專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，更特定而言，涉及包含諧振電路的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子元器件，例如，已知有專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件。圖7是專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件的層疊體212的分解立體圖。層疊體212由電介質(zhì)層214 (214a 214f)經(jīng)層疊而構(gòu)成，并形成為長方體。層疊體212內(nèi)置有線圈L11、L12和電容器Cll C14。線圈L11、L12分別包括線圈導(dǎo)體層216a、 216b。電容器Cll包括電容器導(dǎo)體層218a、218d。電容器C12包括電容器導(dǎo)體層218b、218c。 電容器C13包括電容器導(dǎo)體層218d、218e。電容器C14包括電容器導(dǎo)體層218c、218e。如上所述的線圈Lll、L12和電容器Cll C14例如構(gòu)成噪聲濾波器。在專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件中，電介質(zhì)層214d包括第一電介質(zhì)部分220和第二電介質(zhì)部分222。第二電介質(zhì)部分222具有比第一電介質(zhì)部分220要高的相對介電常數(shù)。而且，將第二電介質(zhì)部分222設(shè)為電容層，從而電容器Cll C14具有較大的電容。在移動(dòng)電話和無線LAN等所使用的頻率的通頻帶下，如上所述的電子元器件顯示出良好的通過特性，在除此以外的頻率下，如上所述的電子元器件具有良好的衰減特性。另外，在該電子元器件中，由于電介質(zhì)部分222具有較高的相對介電常數(shù)，因此，易于在電容器Cll C14 中獲得較大的電容。因此，既能維持電容器Cll C14的電容，又能將其小型化，從而能將專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件小型化。然而，對于內(nèi)置有諧振電路的電子元器件，希望進(jìn)一步將其小型化。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2006-222691號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的在于，力圖實(shí)現(xiàn)內(nèi)置有諧振電路的電子元器件的小型化。本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的電子元器件的特征在于，包括層疊體，該層疊體由第一絕緣體層和第二絕緣體層經(jīng)層疊而形成，所述第一絕緣體層由第一電介質(zhì)材料所形成， 所述第二絕緣體層由相對介電常數(shù)比該第一電介質(zhì)材料要高的第二電介質(zhì)材料所形成；以及第一線圈，該第一線圈內(nèi)置于所述層疊體中，所述第一線圈包括線圈導(dǎo)體層，所述線圈導(dǎo)體層設(shè)置于由所述第二絕緣體層所形成的第一區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明，能力圖實(shí)現(xiàn)內(nèi)置有諧振電路的電子元器件的小型化。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件的外觀立體圖。圖2是圖1的電子元器件在A-A和B-B處的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖3是圖1的電子元器件的層疊體的分解立體圖。圖4是圖1的電子元器件的等效電路圖。
