本申請要求于2016年6月10日提交的、標題為“Dielectric Stack,An Isolator Device and Method of Forming an Isolator Device”的美國專利申請序列號。15/179741的優(yōu)先權，它是聲稱根據(jù)35 U.S.C.§120受益于2015年10月23日提交的題為的“Isolator and Method of Forming an Isolator”的美國專利申請序列號14/922037的連續(xù)部分(CIP)?，F(xiàn)有列出申請通過引用以其整體并入本文。

技術領域

本公開涉及作為用于例如隔離設備中的電介層的改進。本公開內容還涉及隔離設備及其制造隔離設備的方法。

背景技術：

大多數(shù)電子電路現(xiàn)在在微電子電路內實現(xiàn)，通常被稱為集成電路或“芯片”。這種芯片包括承載在塑料或陶瓷殼體內封裝的微電子電路的半導體管芯。這使得芯片被粘結或焊接到電路板等，用于形成更復雜的產(chǎn)品。微電子電路的許多應用可需要在相對低的電壓域之間通信信號，其中例如供電軌可僅彼此不同幾伏，以及含有較高電壓分量的高電壓域可在能源、信令、自動化、通信和電機控制階段找到。該名單并不詳盡。還有如醫(yī)療應用的安全關鍵應用，高電壓絕不允許從電路傳播到被監(jiān)控的病人。雖然這些高電壓不被故意產(chǎn)生，如果電源是開發(fā)故障，例如，或者如果雷擊分別誘導瞬態(tài)過壓進入電源或數(shù)據(jù)連接的設備，它們可在某些故障模式發(fā)生。

已知使用“隔離器”互相隔離電路或系統(tǒng)的低電壓域和高電壓域。這些都通常涉及安裝在電路板的板的低壓側和板的高壓側之間的分立元件，諸如信號變壓器。最近，“芯片級”隔離已變得可用。在“芯片級”隔離器中，在電路的低電壓和高電壓側或域之間通信的組件被提供在集成電路的已知類型的封裝內，諸如雙線封裝。該封裝可包含兩個或三個管芯，它們共同封裝，使得該設備仍作為集成電路展現(xiàn)給用戶。

芯片級隔離器的減小尺寸開始產(chǎn)生非芯片級隔離器(即，分立元件隔離器)中沒有的擊穿機制。隔離器經(jīng)常給予叫擊穿電壓的額定。當隔離器的低和高電壓零件之間的電壓差超過放電電壓，各部分之間的電介質材料可以表現(xiàn)出電擊穿并成為導電，不再作為有效絕緣體執(zhí)行。為了提高擊穿電壓，隔離器可以使用電極之間介電材料的更厚層來制造。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種電介質結構，其包括相鄰襯底形成的第一電介質類型的第一層，和形成在第一層上的第一電介質的第二層，其中第二層由周邊分隔，和至少第二層的某些部分不延伸到或超出第一層的邊緣。第二介電材料的層形成在第一介電材料的最上層。

在本公開的第二個方面，提供包括第一方面的隔離設備的電子設備。

因此，可提供一種隔離設備，包括：第一和第二導電結構；在第一和第二導電結構之間的第一電介質材料的主體；和第一介電材料以及在第一和第二導電結構的至少一個之間的第二電介質材料的至少一個區(qū)域，其中所述第二介電材料具有比所述第一材料更高的相對介電常數(shù)，并且其中形成第一介電的主體，以便具有錐形形式或錐形形式的逐級近似。

根據(jù)第三方面，提供了一種形成隔離設備的方法，包括：在襯底的第一區(qū)域上形成第一導體，例如作為第一電極；在第一區(qū)域上形成第一介電材料的第一層或主體；和在第一層上形成第二導體，諸如第二電極，。第一介電材料的主體通過沉積第一電介質的至少兩層形成，第二層經(jīng)過配置，使得所述第一層的至少一部分保持暴露。該方法還包括：在第一導體和第一電介質材料層之間和/或第一電介質材料層和第二電極之間形成第二電介質材料的至少一個區(qū)域。

