專利名稱：發(fā)光器件陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件陣列。
背景技術(shù)：
作為發(fā)光器件的一個(gè)代表性的示例，發(fā)光二極管(LED)是使用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為諸如紅外光或者可見光的光的器件，并且在家用電器、遠(yuǎn)程控制器、電子 布告牌、顯示器、各種汽車等中使用，并且LED的應(yīng)用范圍繼續(xù)擴(kuò)展。通常，小的LED被制造成表面安裝器件型以便直接地安裝在印刷電路板(PCB)上，并且因此被用作顯示裝置的LED燈被開發(fā)為表面安裝器件型。這樣的表面安裝器件可以代替常規(guī)的簡(jiǎn)單燈，并且可以在產(chǎn)生各種顏色的燈打開/關(guān)閉(light-on/off)顯示器、字母指示器、圖像顯示器等中使用。隨著LED的應(yīng)用范圍繼續(xù)擴(kuò)展，由在日常生活中使用的燈和用于緊急信號(hào)的燈所要求的亮度被增加，并且因此從LED發(fā)射的光的亮度的增加成為非常重要的問題。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件陣列包括發(fā)光器件封裝，發(fā)光器件封裝中的每一個(gè)包括至少一個(gè)發(fā)光器件和包括電連接到至少一個(gè)發(fā)光器件的第一引線框架和第二引線框架的主體；和基板，發(fā)光器件封裝布置在基板上，該基板包括基底層和布置在基底層上并且電連接到發(fā)光器件封裝的金屬層，其中金屬層包括第一電極圖案和第二電極圖案，該第一電極圖案和第二電極圖案電連接到第一引線框架和第二引線框架；和散熱圖案，該散熱圖案與第一電極圖案或(和)第二電極圖案中的至少一個(gè)絕緣，吸收從基底層和發(fā)光器件封裝生成的熱并且然后散發(fā)熱。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件陣列包括發(fā)光器件封裝，發(fā)光器件封裝中的每一個(gè)包括至少一個(gè)發(fā)光器件和包括電連接到至少一個(gè)發(fā)光器件的第一引線框架和第二引線框架的主體；和基板，發(fā)光器件封裝布置在基板上，該基板包括基底層、布置在基底層上并且電連接到發(fā)光器件封裝的金屬層、以及布置在金屬層上的絕緣層，其中金屬層包括第一電極圖案和第二電極圖案，該第一電極圖案和第二電極圖案電連接到第一引線框架和第二引線框架；和散熱圖案，該散熱圖案與第一電極圖案和第二電極圖案中的至少一個(gè)絕緣，吸收從基底層或(和)發(fā)光器件封裝中的至少一個(gè)生成的熱并且然后散發(fā)熱，其中絕緣層的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)小于基底層的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)。


根據(jù)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述將會(huì)更加清楚地理解實(shí)施例的詳情，在附圖中圖I是示意性地圖示包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的發(fā)光器件模塊的分解透視圖； 圖2是根據(jù)第一實(shí)施例的圖I中所示的發(fā)光器件封裝的透視圖；圖3是圖2中所示的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖4是圖I中所示的發(fā)光器件陣列的分解透視圖；圖5是圖4中所示的基板的分解透視圖；圖6是圖4中所示的發(fā)光器件陣列的一部分的放大圖；圖7是根據(jù)第二實(shí)施例的圖I中所示的發(fā)光器件封裝的透視圖；圖8是圖示圖7中所示的第一引線框架和第二引線框架的放大圖；圖9是包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的照明設(shè)備的透視圖；圖10是沿著圖9的照明設(shè)備的線B-B截取的截面圖；圖11是包括根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的液晶顯示設(shè)備的分解透視圖；以及圖12是包括根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的液晶顯示設(shè)備的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)地參考實(shí)施例，在附圖中圖示了其示例。然而，本公開可以以多種不同的形式具體化并且不應(yīng)被解釋為限制在此闡述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例使得本公開將會(huì)是全面的和完全的，并且將會(huì)對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本公開的范圍。僅通過權(quán)利要求的種類來(lái)定義本公開。在某些的實(shí)施例中，在本領(lǐng)域中眾所周知的裝置結(jié)構(gòu)或者工藝的詳細(xì)描述將會(huì)被省略以避免晦澀由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)本公開的理解。只要有可能，在整個(gè)附圖中將會(huì)使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或者相似的部件。在此可以使用諸如“在下方”、“在下面”、“較低的”、“在上方”、或者“上面的”的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如附圖中所圖示的一個(gè)元件到另一元件的關(guān)系。將會(huì)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了附圖中描述的取向之外的裝置的不同取向。例如，如果附圖之一中的裝置被顛倒，則被描述為在其它元件的“下方”或者“下面”的元件可以被定位在其它元件的“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在下方”或者“在下面”能夠包含在上面和在下方兩者的取向。因?yàn)樵诹硪环较蛏峡梢詫?duì)裝置進(jìn)行取向，所以根據(jù)裝置的取向可以解釋空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)。在附圖中，為了便于描述和清楚，每個(gè)層的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性地圖示。而且，每個(gè)構(gòu)成元件的尺寸或者面積沒有完全地反映其真實(shí)尺寸。用于描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的結(jié)構(gòu)的角度或者方向是基于附圖中所示角度或方向。除非在說(shuō)明書中不存在要描述發(fā)光器件陣列的結(jié)構(gòu)中的角度位置關(guān)系的參考點(diǎn)的定義，否則可以參考相關(guān)聯(lián)的附圖。圖I是示意性地圖示包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的發(fā)光器件模塊的分解透視圖。參考圖1，發(fā)光器件模塊200可以包括功率控制模塊210、發(fā)光器件陣列100、以及連接器130。在此，功率控制模塊210可以包括電源212，該電源212用于生成通過安裝在發(fā)光器件陣列100上的發(fā)光器件封裝110消耗的電力；控制器214，該控制器214用于控制電源212的操作；以及連接器接口 216，連接器130的一側(cè)連接到連接器接口 216。在此，電源212在控制器214的控制下進(jìn)行操作，并且生成通過發(fā)光器件陣列100消耗的電力?？