā)明第10實(shí)施形態(tài)中第1引出導(dǎo)體長度的其他設(shè)定舉例。
圖34所示為本發(fā)明第11實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖35所示為本發(fā)明第12實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖36所示為本發(fā)明第13實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖37所示為本發(fā)明第14實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖38所示為本發(fā)明第1 5實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖39所示為本發(fā)明第15實(shí)施形態(tài)中多層電感器的平面剖面圖。
圖40所示為本發(fā)明第15實(shí)施形態(tài)中多層電感器的多層構(gòu)造分解立體圖。
圖41所示為本發(fā)明第16實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖42所示為本發(fā)明第16實(shí)施形態(tài)中芯片內(nèi)間隙形成狀態(tài)的說明圖。
圖43所示為本發(fā)明第17實(shí)施形態(tài)中多層電感器的側(cè)面剖面圖。
圖44所示為本發(fā)明第17實(shí)施形態(tài)中芯片內(nèi)間隙浸漬合成樹脂的狀態(tài)的說明圖。
下面參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
圖1所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中多層電感器10的立體圖。圖10所示為該多層構(gòu)造的分解立體圖。在圖中，11為磁性或非磁性絕緣材料構(gòu)成的具有多層構(gòu)造的長方體形狀芯片，12為將埋入芯片11內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體螺旋狀連接而成的線圈，13a及13b為在芯片11縱向兩端即芯片11的多層構(gòu)造中疊層方向兩端設(shè)置的一對端電極。
在這里，形成的線圈12其旋繞中心線Y位于形成端電極13a及13b的芯片端面中心相連的直線上，線圈12的兩端利用配置在線圈12旋繞中心線Y上的引出導(dǎo)體14a及14b與各端電極13a及13b連接。
芯片11如圖10所示，將呈長方形的規(guī)定厚度的絕緣材料片構(gòu)成的上層片41、連接片42、47、線圈層片43～46及下層片48一層或若干層疊層而形成。
以下面的說明中，與圖10相對應(yīng)將片41至48的疊層方向作為上下方向加以說明。
線圈12是將若干片長方形的線圈層片43～46疊層而形成的，在線圈層片43～46上形成一端具有充填了導(dǎo)體的通孔h而近似U字形狀的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4。當(dāng)將該線圈層片43～46疊層時(shí)，上下層的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4的一端與另一端通過通孔h內(nèi)導(dǎo)體連接，利用在多層中形成的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4形成螺旋狀線圈12。
另外，形成的線圈12使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)構(gòu)成點(diǎn)對稱。
在下面的說明中，將充填了導(dǎo)體的通孔簡單稱為通孔而“與通孔連接”“利用通孔連接”分別意味著“與通孔內(nèi)部充填的導(dǎo)體連接”“利用通孔內(nèi)部充填的導(dǎo)體連接”。
另外，在線圈層片43的上面疊層表面具有一端形成通孔h的連接導(dǎo)體Pa1的連接片42，連接導(dǎo)體Pa1與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1通過該通孔h連接。
再在連接片42的上面疊層1層以上的在中央通孔h處形成引出導(dǎo)體Pa的上層片41，疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pa與連接導(dǎo)體Pa1的另一端連接。
另外，在線圈層片46的下面疊層表面具有一端形成通孔h的連接導(dǎo)體Pc1的連接片47，連接導(dǎo)體Pc1的另一端與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb4通過上層的線圈層片46形成的通孔h連接。
再在連接片47的下面疊層1層以上的在中央通孔h處形成引出導(dǎo)體Pc的下層片48，疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pc與連接導(dǎo)體Pc1的一端連接。
這樣，利用多個引出導(dǎo)體Pc形成引出導(dǎo)體14a，利用多個引出導(dǎo)體Pc形成引出導(dǎo)體14b。
下面說明前述多層傳感器的制造方法。
在制造時(shí)首先制備各部分的片41～48。
形成線圈12部分的線圈層片43～46是這樣制成的，在以BaO、TiO2系陶瓷材料為主要成分的未加工絕緣片的規(guī)定位置形成通孔h后，分別形成4種U字形狀的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4，并使其端部與該通孔h重疊。眾所周知，該線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4的形狀，除了U字形狀以外還可以采用L字形狀等非環(huán)形形狀。
上層片及下層片41及48是這樣制成的，在上述同樣的未加工絕緣片中央位置即上述線圈12的旋繞中心線位置形成通孔h后，分別形成矩形形狀的引出導(dǎo)體Pa及Pc，并使其與該通孔h重疊。
連接片42及47是這樣制成的，在上述同樣的絕緣片的規(guī)定位置形成通孔h后，分別形成與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pb1～Pb4及引出導(dǎo)體Pa和Pc兩方面重疊的連接導(dǎo)體Pa1及Pc1。
上述通孔h，當(dāng)未加工絕緣片用薄膜支承時(shí)利用激光照射形成，而當(dāng)未加工絕緣片不用薄膜支承時(shí)則用模具沖孔形成通孔h。
接著，將制備的各片41～48在附帶薄膜時(shí)將其剝?nèi)ゲ辞笆鲰樞虔B層，用500kg/cm2左右的壓力對其加壓壓接形成多片疊層體。另外，上層片及下層片41及48采用相當(dāng)于層厚的片數(shù)，而線圈層片43～46采用相當(dāng)于線圈圈數(shù)的片數(shù)。
接著，將上述多片疊層體在900℃左右的溫度下燒結(jié)。然后在利用燒結(jié)而得到的芯片11的疊層方向兩端利用浸漬法等方法涂布導(dǎo)電膏，將其燒結(jié)形成端電極13a及13b，通過這樣得到多層電感器10。在這里，根據(jù)需要也可以對端電極13a及13b施行鍍Sn-Pb等處理。
前述多層電感器10其芯片11為長方體形狀，線圈12的旋繞中心線Y設(shè)定在形成端電極13a及13b的芯片端面中央相連的直線上，同時(shí)引出導(dǎo)體14a及14b配置在旋繞中心線Y上。因此當(dāng)使圖1中芯片11的上面或底面相對基板面將多層電感器10安放在基板上時(shí)，這兩種情況下線圈12及引出導(dǎo)體14a及14b與基板之間的距離(位置關(guān)系)沒有變化。所以對于線圈12及引出導(dǎo)體14a及14b周圍產(chǎn)生磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
另外，當(dāng)除了圖1中芯片11的端面之外使某一個側(cè)面相對基板面將多層電感器10安放在基板上時(shí)，即使將上下面反過來使任何一面相對基板面，線圈12及引出導(dǎo)體14a及14b與基板之間的距離(位置關(guān)系)也沒有變化。因而對于線圈12及引出導(dǎo)體14a及14b周圍產(chǎn)生磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
下面說明本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)。
圖11所示為第2實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖，圖12所示為其多層構(gòu)造分解立體圖。在圖中，與前述第1實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號并省略其說明。