因此，該方法進一步包括以下的至少一個：

(ⅰ)在形成第一介電材料層之前，在第一導體的至少部分上形成第二介電材料的區(qū)域；

(ⅱ)在形成第二電極之前，在第一介電材料的層上形成第二介電材料的區(qū)域；

其中，第二介電材料具有比所述第一材料更高的相對介電常數(shù)。

在本公開的進一步方面中，提供了一種部件，包括：在包含兩種不同電介質材料的電介質堆疊的任一側上的第一和第二導電元件，并且其中所述堆疊包括應力釋放結構，以便避免對組件的應力相關損害。

附圖說明

現(xiàn)在將僅參考附圖通過非限制性示例的方式描述實施例，其中：

圖1示出信號發(fā)送設備的示例；

圖2示出了一個微型變壓器隔離設備的示例；

圖3示出了隔離設備的另一個示例；

圖4示出了示例隔離設備內的電場的模擬；

圖5示出了根據(jù)本公開的教導的隔離設備的另一實施例的例子；

圖6示出更詳細地在圖5中所示的設備的電介質堆疊的邊緣部分；

圖7示出第二電介層的化學汽相沉積之后的制造期間，電介質堆疊的邊緣；和

圖8是在第二電介層中形成的應力釋放結構的平面圖。

具體實施方式

圖1示意性地表示示例信號隔離系統(tǒng)10內的部件，其用于接收在所述第一電壓或第一電壓范圍的輸入信號，這可是相對高的電壓，并在較低的電壓傳送它，用于由另外的組件(未示出，諸如微處理器)處理。不同的電壓范圍可被視為不同的電壓域。該隔離器系統(tǒng)10包括接收電路12，其具有用于接收輸入信號的輸入端子14和16，并且用于將信號轉換成適合于在隔離部件20傳輸?shù)男问降碾娮釉O備18。處理電子器件18可以例如通過將其轉換到頻域而編碼電壓，或者當邏輯信號被斷言時通過對隔離元件提供高頻正弦波，以及當邏輯信號不被認定時抑制提供正弦波到隔離組件而編碼邏輯信號，或可編碼作為區(qū)分的脈沖。在本示例中，隔離部件20是包括第一變壓器線圈22和第二變壓器線圈24的微型變壓器。線圈由絕緣材料隔開。線圈22的輸出被提供給輸出電路30，其中另外的電子電路32處理從第二線圈24所接收的信號1，以重建提供給驅動電路12的輸入信號。圖1所示的配置是高度簡化的，并且例如單個信道可以包括兩個變壓器，使得信號可以在差動方式被輸送，或者在相位或頻率調制的方式。此外，可希望從電路30的低電壓側發(fā)送信號回給高電壓側12，因此，各元件可以以雙向方式提供，以及隔離器可用于雙向方式傳送信號，或可提供附加的隔離，以使得一些隔離可專用于在一個方向數(shù)據(jù)傳輸，以及另一個隔離器可專用于在第二方向傳輸數(shù)據(jù)。此外，如果輸入接收電路12無法從它被連接的設備獲得電力，則也可以使用變壓器(或至少一些其它微型變壓器)提供電源以運行接收器電路。

如圖1所示，接收器電路12、隔離器20和輸出電路30被設置在各基板。在至少一些實施例中，所有的基板都被封裝在相同的芯片規(guī)模或集成電路封裝。在所示的例子中，在各基板(例如，不同的半導體管芯)設置在高電壓側12以及在低電壓輸出側電路30的接收器，但任何這些基板可以任選并入隔離器20。雖然示出具有感應耦合變壓器線圈的示例，本文描述的實施例可替代地應用于其它技術，例如其中使用平板電極代替線圈的電容耦合隔離器。

