本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光元件、背光源模組及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

在顯示模塊中，背光源為顯示模塊提供光，由背光源發(fā)出的光線透過所述顯示模塊，從而使所述顯示模塊顯像。背光源被廣泛用在電子設(shè)備中，如手機、平板電腦、電腦、電視等產(chǎn)品。

現(xiàn)有的背光源包括導(dǎo)光板、反射板及位于導(dǎo)光板一側(cè)的發(fā)光元件，發(fā)光元件發(fā)出的光經(jīng)導(dǎo)光板形成面光源，再經(jīng)反射板將光反射，為顯示模塊提供光。其中，發(fā)光元件由多個獨立封裝的光源(LED芯片加熒光粉)組成，每個LED芯片呈角度發(fā)光，會在相鄰LED芯片之間存在“暗區(qū)”，從而影響背光源出光區(qū)域亮度的均一性，進而使得電子設(shè)備的顯示效果。

為提供背光源出光區(qū)域亮度的均一性，導(dǎo)光板的改進成為研究重點。然而通過改進導(dǎo)光板的方式，達(dá)到的效果有限，仍然無法滿足需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有背光源出光區(qū)域亮度的均一性差的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種發(fā)光元件、背光源模組及電子設(shè)備。

本實用新型解決技術(shù)問題的方案是提供一種發(fā)光元件，呈長條形，所述發(fā)光元件包括發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括多個LED芯片、熒光層和基板；所述LED芯片設(shè)于所述基板上，多個所述LED芯片間隔設(shè)置，所述熒光層覆蓋多個LED芯片以及LED芯片之間的間隔區(qū)域，發(fā)光元件的長寬比為(80-140)：1。

優(yōu)選地，所述熒光層的厚度比所述LED芯片的厚度大0.05-0.2mm。

優(yōu)選地，所述熒光層11的厚度D1為0.15-1mm，所述基板的厚度為0.1-1.2mm。

優(yōu)選地，所述發(fā)光元件包括一個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元中多個所述LED芯片沿?zé)晒鈱娱L度方向排布，所述LED芯片長度為0.8-1.6mm，位于兩端的LED芯片與熒光層的端面之間的距離為0.5-2.5mm。

優(yōu)選地，多個所述LED芯片等間距設(shè)置，相鄰兩個LED芯片之間的距離為1.5-3.5mm。

優(yōu)選地，所述LED芯片包括電極面，所述電極面設(shè)有第一電極和第二電極，所述基板上設(shè)有多個相間的導(dǎo)電塊；所述第一電極和第二電極與基板上的導(dǎo)電塊相連，且第一電極和第二電極所連接的導(dǎo)電塊不同。

優(yōu)選地，所述發(fā)光元件還包括柔性電路板，所述基板遠(yuǎn)離熒光層的一側(cè)焊接在所述柔性電路板上。

本實用新型還提供一種背光源模組，包括上述的發(fā)光元件。

優(yōu)選地，所述背光源模組還包括導(dǎo)光板，所述發(fā)光元件位于導(dǎo)光板一側(cè)，所述發(fā)光元件的長度與該發(fā)光元件所在導(dǎo)光板一側(cè)的長度之間的比例為1:(1-1.2)；所述發(fā)光元件與所述導(dǎo)光板相接觸。

本實用新型還提供一種電子設(shè)備，包括上述的發(fā)光元件。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型所提供的發(fā)光元件為整面發(fā)光，從光源的根本問題出發(fā)，解決了傳統(tǒng)光源存在“暗區(qū)”的問題，從而保證出光亮度的均一性；并且該發(fā)光元件出光均勻，亮度高，發(fā)光單元的光效和光通率均能得到大幅提升；具體的，該發(fā)光元件的光通量能達(dá)到90-100lm，光效提升了1/3-1/2。此外，由于該發(fā)光元件在其發(fā)光區(qū)域整體發(fā)光強度均一性好，也就是在邊緣部分也無暗區(qū)，利用所述發(fā)光元件能得到窄邊框甚至無邊框的電子設(shè)備。

本實用新型還提供一種背光源模組，包括上述的發(fā)光元件，該背光源模組亮度均勻且強度高。

本實用新型還提供一種電子設(shè)備，包括上述的發(fā)光元件，顯示效果好，且能有效降低所述電子設(shè)備中顯示裝置的邊框?qū)挾?，甚至達(dá)到無邊框的效果。