圖5是其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖6是其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖7是專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件的層疊體的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式下面，對本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件進(jìn)行說明。(電子元器件的結(jié)構(gòu))下面，參照附圖，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。 圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件10a、10b的外觀立體圖。圖2(a)是電子元器件IOa在A-A處的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖2(b)是電子元器件IOa在B-B處的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖3 是電子元器件IOa的層疊體12a的分解立體圖。圖4是電子元器件IOa的等效電路圖。在圖1和圖2中，ζ軸方向表示層疊方向。另外，χ軸方向表示沿電子元器件IOa的長邊的方向，y軸方向表示沿電子元器件IOa的短邊的方向。另外，χ軸方向、y軸方向、及ζ軸方向的正方向和負(fù)方向以層疊體12a的中心為基準(zhǔn)。電子元器件IOa例如作為使無線LAN等的2. 4GHz頻帶的高頻信號通過、并去除除此以外的頻帶的信號的濾波器來使用。如圖1所示，電子元器件IOa包括層疊體12a、 外部電極14(1 14d)、以及LC濾波器LCl。如圖2和圖3所示，層疊體12a由絕緣體層16 (16a 16ο)和18 (18a 18h)經(jīng)層疊而構(gòu)成，并形成為長方體形狀，所述絕緣體層 16 (16a 16ο)和18 (18a 18h)由陶瓷電介質(zhì)所形成。如圖1所示，外部電極1 設(shè)置于y軸方向的負(fù)方向側(cè)的側(cè)面(表面)上，作為輸入端子來使用。外部電極14b設(shè)置于y軸方向的正方向側(cè)的側(cè)面(表面)上，作為輸出端子來使用。外部電極14c設(shè)置于y軸方向的負(fù)方向側(cè)的側(cè)面(表面)上，作為接地端子來使用。外部電極14c設(shè)置于外部電極14a的1軸方向的負(fù)方向側(cè)。外部電極14d設(shè)置于y 軸方向的正方向側(cè)的側(cè)面(表面)上，作為接地端子來使用。外部電極14d設(shè)置于外部電極14b的χ軸方向的負(fù)方向側(cè)。絕緣體層16例如包括陶瓷電介質(zhì)等第一電介質(zhì)材料(例如，相對介電常數(shù)為5)。 絕緣體層18包括介電常數(shù)比絕緣體層16的第一電介質(zhì)材料要高的第二電介質(zhì)材料(例如，相對介電常數(shù)為50)。如圖2和圖3所示，LC濾波器LCl內(nèi)置于層疊體12a內(nèi)，是包括線圈Li、電容器 C1、C2、以及通孔導(dǎo)體b7 blO的諧振電路。線圈Ll包括線圈導(dǎo)體層2(K20a 20c)和通孔導(dǎo)體bl b6。電容器Cl包括電容器導(dǎo)體層22Q2b、22c)。電容器C2包括電容器導(dǎo)體層22(22a、22b、22c)。通孔導(dǎo)體b7 blO連接線圈Ll和電容器Cl。下面，參照圖2和圖3，對絕緣體層16、18、線圈導(dǎo)體層20、電容器導(dǎo)體層22、以及通孔導(dǎo)體bl blO的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。絕緣體層16a是由第一電介質(zhì)材料所構(gòu)成的長方形的層，設(shè)置于最靠近ζ軸方向的正方向一側(cè)。線圈導(dǎo)體層20a具有連接y軸方向兩側(cè)的長邊的直線部分、以及從該直線部分分岔出來的線圈部分。由于將直線部分引出至兩個(gè)長邊，因此，線圈導(dǎo)體層20a與外部電極 14a、14b相連接。另外，如圖3所示，在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈部分以與直線部分相連接的連接部分為起點(diǎn)而沿順時(shí)針盤旋。絕緣體層16d是長方形的層。絕緣體層18b設(shè)置于絕緣體層16d上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18b形成為與線圈導(dǎo)體層20a相一致的“ 口，，字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20a的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層16c位于絕緣體層16d上，并設(shè)置于未設(shè)置有絕緣體層18b的部分。而且，線圈導(dǎo)體層20a設(shè)置于絕緣體層18b上。