專利名稱：集成電路的自動焊接封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的自動焊接封裝方法，特別是一種可降低封裝作業(yè)復(fù)雜度及可提高作業(yè)效率的TAB(TAPE AUTOMATED BONDING)包裝型式的集成電路的自動焊接封裝方法封裝方法。
現(xiàn)今TAB集成電路封裝型式，是一種可形成較表面黏著(SMT)封裝更窄的接腳間距T(PITCH)(約在0.25～0.3mm)的集成電路外包型裝型態(tài)，以令集成電路的封裝體積大幅縮小，但是現(xiàn)有的TAB封裝方式上，存在制程過于復(fù)雜、作業(yè)緩慢與良率低的各項(xiàng)缺點(diǎn)，現(xiàn)概略說明其制程如下。
如圖2A～J所示，在圖2A中，首先是進(jìn)行一″單面干膜線路形成″的步驟，此步驟是在附著有銅箔71的軟板70上覆蓋干膜72，然后于圖2B的″填充膠蝕銅作線路″的步驟，是在該軟板70的中央的凹孔內(nèi)填入″填充膠73″以在適當(dāng)?shù)闹巫饔孟?，再對該未被干?2覆蓋的位置進(jìn)行下方銅箔71的蝕刻，以使銅箔71轉(zhuǎn)變?yōu)榫€路，其次，如圖2C所示，去除覆蓋在外表面的干膜72，而在圖2D的″壓合聚醯氨膜″的步驟中，則對已形成線路的銅箔進(jìn)行覆蓋聚醯氨膜74，以使銅箔71完全包覆于內(nèi)，其次，則是如圖2E的壓合一蝕刻膜75(干膜)，以供進(jìn)行如圖2F的對前述聚醯氨膜74外露的部份蝕刻，以形成可與內(nèi)層銅箔71回路連通的接點(diǎn)(供做為后續(xù)結(jié)合錫球之用)，在圖2G中，是去除前述蝕刻膜75及去除填充于該底層的軟板70中央的填充膠73，并同時進(jìn)行濺鍍形成，如圖面中央朝下延伸的凸點(diǎn)77(供焊接晶片接點(diǎn)之用)，之后，是如圖2H所示，于底面外圍附加一補(bǔ)強(qiáng)板76(硬板)，以補(bǔ)強(qiáng)整個結(jié)構(gòu)強(qiáng)度后，再進(jìn)行如圖2I、J的進(jìn)行植入晶片80、灌膠形成覆蓋于晶片外圍的保護(hù)膠90以及于上表面各外露的銅箔位置進(jìn)行焊接錫球91，以完成TAB封裝作業(yè)。
以上述傳統(tǒng)的焊接封裝方法，存在如下各項(xiàng)缺點(diǎn)(1)制程實(shí)施較為困難在圖2A～G的制程中，均僅以位于底面的軟板70做為基板，在操作上較為困難且不易實(shí)施，其整個制程亦較為復(fù)雜。
(2)作業(yè)速度緩慢其以濺鍍方式形成凸點(diǎn)，制程速度較為緩慢，且濺鍍機(jī)臺昂貴，機(jī)具成本投資較高。
(3)于制作完成后更須附加一補(bǔ)強(qiáng)板做為支撐，導(dǎo)致作業(yè)復(fù)雜度增加。
(4)附加的補(bǔ)強(qiáng)板與線路距離較遠(yuǎn)，封裝電性較差。
(5)無法形成細(xì)線路僅使用干膜蝕刻銅箔的線路形成方式，無法提供極細(xì)線路的高密度，使得包裝密度受到相當(dāng)限制。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種制程實(shí)施簡便的集成電路的自動焊接封裝方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用電鍍法形成線路的集成電路的硬式條帶自動焊接封裝方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案本發(fā)明的方法，其主要步驟依序是以單面線路鍍鎳銅、選擇性鍍鎳金、壓合絕緣層及薄金屬板、去除干膜、填膠壓膜蝕銅作綠漆、去膜除膠、植晶片、灌膠與植球等作業(yè)來完成。
本方法中，單面線路鍍鎳銅的步驟中，是在一銅片上覆干膜與進(jìn)行電鍍鎳、銅材料形成突起的線路電鍍層，此電鍍形成線路的方式，可獲得極細(xì)的線寬效果，有著提高線路密度的積極效果。
本發(fā)明的封裝方法中選擇性鍍鎳金的步驟，亦是以覆干膜與形成可供與晶片焊接的電鍍凸點(diǎn)，這樣可免除傳統(tǒng)制程的濺鍍形成凸點(diǎn)的作業(yè)速度過度緩慢與機(jī)具投資過大的缺點(diǎn)。