【附圖說明】

圖1是本實用新型發(fā)光元件的主視示意圖。

圖2是圖1中A處的放大示意圖。

圖3是本實用新型發(fā)光元件與光接受體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本實用新型發(fā)光元件的俯視示意圖。

圖5是圖1中B處的放大示意圖。

圖6是圖4中C-C剖視示意圖。

圖7是圖6中E處的放大示意圖。

圖8是本實用新型優(yōu)選實施例中發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本實用新型變形實施例中發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本實用新型發(fā)光元件的制備方法的流程圖。

圖11是本實用新型發(fā)光元件的制備方法中步驟S 2的流程圖。

圖12是本實用新型背光源模組的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

為了使本實用新型的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施實例，對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

如圖1所示，一種發(fā)光元件1，該發(fā)光元件1呈長條形。所述發(fā)光元件1包括發(fā)光單元10，所述發(fā)光單元10包括至少二LED芯片12、熒光層11和基板13。所述LED芯片12設(shè)于所述基板13上，所述熒光層11覆蓋至少二LED芯片12及所述基板13設(shè)有LED芯片12的表面，也就是說所述熒光層11覆蓋至少二LED芯片12及LED芯片之間的間隔區(qū)域，該基板13為所述熒光層11和LED芯片12提供基層載體。所述LED芯片12發(fā)出的光經(jīng)所述熒光層11轉(zhuǎn)換后整體發(fā)光。請一并參閱圖2，所述熒光層11遠(yuǎn)離所述基板13的表面為所述發(fā)光元件1的主發(fā)光面101，可以理解，在其側(cè)面形成側(cè)發(fā)光面102。也就是發(fā)光元件1主發(fā)光面101所發(fā)出的光沿圖中y軸方向射出。

請一并參閱圖3，所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101的面積與光接受體4入光面401的面積之間的比例為(0.8-1):1。并且使用本實用新型的發(fā)光元件1，該比例最佳可以達(dá)到1:1。一般來說，當(dāng)該發(fā)光元件1用在邊側(cè)式的背光源模組中時，所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101與所述光接受體4入光面401相接觸。在圖3中是為清楚的展示發(fā)光元件1主發(fā)光面101和所述光接受體4入光面401，也就是在實際設(shè)置中，所述光接受體4沿箭頭P所述方向移動，使得所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101與所述光接受體4入光面401相接觸。也就是所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101與所述光接受體4入光面401相對應(yīng)，因此前文所述的所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101的面積與光接受體4入光面401的面積之間的比例為(0.8-1):1，可以理解為，當(dāng)所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101與所述光接受體4入光面401相對應(yīng)時，所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101的面積可以占到所述光接受體4入光面401的面積的80-100％。需要說明的是，在實際應(yīng)用時，由于制造過程會產(chǎn)生誤差，因此在10％的誤差范圍內(nèi)，即所述發(fā)光元件1主發(fā)光面101的面積與光接受體4入光面401的面積之間的比例處于(0.72-1.1):1的范圍內(nèi)時，也應(yīng)在本實用新型的保護范圍內(nèi)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，即多個獨立封裝的光源，由于其之間有間隔，其發(fā)光面與光接受體4的入光面無法完全匹配，從而形成“暗區(qū)”。而本實用新型所提供的發(fā)光元件1為整面發(fā)光，從光源的根本問題出發(fā)，解決了傳統(tǒng)光源存在“暗區(qū)”的問題，從而保證出光亮度的均一性；并且該發(fā)光元件1出光均勻，亮度高，發(fā)光元件1的光效和光通率均能得到大幅提升；具體的，該發(fā)光元件1的光通量能達(dá)到90-100lm，光效提升了1/3-1/2。此外，由于該發(fā)光元件1在其發(fā)光區(qū)域整體發(fā)光強度均一性好，也就是在邊緣部分也無暗區(qū)，利用所述發(fā)光元件能得到窄邊框甚至無邊框的電子設(shè)備。

由于本發(fā)光元件1呈長條形，即發(fā)出的為條形光源。而顯示屏或電子設(shè)備等產(chǎn)品均需要為其提供面光源，因而所述發(fā)光元件1位于光接受體4一側(cè)，發(fā)光元件1所發(fā)出的條形光源經(jīng)光接受體4導(dǎo)光后以形成面光源。優(yōu)選地，所述發(fā)光元件1的長度與該發(fā)光元件1所在光接受體4一側(cè)的長度之間的比例為1:(1-1.2)。在該比例范圍內(nèi)，能保證得到發(fā)光強度均勻的面光源。進一步的是，所述發(fā)光元件1的長度與該發(fā)光元件1所在光接受體4一側(cè)的長度之間的比例為1.1:1。并且，更好的是，所述發(fā)光元件1的主發(fā)光面101與光接受體4的入光面401相接觸。