由此，在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20a收于絕緣體層18b內(nèi)而不超出至絕緣體層16c。絕緣體層18a設(shè)置于絕緣體層18b和線圈導(dǎo)體層20a上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18a形成為與線圈導(dǎo)體層20a相一致的“ 口”字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20a 的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層16b設(shè)置于絕緣體層16c上。此外，絕緣體層18a和絕緣體層18b具有相同的形狀，絕緣體層16b和絕緣體層16c具有相同的形狀。由此，在沿ζ 軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20a收于絕緣體層18a內(nèi)而不超出至絕緣體層16b。將如上所述的絕緣體層16b 16d、18a、18b、以及線圈導(dǎo)體層20a進(jìn)行層疊，從而如圖2所示，利用絕緣體層18a、18b包圍線圈導(dǎo)體層20a。即，線圈導(dǎo)體層20a設(shè)置于由絕緣體層18a、18b(第二電介質(zhì)材料)所形成的區(qū)域El內(nèi)。另外，由于絕緣體層18a、18b形成為與線圈導(dǎo)體層20a相一致的形狀，因此，區(qū)域El也形成為與線圈導(dǎo)體層20a相一致的形狀。線圈導(dǎo)體層20b包括具有長方形線狀導(dǎo)體的一部分被切除的形狀的線圈部分。絕緣體層16g是長方形的層。絕緣體層18d設(shè)置于絕緣體層16g上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18d形成為與線圈導(dǎo)體層20b相一致的“ 口，，字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20b 的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層16f位于絕緣體層16g上，并設(shè)置于未設(shè)置有絕緣體層 18d的部分。而且，線圈導(dǎo)體層20b設(shè)置于絕緣體層18d上。由此，在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20b收于絕緣體層18d內(nèi)而不超出至絕緣體層16f。絕緣體層18c設(shè)置于絕緣體層18d和線圈導(dǎo)體層20b上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18c形成為與線圈導(dǎo)體層20b相一致的“ 口”字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20b 的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層16e設(shè)置于絕緣體層16f上。此外，絕緣體層18c和絕緣體層18d具有相同的形狀，絕緣體層16e和絕緣體層16f具有相同的形狀。由此，在沿ζ 軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20b收于絕緣體層18c內(nèi)而不超出至絕緣體層16e。將如上所述的絕緣體層16e 16g、18c、18d、以及線圈導(dǎo)體層20b進(jìn)行層疊，從而如圖2所示，利用絕緣體層18c、18d包圍線圈導(dǎo)體層20b。即，線圈導(dǎo)體層20b設(shè)置于由絕緣體層18c、18d(第二電介質(zhì)材料)所形成的區(qū)域El內(nèi)。另外，由于絕緣體層18c、18d形成為與線圈導(dǎo)體層20b相一致的形狀，因此，區(qū)域El也形成為與線圈導(dǎo)體層20b相一致的形狀。線圈導(dǎo)體層20c包括具有長方形線狀導(dǎo)體的一部分被切除的形狀的線圈部分。絕緣體層16j是長方形的層。絕緣體層18f設(shè)置于絕緣體層16j上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18f形成為與線圈導(dǎo)體層20c相一致的“ 口，，字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20c 的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層16i位于絕緣體層16j上，并設(shè)置于未設(shè)置有絕緣體層 18f的部分。