強(qiáng)化基板加熱控制的有無基座式基板支座的基板處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】在此提供用于處理基板的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施方式中，一種設(shè)備包括處理配件，所述處理配件包括：第一環(huán)，在基板的周邊邊緣附近支撐所述基板；第二環(huán)，設(shè)置在所述第一環(huán)周圍；和路徑，形成在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間，使所述第一環(huán)得以對(duì)所述第二環(huán)旋轉(zhuǎn)，其中所述路徑實(shí)質(zhì)上防止光在第一空間與第二空間之間行進(jìn)，所述第一空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)下方，而所述第二空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)上方。
【專利說明】強(qiáng)化基板加熱控制的有無基座式基板支座的基板處理系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施方式一般涉及基板處理系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)裝置的臨界尺寸持續(xù)縮小，基板處理系統(tǒng)需要更敏感地控制加熱、氣體流量與類似條件。發(fā)明人已觀察到，基板處理系統(tǒng)(例如設(shè)置成用于外延沉積工藝的基板處理系統(tǒng))可通過在無須基座板支撐基板的情況下使用多區(qū)域燈而實(shí)現(xiàn)改善的工藝控制，該基座板會(huì)使多區(qū)塊的加熱功效非期望地?zé)崞骄?average)。
[0003]因此，發(fā)明人已提供改良的用于處理基板的方法和設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在此提供用于處理基板的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施方式中，一種設(shè)備包括處理配件，該處理配件包括:第一環(huán)，在基板的周邊邊緣附近支撐該基板；第二環(huán)，設(shè)置在該第一環(huán)周圍；和路徑，形成在該第一環(huán)與該第二環(huán)之間，該路徑使該第一環(huán)得以對(duì)該第二環(huán)旋轉(zhuǎn)，其中該路徑實(shí)質(zhì)上防止光在第一空間與第二空間之間行進(jìn)，該第一空間設(shè)置在該第一環(huán)與該第二環(huán)下方，而該第二空間設(shè)置在該第一環(huán)與該第二環(huán)上方。
[0005]在一些實(shí)施方式中，一種設(shè)備包括:處理腔室，該處理腔室具有基板支座，該基板支座包括第一環(huán)，該第一環(huán)在基板的周邊邊緣支撐該基板；第二環(huán)，設(shè)置在該基板支座周圍；燈頭，當(dāng)基板設(shè)置在該基板支座上時(shí)該燈頭提供能量給該基板；溫度傳感器，與該燈頭相對(duì)，以測(cè)量從該基板輻射的能量；和路徑，形成在該第一環(huán)與該第二環(huán)之間，使該第一環(huán)得以相對(duì)該第二環(huán)旋轉(zhuǎn)，其中該路徑實(shí)質(zhì)上防止光在第一空間與第二空間之間行進(jìn)，該第一空間設(shè)置在該第一環(huán)與該第二環(huán)下方，而該第二空間設(shè)置在該第一環(huán)與該第二環(huán)上方。
[0006]其他與進(jìn)一步的本發(fā)明實(shí)施方式于下文中描述。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]通過參考于附圖中描繪的說明性質(zhì)的本發(fā)明的實(shí)施方式，可了解于上文中簡要概括且于下文中將詳細(xì)討論的本發(fā)明的實(shí)施方式。然而應(yīng)注意附圖僅描繪本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因而不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他同等有效的實(shí)施方式。
[0008]圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的示意性視圖。
[0009]圖2A至圖2D描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支座的示意性部分側(cè)視圖。
