互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]互補金屬氧化物半導(dǎo)體(ComplementaryMetal OxideSemiconductor，C0MS)器件由P型溝通金屬氧化物半導(dǎo)體(P-channel Metal Oxide Semiconductor，PM0S)以及N型溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(N-channel Metal Oxide Semiconductor，NM0S)共同構(gòu)成，CMOS器件是液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,IXD)中驅(qū)動芯片的最基本的電路結(jié)構(gòu)。在傳統(tǒng)的LCD中，驅(qū)動芯片和基板(比如，玻璃基板)是沒有集成的分離式設(shè)計，這使得LCD的制造成本較高且難以實現(xiàn)輕薄化設(shè)計。若能將驅(qū)動芯片直接做在基板上，這對于LCD等顯示裝置而言，無疑是一個非常大的進步。目前，一般采用低溫多晶娃(Low Temperature Poly-si I icon，LTPS)技術(shù)將COMS器件制備到基板上，相較于驅(qū)動芯片和基板分離設(shè)計有了一定的進步。然而，LTPS技術(shù)分別制備CMOS器件中PMOS和NMOS的半導(dǎo)體層，其制備工藝中包括激光退火、摻雜、粒子注入等相對復(fù)雜的工藝流程，因此成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件，所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括:
[0004]基板，所述基板包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面；
[0005]設(shè)置在所述第一表面中部的第一金屬層；
[0006]設(shè)置在所述第一金屬層以及未覆蓋所述第一金屬層的所述第一表面的絕緣層；
[0007]設(shè)置在所述絕緣層上且對應(yīng)所述第一金屬層設(shè)置的第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0008]分別間隔設(shè)置在所述絕緣層上的第一金屬部、第二金屬部及第三金屬部，所述第一金屬部及所述第二金屬部間隔設(shè)置在所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)且均與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸，所述第二金屬部設(shè)置在所述第一金屬部與所述第三金屬部之間，其中，所述第一金屬部、所述第二金屬部及所述第三金屬部定義為第二金屬層；
[0009]第二類型有機半導(dǎo)體層，所述第二類型有機半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第二金屬部與所述第三金屬部之間的間隙，以及鄰近所述間隙的第二金屬部及所述第三金屬部上；
[0010]鈍化層，設(shè)置在所述第一金屬部、所述第二金屬部及所述第三金屬部、所述第一金屬部與所述第二金屬部之間的第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層、以及所述第二類型有機半導(dǎo)體層上；
[0011]第三金屬層，設(shè)置在所述鈍化層上且對應(yīng)所述第二類型有機半導(dǎo)體層設(shè)置。
[0012]其中，所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括:
[0013]第一蝕刻阻擋層，所述第一蝕刻阻擋層上設(shè)置第一通孔，所述第一蝕刻阻擋層設(shè)置在所述第一金屬部與第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，所述第一金屬部通過所述第一通孔與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層連接。
[0014]其中，所述互補金屬氧化物半導(dǎo)器件還包括:
[0015]第二蝕刻阻擋層，所述第二蝕刻阻擋層上設(shè)置第二通孔，所述第二蝕刻阻擋層設(shè)置在所述第二金屬部與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，所述第二金屬部通過所述第二通孔與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層連接。
[0016]其中，所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層為N型金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述第二類型有機半導(dǎo)體層為P型有機半導(dǎo)體層;或者所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層為P型金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述第二類型有機半導(dǎo)體層為N型有機半導(dǎo)體層。
[0017]其中，所述當所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層為N型金屬氧化物半導(dǎo)體層時，第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層為IGZO或者ΙΤΖ0。
[0018]本發(fā)明還提供了一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法，所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法包括:
[0019]提供一基板，所述基板包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面；
[0020]在所述第一表面中部形成第一金屬層；
[0021]形成覆蓋所述第一金屬層及未覆蓋所述第一金屬層的所述第一表面的絕緣層；
[0022]在所述絕緣層上且對應(yīng)所述第一金屬層形成第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0023]在所述絕緣層上形成間隔設(shè)置的第一金屬部、第二金屬部及第三金屬部，所述第一金屬部及所述第二金屬部間隔設(shè)置在所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)且均與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸，所述第二金屬部設(shè)置在所述第一金屬部與所述第三金屬部之間，其中，所述第一金屬部、所述第二金屬部及所述第三金屬部定義為第二金屬層；
[0024]對應(yīng)所述第二金屬部與所述第三金屬部之間的間隙，以及鄰近所述間隙的第二金屬部及第三金屬部上形成第二類型有機半導(dǎo)體層；
[0025]在所述第二類型有機半導(dǎo)體層上形成鈍化層；
[0026]形成設(shè)置在所述鈍化層上且對應(yīng)所述第二類型有機半導(dǎo)體層設(shè)置的第三金屬層。
[0027]其中，所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法還包括:
[0028]形成第一蝕刻阻擋層，在所述第一蝕刻阻擋層上形成第一通孔，所述第一蝕刻阻擋層設(shè)置在所述第一金屬部與第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，所述第一金屬部通過所述第一通孔與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層連接；
[0029]形成第二蝕刻阻擋層，在所述第二蝕刻阻擋層上形成第二通孔，所述第二蝕刻阻擋層設(shè)置在所述第二金屬部與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層之間，所述第二金屬部通過所述第二通孔與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層連接。
[0030]其中，所述步驟“在所述第一表面中部形成第一金屬層”包括:
[0031 ]在所述第一表面上形成一整層材料為金屬的第一導(dǎo)電層；
[0032]在所述第一導(dǎo)電層上覆蓋第一光阻層；
[0033]對所述第一光阻層進行曝光，以移除覆蓋在所述第一導(dǎo)電層兩側(cè)的第一光阻層；
[0034]對未被所述第一光阻層覆蓋的第一導(dǎo)電層進行蝕刻，以移除未被所述第一光阻層覆蓋的第一導(dǎo)電層；
[0035]剝離剩余的第一光阻層，以形成所述第一金屬層。
[0036]其中，所述步驟“在所述絕緣層上且對應(yīng)所述第一金屬層形成第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層”包括:
[0037]在所述絕緣層上形成整層的第一半導(dǎo)體層；
[0038]在整層的第一半導(dǎo)體層上覆蓋第二光阻層；
[0039]對第二光阻層進行曝光，以移除覆蓋在所述第一半導(dǎo)體層兩側(cè)的第二光阻層，保留對應(yīng)所述第一金屬層的第二光阻層；
[0040]對未被所述第二光阻層覆蓋的第一半導(dǎo)體層進行蝕刻，以移除未被所述第二光阻層覆蓋的第一半導(dǎo)體層；
[0041]剝離剩余的第二光阻層，以形成所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層。
[0042]其中，所述步驟“在所述絕緣層上形成間隔設(shè)置的第一金屬部、第二金屬部及第三金屬部，所述第一金屬部及所述第二金屬部間隔設(shè)置在所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)且均與所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸，所述第二金屬部設(shè)置在所述第一金屬部與所述第三金屬部之間，其中，所述第一金屬部、所述第二金屬部及所述第三金屬部定義為第二金屬層”包括:
[0043]在所述絕緣層上形成一整層材料為金屬的第二導(dǎo)電層；
[0044]在所述第二導(dǎo)電層上覆蓋第三光阻層；
[0045]對所述第三光阻層進行曝光，以在所述第三光阻層上形成對應(yīng)所述第一類型金屬氧化物半導(dǎo)體層中部的第一孔以及與所述第一孔間隔設(shè)置的第二孔以裸露部分所述第二導(dǎo)電層；
[0046]對未