刂破?14可以根據(jù)從外部輸入的命令來(lái)控制電源212的操作。在此，從外部輸入的命令可以是從直接連接到遠(yuǎn)程控制器和發(fā)光器件模塊200的輸入裝置(未示出)輸出的命令，所述遠(yuǎn)程控制器用于命令對(duì)包括發(fā)光器件模塊200的裝置進(jìn)行操作，但是本公開不限于此。 此外，連接器接口 216連接到連接器130的一側(cè)，并且可以將從電源212輸出的電力通過連接器130提供給發(fā)光器件陣列100。發(fā)光器件陣列100可以包括發(fā)光器件封裝110 ;基板120，發(fā)光器件封裝110安裝在基板120上；以及連接器端子(未示出)，該連接器端子在基板120上連接到連接器130的另一側(cè)。在此，連接器端子可以通過連接器130電連接到連接器接口 216。基板120可以是印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路板(FPCB)、或者金屬芯PCB(MCPCB)。基板120可以是單側(cè)的PCB、雙側(cè)的PCB或者包括多個(gè)層的PCB。盡管該實(shí)施例將基板120圖示為單側(cè)PCB，但是本公開不限于此。盡管該實(shí)施例將多個(gè)發(fā)光器件封裝110圖示為被劃分成第一至第四組Pl P4并且將第一至第四組Pl P4中的每一組圖示為包括六個(gè)發(fā)光器件封裝110，但是本公開沒有限制發(fā)光器件封裝110的數(shù)目和發(fā)光器件封裝110的組的數(shù)目。也就是說(shuō)，第一至第四組Pl P4中的每一組中的六個(gè)發(fā)光器件封裝110可以串聯(lián)地連接，并且第一至第四組Pl P4可以并聯(lián)地連接。盡管該實(shí)施例圖示了六個(gè)發(fā)光器件封裝110串聯(lián)地連接以形成一個(gè)組，但是本公開不限于發(fā)光器件封裝110的該連接方法。作為第一至第四組Pl P4內(nèi)的發(fā)光器件封裝110，發(fā)射不同顏色的光的至少兩個(gè)發(fā)光器件封裝110可以交替地安裝或者可以成組，并且根據(jù)發(fā)光器件封裝110的尺寸來(lái)安裝，或者可以安裝發(fā)射單一顏色的光的發(fā)光器件封裝110。此外，本公開不限于此。例如,如果發(fā)光器件陣列100發(fā)射白光,則發(fā)射紅光的發(fā)光器件封裝和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光器件封裝可以被用作多個(gè)發(fā)光器件封裝110。因此，發(fā)射紅光的發(fā)光器件封裝和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光器件封裝可以被交替地安裝，并且可以產(chǎn)生紅光、藍(lán)光以及綠光。圖I中所示的功率控制模塊210表示供應(yīng)電力，S卩，外部電力的電源裝置。此外，功率控制模塊210可以是用于描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列100的裝置，但是本公開不限于此。圖2是根據(jù)第一實(shí)施例的圖I中所示的發(fā)光器件封裝的透視圖。也就是，圖2是其中通過其看到發(fā)光器件封裝的一部分的發(fā)光器件封裝的透視圖。盡管該實(shí)施例圖示了頂視圖型的發(fā)光器件封裝，但是發(fā)光器件封裝可能是側(cè)視圖型，而本公開不限于此。參考圖2，發(fā)光器件封裝110可以包括發(fā)光器件10和主體20，發(fā)光器件10布置在主體20上。主體20可以包括布置在第一方向(未示出)上的第一隔膜(diaphragm) 22和布置在與第一方向相交的第二方向(未不出)上的第二隔膜24。第一隔膜和第二隔膜22和24可以被一體化地形成并且通過注射成型、蝕刻等形成，但是本公開不限于此。也就是，第一隔膜和第二隔膜22和24可以是由從由以下組成的組中選擇的至少一個(gè)形成諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)樹脂、硅(Si)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、AlOx、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、間規(guī)聚苯乙烯(SPS)、金屬、藍(lán)寶石(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、陶瓷以及印刷電路板(PCB)。根據(jù)發(fā)光器件的用途和設(shè)計(jì)，第一隔膜和第二隔膜22和24的上表面可以具有諸如三角形、矩形、多邊形以及圓形的各種形狀，但是本公開不限于此。 第一隔膜和第二隔膜22和24形成其中布置有發(fā)光器件10的腔體S，腔體s的截面可以具有諸如杯狀、凹形容器等的各種形狀，并且可以在向下方向上傾斜形成腔體s的第一隔膜和第二隔膜22和24。此外，腔體s的平面可以具有諸如圓形、矩形、多邊形以及橢圓形的各種形狀，但是本公開不限于此。第一引線框架和第二引線框架13和14可以布置在主體20的下表面上，并且第一引線框架和第二引線框架13和14可以是由金屬，例如，從由鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦(In)、鈀(Pd)、鈷(Co)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕(Ru)以及鐵(Fe)、或者其合金組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。此外，第一引線框架和第二引線框架13和14可以被形成為具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，但是本公開不限于此。可以從第一引線框架和第二引線框架13和14中的一個(gè)以指定傾斜角傾斜第一隔膜和第二隔膜22和24的內(nèi)表面，從發(fā)光器件10發(fā)射的光的反射的角度可以根據(jù)傾斜角變化，并且由此，可以調(diào)節(jié)發(fā)射到外部的光的取向角。隨著光的取向角減少，從發(fā)光器件10發(fā)射到外部的光的會(huì)聚增加，并且另一方面，隨著光的取向角增加，從發(fā)光器件10發(fā)射到外部的光的會(huì)聚減少。主體20的內(nèi)表面可以具有多個(gè)傾斜角，但是本公開不限于此。在該實(shí)施例中，電連接到發(fā)光器件10的第一電極(未不出)的第一結(jié)合區(qū)(未不出)可以形成在第一引線框架13上，并且電連接到發(fā)光器件10的第二電極(未示出)的第二結(jié)合區(qū)(未示出)可以形成在第二引線框架13上。第一引線框架和第二引線框架13和14的第一結(jié)合區(qū)和第二結(jié)合區(qū)通過布線(未示出)電連接到發(fā)光器件10的第一電極和第二電極，并且分別連接到外部電源(未示出)的陽(yáng)極⑴和陰極㈠，由此能夠向發(fā)光器件10供電。該實(shí)施例圖示了第二引線框架14與第一引線框架13分離，并且發(fā)光器件10通過布線(未示出)結(jié)合到第一引線框架和第二引線框架13和14并且因此可以接收來(lái)自第一引線框架和第二引線框架13和14的電力。
在此，將布線結(jié)合到第一引線框架和第二引線框架13和14的結(jié)合區(qū)(未示出)，并且通過涂覆構(gòu)件(未示出)可以包圍結(jié)合到結(jié)合區(qū)的布線中的每一根的一側(cè)，但是本公開不限于此。盡管該實(shí)施例將發(fā)光器件10圖示為水平型發(fā)光器件，但是發(fā)光器件10可以是垂直型發(fā)光器件。如果發(fā)光器件10是垂直型發(fā)光器件，則布線可以結(jié)合到第二引線框架14的第二結(jié)合區(qū)，但是本公開不限于此。在此，發(fā)光器件10可以結(jié)合到具有不同的極性的第一引線框架13和第二引線框架14。盡管該實(shí)施例將發(fā)光器件10圖示為布置在第一引線框架13上，但是本公開不限于此。