另外，第2實(shí)施形態(tài)與前述第1實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將引出導(dǎo)體不是配置在線圈12的旋繞中心線Y上，而在在相對于旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導(dǎo)體。
即在第2實(shí)施形態(tài)的多層電感器50中，如圖11所示，在芯片11的兩端分別在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)等距離的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導(dǎo)體51a及51b和52a及52b。
這些引出導(dǎo)體51a及51b和52a及52b分別與第1實(shí)施形態(tài)中引出導(dǎo)體14a及14b相同，通過在上層片及下層片41及48形成通孔h及引出導(dǎo)體Pa及Pc而制得。
另外，在連接片42及47上形成連接導(dǎo)體Pd1及Pd2，其形狀能夠?qū)⒕€圈12的端部與引出導(dǎo)體51a、51b、52a及52b連接。
在前述第2實(shí)施形態(tài)的多層電感器50中也能夠得到與第1實(shí)施形態(tài)相同的效果。
即第2實(shí)施形態(tài)的多層電感器50中線圈12的旋繞中心線Y設(shè)定在端電極13a及13b形成的芯片端面中心相連方向上，同時(shí)形成的線圈12使在旋繞中心線方向看的線圈12旋繞軌跡處于相對于旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)的點(diǎn)對稱位置，而且連接線圈端與端電極13a及13b的引出導(dǎo)體51a、51b、52a及52b在相對于線圈12旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導(dǎo)體。因此，當(dāng)安放在基板上時(shí)，即使將正反面反過來安放，在任一種情況下線圈12與基板之間的距離及引出導(dǎo)體51a、51b、52a及52b與基板之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈12及引出導(dǎo)體51a、51b、52a及52b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
另外，在第二實(shí)施形態(tài)中是將引出導(dǎo)體51a、51b、52a及52b形成于芯片端面的對角線上，但本發(fā)明不限定于此。只要引出導(dǎo)體形成于相對線圈12旋繞中心線Y的對稱位置也能得到上述效果，形成位置及形成數(shù)量可適當(dāng)決定。
另外，在前述第1及第2實(shí)施形態(tài)中，形成的線圈12是使從線圈12的旋繞中心線Y方向看的線圈12旋繞軌跡為長方形，但不限定于此。只要形成的線圈12使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)為點(diǎn)對稱，也能夠得到相同的效果。例如如圖13a至圖13f所示，從旋繞中心線Y方向看的線圈12的旋繞軌跡Loc只要相對于旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)Yp為點(diǎn)對稱即可，旋繞軌跡Loc即使是略微傾斜的長方形、正方形、圓形、橢圓形或略微傾斜的橢圓形，都能夠得到同樣的效果。
下面說明本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)。
圖14所示為第3實(shí)施形態(tài)中多層電感器60的立體圖，圖15所示為從該線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
在圖中，61為磁性或非磁性絕緣材料構(gòu)成的具有多層構(gòu)造的長方體形狀芯片，62為將埋入芯片61內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體螺旋狀連接而成的線圈，63a及63b為在芯片61縱向兩端即芯片多層構(gòu)造中疊層方向兩端設(shè)置的一對端電極。另外，64a及64b為將線圈62兩端分別與端電極63a及63b連接的引出導(dǎo)體。
這里線圈62的旋繞中心線Y設(shè)定在芯片61的端面中心相連的直線上，再有引出導(dǎo)體64a及64b配置在旋繞中心線Y上。
第3實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成與前述第1實(shí)施形態(tài)的多層電感器10基本相同，其不同點(diǎn)在于，形成的線圈62使線圈62的旋繞軌跡Loc相對于直線X為對稱的位置，該直線X與除了芯片61的端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面(圖14的底面)平行且與線圈62的旋繞中心線Y垂直。
即圖15所示的線圈62的旋繞軌跡Loc為將通過中心點(diǎn)Yp的直線X作為底邊的垂直等分線的等腰三角形。
由前述構(gòu)成而形成的多層電感器60，其線圈62的旋繞中心線Y設(shè)定在端電極63a及63b形成的芯片端面中心相連的直線上。另外，形成的線圈62使從旋繞中心線Y方向看的線圈62旋繞軌跡Loc相對于直線X為對稱的位置，該直線X與除了芯片端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與旋繞中心線Y垂直。再有，連接線圈62端子與端電極63a及63b的引出導(dǎo)體64a及64b配置在線圈62的旋繞中心線Y上。因此，當(dāng)將多層電感器60安放在基板Z上時(shí)，將相對于與旋繞中心線Y垂直的直線X平行的2個芯片側(cè)面(圖14中底面及上面)作為正反面，即使將這些芯片側(cè)面任一面相對基板面安放在基板Z上，在任何一種情況下線圈62及引出導(dǎo)體64a及64b與基板Z之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈62及引出導(dǎo)體64a及64b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)。
圖16所示為第4實(shí)施形態(tài)中多層電感器的立體圖。在圖中，與前述第3實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號并省略其說明。
另外，第4實(shí)施形態(tài)與前述第3實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將引出導(dǎo)體不是配置在線圈62的旋繞中心線Y上，而是在相對于旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導(dǎo)體。
即在第4實(shí)施形態(tài)的多層電感器60＇中，如圖16所示，分別在芯片61的兩端在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)等距離的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導(dǎo)體65a及65b和66a及66b。
這些引出導(dǎo)體65a及65b和66a及66b分別與前述相同，通過在上層片及下層片41及48形成通孔h及引出導(dǎo)體Pa及Pc而制得。
另外不用說，在連接片42及47上形成連接導(dǎo)體，其形狀要能夠?qū)⒕€圈62的端部與引出導(dǎo)體65a及65b、66a及66b連接。
在前述第4實(shí)施形態(tài)的多層電感器60＇中也能夠得到與第3實(shí)施形態(tài)相同的效果。
即在多層電感器60＇中，線圈62的旋繞中心線Y設(shè)定在端電極63a及63b形成的芯片端面中心相連的直線上。另外，形成的線圈62使從旋繞中心線方向看的線圈62的旋繞軌跡處于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了芯片端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與旋繞中心線Y垂直。再有，連接線圈端與端電極63a及63b的引出導(dǎo)體65a及65b、66a及66b在相對于線圈62的旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導(dǎo)體。因此，當(dāng)將多層電感器60＇安放在基板上時(shí)，將相對于與旋繞中心線Y垂直的直線平行的2個芯片側(cè)面作為正反面，即使將這些芯片側(cè)面任一面相對基板面安放在基板Z上，在任何一種情況下線圈62及引導(dǎo)出導(dǎo)體65a及65b、66a及66b與基板之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈62及引出導(dǎo)體65a及65b、66a及66b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
