本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件及顯示裝置。
背景技術(shù):
有機(jī)顯示裝置可以使用紅綠藍(lán)的子像素顯示彩色的圖像,并且由于其優(yōu)良的亮度和色純度而被作為下一代顯示裝置。為了提高顯示裝置的分辨率,需要減小像素的尺寸,這樣用于蒸鍍的掩膜板開口也要變小,但受掩膜板制備工藝的影響,此開口的尺寸是有限制的;因此限制了顯示器分辨率的提高。尤其在頂發(fā)光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,由于紅綠藍(lán)器件的波長不同,在頂發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示器件中需要對(duì)綠光和紅光器件進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償。
目前一般采用ITO對(duì)綠光和紅光器件進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償,但是采用ITO進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償增加刻蝕難度,不利于實(shí)現(xiàn)。
另外,目前還有采用空穴注入層HIL對(duì)綠光和紅光器件進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償,采用HIL光學(xué)補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示。該有機(jī)發(fā)光顯示器件100’包括第一電極110’、第二電極120’、以及位于第一電極110’和第二電極120’之間的功能結(jié)構(gòu)層130’;功能結(jié)構(gòu)層130’依次包括位于所述第一電極110’上的空穴注入層131’、空穴傳輸層132’、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層134’、以及電子注入層135’;有機(jī)發(fā)光層為并排設(shè)置的紅光發(fā)光層1331’、綠光發(fā)光層1332’、以及藍(lán)光發(fā)光層1333’;在空穴注入層131’和空穴傳輸層132’之間對(duì)應(yīng)紅光發(fā)光層1331’、綠光發(fā)光層1332’的區(qū)域分別還設(shè)有紅光光學(xué)補(bǔ)償層139’以及綠光光學(xué)補(bǔ)償層138’。紅光光學(xué)補(bǔ)償層139’以及綠光光學(xué)補(bǔ)償層138’與空穴注入層131’一樣均可以采用空穴注入材料制成。
上述有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造過程中,會(huì)多次使用到精密掩膜板,尤其是使用精密掩膜板進(jìn)行紅光器件光學(xué)補(bǔ)償須大于60nm,也即蒸鍍紅光光學(xué)補(bǔ)償層139’的厚度大于60nm,量產(chǎn)線長時(shí)間蒸鍍?nèi)菀鬃枞谀ぐ濉?/p>
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
基于此,有必要針對(duì)現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示器件制備過程中掩膜板易阻塞的問題,提供一種制備過程中不易阻塞掩膜板的有機(jī)發(fā)光顯示器件。
一種有機(jī)發(fā)光顯示器件,包括第一電極、第二電極、以及位于第一電極和第二電極之間的功能結(jié)構(gòu)層;
所述功能結(jié)構(gòu)層依次包括位于所述第一電極上的空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、以及電子注入層;
有機(jī)發(fā)光層依次包括藍(lán)光發(fā)光材料層、部分遮擋所述藍(lán)光發(fā)光材料層的綠光阻擋層、綠光發(fā)光材料層、部分遮擋所述綠光發(fā)光材料層上的紅光阻擋層、以及紅光發(fā)光材料層;
所述藍(lán)光發(fā)光材料層位于所述有機(jī)發(fā)光層內(nèi)靠近所述空穴傳輸層的一側(cè),所述綠光阻擋層以及所述紅光阻擋層光阻擋層均為電子阻擋層;
或,
所述藍(lán)光發(fā)光材料層位于所述有機(jī)發(fā)光層內(nèi)遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè),所述綠光阻擋層以及所述紅光阻擋層均為空穴阻擋層。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述紅光阻擋層的厚度為1~20nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述綠光阻擋層的厚度為1~20nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述藍(lán)光發(fā)光材料層的厚度為10~60nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述綠光發(fā)光材料層的厚度為10~60nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述藍(lán)光發(fā)光材料層、所述綠光發(fā)光材料層、以及所述紅光發(fā)光材料層均采用單主體發(fā)光材料。