本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，尤其涉及一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置及冷卻方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路技術(shù)的不斷進步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片已成為超大規(guī)模集成電路制造的趨勢。集成電路技術(shù)進入超大規(guī)模集成電路時代，集成電路的工藝尺寸向著28nm以及更小尺寸的結(jié)構(gòu)發(fā)展，同時也對晶圓制造工藝提出了更高更細致的技術(shù)要求，對于缺陷的管控也是越來越嚴。

目前，半導體業(yè)界大家普遍關注的一直是晶圓刻蝕過程前和刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕缺陷問題，而對于晶圓刻蝕完成之后的關注較少，晶圓只會進入一個結(jié)構(gòu)簡單的冷卻裝置進行自然冷卻與刻蝕殘留氣體的自然揮發(fā)，效果欠佳。該殘留氣體形成的凝聚態(tài)副產(chǎn)物，包括晶圓表面及背面粘附的雜質(zhì)顆粒的問題突出。更嚴重地，刻蝕后晶圓不經(jīng)過處理的情況下進入后續(xù)濕法清洗工序，這部分雜質(zhì)顆粒會因為在大氣中暴露氧化造成無法被徹底清洗，制約了產(chǎn)品獲得高電性性能及高良率。

故針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本案設計人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置及冷卻方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的半導體業(yè)界僅僅只關注晶圓刻蝕過程前和刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕缺陷問題，而對于晶圓刻蝕完成之后的關注過少，晶圓通常只會進入一個結(jié)構(gòu)簡單的冷卻裝置進行自然冷卻與刻蝕殘留氣體的自然揮發(fā)，效果欠佳。更嚴重地，刻蝕后晶圓不經(jīng)過處理的情況下進入后續(xù)濕法清洗工序，這部分雜質(zhì)顆粒會因為在大氣中暴露氧化造成無法被徹底清洗，制約了產(chǎn)品獲得高電性性能及高良率等缺陷提供一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置。

本發(fā)明是之又一目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的半導體業(yè)界僅僅只關注晶圓刻蝕過程前和刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕缺陷問題，而對于晶圓刻蝕完成之后的關注過少，晶圓通常只會進入一個結(jié)構(gòu)簡單的冷卻裝置進行自然冷卻與刻蝕殘留氣體的自然揮發(fā)，效果欠佳。更嚴重地，刻蝕后晶圓不經(jīng)過處理的情況下進入后續(xù)濕法清洗工序，這部分雜質(zhì)顆粒會因為在大氣中暴露氧化造成無法被徹底清洗，制約了產(chǎn)品獲得高電性性能及高良率等缺陷提供一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法。

為實現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置，所述淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置，包括：冷卻裝置本體，所述冷卻裝置本體內(nèi)部容置待冷卻之半導體器件；離子風機，所述離子風機設置在所述冷卻裝置本體之外側(cè)，并向設置在所述冷卻裝置本體內(nèi)的半導體器件進行風冷。

可選地，所述離子風機分別間隔設置在所述冷卻裝置本體之上、下兩側(cè)，及位于所述上、下兩側(cè)間的側(cè)壁。

可選地，所述離子風機為臺式離子風機、臥式離子風機、懸掛式離子風機的至少其中之一。

可選地，所述離子風機在所述冷卻裝置本體內(nèi)形成氣旋回流。

可選地，位于所述冷卻裝置本體之上側(cè)的離子風機數(shù)量為1臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體內(nèi)的半導體器件進行吹風冷卻。

可選地，位于所述冷卻裝置本體之下側(cè)的離子風機數(shù)量為1臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體內(nèi)的半導體器件進行吹風冷卻。

可選地，位于所述冷卻裝置本體之上、下兩側(cè)間的側(cè)壁之離子風機數(shù)量為至少3臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體內(nèi)的半導體器件進行吹風冷卻。

為實現(xiàn)本發(fā)明之又一目的，本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法，所述淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法，包括：

執(zhí)行步驟S1：對已完成淺溝槽隔離刻蝕之半導體器件在所述冷卻裝置本體內(nèi)冷卻；

執(zhí)行步驟S2：在所述冷卻裝置本體對所述半導體器件進行冷卻的同時，設置在所述冷卻裝置本體外側(cè)的離子風機在所述冷卻裝置本體內(nèi)形成氣旋回流，并對所述半導體器件進行風冷。

可選地，所述淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法，進一步包括：

執(zhí)行步驟S3：經(jīng)過所述冷卻裝置本體和離子風機冷卻后的半導體器件流轉(zhuǎn)入濕法清洗工序。

綜上所述，本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置通過在所述冷卻裝置本體之外側(cè)進一步設置離子風機，并在所述冷卻裝置本體內(nèi)形成氣旋回流，具有顯著除去半導體器件之表面靜電的能力，大大提高冷卻裝置本體的冷卻效果，降低殘留刻蝕工藝氣體在半導體器件表面形成的凝聚態(tài)副產(chǎn)物，并且及時有效的大幅度去除刻蝕后所述半導體器件表面和背面因靜電效應而粘附的雜質(zhì)顆粒。

附圖說明

圖1所述為本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法流程圖。

具體實施方式

為詳細說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達成目的及功效，下面將結(jié)合實施例并配合附圖予以詳細說明。

