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一種光柵制造方法及光柵的制作方法

文檔序號(hào):9686386閱讀:1316來源:國(guó)知局
一種光柵制造方法及光柵的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光柵制造領(lǐng)域,特別是指一種光柵制造方法及光柵。
【背景技術(shù)】
[0002]光柵是結(jié)合數(shù)碼科技與傳統(tǒng)印刷的技術(shù),是近年來發(fā)展起來的一種新型器件。其定義是:按一定要求或規(guī)律排列的刻槽或線條的透光的或不透光的(反射的)光學(xué)器件。也可以理解為能夠產(chǎn)生光程差的光學(xué)器件就是光柵。光柵能在特制的膠片上顯現(xiàn)不同的特殊效果,在平面上展示栩栩如生的立體世界,電影般的流暢動(dòng)畫片段,匪夷所思的幻變效果。光柵常常用于色散分光、光學(xué)濾波器、光纖光柵、立體成像、防偽應(yīng)用等。
[0003]光柵按不同標(biāo)準(zhǔn)分類不同,按幾何結(jié)構(gòu)分為平面光柵和立體光柵,按作用類型分為反射光柵和透射光柵。這里針對(duì)的是立體反射光柵。原有的制作光柵的流程為:首先在任意型號(hào)的光片上長(zhǎng)氧化層;然后在氧化層上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,完成第一層臺(tái)階,如圖1所示;然后進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,完成第二層臺(tái)階,如圖2所示;然后進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,完成第三層臺(tái)階,如圖3所示。用一束光照射在光柵芯片上就會(huì)反射出芯片上的圖形。
[0004]但是,在光片上長(zhǎng)氧化層二氧化硅是用爐管生長(zhǎng),不僅需要時(shí)間長(zhǎng)而且二氧化硅除反射外還存在折射現(xiàn)象,影響光柵的亮度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種光柵制造方法及光柵,通過直接在光片上進(jìn)行光刻與刻蝕,實(shí)現(xiàn)提高光柵亮度的目的。
[0006]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例提供一種光柵制造方法,應(yīng)用于光柵的制造,包括下列步驟:
[0007]在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階;
[0008]在經(jīng)過第一層光刻與刻蝕后,在所述第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,形成第二層臺(tái)階;
[0009]在經(jīng)過第二層光刻與刻蝕后,在所述第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,形成第三層臺(tái)階。
[0010]其中,所述在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階的步驟包括:
[0011]在光片上表面旋涂光刻膠形成光刻膠薄膜;
[0012]利用光刻掩膜板通過光刻工藝將光刻標(biāo)記位置的光刻膠薄膜去除;
[0013]對(duì)所述光刻標(biāo)記位置通過刻蝕工藝形成第一層臺(tái)階;
[0014]通過剝離工藝將剩余光刻膠薄膜去除。
[0015]其中,所述在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階的步驟是在無氧環(huán)境下完成的。
[0016]其中,所述在經(jīng)過第一層光刻與刻蝕后,在所述第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,形成第二層臺(tái)階的步驟包括:
[0017]在光片及所述第一層臺(tái)階的凹槽上表面旋涂光刻膠形成光刻膠薄膜;
[0018]利用光刻掩膜板通過光刻工藝將光刻標(biāo)記位置的光刻膠薄膜去除;
[0019]對(duì)所述光刻標(biāo)記位置通過刻蝕工藝形成第二層臺(tái)階;
[0020]通過剝離工藝將剩余光刻膠薄膜去除。
[0021]其中,所述在經(jīng)過第二層光刻與刻蝕后,在所述第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,形成第三層臺(tái)階的步驟包括:
[0022]在光片、所述第一層臺(tái)階的凹槽及所述第二層臺(tái)階的凹槽上表面旋涂光刻膠形成光刻膠薄膜;
[0023]利用光刻掩膜板通過光刻工藝將光刻標(biāo)記位置的光刻膠薄膜去除;
[0024]對(duì)所述光刻標(biāo)記位置通過刻蝕工藝形成第三層臺(tái)階;
[0025]通過剝離工藝將剩余光刻膠薄膜去除。
[0026]其中,所述光片的材料為硅。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種光柵,所述光柵包括:
[0028]光柵本體;
[0029]設(shè)置于所述光柵本體上的第一層臺(tái)階;
[0030]設(shè)置于所述第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)的第二層臺(tái)階;
[0031]設(shè)置于所述第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)的第三層臺(tái)階。
[0032]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0033]本發(fā)明實(shí)施例的光柵制造方法,在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階;然后在第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,形成第二層臺(tái)階;最后在第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,形成第三層臺(tái)階。通過直接在光片上進(jìn)行光刻與刻蝕的操作,縮短了工藝流程提高生產(chǎn)率的同時(shí)還避免了氧化層除反射外存在的折射現(xiàn)象,提高了光柵清晰度。
【附圖說明】
[0034]圖1為現(xiàn)有技術(shù)形成第一層臺(tái)階的示意圖;
[0035]圖2為現(xiàn)有技術(shù)形成第二層臺(tái)階的示意圖;
[0036]圖3為現(xiàn)有技術(shù)形成第三層臺(tái)階的示意圖;
[0037]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的光柵制造方法的流程示意圖;
[0038]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的光柵制造方法形成第一層臺(tái)階的示意圖;
[0039]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的光柵制造方法形成第二層臺(tái)階的示意圖;
[0040]圖7為本發(fā)明實(shí)施例的光柵制造方法形成第三層臺(tái)階的示意圖。
[0041]附圖標(biāo)記說明:
[0042]1-氧化層;2-光片。
【具體實(shí)施方式】
[0043]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0044]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的光柵制造技術(shù)需要長(zhǎng)氧化層耗時(shí)長(zhǎng),且二氧化硅除反射外還存在折射現(xiàn)象,影響光柵亮度的問題,提供一種光柵制造方法。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例的一種光柵制造方法,應(yīng)用于光柵的制造,包括下列步驟:
[0046]步驟11,在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階;
[0047]步驟12,在經(jīng)過第一層光刻與刻蝕后,在所述第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,形成第二層臺(tái)階;
[0048]步驟13,在經(jīng)過第二層光刻與刻蝕后,在所述第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,形成第三層臺(tái)階。
[0049]按照上述步驟,如圖5所示,直接在光片上進(jìn)行第一層光刻與刻蝕,形成第一層臺(tái)階;然后如圖6所示在第一層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第二層光刻與刻蝕,形成第二層臺(tái)階;最后如圖7所示在第二層臺(tái)階的凹槽內(nèi)進(jìn)行第三層光刻與刻蝕,形成第三層臺(tái)階。這樣的操作不僅縮短了工藝流程,節(jié)省時(shí)間,提高了生產(chǎn)率,而且避免了氧化層除反射外還存
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