[0010]圖3描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支座的示意性部分側(cè)視圖。
[0011]圖4描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支座的示意性部分側(cè)視圖。
[0012]圖5描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支座的示意性部分側(cè)視圖。
[0013]為助于了解，如可能則使用同一標(biāo)號(hào)來表示附圖所共有的同一元件。所述圖式并未按照比例尺繪制，且可能為了明確起見而經(jīng)簡化。預(yù)期一個(gè)實(shí)施方式的元件與特征可有利地并入其他實(shí)施方式中，而無須進(jìn)一步記敘。

【具體實(shí)施方式】
[0014]在此提供用于處理基板的方法和設(shè)備。一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的設(shè)備可有利地提供基板處理系統(tǒng)中強(qiáng)化的基板熱控制，該基板處理系統(tǒng)在無基座板的情況下支撐基板。下文中將討論本發(fā)明的其他與進(jìn)一步的實(shí)施方式。
[0015]在此公開的本發(fā)明的方法和設(shè)備的實(shí)施方式可適于用在任何適合的處理腔室，所述處理腔室包括那些適于執(zhí)行外延沉積工藝的處理腔室，諸如RP EPI反應(yīng)器，該反應(yīng)器可購自美國加州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(Applied Materials, Inc.)。在下文中,針對(duì)圖1描述示范性的處理腔室，圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體基板處理腔室100的示意截面視圖。處理腔室100可例如適于執(zhí)行外延沉積工藝，且包括腔室主體110、支持系統(tǒng)130和控制器140 (此僅為用作說明)。描繪于圖1的處理腔室僅為說明性質(zhì)，而其他處理腔室(包括構(gòu)造成用于除了外延沉積工藝之外的工藝的那些處理腔室)可根據(jù)在此提供的教導(dǎo)修改。
[0016]腔室主體110大體上包括上部102、下部104和包殼(enclosure) 120。真空系統(tǒng)123可耦接腔室主體110，以助于在腔室主體110內(nèi)維持期望壓力。在一些實(shí)施方式中，真空系統(tǒng)123可包括節(jié)流閥(圖中未示)和真空泵119，所述節(jié)流閥和真空泵119用于使腔室主體110排氣(exhaust)。在一些實(shí)施方式中，腔室主體110內(nèi)的壓力可通過調(diào)整節(jié)流閥和/或真空泵119而調(diào)節(jié)。上部102設(shè)置在下部104上，且包括蓋106、夾持環(huán)108、第一襯墊116、基底板112和上高溫計(jì)156。在一些實(shí)施方式中，蓋106具有圓頂狀的形狀因子(formfactor)，然而，也應(yīng)考量具有其他形狀因子的蓋(例如，扁平或反曲線的蓋)。
[0017]下部104耦接處理氣體引入通口 114和排氣通口 118，且該下部104包括基底板組件121、下圓頂132、基板支座124、預(yù)熱環(huán)(例如，第二環(huán)122，將在下文中討論)、下襯墊111和燈頭138，該燈頭138可包括排列于多個(gè)區(qū)域中的多盞燈，其中每一燈區(qū)域可分別受到控制。盡管用語“環(huán)”用于描述處理腔室100的某些部件(諸如預(yù)熱環(huán))，應(yīng)考量，這些部件的形狀不需為圓形，且可包括任何形狀，這些形狀包括(但不限于)矩形、多邊形、卵形與類似形狀。氣源117可耦接腔室主體110，以提供一或多種處理氣體給該腔室主體110。在一些實(shí)施方式中，凈化器115可耦接氣源117，以在所述一或多種處理氣體進(jìn)入腔室主體110之前先過濾或凈化所述一或多種處理氣體。