此外，發(fā)光器件10可以通過附著構(gòu)件(未示出)被附著到第一引線框架13的上表面。在此，要防止第一引線框架和第二引線框架13和14之間的電短路的絕緣屏障(insulating dam) 16可以被形成在第一引線框架和第二引線框架13和14之間。盡管該實(shí)施例將絕緣屏障16圖示為具有平坦的上表面，但是絕緣屏障16的上表面可以具有半圓形形狀，而本公開不限于此。陰極標(biāo)注17可以被形成在主體20上。當(dāng)?shù)谝灰€框架和第二引線框架13和14電連接時(shí)，陰極標(biāo)注17可以用于識(shí)別發(fā)光器件10的極性，即，第一引線框架和第二引線框架13和14的極性，以防止混淆。發(fā)光器件10可以是發(fā)光二極管。例如，這樣的發(fā)光二極管可以是發(fā)射紅、綠、藍(lán)或者白光的發(fā)光二極管，或者發(fā)射紫外光的紫外發(fā)光二極管，但是本公開不限于此。此外，多個(gè)發(fā)光器件10可以被安裝在第一引線框架13上，或者至少一個(gè)發(fā)光器件10可以被安裝在第一引線框架和第二引線框架13和14中的每一個(gè)上，但是本公開不限制發(fā)光器件10的數(shù)目和發(fā)光器件10的安裝位置。主體20可以包括填充腔體s的樹脂材料18。也就是，樹脂材料18可以以雙重成型結(jié)構(gòu)或者三重成型結(jié)構(gòu)形成，并且可以包括熒光體、光擴(kuò)散劑以及光分散劑中的至少一個(gè)或者是由排除熒光體、光擴(kuò)散劑以及光分散劑的透光材料形成，但是本公開不限于此。圖3是圖2中所示的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖3，發(fā)光器件封裝110可以包括發(fā)光器件10和主體20，發(fā)光器件10布置在主體20上。盡管該實(shí)施例將發(fā)光器件10示例性地圖示為屬于水平型并且被布置在第一引線框架13上，但是本公開不限于此。發(fā)光器件10可以包括支撐構(gòu)件2和支撐構(gòu)件2上的發(fā)光結(jié)構(gòu)6。支撐構(gòu)件2被固定并且通過附著構(gòu)件I被附著到第一引線框架13，并且附著構(gòu)件I可以是由具有高的導(dǎo)熱率的材料形成，但是本公開不限于此。支撐構(gòu)件2可以是由導(dǎo)電襯底或者絕緣襯底形成，例如，從由藍(lán)寶石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge以及Ga2O3.組成的組中選擇的一個(gè)形成。盡管該實(shí)施例將支撐構(gòu)件2圖示為由藍(lán)寶石(Al2O3)形成，但是本公開不限于此。通過濕洗可以從支撐構(gòu)件2的表面去除雜質(zhì)并且光提取圖案可以形成在支撐構(gòu)件2的表面上以便提高光提取效果，但是本公開不限于此。此外，支撐構(gòu)件2可以是由促進(jìn)散熱以提高熱的穩(wěn)定性的材料形成。要提高光提取效果的抗反射層(未示出)可以被布置在支撐構(gòu)件2上?？狗瓷鋵?未示出)可以被稱為抗反射(AR)涂層，并且基本上使用由多個(gè)界面反射的光之間的干涉。也就是，抗反射層(未示出)將由彼此不同的界面反射的光的相位偏離180度的角以抵消(offset)光，由此減少被反射的光的強(qiáng)度。然而，本公開不限于此。此外，緩沖層(未示出)可以被布置在支撐構(gòu)件2上以便減少支撐構(gòu)件2和發(fā)光結(jié)構(gòu)6之間的晶格失配并且使得多個(gè)半導(dǎo)體層能夠容易地生長(zhǎng)。可以生長(zhǎng)緩沖層以在支撐構(gòu)件2上產(chǎn)生單晶體，并且具有單晶的緩沖層可以提高在緩沖層上生長(zhǎng)的發(fā)光結(jié)構(gòu)6的結(jié)晶性。
此外，緩沖層可以形成以具有諸如Al InN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)、InGaN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)或者AlInGaN/InGaN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)的包括AlN和GaN的結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層3可以被布置在支撐構(gòu)件2或者緩沖層上，并且，如果第一半導(dǎo)體層3是N型半導(dǎo)體層，則第一半導(dǎo)體層3可以是由具有InxAlyGamN(0彡x彡1，0彡y彡1，
0^ x+y ^ I)的公式的半導(dǎo)體材料形成，例如，從由GaN、AIN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN組成的組中選擇的一個(gè)形成，并且可以被摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型摻雜物。第一半導(dǎo)體層3包括第一區(qū)和第二區(qū)(未示出)，并且有源層4可以被布置在第二區(qū)中的第一半導(dǎo)體層3上并且使用III-V族化合物半導(dǎo)體材料以單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQff)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)形成。如果有源層4是以量子阱結(jié)構(gòu)形成，則有源層4可以以單量子阱結(jié)構(gòu)或者包括具有InxAlyGa1IyN (0彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的公式的阱層和具有InaAlbGa1^bN(0彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡I)的公式的勢(shì)壘層的多量子阱結(jié)構(gòu)形成。阱層可以是由具有比勢(shì)壘層的帶隙低的帶隙的材料形成。導(dǎo)電包覆層(未示出)可以被形成在有源層的上表面和/或下表面上。導(dǎo)電包覆層(未示出)可以是由AlGaN基半導(dǎo)體形成并且具有比有源層4的帶隙高的帶隙。第二半導(dǎo)體層5可以被布置在有源層4上并且是P型半導(dǎo)體層，并且如果第二半導(dǎo)體層5是P型半導(dǎo)體層，則第二半導(dǎo)體層5可以是由具有InxAlyGa1^N(0彡x彡I,
0^ y ^ I 0 ^ x+y ^ I)的公式的半導(dǎo)體材料形成，例如，從由GaN、AIN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN組成的組中選擇的一個(gè)形成，并且可以被摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型摻雜物。例如，通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)或者氫化物氣相外延(HVPE)可以形成上述第一半導(dǎo)體層3、有源層4以及第二半導(dǎo)體層5，但是本公開不限于此。此外，第一半導(dǎo)體層3和第二半導(dǎo)體層5內(nèi)的N型摻雜物和P型摻雜物的摻雜濃度可以是均勻的或者不均勻的。也就是說(shuō)，多個(gè)半導(dǎo)體層可以以各種結(jié)構(gòu)形成，但是本公開不限于此。此外，第一半導(dǎo)體層3可以是P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層5可以是N型半導(dǎo)體層，并且由此,發(fā)光結(jié)構(gòu)6可以包括N-P結(jié)、P-N結(jié)、N-P-N結(jié)以及P-N-P結(jié)的結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。