技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種平面柵溝槽型超級結(jié)器件，包括：溝槽型超級結(jié)；形成于有源區(qū)外的溝槽型超級結(jié)的頂部場氧化層；形成于有源區(qū)中的溝槽型超級結(jié)的各N型薄層表面的多晶硅柵；各多晶硅柵還延伸到對應(yīng)的場氧化層的表面并組成多晶硅延伸段；各多晶硅延伸段分別通過接觸孔連接到同一個金屬總線，由金屬總線引出柵極襯墊；各多晶硅延伸段的寬度小于等于對應(yīng)的N型薄層的寬度，使各多晶硅延伸段和各P型薄層的孔洞缺陷在位置上錯開。本發(fā)明還公開了一種平面柵溝槽型超級結(jié)器件的制造方法。本發(fā)明防止各多晶硅延伸段跨越P型薄層時各孔洞缺陷中出現(xiàn)多晶硅殘留而引起的柵源短路問題以及各孔洞缺陷本身帶來的可靠性降低問題。

技術(shù)研發(fā)人員：李昊
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號碼：201710004043
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.04
技術(shù)公布日：2017.05.17