[0018]基板支座(諸如基板支座124)的一些實(shí)施方式描繪于圖1和圖2A至圖2B中?；逯ё?24可包括可適于與基板支座和/或處理腔室的各種實(shí)施方式一起運(yùn)作的處理配件125的多個(gè)部分。例如，處理配件125可包括基板支座124的元件與腔室的元件，基板支座124的元件諸如是第一環(huán)126 (例如邊緣環(huán))與第三環(huán)127 (例如支撐環(huán))，而腔室的元件諸如是第二環(huán)122 (例如預(yù)熱環(huán))。處理配件125可包括形成在第一環(huán)126與第二環(huán)122之間的路徑128。該路徑128可允許諸如處理期間基板支座124旋轉(zhuǎn)時(shí)第一環(huán)126與第二環(huán)122之間的旋轉(zhuǎn)。路徑128可構(gòu)造成使得來自燈頭138的光受到限制(例如，實(shí)質(zhì)上防止)或防止來自燈頭138的光經(jīng)由第一空間131與第二空間133之間的路徑行進(jìn)，該第一空間131設(shè)置在第一環(huán)126與第二環(huán)122下方，而該第二空間133 (例如，處理空間)設(shè)置在第一環(huán)126與第二環(huán)122上方。再者，路徑128可限制(例如，實(shí)質(zhì)上防止)或防止第二空間133中所用的處理氣體經(jīng)由該路徑行進(jìn)至第一空間131中。如在此所用“實(shí)質(zhì)上被防止”或“實(shí)質(zhì)上防止”意味著未被防止沿著該路徑行進(jìn)的光或處理氣體的量微小得不足以影響處理。
[0019]例如，路徑128必須限制或防止的來自燈頭138的光可具有能被上高溫計(jì)156 (例如溫度傳感器)所測(cè)量到的波長。其他元件(諸如第一襯墊116和第二襯墊111)也可用于限制或防止來自燈頭138的光抵達(dá)高溫計(jì)156，如將于下文所討論。
[0020]發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，在無基座板下對(duì)基板支撐有利地防止基座板能非期望地提供的熱平均效應(yīng)。然而，發(fā)明人已進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，無基座板可能使某些波長下的光傳輸通過基板，這是非所期望的。據(jù)此，為了準(zhǔn)確測(cè)量處理期間基板的溫度，需提供一種溫度傳感器以測(cè)量由基板輻射但不會(huì)傳輸通過基板的一或多個(gè)光波長。然而，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，供以加熱基板而繞基板周圍遞送的光能量可與基板溫度的準(zhǔn)確測(cè)量相干涉。所以，在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的設(shè)備有利地限制或防止來自燈頭的光抵達(dá)溫度傳感器。
[0021]在一些實(shí)施方式中(諸如圖1與圖2A至圖2B中所繪示的那些實(shí)施方式)，基板支座124包括第一環(huán)126，該第一環(huán)126在基板101的周邊邊緣附近支撐基板101。雖然如圖所示第一環(huán)126的基板支撐表面129平行基板101，但該第一環(huán)126的基板支撐表面129可相對(duì)于基板101呈傾斜，或以任何適合的設(shè)置方式設(shè)置，以修改與基板101的周邊邊緣接觸的表面。在一些實(shí)施方式中，第一環(huán)126可相對(duì)地薄以減少熱質(zhì)量(thermal mass),使得第一環(huán)126確實(shí)會(huì)顯著地對(duì)基板101的周邊邊緣附近的溫度分布曲線(temperature profile)有所助益，該第一環(huán)126可諸如具有范圍從約0.20mm至約Imm的厚度。第一環(huán)126可包含諸如下述物質(zhì)中一或多者的材料:碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳或類似物。
[0022]第三環(huán)127可設(shè)置在第一環(huán)126與第二環(huán)122之間，如圖1與圖2A至圖2B所繪示。第三環(huán)127可包含諸如下述物質(zhì)中一或多者的材料:SiC、SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳、有SiC涂布的硅土(silica)、有玻璃碳涂布的娃土、有SiC涂布的“娃土、招土(alumina)和鎂土(magnesia) ”的陶瓷合金或類似物。第三環(huán)127可支撐第一環(huán)126。在一些實(shí)施方式中，第三環(huán)127可包括內(nèi)唇部134，該內(nèi)唇部134從第三環(huán)127的內(nèi)表面135朝第一環(huán)126徑向延伸。突出部136可從第三環(huán)127的內(nèi)唇部134向上延伸，使得第一環(huán)126被支撐在該突出部136上。突出部136可在內(nèi)唇部134周圍連續(xù)設(shè)置。突出部136的端部可構(gòu)造成使得熱傳遞限制在第三環(huán)127與第一環(huán)126之間。例如，在一些實(shí)施方式中，突出部136可呈斜角(beveled)或可漸縮(taper)，或者突出部136可具有一些其他幾何形狀使得突出部136在內(nèi)唇部134附近具有第一厚度，該第一厚度大于位在突出部136接觸第一環(huán)126的端部處的第二厚度，以最小化第一環(huán)126與第三環(huán)127之間的接觸面積。同樣，突出部136可為齒形或以其他方式配置以使與126的接觸受到限制。如圖1與圖2A至圖2B所示，突出部136的端部可以是刀狀邊緣或類似物，而限制對(duì)第一環(huán)126的接觸面積。