而且，線圈導(dǎo)體層20c設(shè)置于絕緣體層18f上。由此，在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20c收于絕緣體層18f內(nèi)而不超出至絕緣體層16i。絕緣體層18e設(shè)置于絕緣體層18f和線圈導(dǎo)體層20c上。在沿ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，絕緣體層18e形成為與線圈導(dǎo)體層20c相一致的“ 口，，字形，并具有比線圈導(dǎo)體層20c 的線寬要寬的寬度。另外，絕緣體層1 設(shè)置于絕緣體層16i上。此外，絕緣體層18e和絕緣體層18f具有相同的形狀，絕緣體層1 和絕緣體層16i具有相同的形狀。由此，在沿ζ 軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體層20c收于絕緣體層18e內(nèi)而不超出至絕緣體層16h。將如上所述的絕緣體層16h 16j、18e、18f、以及線圈導(dǎo)體層20c進(jìn)行層疊，從而如圖2所示，利用絕緣體層18e、18f包圍線圈導(dǎo)體層20c。即，線圈導(dǎo)體層20c設(shè)置于由絕緣體層18e、18f (第二電介質(zhì)材料)所形成的區(qū)域El內(nèi)。另外，由于絕緣體層18e、18f形成為與線圈導(dǎo)體層20c相一致的形狀，因此，區(qū)域El也形成為與線圈導(dǎo)體層20c相一致的形狀。通孔導(dǎo)體bl b3分別沿ζ軸方向貫穿絕緣體層18b、16d、18c,以連接線圈導(dǎo)體層 20a、20b。具體而言，通孔導(dǎo)體bl與線圈導(dǎo)體層20a的線圈部分的端部相連接。另外，通孔導(dǎo)體b3與線圈導(dǎo)體層20b的端部相連接。通孔導(dǎo)體b4 M分別沿ζ軸方向貫穿絕緣體層18d、16g、18e,以連接線圈導(dǎo)體層 20b、20c。具體而言，通孔導(dǎo)體b4與線圈導(dǎo)體層20b的未與通孔導(dǎo)體b3相連接的一個(gè)端部相連接。另外，通孔導(dǎo)體M與線圈導(dǎo)體層20c的端部相連接。絕緣體層1 是長方形的層，設(shè)置于絕緣體層16j的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)。另外， 絕緣體層16η是長方形的層。電容器導(dǎo)體層22c是設(shè)置于絕緣體層16η上以覆蓋該絕緣體層16η的幾乎整個(gè)表面的長方形導(dǎo)體層。其中，將電容器導(dǎo)體層22c引出至絕緣體層16η 在y軸方向兩側(cè)的長邊，且在其他的部分上不與絕緣體層16η的外緣相接觸。由此，電容器導(dǎo)體層22c與外部電極14c、14d相連接。絕緣體層1 是設(shè)置于電容器導(dǎo)體層22c上的長方形的層。絕緣體層16m設(shè)置于絕緣體層18h的周圍。電容器導(dǎo)體層22b是設(shè)置于絕緣體層1 上的長方形的導(dǎo)體層。由此，如圖2所示，在被電容器導(dǎo)體層22b、22c所夾住的區(qū)域E3中，設(shè)置有由第二電介質(zhì)材料所形成的絕緣體層18h。絕緣體層18g具有電容器導(dǎo)體層22b的一半左右的大小，設(shè)置于電容器導(dǎo)體層22b 上。絕緣體層161設(shè)置于電容器導(dǎo)體層22b和絕緣體層16m上的、未設(shè)置有絕緣體層18g 的部分。電容器導(dǎo)體層2 是具有電容器導(dǎo)體層22b的一半左右的大小的長方形導(dǎo)體層， 設(shè)置于絕緣體層18g上。由此，如圖2所示，在被電容器導(dǎo)體層22a、22b所夾住的區(qū)域E3 中，設(shè)置有由第二電介質(zhì)材料所形成的絕緣體層18g。另外，將電容器導(dǎo)體層22a引出至絕緣體層161在y軸方向兩側(cè)的長邊，從而與外部電極14a、14b相連接。通孔導(dǎo)體b7 blO分別沿ζ軸方向貫穿絕緣體層18f、16j、16k、161。通孔導(dǎo)體 b7 blO連接線圈Ll和電容器Cl。具體而言，通孔導(dǎo)體b7與線圈導(dǎo)體層20c的未與通孔導(dǎo)體M相連接的一個(gè)端部相連接。另外，通孔導(dǎo)體blO與電容器導(dǎo)體層22b相連接。另外，絕緣體層16ο成為長方形，設(shè)置于最靠近ζ軸方向的負(fù)方向一側(cè)。