隨著集成電路技術(shù)的不斷進步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片成為超大規(guī)模集成電路制造的趨勢。集成電路技術(shù)進入超大規(guī)模集成電路時代，集成電路的工藝尺寸向著28nm以及更小尺寸的結(jié)構(gòu)發(fā)展，同時也對晶圓制造工藝提出了更高更細致的技術(shù)要求，對于缺陷的管控也是越來越嚴。

目前，半導體業(yè)界大家普遍關注的一直是晶圓刻蝕過程前和刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕缺陷問題，而對于晶圓刻蝕完成之后的關注較少，晶圓只會進入一個結(jié)構(gòu)簡單的冷卻裝置進行自然冷卻與刻蝕殘留氣體的自然揮發(fā)，效果欠佳。該殘留氣體形成的凝聚態(tài)副產(chǎn)物，包括晶圓表面及背面粘附的雜質(zhì)顆粒的問題突出。更嚴重地，刻蝕后晶圓不經(jīng)過處理的情況下進入后續(xù)濕法清洗工序，這部分雜質(zhì)顆粒會因為在大氣中暴露氧化造成無法被徹底清洗，制約了產(chǎn)品獲得高電性性能及高良率。

請參閱圖1，圖1所述為本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。所述淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置1，包括：冷卻裝置本體11，所述冷卻裝置本體11內(nèi)部容置待冷卻之半導體器件2；離子風機12，所述離子風機12設置在所述冷卻裝置本體11之外側(cè)，并向設置在所述冷卻裝置本體11內(nèi)的半導體器件2進行風冷。

為了便于所述半導體器件2之冷卻，作為本領域技術(shù)人員，不難理解地，所述離子風機12在所述冷卻裝置本體11內(nèi)形成氣旋回流13。具體地，所述離子風機12分別間隔設置在所述冷卻裝置本體11之上側(cè)111和下側(cè)112，及位于所述上側(cè)111和下側(cè)112間的側(cè)壁113處。

作為具體實施方式，非限制性地，所述離子風機12為臺式離子風機、臥式離子風機、懸掛式離子風機、微型離子風機的至少其中之一。更具體地，位于所述冷卻裝置本體11之上側(cè)111的離子風機數(shù)量為1臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體11內(nèi)的半導體器件2進行吹風冷卻。位于所述冷卻裝置本體11之下側(cè)112的離子風機數(shù)量為1臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體11內(nèi)的半導體器件2進行吹風冷卻。位于所述冷卻裝置本體11之上側(cè)111和下側(cè)112間的側(cè)壁113處之離子風機數(shù)量為至少3臺，且面向設置在所述冷卻裝置本體11內(nèi)的半導體器件2進行吹風冷卻。

為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的結(jié)構(gòu)和冷卻方法的原理進行闡述。在具體實施方式中，所述淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的具體結(jié)構(gòu)、形狀、位置設置，以及離子風機的類型和數(shù)量僅為列舉，不應視為對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

請參閱圖2，并結(jié)合參閱圖1，圖2所示為本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法流程圖。所示淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法，包括：

執(zhí)行步驟S1：對已完成淺溝槽隔離刻蝕之半導體器件2在所述冷卻裝置本體11內(nèi)冷卻；

執(zhí)行步驟S2：在所述冷卻裝置本體11對所述半導體器件2進行冷卻的同時，設置在所述冷卻裝置本體11外側(cè)的離子風機12在所述冷卻裝置本體11內(nèi)形成氣旋回流13，并對所述半導體器件2進行風冷。

進一步地，所示淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置的冷卻方法，還包括：

執(zhí)行步驟S3：經(jīng)過所述冷卻裝置本體11和離子風機12冷卻后的半導體器件2流轉(zhuǎn)入濕法清洗工序。

明顯地，本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置1通過在所述冷卻裝置本體11之外側(cè)進一步設置離子風機12，并在所述冷卻裝置本體11內(nèi)形成氣旋回流13，具有顯著除去半導體器件2之表面靜電的能力，大大提高冷卻裝置本體11的冷卻效果，降低殘留刻蝕工藝氣體在半導體器件2表面形成的凝聚態(tài)副產(chǎn)物，并且及時有效的大幅度去除刻蝕后所述半導體器件2表面和背面因靜電效應而粘附的雜質(zhì)顆粒。本領域技術(shù)人員容易知曉地，目前刻蝕后半導體器件2在不經(jīng)過處理的情況下進入濕法清洗工序，則所述雜質(zhì)顆粒會因為在大氣中暴露，進而氧化造成無法徹底清洗，制約了產(chǎn)品獲得高電性性能及高良率。

綜上所述，本發(fā)明淺溝槽隔離刻蝕設備之冷卻裝置通過在所述冷卻裝置本體之外側(cè)進一步設置離子風機，并在所述冷卻裝置本體內(nèi)形成氣旋回流，具有顯著除去半導體器件之表面靜電的能力，大大提高冷卻裝置本體的冷卻效果，降低殘留刻蝕工藝氣體在半導體器件表面形成的凝聚態(tài)副產(chǎn)物，并且及時有效的大幅度去除刻蝕后所述半導體器件表面和背面因靜電效應而粘附的雜質(zhì)顆粒。

本領域技術(shù)人員均應了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書及等同物的保護范圍內(nèi)時，認為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。