在該實(shí)施例中，在生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)6之后,通過MESA蝕刻可以形成第一半導(dǎo)體層3的第一區(qū)和第二區(qū)，并且第一區(qū)可以是在MESA蝕刻之后被暴露的第一半導(dǎo)體層3。在此，電連接到第一半導(dǎo)體層3的第一電極7可以被布置在第一區(qū)中的第一半導(dǎo)體層3上，并且電連接到第二半導(dǎo)體層5的第二電極8可以被布置在第二半導(dǎo)體層5上。第一電極和第二電極7和8中的至少一個(gè)可以是由從銦(In)、鈷(Co)、硅(Si)、鍺(Ge)、金(Au)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、釕(Ru)、錸(Re)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、銠(Rh)、銥(Ir)、鶴(W)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、銀(Nb)、招(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)以及鎢-鈦(WTi)、或者其合金組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，但是本公開不限于此。在此，第一電極和第二電極7和8可以被形成在至少一個(gè)層中，但是本公開不限于 此。此外，透光電極層(未示出)和反射層(未示出)中的至少一個(gè)可以被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)6與第二電極8之間和在第一半導(dǎo)體層3和第一電極7之間,但是本公開不限于此。第一電極7可以通過布線結(jié)合到第二引線框架14，并且第二電極8可以通過布線結(jié)合到第一引線框架13。在此，樹脂材料18可以填充形成在主體20上的腔體s以覆蓋發(fā)光器件10并且保護(hù)發(fā)光器件10。圖4是圖I中所示的發(fā)光器件陣列的分解透視圖，并且圖5是圖4中所示的基板的分解透視圖。參考圖4，發(fā)光器件陣列100可以包括發(fā)光器件封裝110和基板120，發(fā)光器件封裝110被安裝在基板120上。該實(shí)施例將發(fā)光器件封裝110圖示為圖2和圖3中所示的發(fā)光器件封裝110。在該實(shí)施例中，為了便于描述，多個(gè)發(fā)光器件封裝110被劃分為第一至第四組Pl P4，如圖I中所示，并且圖4圖示了第一至第四組Pl P4中的每一組包括兩個(gè)發(fā)光器件封裝110。也就是，至少一個(gè)發(fā)光器件封裝110形成陣列，但是本公開不限于此?；?20可以是印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路板、或者金屬芯PCB (MCPCB)。如果基板120是PCB，則可以使用單側(cè)PCB、雙側(cè)PCB或者包括多個(gè)層的PCB。盡管該實(shí)施例將基板120圖示為單側(cè)PCB，但是本公開不限于此。參考圖5，基板120可以包括基底層122、金屬層124、以及絕緣層126。盡管該實(shí)施例圖示了基板120使用由FR4形成的基底層122，但是基板120可以是包括鋁(Al)和銅(Cu)中的至少一個(gè)的MCPCB，并且如果基板120是MCPCB，則絕緣構(gòu)件(未示出)可以被布置在基底層122和金屬層124之間，但是本公開不限于此。向發(fā)光器件封裝110供電的金屬層124可以被布置在基底層122上。在此，金屬層124可以包括第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b,該第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b電連接到圖2中所示的發(fā)光器件封裝110的第一引線框架和第二引線框架13和14 ;連接器端子(未示出)的連接器圖案124c，圖I中所示的連接器(未示出)被布置在其上；以及散熱圖案124d，該散熱圖案124d被布置為與第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b以及連接器圖案124c絕緣。稍后將會(huì)給出散熱圖案124d的描述。金屬層124可以進(jìn)一步包括連接圖案(未示出)，該連接圖案連接第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b和連接器圖案124c。包括PSR墨和絕緣膜中的至少一個(gè)以防止腐蝕和金屬層124短路并且增加從發(fā)光器件封裝110發(fā)射的光的效率和反射率的絕緣層126可以被布置在基底層122和金屬層124 上。絕緣層126可以包括第一電極開口區(qū)和第二電極開口區(qū)126a和126b、連接器開口區(qū)126c以及散熱開口區(qū)126d，由此第一電極開口區(qū)和第二電極開口區(qū)126a和126b、連接器開口區(qū)126c以及散熱開口區(qū)126d被暴露到外部。盡管該實(shí)施例將絕緣層126的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)圖示為等于基底層 122的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)，但是絕緣層126的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)可以小于基底層122的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)以防止碰撞或者損壞絕緣層126的邊緣部分，而本公開不限于此。也就是，絕緣層126可以具有片形，并且通過蝕刻工藝第一電極開口區(qū)和第二電極開口區(qū)126a和126b、連接器開口區(qū)126c以及散熱開口區(qū)126d可以被形成在絕緣層125上。在此，發(fā)光器件封裝110的第一引線框架和第二引線框架13和14以及連接器可以被布置在通過第一電極開口區(qū)和第二電極開口區(qū)126a和126b以及連接器開口區(qū)126c暴露的第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b以及連接器圖案124c上。用于電連接的焊膏(cream solder)(未示出)可以被布置在通過第一電極開口區(qū)和第二電極開口區(qū)126a和126b以及連接器開口區(qū)126c暴露的第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b與連接器圖案124c之間，和在第一引線框架和第二引線框架13和14與連接器之間。此外，導(dǎo)熱構(gòu)件(未示出)可以被布置在通過散熱開口區(qū)126d暴露的散熱圖案124d上。導(dǎo)熱構(gòu)件可以是由具有比基底層122高的導(dǎo)熱率的材料，例如，鉛(Pd)或者包括鉛(Pd)的焊膏形成，但是本公開不限于此。導(dǎo)熱構(gòu)件的一個(gè)表面可以接觸絕緣層126。圖6是圖4中所示的發(fā)光器件陣列的一部分的放大圖。參考圖6，發(fā)光器件陣列100可以被配置為使得發(fā)光器件封裝110可以被布置在基板120上。在此，圖6是圖4的一部分的放大圖，將發(fā)光器件封裝110圖示為布置在基板120上。盡管該實(shí)施例將散熱圖案124d圖示為與發(fā)光器件封裝110分離，但是散熱圖案124d的至少一部分可以與發(fā)光器件封裝110的下部重疊，而本公開不限于此。也就是，盡管該實(shí)施例圖示了頂視圖型的發(fā)光器件封裝110，但是如果發(fā)光器件封裝110是側(cè)視圖型，則在第一引線框架和第二引線框架與發(fā)光表面之間存在分離距離并且因此散熱圖案124d可以與發(fā)光器件封裝110的下部重疊。在此，散熱圖案124d的寬度wl可以是發(fā)光器件封裝110的寬度w2的0. 7至I. 2倍。