此外，如圖2所示，線圈Ll和電容器C1、C2之間的區(qū)域E2的至少一部分包括絕緣體層16 j、16k (第一電介質(zhì)材料)。如圖4所示，具有如上所述結(jié)構(gòu)的電子元器件IOa構(gòu)成濾波器。更具體而言，線圈導(dǎo)體層20a的直線部分連接外部電極14a、14b。由此，如圖4所示，外部電極14a、14b之間通過布線相連接。另外，線圈導(dǎo)體層20a的線圈部分從直線部分分岔出來。而且，線圈導(dǎo)體層20a的線圈部分、線圈導(dǎo)體層20b、20c相互連接。由此，線圈Ll從連接外部電極14a、14b的布線分岔出來而進(jìn)行設(shè)置。另外，線圈導(dǎo)體層20c與電容器導(dǎo)體層22b通過通孔導(dǎo)體b7 blO相連接。而且， 電容器導(dǎo)體層22c與外部電極14c、14d相連接。由此，如圖4所示，線圈Ll和電容器Cl在連接外部電極14a、14b的布線與外部電極14c、14d之間串聯(lián)連接。而且，電容器導(dǎo)體層22a與外部電極14a、14b相連接，電容器導(dǎo)體層22c與外部電極14c、14d相連接。由此，如圖4所示，電容器C2連接在外部電極14a、14b與外部電極 14c、14d之間。即，電容器C2并聯(lián)連接于線圈Ll和電容器Cl。(電子元器件的制造方法)參照圖1及圖3，對具有如上所述結(jié)構(gòu)的電子元器件IOa的制造方法進(jìn)行說明。此外，以下，對制作一個(gè)電子元器件IOa的情況進(jìn)行說明，但實(shí)際上可以同時(shí)制作多個(gè)電子元器件10a。首先，準(zhǔn)備要成為絕緣體層16a、16d、16g、16j、16k、16n、160的陶瓷生片。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16d的陶瓷生片上涂布第二電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層18b的陶瓷生片層。利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16d的陶瓷生片上涂布第一電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層16c的陶瓷生片層。接著，在要成為絕緣體層16d、18b的陶瓷生片上形成通孔導(dǎo)體bl、b2。具體而言， 對要成為絕緣體層16d、18b的陶瓷生片照射激光束，以形成通孔。然后，對該通孔填充以Cu 等為主要成分的導(dǎo)體糊料。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層18b的陶瓷生片層上涂布以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，以形成線圈導(dǎo)體層20a。此外，也可以在形成線圈導(dǎo)體層20a時(shí)，將導(dǎo)電性糊料填充至要成為絕緣體層16d、18b的陶瓷生片的通孔中。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層18b的陶瓷生片層和線圈導(dǎo)體層20a上涂布第二電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層18a的陶瓷生片層。并且，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16c的陶瓷生片上涂布第一電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層16b的陶瓷生片層。利用上述工序完成圖3所示的陶瓷生片Si。另外，執(zhí)行相同的工序，從而能獲得陶瓷生片S2、S3。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16η的陶瓷生片上涂布以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，以形成電容器導(dǎo)體層22c。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在電容器導(dǎo)體層22c上涂布第二電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層1 的陶瓷生片層。