[0023]內(nèi)唇部134與突出部136可部分界定第三環(huán)127中形成的溝槽，以收納一部分的第一環(huán)126。例如，溝槽137可界定在突出部136、內(nèi)唇部134與第三環(huán)127的內(nèi)表面135之間。溝槽137可收納第二突出部139，該第二突出部139從第一環(huán)126的與基板相對(duì)(substrate-opposing)側(cè)向下延伸。第二路徑141可形成在溝槽與第一環(huán)126的第二突出部139之間。類似第一路徑128，第二路徑141可限制或防止光在第一空間131與第二空間133之間行進(jìn)。在一些實(shí)施方式中，第二路徑141可包括一或多個(gè)特征143，所述一或多個(gè)特征143設(shè)置在溝槽137的表面或第二突出部139的表面的至少一者上(如圖2D所繪示)，以進(jìn)一步阻礙光行進(jìn)通過第二路徑141。在一些實(shí)施方式中，所述一或多個(gè)特征143可包括徑向突出部，該徑向突出部延伸圍繞第二突出部139的表面或溝槽137的表面的整個(gè)周邊。以替代方式或組合方式，可使所述一或多個(gè)特征143包括這樣的徑向突出部:僅部分延伸圍繞第二突出部139的表面或溝槽137的表面的周邊。
[0024]回到圖1與圖2A至圖2B，第三環(huán)127包括外唇部145，該外唇部145從第三環(huán)127的外表面147朝向第二環(huán)122徑向延伸。第二環(huán)122可包括第二內(nèi)唇部148，該第二內(nèi)唇部148從第二環(huán)122的內(nèi)表面149朝向第三環(huán)127徑向延伸。第二環(huán)122可包含諸如下述物質(zhì)中一或多者的材料:SiC、SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有SiN涂布的石墨、玻璃碳、有SiC涂布的硅土、有玻璃碳涂布的硅土、有SiC涂布的“硅土、鋁土和鎂土”的陶瓷合金或類似物。在一些實(shí)施方式中，且如圖1與圖2A至圖2B所繪示，路徑128可通過第三環(huán)127的外唇部145與第二環(huán)122的第二內(nèi)唇部148的重疊所形成。如圖2C所繪不，一或多個(gè)特征150可設(shè)置在外唇部145的表面、第二內(nèi)唇部148的表面、第三環(huán)的外表面147或第二環(huán)149的內(nèi)表面的其中至少一者上，以進(jìn)一步限制或防止光在第一空間131與第二空間133之間行進(jìn)。一或多個(gè)特征143、150可以是任何適合的形狀或設(shè)計(jì)，和/或可排列成有助于限制或防止光通過路徑128、141的任何適合的圖案。
[0025]基板支座124可包括基底152，該基底152設(shè)置在第一環(huán)126、第二環(huán)122和第三環(huán)127下方，如圖1所繪示。基底152可對(duì)燈頭138提供的光波長透明?；?52可由實(shí)質(zhì)上透明的材料形成，所述材料諸如是熔娃石(fused silica)、招土、藍(lán)寶石、氧化乾或類似物的一或多者?；卓裳b設(shè)至升降組件154，該升降組件154可包括軸桿158，該軸桿158相對(duì)于基底152呈置中設(shè)置，且該軸桿158構(gòu)造成抬高與降低基板支座124。軸桿158可耦接升降機(jī)構(gòu)，該升降機(jī)構(gòu)設(shè)置在下圓頂132外部。進(jìn)一步而言，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可耦接軸桿158，以在處理期間旋轉(zhuǎn)基板支座124。在一些實(shí)施方式中，升降銷160處于靜態(tài)位置時(shí)可裝設(shè)和/或構(gòu)造成安置在圓頂132上。在操作時(shí)，升降機(jī)構(gòu)可相對(duì)升降銷160降低基板支座124，使得升降銷160收納基板101以傳進(jìn)或傳出系統(tǒng)100。在一些實(shí)施方式中，升降銷可被支座124捕捉且移動(dòng)，但會(huì)自由地垂直滑動(dòng)，以當(dāng)支座下降時(shí)接合且支撐基板。