盡管散熱圖案124d的寬度wl可以根據(jù)基底層122的寬度(未示出)而變化，但是散熱圖案124d的寬度wl可以等于或者大于發(fā)光器件封裝110的寬度《2，以便直接地或者間接地吸收從發(fā)光器件封裝110生成的熱。此外，散熱圖案124d的長(zhǎng)度dl可以是發(fā)光器件封裝110的長(zhǎng)度d2的0. 7至I. I倍，但是本公開不限于此。盡管該實(shí)施例將一個(gè)散熱圖案124d圖示為按一個(gè)發(fā)光器件封裝110形成，但是可以按至少兩個(gè)發(fā)光器件封裝110來(lái)形成一個(gè)散熱圖案124d，而本公開不限于此。此外，盡管該實(shí)施例將散熱圖案124d圖示為與電連接到發(fā)光器件封裝110的第一引線框架和第二引線框架13和14的第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b絕緣，但是散熱圖案124d可以電連接到從第一電極圖案和第二電極圖案124a和124b當(dāng)中向其提供電力的負(fù)電壓(_)的電極圖案(未示出)，而本公開不限于此。此外，盡管該實(shí)施例將發(fā)光器件封裝110圖示為包括兩個(gè)引線框架，即，第一引線框架和第二引線框架13和14，但是如果發(fā)光器件封裝110進(jìn)一步包括除了第一引線框架和 第二引線框架13和14之外的其上布置有發(fā)光器件10的第三引線框架(未示出)，則散熱圖案124d可以電連接到第三引線框架，但是本公開不限于此。在此，導(dǎo)熱構(gòu)件(未示出)可以被布置在散熱圖案124d上，并且導(dǎo)熱構(gòu)件的厚度可以是發(fā)光器件封裝110的厚度0. I至0. 3倍。導(dǎo)熱構(gòu)件可以防止散熱圖案124d被暴露到外部，由此防止散熱圖案124d被氧化。圖7是根據(jù)第二實(shí)施例的圖I中所示的發(fā)光器件封裝的透視圖，并且圖8是圖示圖7中所示的第一引線框架和第二引線框架的放大圖。也就是，圖7是發(fā)光器件封裝300的透視圖，其中由此看到發(fā)光器件封裝300的一部分。盡管本實(shí)施例圖示了頂視圖型的發(fā)光器件封裝300，但是發(fā)光器件封裝300可以是側(cè)視圖型，而本公開不限于此。參考圖7，發(fā)光器件封裝300可以包括第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311以及主體320,第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311被布置在主體320上。主體320可以包括被布置在第一方向(未示出)上的第一隔膜322和被布置在與第一方向相交的第二方向(未不出)上的第二隔膜324。第一隔膜和第二隔膜322和324可以一體化地形成并且通過注射成型、蝕刻等形成，但是本公開不限于此。根據(jù)第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311的用途和設(shè)計(jì)，第一隔膜和第二隔膜322和324的上表面可以具有諸如三角形、矩形、多邊形以及圓形的各種形狀，但是本公開不限于此。第一隔膜和第二隔膜322和324形成其中布置有第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311的腔體S，腔體s的截面可以具有諸如杯狀、凹形容器等的各種形狀，并且可以在向下方向中傾斜形成腔體s的第一隔膜和第二隔膜322和324。此外，腔體SlO的平面可以具有諸如圓形、矩形、多邊形以及橢圓形的各種形狀，但是本公開不限于此。第一引線框架和第二引線框架313和314可以被布置在主體320的下表面上，并且第一引線框架和第二引線框架313和314可以是由金屬，例如，從由鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦(In)、鈀(Pd)、鈷(Co)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕(Ru)以及鐵(Fe)、或者其合金組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。
此外，第一引線框架和第二引線框架313和314可以被形成為具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，但是本公開不限于此。第一發(fā)光器件310被布置在第一引線框架313上，并且第一引線框架313可以包括與第二引線框架314的至少一部分重疊的第一重疊突出315。第二發(fā)光器件311被布置在第二引線框架314上，并且第二引線框架314可以包括與第一引線框架313的至少一部分重疊的第二重疊突出319。盡管該實(shí)施例將第一引線框架313圖示為包括在凹槽(未示出)被形成靠近鄰近的第二引線框架314的側(cè)表面的位置處的第一重疊突出315并且將第二引線框架314圖示為包括在凹槽的方向上突出的突出(未示出)，但是本公開不限于此。此外，盡管該實(shí)施例將第二引線框架314圖示為包括在凹槽(未示出)被形成靠近鄰近的第一引線框架313的側(cè)表面的位置處的第二重疊突出319并且將第一引線框架 313圖示為包括在凹槽的方向上突出的突出(未示出)，但是本公開不限于此。第一重疊突出和第二重疊突出315和319可以并行地形成，但是本公開不限于此。凹槽和突出可以被省略并且可以具有其它的形狀，彼此鄰近的第一引線框架和第二引線框架313和314的側(cè)表面可以具有彎曲的或者不平坦的形狀，如從頂部所看到的，但是本公開不限于此。在此，第一重疊突出和第二重疊突出315和319被形成在第一引線框架和第二引線框架313和314中的每一個(gè)的一側(cè)表面處，但是第一重疊突出和第二重疊突出315和319中的一個(gè)可以被形成在第一或者第二引線框架313或314的中心處并且本公開沒有限制第一重疊突出和第二重疊突出315和319的尺寸和數(shù)目。稍后將會(huì)給出第一引線框架和第二引線框架313和314以及第一重疊突出和第二重疊突出315和319的詳細(xì)描述。可以從第一引線框架和第二引線框架313和314中的一個(gè)開始以指定的傾斜角來(lái)傾斜第一隔膜和第二隔膜322和324的內(nèi)表面，從第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311發(fā)射的光的反射角可以根據(jù)傾斜角而變化，并且由此，可以調(diào)整被發(fā)射到外部的光的取向角。隨著光的取向角減少，從第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311發(fā)射到外部的光的會(huì)聚增加，并且另一方面，隨著光的取向角增加，從第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311發(fā)射到外部的光的會(huì)聚減少。第一引線框架和第二引線框架313和314電連接到第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311的第一電極和第二電極，并且分別連接到外部電源(未示出)的陽(yáng)極(+)和陰極(-)，由此能夠向第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311供電。在此，盡管該實(shí)施例將第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311圖示為并聯(lián)地連接，但是本公開不限于此。此外，盡管該實(shí)施例將第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311圖示為布置在第一引線框架和第二引線框架313和314的平坦表面上，但是第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311可以分別被布置在第一重疊突出和第二重疊突出315和319上，而本公開不限于此。此外，第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311可以通過附著構(gòu)件(未示出)被附著到第一引線框架和第二引線框架313和314的上表面，并且稍后將會(huì)給出附著構(gòu)件的詳情。