圖2是隔離器20的實施例的橫截面。示意圖不是按比例的，特別是基片50的厚度可大于示于圖2。在圖2所示的布置中，基板50(諸如，半導體晶片)充當絕緣結構的載體，用于形成基于變壓器的信號隔離器。其他材料(如玻璃)也可以用作基板。包括形成為螺旋金屬軌跡的第一線圈52的第一導電結構設置在襯底50的表面上。諸如二氧化硅的絕緣體53的層從基板50絕緣金屬軌跡。金屬軌道可由鋁，金或任何其它合適的金屬形成。也可使用其它導電材料。螺旋軌跡的性質在于：連接于螺旋52的徑向最外部54，而該連接也必須在螺旋52的徑向最內部分56。連接最外部分54可通過延長用于形成螺旋的金屬層很容易地完成，使得其形成朝向接合墊區(qū)域62的軌道60。連接到螺旋的最內部分56可以以任何合適的方式形成，但在本示例中，在螺旋的平面上方或下方的平面上。在圖2所示的配置中，互連70設置在螺旋導體52的平面之下，例如通過形成高度摻雜的區(qū)域或另一金屬層70，其通過第一通孔72連接到最里部56和其經(jīng)由76連接到金屬軌跡74的另一部分。因此，進一步的絕緣氧化物層(未示出)可以位于該金屬層70的下面，以便從襯底絕緣。金屬軌跡74的進一步部分朝向接合墊區(qū)域80延伸。金屬軌道可以由鈍化薄層82覆蓋，如二氧化硅或某些其它絕緣體，除了其中鈍化蝕刻掉的鍵合焊盤62和80的區(qū)域。這種結構的制造是本領域技術人員公知的，并且不必進一步說明。

其中連接到電極52或任何其它電極制成的方式僅僅作為示例示出，并且可以使用其他的連接技術。

本領域的技術人員已知的是，在介電擊穿發(fā)生和導電通路通過電極之間的絕緣體層打開之前，絕緣體通?？梢越?jīng)受通過它們的最大電場。電場以每單位距離伏特表達，并且因此典型地更高的擊穿電壓可以通過絕緣體的厚度增加來實現(xiàn)。然而，在一些區(qū)域中的局部電場，即使具有增加的絕緣體厚度，特別是區(qū)域靠近所述導電結構(即，變壓器繞組)仍可能造成擊穿的風險，從而導致設備的損壞。已知的是E場強度減小，曲率半徑增大。相比于軌道的標稱平坦的底部表面，形成繞組的磁跡邊緣代表曲率半徑減小的區(qū)域。為了減少電場強度鄰近導電結構，諸如在線圈的邊緣，絕緣體的材料可被選擇具有更高的相對介電常數(shù)εr，盡管這樣的材料通常具有較低的擊穿電壓。

正如一般原則的提醒，如果半徑為R的球面充電Q庫侖的值，在半徑R的E場可以表示為

E＝Q/4πεR²

這表明一般原則：增加ε減小了電場強度E，和減少R增大E。

聚酰亞胺是適合于用作絕緣體的化合物，其具有每微米約800至900伏的擊穿電壓。聚酰亞胺也比較容易在半導體制造工藝的范圍內一起工作，并在很大程度上是自平面化和是照片可定義。聚酰亞胺通常被沉積為薄膜和正性光刻膠施加在膜，和成像以確定在底層的聚酰亞胺薄膜的期望圖案。光致抗蝕劑然后進行顯影。顯影劑作用是濕法刻蝕聚酰亞胺的未掩蔽的區(qū)域。顯影步驟完成后，聚酰亞胺通常被漂洗，然后在溫度固化成芳香族聚酰亞胺膜。常用于集成電路制造中使用的其它絕緣材料包括BCB和SU8。也可以使用其它絕緣聚合物和氧化物。

如在圖2所示，絕緣體90的第一層(例如聚酰亞胺)淀積在襯底50和鈍化82的區(qū)域之上，和其下形成第一線圈52。在圖案化之后，蝕刻并固化絕緣體92的第二重疊層，如聚酰亞胺形成在第一區(qū)域90，以便建立絕緣體的附加厚度。該區(qū)域92的端部可允許環(huán)繞區(qū)域90的端部，使得在深度和橫向延伸的絕緣結構增加。每個沉積步驟可以增加絕緣體的厚度，在聚酰亞胺的情況下，例如10至16微米之間。因此，經(jīng)過兩次沉積步驟，絕緣層90和92可以一起在20和32微米之間厚。如果必要或需要，另外的層可以被沉積以形成更厚的結構。下一個第二金屬層100沉積在層92和圖案化，例如，以形成共同操作與第一螺旋軌道，以形成變壓器的第二螺旋軌跡。第二金屬層100可以具有鋁或其他合適的金屬，例如金。第一導電螺旋軌跡，連接可以到螺旋的最內部和邊緣部進行。為圖解簡單起見，外緣部的連接已被刪去，而中央部可被連接到接合墊區(qū)域110。