請一并參閱圖4，所述熒光層11的覆蓋區(qū)域與所述基板13設(shè)有LED芯片12的表面的尺寸相一致。也就是圖1中所示，沿x軸方向上，所述熒光層11的兩端面與所述基板13的兩端面共面。如圖4所示，在該發(fā)光元件1的俯視圖中，所述熒光層11完全覆蓋了所述基板13。

一般來說，利用發(fā)光元件1為電子設(shè)備提供光源時，需要發(fā)出白光。因此，優(yōu)選地，所述LED芯片12為藍(lán)光LED芯片，所述熒光層11為黃色熒光層，即能發(fā)出白光。當(dāng)然也可以是LED芯片12為藍(lán)光LED芯片，所述熒光層11為紅綠熒光層或者是紅綠黃熒光層，也能發(fā)出白光。

優(yōu)選地，熒光層11優(yōu)選為熒光粉與膠體混合制成的預(yù)制熒光膜。所述預(yù)制熒光膜為一薄膜，其通過熱壓或真空吸附等覆蓋于LED芯片12所在的基板13表面上。熒光粉均勻分布于熒光層11中。作為另一種選擇，熒光層11也可以是熒光粉與膠體混合后通過點膠工藝覆蓋于LED芯片12所在的基板13表面上。優(yōu)選地，所述熒光粉的質(zhì)量占熒光粉與硅膠總質(zhì)量的30％～50％。熒光層11優(yōu)選為混合熒光粉與膠體混合制成的預(yù)制熒光膜。混合熒光粉為紅光熒光粉、綠光熒光粉及黃光熒光粉混合而成，優(yōu)選質(zhì)量比為(1～4)：(0.5～2)：(0.5～2)的紅光熒光粉、綠光熒光粉及黃光熒光粉。優(yōu)選地，所述紅光熒光粉為氟硅酸鉀，黃光熒光粉為釔鋁石榴石?；旌蠠晒夥圪|(zhì)量比進一步為(1～3)：(0.5～1.5)：(0.5～1.5)。最優(yōu)選為2：(0.8-1)：(0.8-1)。優(yōu)選地，所述綠光熒光粉為鹵硅酸鹽、硫化物、硅酸鹽及氮氧化物中的一種或幾種的混合物。所述綠光熒光粉可進一步為塞隆綠光熒光粉。優(yōu)選地，所述紅光熒光粉、綠光熒光粉及黃光熒光粉的平均粒徑均為5um～30um。膠體優(yōu)選為硅膠。

在一些優(yōu)選的實施例中，所述LED芯片12設(shè)有多個，兩個相鄰的LED芯片12之間可以設(shè)有間隔，也可以沒有間隔。優(yōu)選地，多個所述LED芯片12間隔設(shè)置，那么所述熒光層11覆蓋多個LED芯片12以及LED芯片12之間的間隔區(qū)域，多個LED芯片12間隔設(shè)置能提高發(fā)光效果。如圖1和圖4所示，圖中x軸為該發(fā)光單元10的長度方向，y軸為該發(fā)光單元10的厚度方向，z軸為該發(fā)光單元10的寬度方向。并且，所述發(fā)光單元10和基板13均呈長條形，且長度和寬度相同。

所述發(fā)光元件1的長寬比為(40-140)：1，優(yōu)選地，發(fā)光元件1的長寬比為(80-140)：1，進一步優(yōu)選長寬比為(110-130)：1。優(yōu)選長寬高比值為：(80-140)：1：(0.8-2.5)，進一步優(yōu)選為(110-130)：1：(1.2-1.6)。