并且，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16η的陶瓷生片上涂布第一電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層16m的陶瓷生片層。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層16m的陶瓷生片層上涂布以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，以形成電容器導(dǎo)體層22b。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在電容器導(dǎo)體層22b上涂布第二電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層18g的陶瓷生片層。接著，在電容器導(dǎo)體層22b和要成為絕緣體層16m的陶瓷生片層上涂布第一電介質(zhì)材料的糊料，以形成要成為絕緣體層161的陶瓷生片層。此時(shí)，在要成為絕緣層161的陶瓷生片層上形成通孔導(dǎo)體blO。具體而言，在形成要成為絕緣體層161的陶瓷生片層時(shí)，先形成通孔。然后，利用絲網(wǎng)印刷，對該通孔填充以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料。接著，利用絲網(wǎng)印刷，在要成為絕緣體層18g的陶瓷生片層上涂布以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，以形成電容器導(dǎo)體層22a。此外，也可以在形成電容器導(dǎo)體層2 時(shí)，將導(dǎo)電性糊料填充至要成為絕緣體層161的陶瓷生片層的通孔中。利用以上的工序，來完成陶瓷生片S4。接著，在要成為絕緣體層1 的陶瓷生片上形成通孔導(dǎo)體b9。具體而言，對要成為絕緣體層16k的陶瓷生片照射激光束，以形成通孔。然后，對該通孔填充以Cu等為主要成分的導(dǎo)體糊料。將具有如上所述結(jié)構(gòu)的陶瓷生片進(jìn)行層疊，以獲得層疊體12a。具體而言，配置要成為絕緣體層16ο的陶瓷生片。接著，在要成為絕緣體層16ο的陶瓷生片上層疊陶瓷生片 S4，并進(jìn)行預(yù)壓接。之后，對要成為絕緣體層16k的陶瓷生片、陶瓷生片S3、S2、Si、及要成為絕緣體層16a的陶瓷生片，也按照該順序進(jìn)行層疊和預(yù)壓接。由此，能獲得未燒成的層疊體12a。通過靜水壓沖壓等對未燒成的層疊體1 實(shí)施正式壓接。并且，對未燒成的層疊體 12a進(jìn)行脫粘合劑處理和燒成。通過以上工序，能獲得燒成的層疊體12a。對層疊體1 實(shí)施滾光筒加工，并進(jìn)行倒角。之后，利用例如浸漬法等方法，在層疊體1 的表面上涂布主要成分為銅的電極糊料并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成要成為外部電極14的銅電極。最后，對銅電極的表面實(shí)施鍍Ni/鍍Sn，從而形成外部電極14。經(jīng)過以上的工序， 完成圖1所示的電子元器件10a。此外，在同時(shí)制作多個(gè)電子元器件IOa的情況下，層疊大尺寸的陶瓷生片，以制作母層疊體。然后，將該母層疊體進(jìn)行切割，從而獲得層疊體。(效果)根據(jù)具有如上所述結(jié)構(gòu)的電子元器件10a，如以下所說明的那樣，能力圖實(shí)現(xiàn)內(nèi)置有諧振電路的電子元器件IOa的小型化。更詳細(xì)而言，在專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件中，如圖7所示，具有較高的相對介電常數(shù)的第二電介質(zhì)部分222形成電容器Cll C14的電容層。由此，易于在電容器Cll C14中獲得較大的電容。因此，能容易地將電容器Cll C14小型化，從而能將專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件小型化。然而，在線圈Lll、L12的周圍，存在具有較低的相對介電常數(shù)的第一電介質(zhì)部分 220。在線圈L11、L12中前進(jìn)的高頻信號的傳輸速度與相對介電常數(shù)成反比。由此，在線圈 LlU L12中前進(jìn)的高頻信號的傳輸速度會變得較大。其結(jié)果是，該高頻信號的波長會變得較長。若高頻信號的波長變長，則在利用線圈Lll、L12和電容器Cll C14構(gòu)成諧振電路時(shí)，需要延長線圈L11、L12的線路長度。