在形成第二螺旋導電軌道100之后，第三層絕緣體112(例如，聚酰亞胺)沉積在第二層92和在螺旋軌跡100。層112可以延伸超出并重疊第二層92。在形成層112之后，它被掩蔽，然后選擇性地蝕刻，以便打開連接孔113到結合焊盤110。發(fā)明人認識到，這種結構可以改進。

圖3示出了隔離設備300的示例實施例。隔離設備包括類似于圖2中所示的那些和上面描述的一些特征，并且這些特征在圖2和3賦予相同的附圖標記。這些特征不在本文中進一步描述。

隔離設備300與圖2中所示的不同之處在于：包括一個或者示出的兩個附加層302，304的介電材料，和任選的附加鈍化層306。

第二介電材料302的第一層在第一鈍化層82和第一介電材料(例如聚酰亞胺)的第一層90的下面形成。第二介電材料具有比層90和聚酰亞胺或其它介電材料92更高的相對介電常數(shù)(介電常數(shù))。第二電介質材料的示例包括氮化硅(SiN)，藍寶石(氧化鋁)，五氧化二鉭(Ta2O5)，鈦酸鍶(鈦酸鍶)，鉍鐵素體(BiFeO 3)，二氧化硅和鈦酸鋇鍶(BST)。但是，這是不是一個詳盡的列表，并且可以使用其他材料。另外地或可替代地，高相對介電常數(shù)的材料的不同層可以使用不同的材料。

因此，第二電介質材料的第一層302可在鈍化層82(和第一電極52后)之后以及絕緣層或第一絕緣材料層之前形成。在某些情況下，形成第一層302的處理可以與形成其它層的過程相結合。例如，為了形成開口以暴露焊盤區(qū)域80，鈍化層82和第二介電材料的第一層302可以被掩蔽，并同時蝕刻，雖然這可以替代地分別為每一層完成。

第二介電材料的第二層304位于在第一絕緣材料90和92的層。第二層304可以具有第一層302的相同材料，或者可以是不同的材料，盡管層302和304具有比用來形成層90和92的材料更高的相對介電常數(shù)。在所示的例子中，層304的邊緣被允許環(huán)繞層90和92的邊緣。這樣，層90和92被封裝在更高的相對介電常數(shù)的材料的層302和304之內。

額外的鈍化層306任選提供在層304上，并且被允許環(huán)繞層304的邊緣。第二導電結構，它在本例中是線圈100，然后通過附加的鈍化層306形成的，并且包括合適的連接。例如，鍵墊110被提供用于內部電連接線圈100，而另一個連接(未示出)，也可以在線圈100的外側部分進行。

圖4示出根據(jù)本公開的實施例的隔離設備400的橫截面內的電場的模擬。較深的區(qū)域表示更強的電場。隔離設備400包括第一電極402，第一鈍化層404，第一電介層406，一個或多個第二電介質層408，第三電介質層410，第二鈍化層412和第二電極414。層或層408具有比層406和408降低的相對介電常數(shù)。層406和408可以由相同的材料彼此形成，并因此可以具有相同的相對介電常數(shù)，盡管在一些實施例中，層406和408可以是從不同的電介質材料制成。因此，它們可以具有相同或不同的相對介電常數(shù)，但仍比層408更高。

層404-412被示為具有與電極402和414之間的對稱排列，并且這些層的示例厚度如下：在約為0.1和5微米之間的第一鈍化層404，例如3微米厚；1微米的第一電介層406；約10和80微米之間的一個或多個第二電介質層408，總共例如20微米；1微米的第三電介質層410；和間約為0.1和5微米的第二鈍化層412中，諸如3微米。然而，在替代實施例中，層可以具有其它厚度，和/或還可以顯示在電極402和414之間的非對稱布置。例如，層406、410中的一個可以被省略。

在圖4的例子中，示出了仿真，由此高電壓施加在兩個電極402和414?？梢钥闯觯谧畎档膮^(qū)域，并且因此區(qū)域在設備內具有最強電場，鄰近電極，并且特別鄰近電極的邊緣?？梢赃M一步看出，在層406和410的存在(具有比層408更高的相對介電常數(shù))趨向于限制最強電場遠離層408和在鈍化層404和412內。其結果是，在電極上的電壓可被進一步在電介層的擊穿發(fā)生之前增加，從而相比于不包括層406和410的隔離設備。