請一并參閱圖5，所述熒光層11的厚度為D1，所述LED芯片12的厚度為D2，所述基板13的厚度為D3，所述發(fā)光單元10的厚度也為D1，所述發(fā)光元件1的厚度為D，且D＝D2+D3。優(yōu)選地，D1:D2的范圍為(1.2-3):1，該比例范圍太小時，發(fā)光元件1的發(fā)光效果較差，以藍(lán)光LED芯片和黃色熒光粉層為例，當(dāng)該比例范圍太小時，藍(lán)光LED芯片所發(fā)出的藍(lán)光不能完全經(jīng)由黃色熒光粉層轉(zhuǎn)換為白光，因此發(fā)光元件1所發(fā)出的光會出現(xiàn)漏藍(lán)光的現(xiàn)象。當(dāng)該比例范圍太大時，會直接增加該發(fā)光元件1的厚度，從而直接影響具有該發(fā)光元件1的背光源模組或電子設(shè)備的厚度，無法滿足現(xiàn)有市場需求。因此，該優(yōu)選的比例范圍既能保證發(fā)光元件1的發(fā)光效果，又能保證該發(fā)光元件1的厚度在一較小的范圍內(nèi)。

為進一步提高所述發(fā)光元件1的發(fā)光效果及穩(wěn)定性，優(yōu)選地，D3:D1的范圍為(1-3):1。

具體的，在一些優(yōu)選的實施例中，所述發(fā)光元件1的厚度D為0.3-1.5mm，也就是發(fā)光元件1厚度D的具體可取值為0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm或1.5mm?；?，在另一些優(yōu)選的實施例中，所述熒光層11的厚度D1比所述LED芯片12的厚度D2大0.05-0.2mm，具體可取值為0.05mm、0.08mm、0.1mm、0.12mm、0.14mm、0.15mm、0.18mm或0.2mm?；颍谄渌麅?yōu)選的實施例中，所述熒光層11的厚度D1為0.15-1mm，也就是所述熒光層11厚度D1具體可取值為0.15mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.7mm、0.75mm、0.8mm、0.85mm、0.9mm、0.95mm或1mm，并且進一步的是，所述基板13的厚度D3為0.1-1.2mm，也就是所述基板13厚度D3具體可取值為0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm或1.2mm。通過這些具體尺寸的優(yōu)化，均能進一步提高所述發(fā)光元件1的發(fā)光效果及穩(wěn)定性。

優(yōu)選地，如圖1和圖4中所示，多個所述LED芯片12沿?zé)晒鈱?1長度方向排布，也就是在發(fā)光元件1包括多個呈直線形排布的LED芯片12，保證發(fā)光均一性。如圖3中所示，所述LED芯片12長度為L1，相鄰兩個LED芯片12之間的距離為L2，位于兩端的LED芯片12與熒光層11的端面之間的距離為L3，可以理解該熒光層11的端面指的是熒光層11上垂直于其長度方向的端面。在一些優(yōu)選的實施例中，多個所述LED芯片12等間距設(shè)置，進一步優(yōu)選地，L1:L2:L3的范圍為1:(0.6-2):(1.5-3.5)，通過確定該范圍從而得到較優(yōu)的LED芯片12的排布，保證發(fā)光元件1的發(fā)光效果。在其他一些實施例中，相鄰兩個所述LED芯片12之間的間距不相同。

具體的，無論是多個所述LED芯片12等間距設(shè)置，還是非等間距設(shè)置，優(yōu)選地，所述LED芯片12長度L1為0.8-1.6mm，具體可取值為0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm或1.6mm；位于兩端的LED芯片12與熒光層11的端面之間的距離為L3，也就是位于兩端的LED芯片12與熒光層11上垂直于其長度方向的端面之間的距離L3為0.5-2.5mm，具體可取值為0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm、2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm或2.5mm；這樣能避免出現(xiàn)發(fā)光區(qū)域邊緣處的發(fā)光強度與中央?yún)^(qū)域的發(fā)光強度不一致，提高整個發(fā)光區(qū)域發(fā)光強度的均一性。進一步的是，當(dāng)多個所述LED芯片12等間距設(shè)置時，相鄰兩個LED芯片12之間的距離L2為1.5-3.5mm，具體可取值為1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm、2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm、2.5mm、2.6mm、2.7mm、2.8mm、2.9mm、3mm、3.1mm、3.2mm、3.3mm、3.4mm或3.5mm；這樣在保證發(fā)光元件1的發(fā)光強度和光效的同時，減少相同長度的發(fā)光元件1中LED芯片12數(shù)量，降低成本。

請一并參閱圖6和圖7，所述LED芯片12包括電極面121，所述電極面121設(shè)有第一電極1211和第二電極1212，所述基板13上設(shè)有多個相間的導(dǎo)電塊131；所述第一電極1211和第二電極1212與基板13上的導(dǎo)電塊131相連，且第一電極1211和第二電極1212所連接的導(dǎo)電塊131不同。在基板13上設(shè)置導(dǎo)電塊與LED芯片12的第一電極1211和第二電極1212相連，進而可通過基板13與外部電源相連，這是因為本實用新型所提供的發(fā)光元件1呈長條形且尺寸較小，通過設(shè)置的基板13進行走線更為方便且穩(wěn)定性好。