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一電極為氧化銦錫電極。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第二電極為鎂銀合金電極。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括光學(xué)耦合層,所述光學(xué)耦合層位于所述第二電極上遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,其包括本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光顯示器件。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件,通過特殊的有機(jī)發(fā)光層結(jié) 構(gòu)設(shè)置,藍(lán)光發(fā)光材料層以及綠光發(fā)光材料層的制備均不需要精密掩膜板,降低了精密掩膜板的使用數(shù)量。另外,紅光的光學(xué)補(bǔ)償為:藍(lán)光發(fā)光材料層的厚度+綠光阻擋層的厚度+綠光發(fā)光材料層的厚度+紅光阻擋層的厚度,其中,紅光阻擋層的厚度可以設(shè)置地較小,不會(huì)在蒸鍍過程中堵塞掩膜板。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
參見圖2,圖2為實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。一種有機(jī)發(fā)光顯示器件100,包括第一電極110、第二電極120、以及位于第一電極110和第二電極120之間的功能結(jié)構(gòu)層130。
其中,第一電極110可以采用無機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物制成,其中無機(jī)材料可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化鋅、氧化銦鋅等金屬氧化物,亦可以采用金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬。在本實(shí)施例中,第一電極110為氧化銦錫電極,第二電極120一般采用銀、鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬、亦或金屬化合物或合金制成。本發(fā)明優(yōu)選為金屬鎂銀共蒸鍍電極,也即第二電極120為鎂銀合金電極。
本實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光顯示器件100為頂發(fā)光,為了進(jìn)一步優(yōu)化其性能,在第二電極120上遠(yuǎn)離功能結(jié)構(gòu)層130的一側(cè)還設(shè)有光學(xué)耦合層190。當(dāng)然,也可以不設(shè)光學(xué)耦合層190。
其中,功能結(jié)構(gòu)層130依次包括位于第一電極110上的空穴注入層131、空穴傳輸層132、有機(jī)發(fā)光層133、電子傳輸層134、以及電子注入層135。
其中,有機(jī)發(fā)光層133依次包括藍(lán)光發(fā)光材料層1335、部分遮擋藍(lán)光發(fā)光材料層1335的綠光阻擋層1334、綠光發(fā)光材料層1333、部分遮擋綠光發(fā)光材料層1333上的紅光阻擋層1332、以及紅光發(fā)光材料層1331。
在本實(shí)施例中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335位于有機(jī)發(fā)光層133內(nèi)靠近空穴傳輸層132的一側(cè);也就是說,藍(lán)光發(fā)光材料層1335緊貼電子傳輸層134,紅光發(fā)光材料層1331緊貼空穴傳輸層132。
在本實(shí)施例中,綠光阻擋層1334為空穴阻擋層,即該層可以阻擋空穴穿過,但電子可穿過。同樣,紅光阻擋層1332也為空穴阻擋層,即該層可以阻擋空穴穿過,但電子可穿過??昭ㄗ钃鯇硬牧峡梢赃x擇BAlq、Bphen等。
其中,綠光發(fā)光材料層1333以及綠光阻擋層1334的形狀尺寸基本相同,厚度可以相同,亦可以不相同。當(dāng)然,綠光阻擋層1334可略微大于綠光發(fā)光材料層1333的形狀尺寸。同樣,紅光發(fā)光材料層1331以及紅光阻擋層1332的形狀尺寸基本相同,厚度可以相同,亦可以不相同。當(dāng)然,紅光阻擋層1332可略微大于紅光發(fā)光材料層1331的形狀尺寸。
其中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335未被綠光阻擋層1334遮擋的部分形成藍(lán)光發(fā)光區(qū);而被綠光阻擋層1334遮擋的部分,由于綠光阻擋層1334阻擋了空穴穿過,從而使空穴無法到達(dá)該部分,進(jìn)而空穴和電子無法結(jié)合,故該遮擋的部分不發(fā)藍(lán)光。由于綠光阻擋層1334并不阻擋電子,電子可以穿過綠光阻擋層1334進(jìn)入綠光發(fā)光材料層1333,同樣,綠光發(fā)光材料層1333未被紅光阻擋層1332遮擋的部分形成綠光發(fā)光區(qū);而被紅光阻擋層1332遮擋的部分,由于紅光阻擋層1332阻擋了空穴穿過,從而使空穴無法到達(dá)該部分,進(jìn)而空穴和電子無法結(jié)合,故該遮擋的部分也不發(fā)綠光。而紅光發(fā)光材料層1331由于電子和空穴均可以達(dá)到,故紅光發(fā)光材料層1331形成紅光發(fā)光區(qū)。