另外，在第4實(shí)施形態(tài)中是將引出導(dǎo)體65a及65b、66a及66b形成于芯片端面的對角線上，但不限定于此。只要引出導(dǎo)體形成于相對線圈62的旋繞中心線Y的對稱位置也能得到上述效果，形成位置及形成數(shù)量可適當(dāng)決定。
另外，在前述第3及第4實(shí)施形態(tài)中，形成的線圈62是使從線圈62的旋繞中心線Y方向看的線圈62的旋繞軌跡為等腰三角形，但不限定于此。只要形成的線圈62使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡處于相對于直線X的對稱位置，該直線X與除了芯片61端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與線圈62的旋繞中心線Y垂直，也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)。
圖17所示為第5實(shí)施形態(tài)中多層電感器70的立體圖。圖18所示為從該線圈的旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。圖19所示該多層構(gòu)造的分解立體圖。
在圖中，71為磁性或非磁性絕緣材料構(gòu)成的具有多層構(gòu)造的長方體形狀芯片，72為將埋入芯片71內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體螺旋狀連接而成的線圈。73a及73b為在芯片71縱向兩端即芯片的多層構(gòu)造中疊層方向兩端設(shè)置的一對端電極。
圖中，形成端電極73a及73b的芯片端面71a為正方形。另外，形成的線圈72使其旋繞中心線Y位于形成端電極73a及73b的芯片端面71a的中心相連的直線上，而且使從旋繞中心線Y方向看的線圈72的旋繞軌跡處于分別相對于芯片端面71a的2個對角線的線對稱位置。
再有，線圈72兩端通過配置在線圈72旋繞中心線Y上的引出導(dǎo)體74a及74b與各端電極73a及73b連接。
線圈72是將若干片正方形的線圈層片83～86疊層而形成的，在線圈層片83～86上形成一端具有充填于導(dǎo)體的通孔h而為U字形狀的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pe1～Pe4。當(dāng)將該線圈層片83～86疊層時(shí)，上下層的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pe1～Pe4的一端與另一端通過通孔h內(nèi)的導(dǎo)體連接，利用在多層中形成的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pe1～pe4形成螺旋狀線圈72。
另外，在第5實(shí)施形態(tài)中形成的線圈72使從線圈72旋繞中心Y方向看的線圈72旋繞軌跡為具有分別與芯片端面71a的2條對角線重疊的對角線的正方形。
在線圈層片83的上面疊層表面具有形成通孔h的連接用導(dǎo)體Pf1的正方形連接片82，連接導(dǎo)體Pf1與線圈內(nèi)部導(dǎo)體Pe1通過該孔h連接。
再在連接片82的上面疊層1層以上的在上述位置通孔h形成引出導(dǎo)體Pa的正方形上層片81，疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pa與連接導(dǎo)體Pf1連接。
另外，在線圈層片86的下面疊層表面具有形成通孔h的正方形連接導(dǎo)體Pf2的連接片87，連接導(dǎo)體Pf2與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pe4通過上層的線圈層片86形成的通孔h連接。
再在連接片87的下面疊層1層以上的在上述位置通孔h形成引出導(dǎo)體Pc的正方形下層片88，疊層時(shí)引出層體Pc與連接導(dǎo)體Pf2連接。
這樣，利用多個引出導(dǎo)體Pa形成引出導(dǎo)體74a，利用多個引出導(dǎo)體Pc形成引出導(dǎo)體74b。
在由前述構(gòu)成而形成的多層電感器70中，形成的線圈72使垂直于線圈72旋繞中心線Y的芯片截面為正方形，而且從旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡處于分別相對于芯片截面2條對角線的線對稱位置。因此即使將芯片71的上下面或側(cè)面中的任何一面相對基板安裝在基板上，線圈72與基板之間的距離(位置關(guān)系)及引出導(dǎo)體74a及74b與基板之間的距離(位置關(guān)系)始終都相同。因而多層電感器70在選擇任何一種安放方向時(shí)，磁阻及電感量都相同。
下面說明本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)。
圖20所示為第6實(shí)施形態(tài)中多層感器的立體圖。圖21為該引出導(dǎo)體形成位置的說明圖。在圖中，與前述第5實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。
另外，第6實(shí)施形態(tài)與前述第5實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將引出導(dǎo)體不是配置在線圈72的旋繞中心線Y上，而是分別在芯片兩端在芯片截面對角線上且相對于線圈72旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導(dǎo)體。
即在第6實(shí)施形態(tài)的多層電感器70＇中，如圖所示，分別在芯片71的兩端在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)Yp等距離D的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導(dǎo)體75a及75b和75c及75d。
這此引出導(dǎo)體75a及75b和75c及75d分別與第5實(shí)施形態(tài)中的引出導(dǎo)體74a及74b相同，通過在上層片及下層片81及88形成通孔及引出導(dǎo)體而制得。
另外，在連接片82及87上形成連接導(dǎo)體，其形狀能夠?qū)⒕€圈72的端部與引出導(dǎo)體75a、75b、75c及75d連接。
在采用前述第6實(shí)施形態(tài)的多層電感器70＇的情況下，也能夠得到與第5實(shí)施形態(tài)相同的效果。
即多層電感器70＇的與線圈72旋繞中心線Y垂直的芯片截面為正方形，形成的線圈72使從旋繞中心線方向看的線圈72旋繞軌跡處于分別相對于與線圈72旋繞中心線Y垂直相交的任意2條正交直線的線對稱位置。再有，引出導(dǎo)體75a～75d在芯片截面對角線上且相對于線圈72旋繞中心線對稱位置至少配置2個導(dǎo)體。因此，即使安放在基板上的方向可能有幾個方向時(shí)，由于線圈72及引出導(dǎo)體75a～75d與基板之間的距離始終相同，所以當(dāng)安放在基板的幾個方向中以任一方向安放時(shí)，即將除了芯片端面以外的4個側(cè)面任何一面相對基板面而安放在基板上時(shí)，線圈72及引出導(dǎo)體75a～75d與基板之間的距離始終相同。因而，不同安放方向的磁阻相同，由線圈72及引出導(dǎo)體75a～75a所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)。
圖22所示為第7實(shí)施形態(tài)中多層電感器70″的立體圖。圖23為其引出導(dǎo)體形成位置的說明圖。在圖中，與前述第5實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。
另外，第7實(shí)施形態(tài)與前述第5實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將引出導(dǎo)體不是配置在線圈72的旋繞中心線Y上，而是分別在芯片兩端在以線圈72的旋繞中心線為中心的旋轉(zhuǎn)90度對稱的4個不同位置形成。
即在第7實(shí)施形態(tài)的多層電感器70″中，如圖所示，分別在芯片71的兩端在芯片端面與旋繞中心線Y相交的任意2條垂直直線X1及X2上離旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)Yp等距離D的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導(dǎo)體76a～76d及76e～76h。
這些引出導(dǎo)體76a～76h分別與第5實(shí)施形態(tài)中的引出導(dǎo)體74a及74b相同，通過在上層片及下層片81及88形成通孔及引出導(dǎo)體而制得。
另外，在連接片82及87上形成連接導(dǎo)體，其形狀能夠?qū)⒕€圈72的端部與引出導(dǎo)體76a～76h連接。
在前述第7實(shí)施形態(tài)的多層電感器70″中，也能夠得到與第5實(shí)施形態(tài)相同的效果。