其結(jié)果是，專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件會變得大型化。因此，在電子元器件IOa中，將線圈導(dǎo)體層20a 20c設(shè)置于由絕緣體層18(第二電介質(zhì)層)所形成的區(qū)域El內(nèi)。即，線圈導(dǎo)體層20a 20c被具有較高的相對介電常數(shù)的第二電介質(zhì)層所包圍。因此，在線圈導(dǎo)體層20a 20c中前進(jìn)的高頻信號的傳輸速度會減小。由此，在線圈導(dǎo)體層20a 20c中前進(jìn)的高頻信號的波長會變短。其結(jié)果是，在利用線圈Ll和電容器Cl構(gòu)成諧振電路時(shí)，能縮短線圈Ll的線路長度。即，能力圖實(shí)現(xiàn)電子元器件IOa的小型化。另外，在電子元器件IOa中，能將線圈Ll自身的諧振頻率低頻化。更詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體層20a 20c被第二電介質(zhì)層所包圍。因此，線圈導(dǎo)體層20a 20c之間的寄生電容會增大。線圈Ll自身的諧振頻率反比于線圈Ll的電感值與線圈Ll的寄生電容之積的平方根。由此，在電子元器件IOa中，若線圈導(dǎo)體層20a 20c之間的寄生電容增大，則線圈Ll自身的諧振頻率會降低。另夕卜，在電子元器件IOa中，能減小線圈Ll與電容器Cl、C2之間的寄生電容。更詳細(xì)而言，如圖2所示，線圈Ll與電容器C1、C2之間的區(qū)域E2的至少一部分包括相對介電常數(shù)比第一電介質(zhì)材料要低的絕緣體層16j、16k(第一電介質(zhì)材料)。由此，在電子元器件 IOa中，能減小線圈Ll與電容器C1、C2之間的寄生電容。其結(jié)果是，能抑制線圈Ll的Q值降低，并能提高電子元器件10自身的諧振頻率。如上所述，根據(jù)電子元器件10，能容易地對電子元器件10的可使用頻帶進(jìn)行調(diào)整。另外，在電子元器件IOa中，如以下所說明的那樣，能抑制制造成本的上漲。更詳細(xì)而言，在電子元器件IOa的制造方法中，對要成為絕緣體層16a、16d、16g、16j、16k、16n、 16ο的陶瓷生片實(shí)施絲網(wǎng)印刷，從而形成要成為絕緣體層16、18的陶瓷生片層、線圈導(dǎo)體層 20、以及電容器導(dǎo)體層22。因此，只要準(zhǔn)備一種陶瓷生片就夠了。其結(jié)果是，在電子元器件 IOa中，與需要準(zhǔn)備多種陶瓷生片的電子元器件相比，能抑制制造成本的上漲。另外，電容器Cl、C2的電容層包括由相對介電常數(shù)較高的第二電介質(zhì)材料所形成的絕緣體層18。因此，在電子元器件IOa中，易于增大電容器C1、C2的電容。其結(jié)果是，由于既能維持電容器Cl、C2的電容，又能使電容器Cl、C2變小，因此，能力圖實(shí)現(xiàn)電子元器件 IOa的小型化。(其它實(shí)施方式)本發(fā)明申請所涉及的電子元器件并不限于所述電子元器件10a，也可以在其要點(diǎn)范圍內(nèi)進(jìn)行變更。下面，參照附圖，對其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件IOb進(jìn)行說明。圖 5是其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件IOb的剖視結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示，電子元器件IOb與電子元器件IOa的不同之處在于，電子元器件IOb 設(shè)置有接地導(dǎo)體層對。接地導(dǎo)體層M是在ζ軸方向上設(shè)置于線圈Ll與電容器Cl、C2之間的導(dǎo)體層，并與外部電極14c、14d相連接。由此，能提高線圈Ll與電容器Cl、C2之間的隔離性。此外，也可以設(shè)置與外部電極14c、14d相連接的布線或通孔導(dǎo)體來代替接地導(dǎo)體層24。接著，參照附圖，對其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件IOc進(jìn)行說明。圖6是其他實(shí)施方式所涉及的電子元器件IOc的剖視結(jié)構(gòu)圖。電子元器件IOc與電子元器件IOa的不同之處在于，電子元器件IOc設(shè)置有LC濾波器LC2。LC濾波器LCl使2. 4GHz頻帶的高頻信號通過。另一方面，LC濾波器LC2具有比LC濾波器LC2要高的諧振頻率，使5GHz頻帶的高頻信號通過。然后，利用LC濾波器LCl 和LC濾波器LC2構(gòu)成分配器。