技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種具有雙阱的金屬氧化物半導(dǎo)體元件及其制造方法。其中，具有雙阱的金屬氧化物半導(dǎo)體元件包含：半導(dǎo)體基板、外延層、第一導(dǎo)電型阱、第一導(dǎo)電型本體區(qū)、第二導(dǎo)電型阱、柵極、第一導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)、第二導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)、第二導(dǎo)電型源極、以及第二導(dǎo)電型漏極。其中，第二導(dǎo)電型阱于一橫向上鄰接于第一導(dǎo)電型阱，且第二導(dǎo)電型阱與第一導(dǎo)電型阱形成PN接面。第一導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)，以自我對準(zhǔn)工藝步驟，形成于第一導(dǎo)電型阱上的外延層中。第二導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)，以自我對準(zhǔn)工藝步驟，形成于第二導(dǎo)電型阱上的外延層中。其中，PN接面位于第一導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)與第二導(dǎo)電型輕摻雜擴散區(qū)之間。

技術(shù)研發(fā)人員：黃宗義
受保護的技術(shù)使用者：立锜科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.01
技術(shù)公布日：2017.10.24