另外，在第5至第7實(shí)施形態(tài)中，形成的線圈72從線圈72旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡Loc為具有分別與芯片端面71a的2條對角線重疊的對角線的正方形，但不限定于此，只要形成的線圈72使從旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡為與芯片截面平行且處于分別相對于與線圈72旋繞中心線Y相交的任意2條垂直直線的線對稱位置，也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)。
圖24所示為第8實(shí)施形態(tài)中多層電感器90的立體圖，圖25所示為從其線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡，圖26所示為其多層構(gòu)造的分解立體圖。
在圖中，91為磁性或非磁性絕緣材料構(gòu)成的具有多層構(gòu)造的圓柱形狀芯片，92為將埋入芯片91內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體螺旋狀連接而成的線圈。另外，93a及93b為在芯片91縱向兩端即芯片的多層構(gòu)造中疊層方向兩端設(shè)置的一對端電極。
圖中，形成端電極93a及93b的芯片端面91a為圓形，形成的線圈92使其旋繞中心線Y位于形成端電極93a及93b的芯片端面91a中心相連的直線上，而且從旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc為在任意芯片截面中以旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)Yp為中心的圓形。即形成的線圈92使從線圈92旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc處于離旋繞中心線Y等距離D的位置。
再有，線圈92兩端通過配置在線圈92旋繞中心線Y上的引出導(dǎo)體94a及94b與各端電極93a及93b連接。
線圈92是將若干片圓形的線圈層片103及104疊層而形成的，在線圈層片103及104上形成一端具有充填了導(dǎo)體的通孔h且為圓弧形狀的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pg1及Pg2。當(dāng)將該線圈層片103及104疊層時(shí)，上下層的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pg1及Pg2的一端與另一端通過通孔h內(nèi)的導(dǎo)體連接，利用在多層中形成的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pg1及Pg2形成螺旋狀線圈92。
在線圈層片103的上面疊層表面具有形成通孔h的連接用導(dǎo)體Ph1的圓形連接片102，連接導(dǎo)體Ph1與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pg1通過該通孔h連接。
再在連接片102的上面疊層1層以上的在中心位置通孔h形成引出導(dǎo)體Pa的圓形上層片101，疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pa與連接導(dǎo)體Ph1連接。
另外，在線圈層片104的下面疊層表面具有形成通孔h的圓形連接導(dǎo)體Ph2的連接片105，連接導(dǎo)體Ph2與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pg2通過上層的線圈層片104形成的通孔h連接。
再在連接片105的下面疊層1層以上的在中心位置通孔h形成引出導(dǎo)體Pc的圓形下層片106，疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pc與連接導(dǎo)體Ph2連接。
這樣，利用多個引出導(dǎo)體Pa形成引出導(dǎo)體94a，利用多個引出導(dǎo)體Pc形成引出導(dǎo)體94b。
在由前述構(gòu)成形成的多層電感器90中，由于形成的線圈92使線圈92的旋繞中心線Y設(shè)定在形成端電極93a及93b的芯片端面91a中心相連的方向上，同時(shí)從旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc與旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)的距離在旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中始終為一定值，而且將線圈92與端電極93a及93b連接的引出導(dǎo)體94a及94b配置在線圈92的旋繞中心線Y上，因此當(dāng)安放在基板上時(shí)，即使隨便怎么安放，若線圈旋繞中心線Y與基板面基本平行，則線圈92及引出導(dǎo)體94a及94b與基板Z之間的距離相同，因此不同安放方向的磁阻相同，由線圈92及引出導(dǎo)體94a及94b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第9實(shí)施形態(tài)。
圖27所示為第9實(shí)施形態(tài)中多層電感器110的立體圖，圖28為其側(cè)面剖面圖，圖29所示為其多層構(gòu)造的分解立體圖，圖30所示為從線圈旋繞中心線方向看的引出導(dǎo)體配置圖。在圖中，與前述第1實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第1實(shí)施形態(tài)與第9實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將線圈112的兩端設(shè)在相對于芯片11中心的對稱位置，同時(shí)分別連接線圈112兩端與端電極13a及13b的引出導(dǎo)體也形成相對于芯片11中心的對稱位置。
即在第9實(shí)施形態(tài)中，分別將線圈112的兩端配置在從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡上，同時(shí)設(shè)定在相對于芯片11中心的對稱位置。
另外，分別連接線圈112兩端與端電極13a及13b的引出導(dǎo)體由第1引出導(dǎo)體1 14a及114b、第一連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b構(gòu)成。
第1引出導(dǎo)體114a及114b配置在旋繞中心線Y上，其一端與連接導(dǎo)體116a及116b連接，另一端露出芯片11端面與端電極13a及13b連接。
第1連接導(dǎo)體115a及115b相對于旋繞中心線Y平行配置，其一端與線圈112端連接，另一端與連接導(dǎo)體116a及116b連接。
連接導(dǎo)體116a及116b構(gòu)成相對于線圈112旋繞中心線Y垂直的L字形狀。另外，連接導(dǎo)體116a與連接導(dǎo)體116b以芯片11中心點(diǎn)為基準(zhǔn)互相對稱配置。
芯片11如圖29所示，是將規(guī)定厚度的長方形絕緣材料片構(gòu)成的第1至第3上層片121A及121C、線圈層片122～126及第1至第3下層片127a～127c疊層一層或數(shù)層而形成。
在下面的說明中，對應(yīng)圖29將片121至127的疊層方向作為上下方向進(jìn)行說明。
線圈112是將若干片長方形的線圈層用片122～126疊層而形成的，在線圈層片122～126上形成一端具有充填了導(dǎo)體的通孔h而近似U字形狀的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pj1～Pj5。當(dāng)將該線圈層片112～116疊層時(shí)，上下層的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pj1～Pj5的一端與另一端通過通孔h內(nèi)的導(dǎo)體連接，利用在多層中形成的線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pj1～Pj5形成螺旋狀線圈112。
另外，形成的線圈112使從其旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點(diǎn)構(gòu)成點(diǎn)對稱。
另外，在線圈層片122的上面疊層1層以上的在通孔h形成連接導(dǎo)體Pk1的第3上層片121C，在疊層時(shí)連接導(dǎo)體Pk1與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pj1及連接導(dǎo)體116a連接。
另外，在第3上層片121C的上面疊層表面上具有一端形成通孔h的連接導(dǎo)體116a的第2上層片121B，通過該通孔h與第3上層片121C的連接導(dǎo)體Pk1連接。