進一步的是，請一并參閱圖8，所述發(fā)光元件1還包括柔性電路板14，所述基板13遠(yuǎn)離熒光層11的一側(cè)焊接在所述柔性電路板14上。從而在基板13一側(cè)形成固定部15，這樣在保證連接穩(wěn)定的同時，降低加工難度，提高工作效率。當(dāng)然也可以采用背面錫焊的方式進行固定。

在一些優(yōu)選的實施例中，即如圖8中所示，所述發(fā)光元件1包括一個發(fā)光單元10，即發(fā)光元件1使用一個整條的光源即可，設(shè)置簡單。作為變形實施例，如圖9中所示，所述發(fā)光元件1包括多個發(fā)光單元10，這樣較適合大尺寸的背光源模組或電子設(shè)備使用，其需要長度較長的光源，因此如圖中所示提供多段式的發(fā)光元件1即可。

本實用新型還提供一種發(fā)光元件的制備方法，如圖10所示，包括以下步驟：

步驟S1：提供一基體板材，將至少二LED芯片固定至所述基體板材上；

步驟S2：提供一熒光膜，使熒光膜覆蓋至少二LED芯片及所述基體板材設(shè)有LED芯片的表面，得到發(fā)光基片；及

步驟S3：對所述發(fā)光基片進行切割，得到發(fā)光元件；該發(fā)光元件，用于為一光接受體的入光面提供光源，所述發(fā)光元件呈長條形，其包括發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括至少二LED芯片、熒光層和基板；所述LED芯片設(shè)于所述基板上，所述熒光層覆蓋至少二LED芯片及LED芯片之間的間隔區(qū)域，所述熒光層遠(yuǎn)離所述基板的表面為所述發(fā)光元件的主發(fā)光面，所述發(fā)光元件主發(fā)光面的面積與光接受體入光面的面積之間的比例為(0.8-1):1。

該方法工作效率高，即能避免現(xiàn)有方法中，獨立LED芯片封裝時需要進行單顆點膠、工作效率低的問題。而且能可根據(jù)實際應(yīng)用的需要，制備獲得不同尺寸的發(fā)光元件。最后所制得的發(fā)光元件具有以下優(yōu)點：(1)能保證發(fā)光區(qū)域的邊緣無暗區(qū)；(2)可以保證整個發(fā)光區(qū)域亮度的均一性；(3)有效的提高光效和光通率；(4)利用所述發(fā)光元件能得到窄邊框甚至無邊框的電子設(shè)備。

優(yōu)選地，步驟S1具體為：提供一基體板材，在基體板材上設(shè)置導(dǎo)電塊，將至少二LED芯片固定至設(shè)有導(dǎo)電塊的基體板材上，所述LED芯片與導(dǎo)電塊電性相連。更好的是，所述導(dǎo)電塊是通過印刷的方式形成在所述基體板材上的。

優(yōu)選地，所述步驟S2采用熱壓的方式進行熒光膜的覆蓋。進一步的是，請一并參閱圖11，所述步驟S2包括：

步驟S21：進行一次熱壓固化，熱壓溫度為50-80℃，熱壓時間為10-15min；及

步驟S22：進行二次熱壓固化，熱壓溫度為100-200℃，熱壓時間為15-60min。

這樣分兩步進行固化，保證所得到的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，提高產(chǎn)品質(zhì)量和使用壽命。

優(yōu)選地，所述步驟S2過程處于真空度小于7torr的環(huán)境下進行。避免熒光膜覆蓋過程中產(chǎn)生氣泡，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

如圖12所示，本實用新型還提供一種背光源模組3，包括上述的發(fā)光元件1，該背光源模組3亮度均勻且強度高。進一步的是，所述背光源模組3還包括導(dǎo)光板2，由于發(fā)光元件1發(fā)光均勻，因此可采用結(jié)構(gòu)簡單的導(dǎo)光板2即可，降低成本?？梢岳斫猓诒彻庠茨＝M3中，所述導(dǎo)光板2即為前文中所述的光接受體4。