本方法中，其于作業(yè)期間均有銅片支撐而解決制程作業(yè)的不便，凸點(diǎn)是采用較具效率的電鍍方式直接形成，另于制程中使用直接壓合薄金屬板的方式，可解決現(xiàn)有制程于后續(xù)工作中再額外附加補(bǔ)強(qiáng)板的復(fù)雜度，再者，形成線路的方式亦是運(yùn)用電鍍形成電鍍層的方式進(jìn)行，使得線路可達(dá)到極細(xì)線寬的高密度效果，以形成一種制程效率佳、無需濺鍍作業(yè)、制程實(shí)施較為簡便且可獲得細(xì)線路效果的硬式TAB封裝方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案可綜述如下本發(fā)明的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于，包括以下步驟a.在銅片上單面覆干膜與電鍍形成線路電鍍層；b.在表面再覆蓋另一干膜，而在電鍍層的局部位置再電鍍形成電鍍凸點(diǎn)；c.去除所有干膜；d.壓合絕緣層與金屬板；e.填膠料于該形成電鍍凸點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)，并蝕刻去除所述銅片而使電鍍層外露與在所述電鍍層外露的區(qū)域涂布綠漆；f.去除所述膠料；g.依次進(jìn)行安裝晶片、灌膠與結(jié)合錫球。
所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述電鍍層是依序以鍍鎳及鍍銅兩種材料疊合而成。
所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述電鍍凸點(diǎn)是以鍍鎳及鍍金兩種材料疊合而成。
本發(fā)明可歸納具有如下效果(1)可制出細(xì)線路線路是運(yùn)用銅片上電鍍形成線路電鍍層，可獲得精準(zhǔn)、穩(wěn)定的線路且達(dá)到細(xì)線寬的效果，可符合高密度的要求。
(2)于作業(yè)期間以銅片為支撐，作業(yè)較為簡便無傳統(tǒng)軟板上作業(yè)的不便性。
(3)金屬凸點(diǎn)形成方式簡便迅速其是使用電鍍方式形成，無需額外機(jī)具的投資費(fèi)用，且無傳統(tǒng)濺鍍作業(yè)的耗時與不便現(xiàn)象。
(4)在前段步驟即采用壓合形成薄金屬板，較為精準(zhǔn)、簡便解決傳統(tǒng)于薄膜作業(yè)完成后另需額外附加補(bǔ)強(qiáng)板的不便性。
(5)壓合薄金屬板是提供較佳的封裝電性壓合的薄金屬板是與線路相當(dāng)接近，具有良好的訊號隔離及電性能。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)特征。
附圖簡要說明

圖1A～I(xiàn)是本發(fā)明的制法流程示意圖。
圖2A～J是傳統(tǒng)制程的制法流程示意圖。
如圖1A～I(xiàn)所示，其是本發(fā)明的封裝流程剖面示意圖，依序以一單面干膜線路鍍鎳銅的步驟、一選擇性鍍鎳金作凸點(diǎn)的步驟、一壓合絕緣層及薄金屬板的步驟、一去除干膜的步驟、一填膠壓膜蝕銅作綠漆的步驟、一去膜除膠的步驟、一安裝晶片的步驟、一灌膠的步驟以及一植錫球等步驟所組成，其中，在圖1A的單面干膜線路鍍鎳銅的步驟中，是在一銅片10上進(jìn)行覆蓋干膜11，并在未被干膜11覆蓋的位置依序進(jìn)行電鍍形成電鍍鎳與電鍍銅所疊合而成的電鍍層12，此電鍍層12形成后，即為線路部份，其次，在圖1B的″選擇性鍍鎳金作凸點(diǎn)″的步驟中，是在上、下表面覆蓋另一干膜111，而僅在接近頂面的中央位置形成缺口112，此時，即可對該缺口112位置進(jìn)行電鍍鎳及電鍍金的步驟，而該缺口112位置形成電鍍凸點(diǎn)13，其次，在圖1C的″去除干膜″的步驟中，則是去除圖1B的兩層干膜11、111，而僅留下前述的銅片10、電鍍層12以及電鍍凸點(diǎn)13等構(gòu)造，在圖1D的″壓合絕緣層與壓合薄金屬板″的步驟中，是在中央位置留下空孔，而外圍位置依序壓合一絕緣層20(可為樹脂材料)以及一薄金屬板30(厚度可設(shè)為約0