其中,綠光的光學(xué)補(bǔ)償為:藍(lán)光發(fā)光材料層1335的厚度+綠光阻擋層1334的厚度;紅光光學(xué)補(bǔ)償為:藍(lán)光發(fā)光材料層1335的厚度+綠光阻擋層1334的厚度+綠光發(fā)光材料層1333的厚度+紅光阻擋層1332的厚度。
其中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335采用開口掩膜板進(jìn)行蒸鍍,其厚度優(yōu)選為10-60nm,本實(shí)施例中藍(lán)光發(fā)光材料層1335的厚度為35nm。
綠光阻擋層1334的厚度可以根據(jù)綠光的需要光學(xué)補(bǔ)償設(shè)置,綠光阻擋層1334的厚度優(yōu)選為1~20nm,本實(shí)施例中綠光阻擋層1334的厚度為10nm。
綠光發(fā)光材料層1333采用低精度的精密掩膜板進(jìn)行蒸鍍,其厚度為10~60nm,本實(shí)施例中綠光發(fā)光材料層1333的厚度為30nm。
紅光阻擋層1332的厚度可以根據(jù)綠光的需要光學(xué)補(bǔ)償設(shè)置,紅光阻擋層1332的厚度優(yōu)選為1~20nm,本實(shí)施例中紅光阻擋層1332的厚度為10nm。
紅光發(fā)光材料層1331采用精密掩膜板進(jìn)行蒸鍍,其厚度優(yōu)選為10~60nm,本實(shí)施例中紅光發(fā)光材料層的厚度為30nm。
在本實(shí)施例中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335和綠光發(fā)光材料層1333均采用偏電子型的單主體材料。這樣有利于電子傳輸?shù)郊t光發(fā)光材料層1331。
在本實(shí)施例中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335、綠光發(fā)光材料層1333和紅光發(fā)光材料層1331均采用單主體發(fā)光材料,這樣可以降低有機(jī)發(fā)光顯示器件制造工藝難度,提升有機(jī)發(fā)光顯示器件的良率。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件,通過特殊的有機(jī)發(fā)光層結(jié)構(gòu)設(shè)置,藍(lán)光發(fā)光材料層以及綠光發(fā)光材料層的制備均不需要精密掩膜板,降低了精密掩膜板的使用數(shù)量。另外,紅光的光學(xué)補(bǔ)償為:藍(lán)光發(fā)光材料層的厚度+綠光阻擋層的厚度+綠光發(fā)光材料層的厚度+紅光阻擋層的厚度,其中,紅光阻擋層的厚度可以設(shè)置地較小,不會(huì)在蒸鍍過程中堵塞掩膜板。
參見圖3,圖3為實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例2中的有機(jī)發(fā)光顯示器件基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同,與實(shí)施例1所不同的是有機(jī)發(fā)光層133的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光層133同樣依次包括藍(lán)光發(fā)光材料層1335、部分遮擋藍(lán)光發(fā)光材料層1335的綠光阻擋層1334、綠光發(fā)光材料層1333、部分遮擋綠光發(fā)光材料層1333上的紅光阻擋層1332、以及紅光發(fā)光材料層1331。
在本實(shí)施例中,藍(lán)光發(fā)光材料層1335位于有機(jī)發(fā)光層133內(nèi)靠近空穴傳輸層132的一側(cè);也就是說,藍(lán)光發(fā)光材料層1335緊貼空穴傳輸層132,紅光發(fā)光材料層1331緊貼電子傳輸層134。
在本實(shí)施例中,綠光阻擋層1334為電子阻擋層,即該層可以阻擋電子穿過, 但空穴可穿過。同樣,紅光阻擋層1332也為電子阻擋層,即該層可以阻擋電子穿過,但空穴可穿過。
藍(lán)光發(fā)光材料層1335未被綠光阻擋層1334遮擋的部分形成藍(lán)光發(fā)光區(qū);而被綠光阻擋層1334遮擋的部分,由于綠光阻擋層1334阻擋了電子穿過,從而使電子無法到達(dá)該部分,進(jìn)而空穴和電子無法結(jié)合,故該遮擋的部分不發(fā)光。由于綠光阻擋層1334并不阻擋空穴,空穴可以穿過綠光阻擋層1334進(jìn)入綠光發(fā)光材料層1333,同樣,綠光發(fā)光材料層1333未被紅光阻擋層1332遮擋的部分形成綠光發(fā)光區(qū);而被紅光阻擋層1332遮擋的部分,由于紅光阻擋層1332阻擋了電子穿過,從而使電子無法到達(dá)該部分,進(jìn)而空穴和電子無法結(jié)合,故該遮擋的部分也不發(fā)光。而紅光發(fā)光材料層1331由于電子和空穴均可以達(dá)到,故紅光發(fā)光材料層1331形成紅光發(fā)光區(qū)。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光顯示器件。
以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。