再在第2上層片121B的上面疊層一層以上的在中央通孔h形成引出導(dǎo)體Pk2的第1上層片121A，在疊層時(shí)引出導(dǎo)體Pk2與連接導(dǎo)體116a的另一端連接。
另外，在線圈層片126的下面疊層一層以上的在通孔h形成連接導(dǎo)體PI1的第1下層片127A，在疊層時(shí)連接導(dǎo)體PI1與線圈用內(nèi)部導(dǎo)體Pj5及連接導(dǎo)體116b連接。
另外，在第1下層片127A的下面疊層表面上具有一端形成通孔h的連接導(dǎo)體116b的第2下層片127B，通過上層的第1下層片127A形成的通孔h與連接導(dǎo)體PI1連接。
再在第2下層片127B的下面疊層一層以上的中央通孔h形成引出導(dǎo)體PI2的第3下層片127C，在疊層時(shí)引出導(dǎo)體PI2與連接導(dǎo)體116b的另一端連接。
這樣，利用多個連接導(dǎo)體Pk1形成一端的第1連接導(dǎo)體115a，利用多個連接導(dǎo)體PI1形成另一端的第1連接導(dǎo)體115b。另外，利用多個引出導(dǎo)體Pk2形成一端的第1引出導(dǎo)體114a，利用多個引出導(dǎo)體PI2形成另一端的第1引出導(dǎo)體114b。再有，線圈112的兩端分別配置于從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡上，同時(shí)設(shè)定在相對于芯片11中心的對稱位置。
這里，連接導(dǎo)體116a及116b構(gòu)成第2連接導(dǎo)體。另外，第2引出導(dǎo)體是利用第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b構(gòu)成。
前述多層電感器110的芯片11為長方體形狀，線圈112的旋繞中心線Y設(shè)定在形成端電極13a及13b的芯片端面中央相連的直線上，同時(shí)將線圈112的兩端設(shè)定在相對于芯片11中心的對稱位置。再有，將分別連接線圈112兩端與端電極13a與13b的第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b配置在相對于芯片11中心的對稱位置上。因此，當(dāng)使圖27中的芯片11的上面或底面相對基板面、將多層電感器110安放在基板上時(shí)，在這兩種情況下，線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b與基板之間的位置關(guān)系從芯片整體來考慮是沒有變化、也就是說，即使將多層電感器110上下面反過來安放在基板上，線圈112相對于基板的位置關(guān)系也沒有變化。另外，當(dāng)將多層感器110的上下面反過來安放在基板上時(shí)，線圈112一端的第1引出導(dǎo)體114a、第1連接導(dǎo)體115a及連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a相對于基板的位置關(guān)系和另一端的第1引出導(dǎo)體114b、第1連接導(dǎo)體115b及連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116b相對于基板的位置關(guān)系互相反過來，但從多層電感器110的整體來考慮，可以認(rèn)為綜合的位置關(guān)系沒有變化。
因而，對于線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b周圍產(chǎn)生的磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
另外，當(dāng)圖27中除了芯片11的端面以外使任何一側(cè)面相對基板面將多層電感器110安放在基板上時(shí)，即使將上下面反過來使任何一面相對基板面，則線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b和基板之間的整體的位置關(guān)系也沒有變化。因而，對于線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b周圍產(chǎn)生的磁通的磁阻基本相同，電感量沒有發(fā)生變化。
再有，由于將連接導(dǎo)體116a及116b做成L字形狀并配置在線圈112旋繞軌跡上，因此能夠增加線圈112的電感量。
另外，第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b的位置及形狀不限定于上述的位置及形狀，若相對于芯片11中心是對稱的，則能夠得到相同的效果。
另外，芯片11做成正方柱，即垂直于線圈112旋繞中心線的截面形成正方形也是同樣的。這種情況下，只要將形成芯片11的各片121～127做成正方形即可。再有，在這種情況下，例如如圖31所示，通過將第1連接導(dǎo)體115a及115b的位置配置在與線圈112旋繞中心線垂直的截面的對角線上，將連接導(dǎo)體116a及116b配置在對角線上，則上下翻轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)動并安裝在電路基板上也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第10實(shí)施形態(tài)。
圖32所示為第10實(shí)施形態(tài)中多層電感器131的側(cè)面剖面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第10實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，設(shè)定第1連接導(dǎo)體115a及115b的長度L1大于第1引出導(dǎo)體114a及114b的長度L2。
利用上述構(gòu)成，能夠使第1引出導(dǎo)體114a及114b和連接導(dǎo)體116a及116b遠(yuǎn)離線圈112產(chǎn)生的磁通中心。這樣，由于能夠減少因第1引出導(dǎo)體114a及114b和連接導(dǎo)體116a及16b的影響而產(chǎn)生的磁場損失，因而能夠提高電感器的“Q”值。
另外，如圖33所示，通過設(shè)定第1引出導(dǎo)體114a及114b的長度L2小于除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極13a及13b的長度L3，能夠減少因第1引出導(dǎo)體114a及114b和連接導(dǎo)體116a及116b的影響而產(chǎn)生的磁場損失。
下面說明本發(fā)明第11實(shí)施形態(tài)。
圖34所示為第11實(shí)施形態(tài)中多層電感器132的側(cè)面剖面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第11實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，設(shè)定第1連接導(dǎo)體115a及115b的長度L1小于第1引出導(dǎo)體114a及114b的長度L2。
利用上述構(gòu)成，由于第1連接導(dǎo)體115a及115b與芯片11端面以外部分形成的端電極13a及13b之間的間隔加大，它們之間產(chǎn)生的寄生電容量減少，因此能夠提高電感器的諧振頻率。另外，為了增加這一效果，最好設(shè)定第1引出導(dǎo)體114a及114b的長度L2大于除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極13a及13b的長度L3。
下面說明本發(fā)明第12實(shí)施形態(tài)。
圖35所示為第12實(shí)施形態(tài)中多層電感器133的側(cè)面剖面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。在第12實(shí)施形態(tài)中，設(shè)定第1引出導(dǎo)體114a 114b的長度L2與除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極的長度L3相同。若這樣設(shè)定第1引出導(dǎo)體114a及114b的長度L2，則能夠抑制第1連接導(dǎo)體115a及115b與端電極13a及13b之間產(chǎn)生的寄生電容量，在此基礎(chǔ)上能夠減少因第1引出導(dǎo)體114a及114b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b的影響而產(chǎn)生的磁場損失。當(dāng)線圈112的圈數(shù)較少時(shí)，該構(gòu)成特別有效。
下面說明本發(fā)明第13實(shí)施形態(tài)。
圖36所示為第13實(shí)施形態(tài)中多層電感器134的多層構(gòu)造分解立體圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第13實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，將形成線圈112的各線圈導(dǎo)體Pj1～Pj6分別用2片并排連接而疊層。通過這樣能夠減少線圈112的電阻。