[0026]一或多個(gè)構(gòu)件162可從基底152延伸，以將第一環(huán)126支撐在基底152上方。如在圖1與圖2A至圖2B所繪示，一或多個(gè)構(gòu)件可直接支撐第三環(huán)127。一或多個(gè)構(gòu)件162可以是多個(gè)棒(rod)、實(shí)心圓柱體或其他用于將第一環(huán)126支撐在基底152上方的適當(dāng)?shù)厮苄蔚臉?gòu)件。所述一或多個(gè)構(gòu)件162可由諸如下述物質(zhì)中一或多者的材料形成，所述物質(zhì)為:SiC, SiN、有SiC涂布的石墨、有玻璃碳涂布的石墨、有氮化硅涂布的石墨、玻璃碳、石墨、有SiC涂布的硅土、有玻璃碳涂布的硅土、有SiC涂布的“硅土、鋁土和鎂土”的陶瓷合金、硅土、鋁土、氧化釔，“硅土、鋁土和鎂土”的陶瓷合金或類似物。一或多個(gè)構(gòu)件162可具有狹窄的截面、低密度和/或低熱質(zhì)量，使得基底152 (或該一或多個(gè)構(gòu)件162)與基板101之間的能量傳送得以受到限制，或被防止通過該一或多個(gè)構(gòu)件162。一或多個(gè)構(gòu)件162可具有變化的截面，如下文中于圖3所繪示的實(shí)施方式中所討論。一或多個(gè)構(gòu)件162可對(duì)稱地在基底152周圍設(shè)置。
[0027]如圖1與圖2A至圖2B所繪示，裙部(或圓柱狀主體)164可設(shè)置在第三環(huán)127下方。圓柱狀主體164可用作防止可從第二空間133進(jìn)入第一空間131的處理氣體沉積在基板101的背側(cè)上。例如，圓柱狀主體164可助于形成第三路徑166，該第三路徑166減少第二空間133與基板101的背側(cè)之間的處理氣流。
[0028]在一些實(shí)施方式中，圓柱狀主體164可從第三環(huán)127向下延伸，且第三路徑166可由圓柱狀主體164與基板支座124形成，如圖1與圖2A中所繪示?；蛘?，在一些實(shí)施方式中，第三路徑166可形成在圓柱狀主體164與第三環(huán)127之間。例如，如圖2B所繪示，圓柱狀主體164可從基底152的周邊邊緣朝第三環(huán)127向上延伸。圖2B的實(shí)施方式可為備受期望的，以例如進(jìn)一步減少第三環(huán)127的熱質(zhì)量。在一些實(shí)施方式中，一或多個(gè)特征(類似一或多個(gè)特征143、150)可沿著第三路徑166的表面設(shè)置，以進(jìn)一步限制氣流通過第三路徑166。
[0029]處理期間，基板101設(shè)置在基板支座124上。蓋106、夾持環(huán)108與下圓頂132由石英所形成；然而，也可使用其他的對(duì)IR透明且與工藝相容的材料形成這些部件。燈頭138是紅外線(IR)輻射(即，熱)源且在操作上該燈頭138遍及基板101上生成預(yù)定的溫度分布。燈頭138可提供某些波長的能量，該波長范圍從約300納米(nm)至約5000納米。燈頭128提供充分能量范圍，使得第一能量(在第一波長或第一波長范圍)可傳輸通過基板，且第二能量(在第二波長或第二波長范圍)被基板101吸收。基板101可于第二波長或波長范圍輻射。上高溫計(jì)156可構(gòu)造成測(cè)量第二能量且不測(cè)量第一能量。因此，路徑128、141可用于限制或防止來自燈頭138的光(例如非源自基板101的在第二波長或第二波長范圍的光)抵達(dá)處理期間測(cè)量基板101的溫度的上高溫計(jì)156。
[0030]本發(fā)明的設(shè)備的替代性實(shí)施方式繪示于圖3至圖5。如圖3至圖5中所繪示，路徑128可由第一環(huán)126的與基板相對(duì)端及第二環(huán)122之間的重疊所形成。第一環(huán)126可直接設(shè)置在一或多個(gè)構(gòu)件162上。進(jìn)一步而言，基底152可延伸，使得基底152的周邊邊緣設(shè)置在第二環(huán)122下方。圓柱狀主體164可從基底152的周邊邊緣向上延伸，以在圓柱狀主體164與第二環(huán)122之間形成第三路徑166。因此，所述一或多個(gè)構(gòu)件162可由基底152的周邊邊緣向內(nèi)設(shè)置，如圖3至圖5所示。
[0031]如圖3所示，一或多個(gè)構(gòu)件162可具有第一截面，該第一截面在基底152附近且比在第一環(huán)126附近的第二截面寬。第一環(huán)126附近的窄的第二截面可助于減少一或多個(gè)構(gòu)件162與第一環(huán)126之間的熱傳遞。一或多個(gè)構(gòu)件162可于中心支撐第一環(huán)126，如圖3所繪示。肋材(rib)302從第一環(huán)126向下延伸且設(shè)置在該第一環(huán)126周圍，該肋材302可用于對(duì)第一環(huán)126提供額外的支撐。例如，可能需要額外的支撐，以當(dāng)處理期間系統(tǒng)100中溫度增加時(shí)限制第一環(huán)126的變形。在一些實(shí)施方式中，肋材302可設(shè)置在一或多個(gè)構(gòu)件162附近，如圖3所示。路徑128可由第一環(huán)126的與基板相對(duì)端與第二內(nèi)唇部148之間的重疊所形成，該第二內(nèi)唇部148由第二構(gòu)件122的內(nèi)表面149徑向向內(nèi)延伸。