在圖3和4中所示的較高的相對介電常數(shù)的層被施加到那些隔離設備，僅僅作為示例，并且任何合適的隔離設備可以包括較高的相對介電常數(shù)的介電材料的一個或多個層，以提供在此描述的益處。在隔離設備具有較高的相對介電常數(shù)的介電材料的一個或多個層(諸如圖4的層406和410及圖3中的層302和304)可以具有額外的好處。例如，取決于所選擇的材料，這些層也充當電極和較低的相對介電常數(shù)的電介層之間的電荷注入阻擋層，和/或可以作為濕氣屏障作用。另外地或替代地，在一些實施例中，一個或多個鈍化層可以不存在。在這種情況下，不同的層可以在電極和較高的相對介電常數(shù)的介電材料的區(qū)域之間，或更高的相對介電常數(shù)的介電材料區(qū)域可在電極之上或周圍形成，或可以直接在形成電極或更高的相對介電常數(shù)的介電材料的區(qū)域內。

在一些實施例中，更高的介電常數(shù)的介電材料的整個層可以不被沉積。相反，可以在該設備的某些區(qū)域形成選擇的區(qū)域。例如，更高的介電常數(shù)的介電材料的區(qū)域可以形成鄰近一個或兩個導電結構的邊緣，以推進峰值電場遠離低相對介電常數(shù)的層，和較高的相對介電常數(shù)區(qū)域可不存在于導電結構之間的相對較低介電常數(shù)層的至少一部分內。

一些實施例可在低級介電常數(shù)介電材料的層和一個電極之間僅僅使用較高的相對介電常數(shù)的介電材料的一層，其可以提供至少一些由兩層實施例中這樣設置的好處，如在圖3和4所示的那些。其它實施例可另外或可選地包括附加的層到上述描述并在圖3和4所示。

在一個變型中，電介質堆疊的形狀可以變化，如圖5，使得電介質中的至少一個后續(xù)層不重疊并且完全包圍前述的層。

在圖5所示的布置三個層90,92和94的聚酰亞胺已經(jīng)被沉積，以便介電材料的主體建立到所需的厚度。由層90，92和94所形成的聚酰亞胺疊的一側或兩側可以由較高的介電常數(shù)的電介質為界，如參考圖3所討論的。

如圖5所示的介電材料302的一高介電常數(shù)層形成在鈍化82上。層302可以例如由氮化硅，二氧化硅或相對于圖3所列出的其它材料形成?？商娲?，層302可被省略。

接著，在第一變壓器的次級繞組的區(qū)域中形成聚酰亞胺90的層，并且如果提供，在該層302上。該層90具有邊緣(即周邊)90a，其可以與相當高的介電常數(shù)電介層302的邊緣302A對準?？商娲?，并且如圖所示，邊緣90A可以抵消以形成遞進。

聚酰亞胺92的第二層形成在第一層，并圖案和蝕刻以便限定所述第二層的大小和形狀。第二層92具有周邊92a，其從前面的層90的外周90A偏移，使得層92的面積小于層90。第一類型的層的電介質堆疊(在這個例子中是聚酰亞胺)在深度上可以限于兩個層(從而提供例如20和32微米之間的聚酰亞胺的深度，因此18kV和29kV之間的擊穿電壓)。在圖5示出的例子中，第一電介質的第三層94(例如，聚酰亞胺)是在第二層92形成。第三層94具有周邊部94a，其是從外周92a偏移，使得層94在空間上比層92少廣泛。這樣結構可以被視為從階梯狀金字塔形成數(shù)層(雖然結構可伸長，因為多個變壓器可在共享介質疊層來形成)。

一旦所需的第一電介質的深度已經(jīng)建立起來，該結構在相對較高介電常數(shù)的電介質的層304之上，例如第二類型的電介質，諸如氮化硅或二氧化硅。層304具有外周304a，其在成品設備可與前述電介質層94的周邊部94a對齊，或者可以從外周部94a偏移，使得該層304具有比層94較少的空間廣泛(較小)。