下面說明本發(fā)明第14實(shí)施形態(tài)。
圖37所示為第14實(shí)施形態(tài)中多層電感器135的側(cè)面部面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第14實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，在第14實(shí)施形態(tài)中設(shè)定第1引出導(dǎo)體114a及114b的粗細(xì)比第1連接導(dǎo)體115a及115b的粗細(xì)要粗。即設(shè)定形成第1引出導(dǎo)體114a及114b的引出導(dǎo)體Pk2及PI2形成的通孔h直徑大于形成第1連接導(dǎo)體115a及115b的連接導(dǎo)體Pk1及PI1形成的通孔h直徑。通過這樣，由于在芯片11的端面第1引出導(dǎo)體114a及114b露出部分面積比以往增大，因此提高了第1引出導(dǎo)體114a及114b與端電極13a及13b之間的連接性能。
下面說明本發(fā)明第15實(shí)施形態(tài)。
圖38所示為第15實(shí)施形態(tài)中多層電感器136的側(cè)面剖面圖，圖39是平面剖面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第15實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，在第15實(shí)施形態(tài)中，連接第1引出導(dǎo)體114a及114b和第1連接導(dǎo)體115a及115b的第2連接導(dǎo)體117a及117b慢慢接近旋繞中心線Y及第1引出導(dǎo)體114a及114b而形成。即如圖40所示，通過利用通孔h將若干片第2上層片絕緣體層分段配置形成的連接導(dǎo)體Pk3及PI3加以連接形成第2連接導(dǎo)體117a及117b。這樣，第2連接導(dǎo)體117a及117b配置成與第1引出導(dǎo)體鈍角相交的近似直線狀導(dǎo)體。
通過這樣使連接第1連接導(dǎo)體115a及115b和第1引出導(dǎo)體114a及114b的第2連接導(dǎo)體117a及117b慢慢接近旋繞中心線Y及第1引出導(dǎo)體114a及114b，能夠得到下面的效果。即由于隨著磁場強(qiáng)度分段衰減而形成第2連接導(dǎo)體117a及117b，因此能夠減少磁場損失，同時(shí)能夠抑制端電極之間產(chǎn)生的寄生電容量。當(dāng)電子元器件由于小型化及線圈112圈數(shù)較多等導(dǎo)致端電極13a及13b罩住線圈112時(shí)，該效果特別有效。
下面說明本發(fā)明第16實(shí)施形態(tài)。
圖41所示為第16實(shí)施形態(tài)中多層電感器137的側(cè)面剖面圖。在圖中，與前述第9實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實(shí)施形態(tài)與第16實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，構(gòu)成芯片11的絕緣體(磁性體)與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙141。這里所謂內(nèi)部導(dǎo)體，是構(gòu)成線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b的導(dǎo)體。
通過這樣在構(gòu)成芯片11的磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙141，即使因外部磁場影響導(dǎo)致構(gòu)成芯片11的磁性體或內(nèi)部導(dǎo)體膨脹或收縮，也不會產(chǎn)生因磁性體及內(nèi)部導(dǎo)體收縮率不一樣而導(dǎo)致內(nèi)部變形，能夠減少因外部磁場影響而導(dǎo)致電感量數(shù)值的變化，能夠提高可靠性。
在本實(shí)施形態(tài)中，如下所述在構(gòu)成芯片11的磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙141。
首先，分別秤量49.0mol％的Fe2O3、35.0mol％的NiO、10.0mol％的ZnO、6.0mol％的CuO，將這些化合物與水一起用球磨機(jī)混合，得到混合物。
再將該混合物干燥，在大氣中用800℃ 1個小時(shí)進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，形成預(yù)燒結(jié)物(鐵氧體)。然后將該預(yù)燒結(jié)物放入球磨機(jī)，加水進(jìn)行15小時(shí)粉碎。然后用噴霧干燥機(jī)對得到的糊漿進(jìn)行噴霧干燥，得到預(yù)繞結(jié)物粉末(鐵氧體粉末)。該鐵氧體粉的表面系數(shù)為2.8m2/g。
再用球磨機(jī)將該鐵氧體粉末與以聚乙烯醇縮丁醛為主要成分的粘合劑混合形成糊漿。
再用真空排氣機(jī)對該糊漿進(jìn)行排氣后，用刮漿刀的方法涂布在聚脂薄膜上，干燥后切成規(guī)定的大小，在規(guī)定位置設(shè)置通孔，得到厚度約50μm的磁性片。
另外，將70wt％的銀粉末(為球狀粒子，平均粒徑為0.3μm)、9wt％的乙基纖維素，19wt％的二甘醇-丁醇及2wt％的增粘劑攪拌，作成內(nèi)部導(dǎo)電體圖形用Ag糊膏。
接著用篩網(wǎng)印刷法將上述Ag糊膏構(gòu)成的導(dǎo)電體圖形一個一個圖形印刷到前述未燒結(jié)的磁性片上。
接著在導(dǎo)電體圖形干燥后將該磁性片疊層，用500kg/cm2的壓力加壓使其壓接，使磁性片之間粘接成一體，然后在規(guī)定的位置切成塊狀，形成大量的多層芯片。
接著將該多層芯片加熱，燒結(jié)去除粘合劑，然后在900℃溫度下燒結(jié)1小時(shí)。
接著在多層芯片端面中在最外的導(dǎo)電體圖形端引出的端面涂布Ag糊膏，在大氣中700℃溫度下燒固，形成端電極與導(dǎo)電體圖形端連接狀態(tài)的大量多層電感器137。
另外，在上述制造方法中，作為磁性片原料的磁性體粉末的表面系數(shù)，最好是1.0～10.0m2/g，作為前述導(dǎo)電體圖形原料的導(dǎo)電體粉末的表面系數(shù)最好為0.5～5.0m2/g。
這里將磁性體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為1.0～10.0m2/g是因?yàn)?，?dāng)磁性體粉末的表面系數(shù)為1.0m2/g以下時(shí)，不能夠在1000℃以下溫度燒結(jié)，而磁性體粉末的表面系數(shù)為10.0m2/g以上時(shí)，制造粉末很費(fèi)工夫，成本高。
另外，將導(dǎo)電體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為0.5m2/g以上是因?yàn)?，?dāng)磁性體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為1.0m2/g以上時(shí)，如果不將導(dǎo)電體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為0.5m2/g以上，則不能在兩者之間得到形成間隙141的收縮。
另外，將導(dǎo)電體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為5.0m2/g以下是因?yàn)?，?dāng)磁性體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為10.0m2/g以下時(shí)，若將導(dǎo)電體粉末的表面系數(shù)設(shè)定為5.0m2/g以下，則能夠在兩者之間為得到形成間隙141而產(chǎn)生足夠的收縮。
另外，根據(jù)上述制造方法，如圖42所示，能夠在構(gòu)成芯片11的磁性體內(nèi)形成基本均勻而互相連接的間隙。
從利用上述方法在構(gòu)成芯片11的磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙141的大量多層電感器137中取樣幾十個，將環(huán)氧樹脂加壓使其浸漬于這些多層電感器137內(nèi)部，再加熱使環(huán)氧樹脂熱硬化后將其斷裂，觀察其斷裂面，通過這樣確認(rèn)間隙141的存在。
另外，作為在形成芯片11的磁性體與上述內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙的方法有改變其收縮量的方法、改變表面系數(shù)的方法、改變材料粒徑的方法、使磁性片預(yù)先含有燒結(jié)時(shí)蒸發(fā)光的分解樹脂的方法及改變燒結(jié)條件的方法等。