[0032]本發(fā)明的設(shè)備的替代性實(shí)施方式繪示于圖4中。圖4中所繪示的實(shí)施方式可實(shí)質(zhì)上類似前文所討論且繪示于圖3中的所述實(shí)施方式。然而，一或多個(gè)構(gòu)件162可具有徹底地均勻的截面，其中該截面被最小化，以助減少一或多個(gè)構(gòu)件162與第一環(huán)126之間的熱傳遞。進(jìn)一步而言，第一環(huán)126可由一或多個(gè)構(gòu)件162支撐在第一環(huán)126的與基板相對(duì)端附近。
[0033]本發(fā)明的設(shè)備的替代性實(shí)施方式繪示于圖5中。圖5中所繪示的實(shí)施方式可實(shí)質(zhì)上類似前文所討論且繪示于圖4中的所述實(shí)施方式。然而，路徑128可形成于第二突出部502與第一突出部504之間，該第二突出部502由第二環(huán)122的第二內(nèi)唇部148向下延伸，而該第一突出部504從第一環(huán)126的與基板相對(duì)端向上延伸。以替代方式或以結(jié)合方式，可使第二內(nèi)唇部148與第一環(huán)126分別包括多個(gè)第二突出部502與多個(gè)第一突出部504，所述第一突出部502與第二突出部504可用于形成路徑128。例如，多個(gè)第二突出部502與多個(gè)第一突出部 504 可形成蛇紋狀(serpentine-like)、迷宮狀(Iabyrinthine-1ike)Jj^W或任何適合的插入配置方式的路徑128。
[0034]進(jìn)一步而言，可利用系統(tǒng)100的其他元件限制或防止光離開第一空間132和/或抵達(dá)高溫計(jì)156。例如，第一襯墊116與第二襯墊111可包含適合吸收或反射第二波長或第二波長范圍的光的材料。第一襯墊116與第二襯墊111可由諸如不透明的熔硅石、黑熔硅石或類似物的一或多者的材料所形成。
[0035]回到圖1，支持系統(tǒng)130包括用于執(zhí)行與監(jiān)視處理腔室100中的預(yù)定工藝(例如生長外延膜)的部件。這樣的部件大體上包括處理腔室100的各種子系統(tǒng)和裝置，子系統(tǒng)例如為氣體面板、氣體分配導(dǎo)管、真空與排氣子系統(tǒng)與類似物，而裝置例如為電源供應(yīng)器、工藝控制設(shè)備與類似物。這些部件為所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員已知，而為了明確起見從附圖中略去。
[0036]可提供控制器140，并且可將該控制器140耦接處理腔室100以控制處理腔室100的部件。控制器140可以是用于控制基板處理腔室的操作的任何適合的控制器。該控制器140大體上包含中央處理單元(CPU) 142、存儲(chǔ)器144與支持電路146，且該控制器140耦接及控制處理腔室100與支持系統(tǒng)130，該耦接及控制方式為直接耦接及控制(如圖1所示)，或者可替代地經(jīng)由與處理腔室及/或支持系統(tǒng)相連的計(jì)算機(jī)(或控制器)耦接及控制。
[0037]CPU 142可以是任何形式的可用于工業(yè)設(shè)施中的通用計(jì)算機(jī)處理器。支持電路146耦接CPU 142且可包括高速緩沖存儲(chǔ)器、時(shí)脈電路、輸入/輸出子系統(tǒng)、電源供應(yīng)器與類似物。軟件程序可存儲(chǔ)在控制器140的存儲(chǔ)器144中，該軟件程序諸如為在此公開的用于處理基板的方法(例如針對(duì)2圖于下文所公開的方法)。當(dāng)所述軟件程序由CPU 142所執(zhí)行時(shí)，將CPU 142轉(zhuǎn)變成專用計(jì)算機(jī)(控制器)140。軟件程序也可由第二控制器(圖中未示)存儲(chǔ)和/或執(zhí)行，該第二控制器位在控制器140的遠(yuǎn)端。以替代方式或以結(jié)合方式，在一些實(shí)施方式中(例如，處理腔室100是多腔室處理系統(tǒng)的一部分的實(shí)施方式)，多腔室處理系統(tǒng)的每一處理腔室可具有該處理腔室自身的控制器，以控制可于該特定處理腔室中執(zhí)行的在此公開的本發(fā)明的方法的多個(gè)部分。在這樣的實(shí)施方式中，個(gè)別的控制器可構(gòu)造成類似于控制器140，且可耦接控制器140以同步處理腔室100的操作。