優(yōu)選地，所述發(fā)光元件1位于導(dǎo)光板2一側(cè)，所述發(fā)光元件1的長度與該發(fā)光元件1所在導(dǎo)光板2一側(cè)的長度之間的比例為1:(1-1.2)。可以理解，也就是當(dāng)發(fā)光元件1呈長條形時，發(fā)光元件1沿圖中y軸正方向發(fā)光，在該比例范圍內(nèi)，能保證得到發(fā)光強度均勻的面光源。進一步的是，所述導(dǎo)光板2尺寸與所述發(fā)光元件1的發(fā)光區(qū)域的比例為1.1:1。更好的是，導(dǎo)光板2與發(fā)光元件1相接觸。

本實用新型還提供一種電子設(shè)備，包括上述的發(fā)光元件或上述的背光源模組，顯示效果好，且能有效減小所述電子設(shè)備中顯示裝置的邊框?qū)挾?，甚至達(dá)到無邊框的效果。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型所提供的發(fā)光元件為整面發(fā)光，從光源的根本問題出發(fā)，解決了傳統(tǒng)光源存在“暗區(qū)”的問題，從而保證出光亮度的均一性；并且該發(fā)光元件出光均勻，亮度高，發(fā)光元件的光效和光通率均能得到大幅提升；具體的，該發(fā)光元件的光通量能達(dá)到90-100lm，光效提升了1/3-1/2。此外，由于該發(fā)光元件在其發(fā)光區(qū)域整體發(fā)光強度均一性好，也就是在邊緣部分也無暗區(qū)，利用所述發(fā)光元件能得到窄邊框甚至無邊框的電子設(shè)備。

進一步的是，所述熒光層的厚度比所述LED芯片的厚度大0.05-0.2mm。進一步的是，所述熒光層的厚度為0.15-1mm，所述基板的厚度為0.1-1.2mm。通過具體尺寸的優(yōu)化，能有效提高所述發(fā)光元件的發(fā)光效果及穩(wěn)定性。

進一步的是，所述發(fā)光元件包括一個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元中多個所述LED芯片沿?zé)晒鈱娱L度方向排布，所述LED芯片長度為0.8-1.6mm，位于兩端的LED芯片與熒光層的端面之間的距離為0.5-2.5mm。這樣能避免出現(xiàn)發(fā)光區(qū)域邊緣處的發(fā)光強度與中央?yún)^(qū)域的發(fā)光強度不一致，提高整個發(fā)光區(qū)域發(fā)光強度的均一性。

進一步的是，多個所述LED芯片等間距設(shè)置，相鄰兩個LED芯片之間的距離為1.5-3.5mm。這樣在保證發(fā)光元件的發(fā)光強度和光效的同時，減少相同長度的發(fā)光元件中LED芯片數(shù)量，降低成本。

進一步的是，所述LED芯片包括電極面，所述電極面設(shè)有第一電極和第二電極，所述基板上設(shè)有多個相間的導(dǎo)電塊；所述第一電極和第二電極與基板上的導(dǎo)電塊相連，且第一電極和第二電極所連接的導(dǎo)電塊不同。在基板上設(shè)置導(dǎo)電塊與LED芯片的第一電極和第二電極相連，進而可通過基板與外部電源相連，這是因為本實用新型所提供的發(fā)光元件呈長條形且尺寸較小，通過設(shè)置的基板進行走線更為方便且穩(wěn)定性好。

進一步的是，所述發(fā)光元件還包括柔性電路板，所述基板遠(yuǎn)離熒光層的一側(cè)焊接在所述柔性電路板上。這樣在保證連接穩(wěn)定的同時，降低加工難度，提高工作效率。

本實用新型還提供一種背光源模組，包括上述的發(fā)光元件，該背光源模組亮度均勻且強度高。

進一步的是，所述背光源模組還包括導(dǎo)光板，所述發(fā)光元件位于導(dǎo)光板一側(cè)，所述發(fā)光元件的長度與該發(fā)光元件所在導(dǎo)光板一側(cè)的長度之間的比例為1:(1-1.2)。在該比例范圍內(nèi)，能保證得到發(fā)光強度均勻的面光源。更好的是，所述發(fā)光元件與導(dǎo)光板相接觸，發(fā)光元件所發(fā)出的光源直接進入導(dǎo)光板，提高所述背光源模組的整體亮度。

本實用新型還提供一種電子設(shè)備，包括上述的發(fā)光元件，顯示效果好，且能有效降低所述電子設(shè)備中顯示裝置的邊框?qū)挾?，甚至達(dá)到無邊框的效果。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進等均應(yīng)包含本實用新型的保護范圍之內(nèi)。