陰極標(biāo)注317可以被形成在主體320上。當(dāng)?shù)谝灰€框架和第二引線框架313和314電連接時(shí)，陰極標(biāo)注317可以用于識(shí)別第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311的極性，即，第一引線框架和第二引線框架313和314的極性，以防止混淆。第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311可以是發(fā)光二極管。例如，這樣的發(fā)光二極管可以是發(fā)射紅、綠、藍(lán)或者白光的發(fā)光二極管，或者發(fā)射紫外光的紫外發(fā)光二極管，但是本公開不限于此。此外，多個(gè)第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311可以被安裝在第一引線框架和第二引線框架313和314上，或者至少一個(gè)發(fā)光器件310和311可以被安裝在第一引線框架和第二引線框架313和314中的每一個(gè)上，但是本公開沒有限制第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和314的數(shù)目以及第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311的安裝位置。在此，用于防止第一引線框架和第二引線框架313和314之間的電短路的絕緣屏障316可以被形成在第一引線框架和第二引線框架313和314之間。
在該實(shí)施例中，第一重疊突出和第二重疊突出315和319可以至少形成絕緣屏障316的一部分并且絕緣屏障316可以具有與第一重疊突出和第二重疊突出315和319相同的截面形狀，但是本公開不限于此。也就是，絕緣屏障316具有與第一重疊突出和第二重疊突出315和319的形狀對(duì)稱地對(duì)應(yīng)的梯形的截面形狀，如圖7中所示，但是本公開不限于此。主體320可以包括填充腔體SlO的樹脂材料318。也就是，樹脂材料318可以以雙重成型結(jié)構(gòu)或者三重成型結(jié)構(gòu)形成，但是本公開不限于此。此外，樹脂材料318可以以膜型形成，可以包括熒光體、光擴(kuò)散劑以及光分散劑中的至少一個(gè)或者是由排除熒光體、光擴(kuò)散劑以及光分散劑的例如硅的透光材料形成，但是本公開不限于此。圖8將圖7中所示的第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311圖示為具有與圖3中所示的發(fā)光器件10相同的配置并且將第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311圖示為發(fā)射不同顏色的光，但是本公開不限于此。第一引線框架313可以與第二引線框架314分離了分離距離dlO。盡管該實(shí)施例將第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO示例性地圖示為規(guī)則的，但是第一引線框架和第二引線框架313和314的至少一部分可以具有不同的分離距離，而本公開不限于此。凹槽(未示出)和突出(未示出)可以被形成在第一引線框架和第二引線框架313和314處，但是本公開不限于此。在此，第一引線框架313可以包括與第二引線框架314的至少一部分重疊的第一重疊突出315。此外，第二引線框架314可以包括與第一引線框架313的至少一部分重疊的第二重疊突出319。盡管該實(shí)施例將第一重疊突出和第二重疊突出315和319示例性地圖示為具有相同尺寸，但是第一重疊突出和第二重疊突出315和319可以具有不同的尺寸，而本公開不限于此。也就是，第一重疊突出315可以包括相對(duì)于第二引線框架314的表面在第一方向上形成的第一突出部分315a，和在與第一方向相交的第二方向上從第一突出部分315a延伸的第一延伸部分315b。第一突出部分315a可以具有從第一引線框架313的表面開始的90°至150°的傾斜角0 11，并且可以具有從第二引線框架314的表面開始的30°至90°的傾斜角。在此，傾斜角0 11用于沿著第一突出部分315a的側(cè)表面通過第一引線框架313的表面維持從第一發(fā)光器件310發(fā)射的光的反射角，并且可以等于主體320的腔體SlO的內(nèi)表面的傾斜角，但是本公開不限于此。第一突出部分315a的長(zhǎng)度dll可以是第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311中的至少一個(gè)的厚度(未示出)的I至4倍。也就是說(shuō),如果第一突出部分315a的長(zhǎng)度dll低于第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311中的至少一個(gè)的厚度的I倍，則第一突出315a可以接觸第二引線框架314的表 面并且因此引起短路，并且如果第一突出部分315a的長(zhǎng)度dll超過第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311中的至少一個(gè)的厚度4倍，則第一突出部分315a遠(yuǎn)離第二引線框架314的表面并且因此可以增加主體320的尺寸。第一延伸部分315b可以在與第二引線框架314的表面重疊的第二方向上從第一突出部分315a延伸。在此，第一延伸部分315b的寬度wl2可以等于第一突出部分315a的寬度或者大于第一突出部分315a的寬度，并且可以是第一引線框架和第二引線框架313和314的寬度wlO 的 0. I 至 0. 4 倍。也就是說(shuō)，如果第一延伸部分315b的寬度《12低于第一引線框架和第二引線框架313和314的寬度wlO的0. I倍，則可能出現(xiàn)第一重疊突出315的變形，并且如果第一延伸部分315b的寬度wl2超過第一引線框架和第二引線框架313和314的寬度《10的0. 4倍，則在第一重疊突出315和第二重疊突出319之間可能出現(xiàn)短路。第一延伸部分315b的長(zhǎng)度dl2可能是第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO的I. I至3倍。也就是說(shuō)，如果第一延伸部分315b的長(zhǎng)度dl2低于第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO的I. I倍，則第一延伸部分315b可能在與第二引線框架314的至少一部分重疊的方面具有困難，可能難以在第二引線框架314上形成絕緣屏障316并且因此可能降低主體320的硬度，并且如果第一延伸部分315b的長(zhǎng)度dl2超過第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO 3倍，則第二引線框架314的至少一部分與第一延伸部分315b的重疊面積被增加但是腔體SlO的容積被減少，并且因此由于從第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311發(fā)射的光的不均勻而可能出現(xiàn)黑暗區(qū)域。第一延伸部分315b的厚度bdl2可能是第一引線框架313的厚度的I至2倍。也就是說(shuō)，如果第一延伸部分315b的厚度bdl2低于第一引線框架313的厚度的I倍，則第一延伸部分315b可以容易變形，并且如果第一延伸部分315b的厚度bdl2超過第一引線框架313的厚度的2倍，則第一延伸部分315b難以變形，但是存在第一延伸部分315b的下表面接觸第二引線框架314的至少一部分的高的可能性。第一延伸部分315b和第二引線框架314之間的分離距離bll可能是第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO的0. 5至4倍。