[0038]雖然前述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施方式，可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他與進(jìn)一步的實(shí)施方式，但不可背離本發(fā)明的基本范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種處理配件，所述處理配件包括: 第一環(huán)，所述第一環(huán)在基板的周邊邊緣附近支撐所述基板； 第二環(huán)，所述第二環(huán)設(shè)置在所述第一環(huán)周圍；和 路徑，所述路徑形成在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間，所述路徑使所述第一環(huán)得以對(duì)所述第二環(huán)旋轉(zhuǎn)，其中所述路徑實(shí)質(zhì)上防止光在第一空間與第二空間之間行進(jìn)，所述第一空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)下方，而所述第二空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)上方。
2.如權(quán)利要求1所述的處理配件，進(jìn)一步包括: 第三環(huán)，所述第三環(huán)設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間，所述第三環(huán)具有內(nèi)唇部與外唇部，所述內(nèi)唇部從所述第三環(huán)的內(nèi)表面朝所述第一環(huán)徑向延伸，所述外唇部從所述第三環(huán)的外表面朝所述第二環(huán)徑向延伸；和 其中所述第二環(huán)進(jìn)一步包括: 第二內(nèi)唇部，所述第二內(nèi)唇部從所述第二環(huán)的內(nèi)表面朝所述第三環(huán)徑向延伸，其中所述路徑由所述外唇部與所述第二內(nèi)唇部的重疊所形成。
3.如權(quán)利要求2所述的處理配件，其中所述第三環(huán)進(jìn)一步包括: 突出部，所述突出部從所述內(nèi)唇部向上延伸，其中所述突出部具有在所述內(nèi)唇部附近的第一厚度，所述第一厚度大于位在所述突出部接觸所述第一環(huán)的端部處的第二厚度； 溝槽，所述溝槽形成在所述突出部、所述內(nèi)唇部、與所述內(nèi)表面之間，以收納第二突出部，所述第二突出部從所述第一環(huán)的與基板相對(duì)側(cè)向下延伸；和 第二路徑，所述第二路徑形成在所述第一環(huán)的所述第二突出部與所述溝槽之間，其中所述第二路徑限制光在所述第一空間與所述第二空間之間行進(jìn)。
4.如權(quán)利要求3所述的處理配件，進(jìn)一步包括: 一或多個(gè)特征，所述一或多個(gè)特征設(shè)置在下述的其中至少一者上:所述溝槽的表面、所述第一環(huán)的所述第二突出部的表面、所述外唇部的表面、所述第二內(nèi)唇部的表面、所述第三環(huán)的所述外表面、或所述第二環(huán)的所述內(nèi)表面，其中所述一或多個(gè)特征沿著所述第一路徑或所述第二路徑的至少一者設(shè)置，以限制光在所述第一空間與所述第二空間之間行進(jìn)。
5.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)中所述的處理配件，進(jìn)一步包括: 圓柱狀主體，所述圓柱狀主體設(shè)置在所述第三環(huán)下方。
6.如權(quán)利要求5所述的處理配件，其中所述圓柱狀主體從所述第三環(huán)向下延伸，且進(jìn)一步包括: 第三路徑，所述第三路徑由所述圓柱狀主體與基板支座所形成，所述處理配件設(shè)置在所述基板支座上，其中所述第三路徑減少當(dāng)基板設(shè)置在所述第一環(huán)上時(shí)所述基板的背側(cè)與所述第二空間之間的處理氣流。
7.如權(quán)利要求5所述的處理配件，進(jìn)一步包括: 第三路徑，所述第三路徑形成在所述圓柱狀主體與所述第三環(huán)之間，其中所述第三路徑減少當(dāng)基板設(shè)置在所述第一環(huán)上時(shí)所述基板的背側(cè)與所述第二空間之間的處理氣流。
8.如權(quán)利要求1所述的處理配件，其中所述第二環(huán)進(jìn)一步包括: 第二內(nèi)唇部，所述第二內(nèi)唇部從所述第二環(huán)的內(nèi)表面徑向向內(nèi)延伸，其中所述路徑由所述第一環(huán)的與基板相對(duì)端以及所述第二內(nèi)唇部之間的重疊所形成。