如相對于圖3前面討論的，然后可以形成最上面的線圈100。線圈100可以在絕緣體的另一層內隨后被封閉。聚酰亞胺是合適的選擇，因為它是相對容易的工作。

相對于圖3所討論的設計，這種設計減少最上層的電介層304的面積。這種替代設計力求減少作用在層304上的應力或力，以避免或減少層304內缺陷或破解的發(fā)生力。這可以是有利的，因為任何缺陷將成為增加E場強度的點，因此可導致已完成設備在比它本來承受的更低電壓崩潰。

金字塔類似結構還允許層90，92等中的應力以這樣一種方式分布，該應力作為處理芯片的結果(例如，由于熱循環(huán))減少，作為從基板增加的函數(shù)。此外，它假設-但尚未得到證實，所以本發(fā)明人不希望受到該語句的約束-即金字塔結構比更傳統(tǒng)的結構更適合于處理從聚酰亞胺層，其中每個層包圍前一層。

圖6更詳細地示出介電堆疊的邊緣區(qū)域。圖6中，層302沒有被沉積，并且因此第一聚酰亞胺層90被沉積在與層82直接接觸。圖6中的橫截面方向正交于圖5的橫截面的平面，正因為如此，金屬部分74和53不延伸到第一聚酰亞胺層90的邊緣。第一聚酰亞胺層90被沉積到深度H1。第二聚酰亞胺層被沉積到深度H2，和它的外圍由距離d1向內遞進。如果提供的話，第三聚酰亞胺層94被沉積到深度H3，和其周邊由距離d2遞進回來。

在本實施例中，h1，h2和h3是在10和20微米之間，以及d1和d2大于0微米，并且優(yōu)選在5至30微米的范圍內。例如d1可以相同于H1±，余量例如10％，20％，30％或50％。d1，d2和d3的值可以彼此不同，如h1，h2和h3的值。

在制造期間，第二電介質304可通過化學汽相沉積在第一電介質的疊層沉積。因此，層304起初覆蓋設備的整個上表面上，如圖7所示，然后通過構圖和選擇性蝕刻蝕刻回。這允許相對容易地定義該層的空間范圍。因此，圖5所示的設備可以被制造。

該層304可以被構圖并蝕刻的容易引起進一步修改所述層304的形狀，以提供用于進一步消除應力的可能性。

最高E場集中的區(qū)域發(fā)生在形成繞組的金屬軌跡的邊緣-如眾所周知的，因為邊表示曲率的半徑，和E場隨著減小的曲率半徑而增加。形成線圈磁跡可以相當空間上廣泛，和線圈的相鄰匝之間存在間隙。由此可以得出，在層304中的壓力可避免鄰近每個“繞組”邊緣。這可以通過在層304形成應力釋放結構來實現(xiàn)。

圖8是由金屬軌道100所形成的線圈的一部分的平面圖。軌道100在第二電介質層304上形成。然而，為了防止應力在磁跡的邊緣積聚，應力釋放可以進一步通過在層304形成通道320提供。雖然通道320可以在層306被視為不連續(xù)性，因此場將充分利用此以打破設備，通道形成遠離各個導體，和以足夠的距離不出示擊穿風險。此外，因為繞組的每個部分是在類似的電壓，則通道320形成在從相鄰導體100的大幅E場抵消的點。如果通道100通過層304的整個深度延伸，則該信道也為脫氣發(fā)生以及與金屬磁道相關聯(lián)的層304的區(qū)域提供應力釋放提供路徑。

此類釋放通道的形成可以與在圖5和6所示的布置一起使用，并且也在圖3中示出。

現(xiàn)在說明實施例的各種非限制性示例。根據(jù)一個實施例，隔離設備被提供，其包括第一和第二電極，第一和第二電極之間的第一電介質材料層，以及第一介電材料層和第一和第二電極中的至少一個之間的第二介電材料中的至少一個區(qū)域。第二介電材料具有比所述第一介電材料更高的相對介電常數(shù)。