也就是說(shuō)，如果分離距離bll低于分離距離dlO的0. 5倍，則第一延伸部分315b的下表面可以接觸第二引線框架314的表面，并且如果分離距離bll超過分離距離dlO的4倍，則主體320的尺寸可能被增加。第二重疊突出319可以包括相對(duì)于第一引線框架313的表面在第一方向上形成的第二突出部分319a，和在與第一方向相交的第二方向上從第二突出部分319a延伸的第二延伸部分319b。第二突出部分319a可以具有從第二引線框架314的表面開始的90°至150°的傾斜角0 21，并且可以具有從第一引線框架313的表面開始的30°至90°的傾斜角。在此，傾斜角0 21用于沿著第二突出部分319a的側(cè)表面通過第二引線框架314的表面維持從第二發(fā)光器件311發(fā)射的光的反射角，并且可以等于主體320的腔體SlO的內(nèi)表面的傾斜角，但是本公開不限于此。 第二突出部分319a的長(zhǎng)度d21可以等于第一突出部分315a的長(zhǎng)度dll，并且因此將省略其詳細(xì)情況。第二延伸部分319b可以在與第一引線框架313的表面重疊的第二方向上從第二突出部分319a延伸。在此，第二延伸部分319b的寬度《22、長(zhǎng)度d22以及厚度bd22可以等于第一延伸部分315b的寬度《12、長(zhǎng)度dl2以及厚度bdl2。盡管該實(shí)施例將第一突出部分和第二突出部分315a和319a與第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b圖示為彼此相等，但是第一突出部分和第二突出部分315a和319a與第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b可以相互不同，而本公開不限于此。此外，第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b的側(cè)表面之間的分離距離d20可能等于第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO或者大于第一引線框架和第二引線框架313和314之間的分離距離dlO，但是本公開不限于此。盡管該實(shí)施例將第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311示例性地圖示為布置在第一引線框架和第二引線框架313和314的平坦的表面上，但是第一發(fā)光器件和第二發(fā)光器件310和311可以分別被布置在第一重疊突出和第二重疊突出315和319上。此外，如果一個(gè)垂直型或者水平型發(fā)光器件被布置在發(fā)光器件封裝300中，則這樣的發(fā)光器件可以被布置在第一重疊突出和第二重疊突出315和319中的一個(gè)上，如圖I中所示，并且如果一個(gè)倒裝芯片型發(fā)光器件被布置在發(fā)光器件封裝300中，則這樣的發(fā)光器件的第一電極和第二電極可以結(jié)合到第一重疊突出和第二重疊突出315和319，但是本公開不限于此。此外，本公開沒有限制第一重疊突出和第二重疊突出315和319的數(shù)目和布置形狀，并且第一重疊突出和第二重疊突出315和319可以與第二和第一引線框架314和313重疊以增加絕緣屏障的硬度。此外，齊納二極管(未示出)可以被布置在第一重疊突出和第二重疊突出315和319中的一個(gè)上，但是本公開不限于此。圖9是包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的照明設(shè)備的透視圖，并且圖10是沿著圖9的照明設(shè)備的線B-B截取的截面圖。在下文中，為了更加詳細(xì)地圖示根據(jù)本實(shí)施例的照明設(shè)備400的形狀，將詳細(xì)描述照明設(shè)備400的長(zhǎng)度方向Z、與長(zhǎng)度方向Z垂直的水平方向Y、以及與長(zhǎng)度方向Z和水平方向Y垂直的高度方向X。也就是說(shuō)，圖10是沿著長(zhǎng)度方向Z和高度方向X中的平面通過切割圖9的照明設(shè)備400獲得的截面圖，如在水平方向X中看到的。參考圖9和圖10，照明設(shè)備400包括主體410 ;蓋430，該蓋430被耦接到主體410 ；以及端帽(end cap) 450,該端帽450位于主體410的兩端處。發(fā)光器件模塊440耦接到主體410的下表面，并且主體410可以由具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱效果的材料形成，以便通過主體540的上表面將由發(fā)光器件封裝444生成的熱散發(fā)到外部。粗糙部(未示出)可以被形成在發(fā)光器件封裝444的各自的引線框架(未示出) 上，以便提高結(jié)合的可靠性和發(fā)光效率并且能夠?qū)崿F(xiàn)薄和小的顯示設(shè)備。發(fā)光器件模塊440可以包括包含發(fā)光器件封裝444的發(fā)光器件陣列(未不出)；和PCB 442，以多行的形式將發(fā)射多種顏色的光的發(fā)光器件封裝444安裝在其上。根據(jù)需要通過相同的間隔或者不同的分離距離可以將發(fā)光器件封裝444安裝在PCB 442上，由此能夠調(diào)整亮度。金屬芯(PCB) (MCPCB)或者由FR4形成的PCB可以被用作PCB 442。蓋430可以形成為圓柱形狀以包圍主體410的下表面，但是本公開不限于此。蓋430針對(duì)外部異物保護(hù)被安裝在其中的發(fā)光器件模塊440。此外，蓋430可以包括擴(kuò)散顆粒以防止從發(fā)光器件封裝444發(fā)射的眩光并且將光均勻地散發(fā)到外部，并且棱鏡圖案可以形成在蓋430的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)上。此外，熒光體可以被施加到蓋430的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)。蓋430具有優(yōu)異的光透射率，以便通過蓋430將從發(fā)光器件封裝444發(fā)射的光散發(fā)到外部，并且具有充分的耐熱性，以便耐受由發(fā)光器件封裝444生成的熱。因此，蓋430可以由包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的材料制成。端帽450可以位于在主體410的兩端處并且用于密封電源裝置(未示出)。此外，電源插頭452形成在端帽450上，并且因此根據(jù)本實(shí)施例的照明設(shè)備400可以被直接地附接到已經(jīng)從其去除常規(guī)的熒光燈的端子，而不需要任何單獨(dú)的裝置。圖11是包括根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的液晶顯示設(shè)備的分解透視圖。圖11圖示了邊緣光型液晶顯示設(shè)備500,并且該液晶顯示設(shè)備500可以包括液晶顯示面板510和背光單元570以將光提供到液晶顯示面板510。液晶顯示面板510可以使用從背光單元570提供的光來(lái)顯示圖像。液晶顯示面板510可以包括濾色基板512和薄膜晶體管基板514，在液晶被插入其間的情況下該濾色基板512和薄膜晶體管基板514被布置為彼此相對(duì)。濾色基板512可以產(chǎn)生通過液晶顯示面板510顯示的圖像的顏色。薄膜晶體管基板514通過驅(qū)動(dòng)膜517電連接到其上安裝了多個(gè)電路部件的PCB518。薄膜晶體管基板514可以響應(yīng)于從印刷電路板518提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而將從印刷電路板518提供的驅(qū)動(dòng)電壓施加給液晶。薄膜晶體管基板514可以包括在由諸如玻璃或者塑料的透明材料形成的基板上形成的像素電極和薄膜晶體管。
