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一種貼片二極管的制作方法

文檔序號:7019900閱讀:377來源:國知局
一種貼片二極管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種貼片二極管,包括上框架與下框架,所述上下框架間置有芯片,所述芯片與上下框架分別通過焊接層固定連接,芯片外側(cè)置有封膠,所述上下框架的引線折彎處置有倒鉤,所述倒鉤分別置于上下框架的前后兩側(cè),對稱分布,呈半圓形結(jié)構(gòu),其厚度與上下框架的厚度一致,所述半圓形結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)與上下框架接壤處為圓弧形過渡。增強(qiáng)膠體與框架的結(jié)合度,提高了產(chǎn)品的密封性,降低由于外界對框架應(yīng)力的作用而對芯片造成的損傷。
【專利說明】一種貼片二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種貼片二極管,屬于電子元件領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]貼片二極管是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件,在市場上已廣泛應(yīng)用,但目前市場上的框架引腳與外側(cè)封膠結(jié)合往往不夠,在高溫作用時(shí)容易造成密封性不夠,從而影響產(chǎn)品可靠性。本實(shí)用新型將在上下框架的引線折彎處增加了倒鉤結(jié)構(gòu),增強(qiáng)膠體與框架的結(jié)合度,提高了產(chǎn)品的密封性,增加了框架受力面積,降低由于外界對框架應(yīng)力的作用而對芯片造成的損傷,使產(chǎn)品更加具有可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種貼片二極管,在上下框架的引線折彎處增加了倒鉤結(jié)構(gòu),增強(qiáng)膠體與框架的結(jié)合度,提高了產(chǎn)品的密封性,增加了框架受力面積,使產(chǎn)品更加具有可靠性。
[0004]為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供了一種貼片二極管,包括上框架與下框架,所述上下框架間置有芯片,所述芯片與上下框架分別通過焊接層固定連接,芯片外側(cè)置有封膠,所述上下框架的引線折彎處置有倒鉤,所述倒鉤分別置于上下框架的前后兩側(cè),對稱分布,呈半圓形結(jié)構(gòu),其厚度與上下框架的厚度一致,所述半圓形結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)與上下框架接壤處為圓弧形過渡,保證倒鉤與上下框架的銜接,在生產(chǎn)工作時(shí)不會(huì)出現(xiàn)剛性裂紋甚至斷裂現(xiàn)象。增強(qiáng)膠體與框架的結(jié)合度,提高了產(chǎn)品的密封性,降低由于外界對框架應(yīng)力的作用而對芯片造成的損傷。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡單,實(shí)用性強(qiáng),安全可靠,使用壽命長。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本實(shí)用新型的主視半剖視圖;
[0007]圖2為圖1的A向剖視圖;
[0008]附圖標(biāo)號:1-上框架,2-下框架,3-芯片,4-焊接層,5-封膠,6_倒鉤。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為了加深對本實(shí)用新型的理解,下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述,該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型,并不對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。
[0010]結(jié)合附圖1與附圖2,本實(shí)用新型提出了一種貼片二極管,包括上框架I與下框架2,所述上下框架間置有芯片3,所述芯片3與上下框架分別通過焊接層4固定連接,芯片3外側(cè)置有封膠5,所述上下框架的引線折彎處置有倒鉤6,所述倒鉤6分別置于上下框架的前后兩側(cè),對稱分布,呈半圓形結(jié)構(gòu),其厚度與上下框架的厚度一致,所述半圓形結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)與上下框架接壤處為圓弧形過渡,避免在以后的生產(chǎn)加工等環(huán)節(jié)因應(yīng)力過大而引起裂紋或斷裂現(xiàn)象。倒鉤6有效保證了與封膠5的結(jié)合度,防止出現(xiàn)牢度不夠而引起的密封性不良問題;并且增加了框架受力面積,降低由于外界對框架應(yīng)力的作用而對芯片造成的損傷,從而提高了廣品的可罪性。
【權(quán)利要求】
1.一種貼片二極管,包括上框架(1)與下框架(2),所述上下框架間置有芯片(3),所述芯片(3)與上下框架分別通過焊接層(4)固定連接,芯片(3)外側(cè)置有封膠(5),其特征在于:所述上下框架的引線折彎處置有倒鉤(6),所述倒鉤(6)分別置于上下框架的前后兩偵牝?qū)ΨQ分布,呈半圓形結(jié)構(gòu),其厚度與上下框架的厚度一致,所述半圓形結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)與上下框架接壤處為圓弧形過渡。
【文檔編號】H01L23/12GK203573974SQ201320460035
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】楊旸 申請人:常州銀河世紀(jì)微電子有限公司
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