.5mm)，于此壓合步驟后，即直接賦予其適當(dāng)?shù)闹瘟Γ趫D1E的″填膠壓膜蝕銅作綠漆″的步驟中，是在該圖1D的凹孔內(nèi)填入膠料40，以保護(hù)該電鍍凸點(diǎn)13不致受損，于填膠完成后，則進(jìn)行蝕刻去除該原位在底層的銅片10部份，而僅留下電鍍層12部位，并于適當(dāng)處上綠漆50以防止氧化，在圖1F的″去膜除膠″的步驟中，是去除前述填入的膠料40而使得中央位置呈中空狀態(tài)，后續(xù)的圖1G～I(xiàn)，是類似于傳統(tǒng)方式，依序進(jìn)行安裝晶片60、灌膠形成覆蓋在外圍的保護(hù)膠61以及植入錫球62等步驟，以完成整個封裝流程。
在前述圖1A的形成單面線路的步驟中，是使用銅片干膜電鍍方式形成線路，即可獲得極細(xì)與高密度線路的效果，此制程比傳統(tǒng)蝕刻方式優(yōu)異，而圖1B的選擇性鍍鎳金而形成電鍍凸點(diǎn)的電鍍步驟中，僅以電鍍方式即可形成電鍍凸點(diǎn)，不僅可有效地解決傳統(tǒng)濺鍍形成金屬凸點(diǎn)的作業(yè)復(fù)雜度及作業(yè)速度緩慢的缺點(diǎn)，更無需額外機(jī)具輔助作業(yè)的不便性，相形之下，比傳統(tǒng)方法更具進(jìn)步性，在圖1D中是采用一次直接壓合薄金屬板30而免除傳統(tǒng)制程于最后的步驟再予附加補(bǔ)強(qiáng)板的不便性，故有較為準(zhǔn)確與較為簡便的優(yōu)點(diǎn)，且此薄金屬板30更以極薄的絕緣層20與線路電鍍層12相互隔開，其間距離相當(dāng)接近，更有提高封裝電性的效果(以薄金屬板視為接地層時)，而為一確具改良進(jìn)步性的TAB封裝方法。
權(quán)利要求
1·一種集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于，包括以下步驟a.在銅片上單面覆干膜與電鍍形成線路電鍍層；b.在表面再覆蓋另一干膜，而在電鍍層的局部位置再電鍍形成電鍍凸點(diǎn)；c.去除所有干膜；d.壓合絕緣層與金屬板；e.填膠料于該形成電鍍凸點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)，并蝕刻去除所述銅片而使電鍍層外露與在所述電鍍層外露的區(qū)域涂布綠漆；f.去除所述膠料；g.依次進(jìn)行安裝晶片、灌膠與結(jié)合錫球。
2·根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述電鍍層是依序以鍍鎳及鍍銅兩種材料疊合而成。
3·根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述電鍍凸點(diǎn)是以鍍鎳及鍍金兩種材料疊合而成。
4·根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述絕緣層為樹脂材料。
5·根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述金屬板的厚度約0.5mm。
6·根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的自動焊接封裝方法，其特征在于所述絕緣層及金屬板位于所述銅片的外圍位置，中央形成一凹陷孔。
全文摘要
一種集成電器的自動焊接封裝方法,其封裝方式上,主要是由單面線路鍍鎳銅、選擇性鍍鎳金、去除干膜、壓合絕緣層及薄金屬板、填膠壓膜蝕銅作綠漆、去膜除膠、植晶片、灌膠與植球等步驟組成,其中,形成單面線路的電鍍作業(yè)可獲得極細(xì)的線路,因此比傳統(tǒng)蝕刻形成的線路更為精確且可達(dá)到更細(xì)線寬要求,而選擇性鍍鎳金形成供晶片連結(jié)的電鍍凸點(diǎn),可改善傳統(tǒng)濺鍍形成凸點(diǎn)的作業(yè)緩慢問題。
文檔編號H01L21/50GK1190259SQ97100710
公開日1998年8月12日 申請日期1997年2月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月4日
發(fā)明者林定皓 申請人:華通電腦股份有限公司