另外，由于連接線圈112及端電極13a及13b的引出導(dǎo)體部分、特別是由第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體116a及116b組成的第2引出導(dǎo)體部分最容易因上述內(nèi)部變形而斷裂，因此最好至少在該第2引出導(dǎo)體周圍部分形成間隙。
下面說明本發(fā)明第17實(shí)施形態(tài)。
圖43所示為第17實(shí)施形態(tài)中多層電感器138的側(cè)面剖面圖。在圖中，與前述第16實(shí)施形態(tài)相同構(gòu)成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第16實(shí)施形態(tài)與第17實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，在構(gòu)成芯片11的磁性體內(nèi)部及磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙后，在該間隙內(nèi)浸漬合成樹脂142，再用多孔導(dǎo)電體形成端電極13a及13b，再在端電極13a及13b所含的細(xì)孔內(nèi)浸漬合成樹脂。在這里，所謂上述內(nèi)部導(dǎo)體是構(gòu)成線圈112、第1引出導(dǎo)體114a及114b、第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體(第2連接導(dǎo)體)116a及116b的導(dǎo)體。另外，所謂上述合成樹脂可以使用硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂等，但也可以使用除此之外的合成樹脂。
在利用上述第16實(shí)施形態(tài)中說明的制造方法制造的多層電感器137中，在構(gòu)成芯片11的磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間形成間隙，同時(shí)如圖44所示，在構(gòu)成芯片11的磁性體內(nèi)及端電極13a及13b內(nèi)部形成間隙。通過將合成樹脂浸漬于這些間隙內(nèi)能夠得到下面的效果。即通過將合成樹脂142浸漬于構(gòu)成芯片11的磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間的間隙內(nèi)，由于因上述間隙在芯片11內(nèi)部分浮動的內(nèi)部導(dǎo)體被固定，因此間隙內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體不會因外部沖擊或急劇變化的電磁力而振動，所以能夠防止內(nèi)部導(dǎo)體的金屬疲勞。通過這樣能夠提高電子元器件的可靠性。
另外，如圖44所示，一旦在構(gòu)成芯片11的磁性體143之間的間隙浸漬合成樹脂142，則提高了芯片11疊層方向的粘接強(qiáng)度，因此芯片11難以沿間隙剝離，能夠提高可靠性。
另外，由于用內(nèi)部間隙連續(xù)的細(xì)孔構(gòu)成的多孔材料形成端電極13a及13b，因此能夠通過端電極13a及13b使芯片11浸漬合成樹脂。通過這樣，容易在芯片11的間隙內(nèi)浸漬合成樹脂。
再有，由于用內(nèi)部間隙連續(xù)的細(xì)孔構(gòu)成的多孔材料形成端電極13a及13b，因此端電極13a及13b內(nèi)浸漬的合成樹脂與芯片11內(nèi)浸漬的合成樹脂連續(xù)連接，所以提高了端電極13a及13b相對于芯片11的機(jī)械連接強(qiáng)度。
為了制造上述多層電感器138，首先形成在第16實(shí)施形態(tài)中說明的多層電感器137。這時(shí)，作為端電極13a及13b用的銀糊膏使用下面組成的材料。
·銀粉末(為球狀粒子，平均粒徑為0.5μm) …70w％·玻璃料(ZnO-B2O3-SiO2) …4wt％·乙基纖維素(ethyl cellulose)…9wt％·乙酸二甘醇-丁醚(butyl carbitol acetate)與乙基二甘醇-乙醇(ethyl carbitol)混合液(1∶1) …13wt％由于采用上述組成的銀糊膏，端電極13a及13b構(gòu)成多孔狀，端電極13a及13b所含細(xì)孔從端電極13a及13b表面連通至芯片11表面。
然后，將用甲苯稀釋的硅酮樹脂液注入容器內(nèi)，將形成上述間隙的多層電感器137浸入該硅酮樹脂液中。再將該容器放入減壓容器內(nèi)，用真空泵減壓至30Toor，在該狀態(tài)下保持約10分鐘。經(jīng)過該處理，在磁性體間及磁性體與內(nèi)部導(dǎo)體之間的間隙浸漬了硅酮樹脂液。
接著，將該多層電感器從容器中取出，在200℃加熱1小時(shí)，使浸漬在間隙內(nèi)的硅酮樹脂硬化。
接著，將該多層電感器放入旋轉(zhuǎn)滾筒內(nèi)，將端電極13a及13b表面附著的硅酮樹脂去掉，對端電極13a及13b進(jìn)行電鍍，則完成多層電感器138。
由于一般合成樹脂不耐熱，因此如果不是在端電極13a及13b燒結(jié)后不能浸漬合成樹脂，但按照上述制造方法，由于利用多孔導(dǎo)電材料形成端電極13a及13b，因此即使在端電極13a及13b形成后也能夠使芯片11整體浸漬合成樹脂。
另外，由于連接線圈112及端電極13a及13b的引出導(dǎo)體部分、特別是由第1連接導(dǎo)體115a及115b和連接導(dǎo)體116a及116b組成的第2引出導(dǎo)體部分最容易因上述內(nèi)部變形而斷裂，因此最好至少在該第2引出導(dǎo)體周圍部分形成間隙再浸漬樹脂。
另外，在前述第1至第17實(shí)施形態(tài)中以多層電感器為例說明了多層型電子元器件，但本申請發(fā)明不限定于此，不用說若是在多層構(gòu)造芯片內(nèi)具有線圈的電子元器件，即使是復(fù)合電子元器件也能夠得到相同的效果。
另外，本發(fā)明能夠不離開其精神或主要特征而以其他的各種形式實(shí)施。因此前述實(shí)施例的所有各點(diǎn)不過只是舉例說明，不能限于上述解釋。本發(fā)明的范圍是根據(jù)權(quán)利要求所示的內(nèi)容，對于說明書文本沒有任何限制。再有，屬于權(quán)利要求書范圍的相同范圍的變形或變更全都是在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1．一種電子元器件，在具有長方體形狀的芯片內(nèi)埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設(shè)定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點(diǎn)相連直線上，同時(shí)從所述旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與所述端電極連接的引出導(dǎo)體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安放在基板上時(shí)至少即使反過來安放也保持所述線圈的旋繞軌跡及引出導(dǎo)體與基板之間的距離相同。
2．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成在相對于所述旋繞中心線通過的中心點(diǎn)的對稱位置。
3．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與所述旋繞中心線垂直。
4．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導(dǎo)體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
5．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導(dǎo)體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
6．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形。
7．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時(shí)從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意二條垂直直線的線對稱位置。
8．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于所述旋繞中心線通過的中心點(diǎn)的點(diǎn)對稱位置，同時(shí)所述引出導(dǎo)體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
9．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于所述旋繞中心線通過的中心點(diǎn)的點(diǎn)對稱位置，同時(shí)所述引出導(dǎo)體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