在一些實施例中，第二電介質材料的至少一個區(qū)域位于所述第一和第二電極的至少一個的鄰近邊緣。在一些實施例中，第二電介質材料的至少一個區(qū)域包括第一介電材料層和所述第一和第二電極的至少一個之間的第二電介質材料的至少一個層。在一些實施例中，第二電介質材料的至少一個區(qū)域包括第一介電材料層和第一電極之間的第二介電材料的第一區(qū)域，以及該設備還包括第一介電材料和第二電極的層之間的第三介電材料的第二區(qū)域。在一些實施例中，第二電介質材料不同于第三介電材料。在其他實施例中，第二電介質材料相同于第三介電材料。在一些實施例中，第三電介質材料具有比該第一介電材料更高的相對介電常數(shù)。

在一些實施例中，第二電介質材料的至少一個區(qū)域不接觸第一和第二電極的至少一個。在一些實施例中，該設備還包括第二電介質材料的至少一個區(qū)域以及第一和第二電極中的至少一個之間的另外層。在一些實施例中，該另外的層是鈍化層。在一些實施例中，第二介電材料的至少一個區(qū)域由所述第一和第二電極的至少一個之間由約0.1μm和5μm分開。每個第一和第二電極包括板或線圈。在一些實施例中，第一介電材料層的厚度為10μm和約80μm之間。在一些實施例中，第二介電材料的至少一個區(qū)域的厚度大約1μm。第一和第二電極之一形成在基板上。在一些實施例中，第一介電材料是聚酰亞胺，和/或第二介電材料是氮化硅，藍寶石，五氧化二鉭，鈦酸鍶，鐵酸鉍和鈦酸鋇鍶的一個。第二介電材料的至少一個區(qū)域基本上包圍第一電介質材料層。

根據(jù)一些實施例，提供一種形成隔離設備的方法，包括：在襯底上形成第一電極，在第一區(qū)域形成第一電介質材料層，以及在第一層上形成第二電極。該方法還包括至少之一：(i)在第一電極的至少部分上，和形成第一介電材料層之前，形成第二介電材料的區(qū)域；及(ii)在第一電介電材料層以上和形成第二電極之前形成第三介電材料的區(qū)域，其中該第二介電材料和所述第三電介質材料具有比第一材料高的相對介電常數(shù)。

在一些實施例中，在第一層上形成第二介電材料的第二區(qū)域是在形成第二電極之前進行。在一些實施例中，該方法進一步包括：形成第二電極前，在第二區(qū)域形成二氧化硅或其它絕緣材料的層。在一些實施例中，該方法進一步包括：在第一電極上，在形成第一介電材料層和第二介質材料的區(qū)域之前，形成鈍化層。

在一些實施例中，該方法進一步包括：在第三介電材料的區(qū)域上，和形成第二電極之前，形成的鈍化層。

在一些實施例中，該方法還包括：在第一電極的至少一部分上，和形成第一介電材料的層之前，形成第二介電材料的區(qū)域，并在第一介電材料的層上，和形成第二電極之前，形成第三介電材料的區(qū)域。

在一些實施例中，第二電介質材料不同與第三電介質材料，但在其他實施例中它們是相同的。

在一些實施例中，第二電介質材料的區(qū)域中基本上包圍第一電介質材料層。在一些實施例中，第一介電材料是聚酰亞胺，和/或第二介電材料是氮化硅，藍寶石，五氧化二鉭，鈦酸鍶，鐵酸鉍和鈦酸鋇鍶之一，和/或所述第三介電材料是硅氮化物，藍寶石，五氧化二鉭，鈦酸鍶，鐵酸鉍和鈦酸鋇鍶中的一個。

在一些實施例中，在多個工藝步驟形成第一介電材料層。

在一些實施例中，電子設備提供了包括隔離設備，其中，所述隔離設備包括第一和第二導電部分，諸如電極，第一和第二電極之間的第一電介質材料層，以及第一介電材料層和所述第一和第二電極中的至少一個之間的第二電介質材料的至少一個區(qū)域。在一些實施例中，第二電介質材料具有比所述第一介電材料更高的相對介電常數(shù)。

希望上述描述用于示例并不限制本公開的范圍和所保護的范圍，其由所附權利要求限定。其他實施例在權利要求的范圍之內。本文描述的方面和實施例可組合為兩個或多個的任何組合，除非方面和/或實施例被描述為相互排斥。

同樣，可以理解，本文描述的任何權利要求可取決于相同類型的任何之前權利要求，除非明顯不可行。