9.如權(quán)利要求8所述的處理配件，進(jìn)一步包括: 圓柱狀主體，所述圓柱狀主體設(shè)置在所述第二環(huán)下方；和 第三路徑，所述第三路徑形成在所述圓柱狀主體與所述第二環(huán)之間，其中所述第三路徑減少當(dāng)基板設(shè)置在所述第一環(huán)上時(shí)所述基板的背側(cè)與所述第二空間之間的處理氣流。
10.如權(quán)利要求9所述的處理配件，其中所述第一環(huán)進(jìn)一步包括: 第一突出部，所述第一突出部從所述第一環(huán)的所述與基板相對(duì)端向上延伸；且其中所述第二環(huán)進(jìn)一步包括: 第二突出部，所述第二突出部從所述第二內(nèi)唇部向下延伸，其中所述路徑由所述第一突出部與所述第二突出部形成。
11.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 處理腔室，所述處理腔室具有基板支座，所述基板支座包括第一環(huán)、基底和一或多個(gè)構(gòu)件，所述第一環(huán)在所述基板的周邊邊緣附近支撐所述基板，所述基底設(shè)置在所述第一環(huán)下方，所述一或多個(gè)構(gòu)件從所述基底延伸，以將所述第一環(huán)支撐在所述基底上方； 第二環(huán)，所述第二環(huán)設(shè)置在所述基板支座周圍； 燈頭，當(dāng)基板設(shè)置在所述基板支座上時(shí)，所述燈頭提供能量給所述基板；溫度傳感器，所述溫度傳感器與所述燈頭相對(duì)，以測(cè)量從所述基板輻射的能量；和路徑，所述路徑形成在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間，使所述第一環(huán)得以相對(duì)所述第二環(huán)旋轉(zhuǎn)，其中所述路徑實(shí)質(zhì)上防止光在第一空間與第二空間之間行進(jìn)，所述第一空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)下方，而所述第二空間設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)上方。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述燈頭提供第一能量與第二能量，當(dāng)基板設(shè)置在所述基板支座上時(shí)，所述第一能量傳輸通過所述基板，且當(dāng)基板設(shè)置在所述基板支座上時(shí)，所述第二能量被所述基板吸收。
13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述溫度傳感器構(gòu)造成測(cè)量所述第二能量且不測(cè)量所述第一能量，且其中所述基底對(duì)所述第一能量與所述第二能量具傳輸性。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述基板支座進(jìn)一步包括: 第三環(huán)，所述第三環(huán)設(shè)置在所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間，所述第三環(huán)具有內(nèi)唇部與外唇部，所述內(nèi)唇部從所述第三環(huán)的內(nèi)表面朝所述第一環(huán)徑向延伸，所述外唇部從所述第三環(huán)的外表面朝所述第二環(huán)徑向延伸；和其中所述第二環(huán)進(jìn)一步包括: 第二內(nèi)唇部，所述第二內(nèi)唇部從所述第二環(huán)的內(nèi)表面朝所述第三環(huán)徑向延伸，其中所述路徑由所述外唇部與所述第二內(nèi)唇部的重疊所形成。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述第三環(huán)的第一端進(jìn)一步包括: 突出部，所述突出部從所述內(nèi)唇部向上延伸，其中所述突出部具有在所述內(nèi)唇部附近的第一厚度，所述第一厚度大于位在所述突出部接觸所述第一環(huán)的端部處的第二厚度；溝槽，所述溝槽形成在所述突出部、所述內(nèi)唇部、與所述內(nèi)表面之間，以收納第二突出部，所述第二突出部從所述第一環(huán)的與基板相對(duì)側(cè)向下延伸；和 第二路徑，所述第二路徑形成在所述第一環(huán)的所述第二突出部與所述溝槽之間，其中所述第二路徑限制光在所述第一空間與所述第二空間之間行進(jìn)。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK104205320SQ201380016403
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】約瑟夫·M·拉內(nèi)什, 凱拉什·帕塔雷 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司