如圖6所示，LC濾波器LC2包括線圈L2和電容器C3。線圈L2包括線圈導(dǎo)體層 30a、30b和未圖示的通孔導(dǎo)體。另外，電容器C3包括電容器導(dǎo)體層32a、32b。而且，線圈L2和電容器C3通過未圖示的通孔導(dǎo)體相連接。這里，如上所述，LC濾波器LC2具有比LC濾波器LCl要高的諧振頻率。因此，無需將LC濾波器LC2的線圈L2自身的諧振頻率降低至LC濾波器LCl的線圈L2自身的諧振頻率左右。因而，將構(gòu)成線圈L2的線圈導(dǎo)體層30a、30b設(shè)置于由相對介電常數(shù)比第二電介質(zhì)材料要低的第一電介質(zhì)材料所形成的區(qū)域E4內(nèi)。工業(yè)上的實(shí)用性 本發(fā)明對于電子元器件是有用的，特別在能力圖實(shí)現(xiàn)內(nèi)置有諧振電路的電子元器件的小型化這一點(diǎn)上較為優(yōu)異。標(biāo)號說明
LCl、！X2LC濾波器
Cl -一 C3電容器
Li、L2線圈
bl -一 blO通孔導(dǎo)體
IOa IOc電子元器件
12a 12c層疊體
14a 14d外部電極
16a 16o、18a 18h 絕緣體層
20a 20c、30a、30b 線圈導(dǎo)體層
22a 22c、32a、32b 電容器導(dǎo)體,
24接地導(dǎo)體層
El -一 E4區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體由第一絕緣體層和第二絕緣體層經(jīng)層疊而形成，所述第一絕緣體層由第一電介質(zhì)材料所形成，所述第二絕緣體層由相對介電常數(shù)比該第一電介質(zhì)材料要高的第二電介質(zhì)材料所形成；以及第一線圈，該第一線圈內(nèi)置于所述層疊體中， 所述第一線圈包括線圈導(dǎo)體層，所述線圈導(dǎo)體層設(shè)置于由所述第二絕緣體層所形成的第一區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于， 所述第一區(qū)域形成為與所述線圈導(dǎo)體層相一致的形狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子元器件，其特征在于，所述電子元器件還包括第一電容器，該第一電容器內(nèi)置于所述層疊體中， 所述第一線圈和所述第一電容器構(gòu)成第一諧振電路。
4.如權(quán)利要求3所述的電子元器件，其特征在于，所述第一線圈與所述第一電容器之間的第二區(qū)域的至少一部分包括所述第一絕緣體層。
5.如權(quán)利要求3或4所述的電子元器件，其特征在于， 所述第一電容器包括多個(gè)電容器導(dǎo)體層，在由所述電容器導(dǎo)體層所夾住的第三區(qū)域中，設(shè)置有所述第二絕緣體層。
6.如權(quán)利要求3至5的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，所述電子元器件還包括通孔導(dǎo)體，該通孔導(dǎo)體連接所述第一線圈與所述第一電容器。
7.如權(quán)利要求3至6的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，所述層疊體還包括第二諧振電路，該第二諧振電路包括第二線圈和第二電容器，并具有比所述第一諧振電路要高的諧振頻率，所述第二線圈設(shè)置于由所述第一絕緣體層所形成的第四區(qū)域內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明力圖實(shí)現(xiàn)內(nèi)置有諧振電路的電子元器件的小型化。層疊體(12a)由絕緣體層(16)和第二絕緣體層(18)經(jīng)層疊而形成，所述絕緣體層(16)由第一電介質(zhì)材料所形成，所述第二絕緣體層(18)由相對介電常數(shù)比該第一電介質(zhì)材料要高的第二電介質(zhì)材料所形成。LC濾波器(LC1)包括內(nèi)置于層疊體(12a)的線圈(L1)和電容器(C1)。線圈(L1)包括設(shè)置于絕緣體層(18)上的線圈導(dǎo)體層(20)。線圈導(dǎo)體層(20)設(shè)置于由絕緣體層(18)所形成的區(qū)域(E1)內(nèi)。
文檔編號H01P7/08GK102349189SQ20108001266
公開日2012年2月8日 申請日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者增田博志, 森隆浩 申請人:株式會社村田制作所