10．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成在相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與所述旋繞中心線垂直，同時(shí)所述引出導(dǎo)體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
11．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側(cè)面中的一個側(cè)面平行且與所述旋繞中心線垂直，同時(shí)所述引出導(dǎo)體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
12．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時(shí)從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意2條垂直直線的線對稱位置，連接所述線圈端及端電極的引出導(dǎo)體分別在芯片兩端在所述芯片截面對角線上且相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置至少配置2個。
13．如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時(shí)從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意2條垂直直線的線對稱位置。分別在芯片兩端將以所述線圈旋繞中心線為中心旋轉(zhuǎn)90度對稱的4個不同位置作為一組，所述引出導(dǎo)體形成于一組以上的位置。
14．一種電子元器件，在具有長方體形狀的芯片內(nèi)埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設(shè)定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點(diǎn)相連直線上，同時(shí)所述線圈兩端分別形成于以所述芯片中心點(diǎn)為基準(zhǔn)的互相對稱的位置，分別與所述線圈兩端連接的引出導(dǎo)體形成于以所述芯片中心點(diǎn)為基準(zhǔn)的互相對稱位置。
15．如權(quán)利要求14所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導(dǎo)體由位于所述旋繞中心線上一端與端電極連接的第1引出導(dǎo)體及連接該第1引出導(dǎo)體的另一端與線圈端的第2引出導(dǎo)體構(gòu)成。
16．如權(quán)利要求15所述的電子元器件，其特征在于，所述第2引出導(dǎo)體由相對于所述線圈旋繞中心線垂直的連接導(dǎo)體構(gòu)成。
17．如權(quán)利要求15所述的電子元器件，其特征在于，所述第2引出導(dǎo)體由與所述旋繞中心線平行的一端與線圈連接的第1連接導(dǎo)體及連接該第1連接導(dǎo)體的另一端與第1引出導(dǎo)體的另一端的第2連接導(dǎo)體構(gòu)成。
18．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導(dǎo)體形成與所述第1引出導(dǎo)體成鈍角相交的近似直線形狀。
19．如權(quán)利要求18所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構(gòu)成，所述第2連接導(dǎo)體通過將分段配置形成的通孔內(nèi)導(dǎo)體加以連接而形成。
20．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，形成的所述第2連接導(dǎo)體垂直于所述線圈旋繞中心線。
21．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導(dǎo)體形成相對于所述線圈旋繞中心線垂直的L字形狀。
22．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導(dǎo)體形成相對于所述線圈旋繞中心線垂直的I字形狀。
23．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1連接導(dǎo)體長度設(shè)定為大于所述第1引出導(dǎo)體長度。
24．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1連接導(dǎo)體長度設(shè)定為小于所述第1引出導(dǎo)體長度。
25．如權(quán)利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1引出導(dǎo)體的粗細(xì)設(shè)定為比所述第1連接導(dǎo)體的粗細(xì)要粗。
26．如權(quán)利要求15所述的電子元器件，其特征在于，在所述線圈及引出導(dǎo)體中至少所述第2引出導(dǎo)體與形成所述芯片的材料之間存在間隙。
27．如權(quán)利要求26所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極由多孔金屬構(gòu)成，在所述間隙中充填樹脂。
28．如權(quán)利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時(shí)所述第1引出導(dǎo)體長度設(shè)定成大于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
29．如權(quán)利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時(shí)所述第1引出導(dǎo)體長度設(shè)定成小于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
30．如權(quán)利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時(shí)所述第1引出導(dǎo)體長度設(shè)定成等于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
31．如權(quán)利要求1或14所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構(gòu)成，所述線圈采用若干連續(xù)2層以上配置的同一形狀線圈用內(nèi)部導(dǎo)體并排連接的內(nèi)部導(dǎo)體螺旋狀連接而成。
32．如權(quán)利要求1或14所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構(gòu)成，所述引出導(dǎo)體的至少與所述線圈旋繞中心線平行的部分利用連接通孔內(nèi)的導(dǎo)體而形成。
33．一種電子元器件，在具有圓柱形狀的芯片內(nèi)埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設(shè)定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點(diǎn)相連直線上，同時(shí)從所述旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與所述端電極連接的引出導(dǎo)體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安裝在基板上時(shí)至少即使反過來安裝也保持所述線圈的旋繞軌跡及引出導(dǎo)體與基板之間的距離相同。
34．如權(quán)利要求33所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡與所述旋繞中心線通過的中心點(diǎn)的距離在與所述旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中始終一定，而且連接所述線圈端與端電極的引出導(dǎo)體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
全文摘要
一種電子元器件,在具有長方體形狀的芯片71內(nèi)埋入的線圈72的旋轉(zhuǎn)中心線Y設(shè)定在形成端電極73a及73b的一對相對的呈正方形的芯片端面各中心點(diǎn)相連直線上,同時(shí)配置的線圈72使從旋繞中心線方向看的線圈72旋繞軌跡分別處于與線圈72旋繞中心線Y垂直的任意2條垂直直線的線對稱位置,連接線圈端與端電極73a及73b的引出導(dǎo)體74a及74b分別配置于芯片兩端的線圈72旋繞中心線上,這樣構(gòu)成的電子元器件具有的線圈不因安放方向不同其電感量不同。
文檔編號H01F17/00GK1222745SQ99100929
公開日1999年7月14日 申請日期1999年1月7日 優(yōu)先權(quán)日1998年1月8日
發(fā)明者巖尾秀美 申請人:太陽誘電株式會社