背光單兀570包括發(fā)光器件模塊520,該發(fā)光器件模塊520輸出光；導(dǎo)光板530,該導(dǎo)光板530用于將從發(fā)光器件模塊520提供的光轉(zhuǎn)換為表面光并且然后將該表面光提供到液晶顯不面板510 ;多個(gè)膜550、564以及566,所述多個(gè)膜550、564以及566用于使從導(dǎo)光板530提供的光的亮度分布均勻化并且改進(jìn)垂直入射；以及反射片540，該反射片540將從導(dǎo)光板530的后表面發(fā)射的光反射回導(dǎo)光板530。發(fā)光器件模塊520可以包括多個(gè)發(fā)光器件封裝524 ;以及PCB 522，在PCB 522上安裝了多個(gè)發(fā)光器件封裝524以形成陣列。背光單兀570的多個(gè)膜552、566以及564包括擴(kuò)散膜566,該擴(kuò)散膜566用于朝著液晶顯不面板510擴(kuò)散從導(dǎo)光板530入射的光；棱鏡膜550,該棱鏡膜550用于集中擴(kuò)散的光以提高光的垂直入射；以及保護(hù)膜564，該保護(hù)膜564用于保護(hù)棱鏡膜550。圖12是包括根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件陣列的液晶顯示設(shè)備的分解透視圖。 在此，將省略與圖11的大體上相同的圖12的組件的描述。圖12圖示了直接型液晶顯示裝置600,并且該液晶顯示裝置600可以包括液晶顯示面板610和將光提供到液晶顯示面板610的背光單元670。液晶顯示面板610與圖11中的液晶顯示面板510相同，并且因此將省略其詳細(xì)描述。背光單元670可以包括多個(gè)發(fā)光器件模塊623 ;反射片624 ;下底座630，該下底座630中容納發(fā)光器件模塊623和反射片624 ;擴(kuò)散板640,該擴(kuò)散板640被布置在發(fā)光器件模塊623上；以及多個(gè)光學(xué)膜660。發(fā)光器件模塊623可以包括多個(gè)發(fā)光器件封裝622和PCB 621，在PCB 621上安裝了多個(gè)發(fā)光器件封裝622以形成陣列。反射片624朝著液晶顯示面板610反射從發(fā)光器件封裝622發(fā)射的光，因此提高了光效率。從發(fā)光器件模塊623發(fā)射的光被入射到擴(kuò)散板640上,并且多個(gè)光學(xué)膜660被布置在擴(kuò)散板640上。光學(xué)膜660包括擴(kuò)散膜666、棱鏡膜650以及保護(hù)膜664。在此，照明系統(tǒng)可以包括照明設(shè)備400和液晶顯示設(shè)備500和600，并且可以包括包含發(fā)光器件封裝并且為了照明進(jìn)行操作的其它設(shè)備。根據(jù)上面的描述顯然的是，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件陣列被提供有散熱圖案，該散熱圖案被布置在在發(fā)射光期間吸收從發(fā)光器件封裝生成的熱的基板上，以間接地吸收由基板吸收的熱和從發(fā)光器件封裝生成的熱并且然后將被吸收的熱散發(fā)在空氣中，由此提高發(fā)光器件封裝的可靠性。此外，根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件陣列被提供有被布置在散熱圖案上的導(dǎo)熱構(gòu)件，由此促進(jìn)通過基板和和發(fā)光器件封裝來(lái)吸收熱。結(jié)合實(shí)施例描述的特征、結(jié)構(gòu)以及特性被包括在本公開的至少一個(gè)實(shí)施例中并且不一定被包括在所有的實(shí)施例中。此外，本公開的任何具體的實(shí)施例的特征、結(jié)構(gòu)、或者特性可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞脚c一個(gè)或者多個(gè)其它的實(shí)施例組合或者實(shí)施例所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行更改。因此，要理解的是，與這樣的組合或者更改相關(guān)聯(lián)的內(nèi)容落入本公開的精神和范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參考其多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到將落入實(shí)施例的本質(zhì)方面內(nèi)的多個(gè)其它修改和應(yīng)用。更加具體地，在實(shí)施例的具體構(gòu)成要素中各種變化和修改都是可能的。另外，要理解的是，與變化和修改有關(guān)的不同落入在隨附的權(quán)利要求中定義的本公開的精神和范圍內(nèi)?！?br> 權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件陣列，包括 發(fā)光器件封裝，所述發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件和主體，所述主體包括第一引線框架和第二引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架電連接到所述發(fā)光器件；以及 基板，所述發(fā)光器件封裝設(shè)置在所述基板上，所述基板包括基底層和金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述基底層上并且電連接到所述發(fā)光器件封裝， 其中所述金屬層包括 第一電極圖案和第二電極圖案，所述第一電極圖案和第二電極圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架；以及 散熱圖案，所述散熱圖案與所述第一電極圖案或(和)第二電極圖案中的至少一個(gè)絕緣，吸收從所述基底層或(和)所述發(fā)光器件封裝中的至少一個(gè)生成的熱并且然后散發(fā)所 述熱。
2.一種發(fā)光器件陣列，包括 發(fā)光器件封裝，所述發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件和主體，所述主體包括第一引線框架和第二引線框架，所述第一引線框架和第二引線框架電連接到所述發(fā)光器件；以及 基板，所述發(fā)光器件封裝設(shè)置在所述基板上，所述基板包括基底層；金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述基底層上并且電連接到所述發(fā)光器件封裝；以及絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述金屬層上， 其中所述金屬層包括 第一電極圖案和第二電極圖案，所述第一電極圖案和第二電極圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架；以及 散熱圖案，所述散熱圖案與所述第一電極圖案和第二電極圖案中的至少一個(gè)絕緣，吸收從所述基底層或(和)所述發(fā)光器件封裝中的至少一個(gè)生成的熱并且然后散發(fā)所述熱，其中所述絕緣層的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)小于所述基底層的長(zhǎng)度或(和)寬度中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述散熱圖案的寬度是所述發(fā)光器件封裝的寬度的0. 7至I. 2倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述散熱圖案的長(zhǎng)度是所述發(fā)光器件封裝的長(zhǎng)度的0.7至I. I倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述散熱圖案的一部分與所述發(fā)光器件封裝重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述散熱圖案電連接到所述第一引線框架和第二引線框架中的一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，進(jìn)一步包括 導(dǎo)熱構(gòu)件，所述導(dǎo)熱構(gòu)件設(shè)置在所述散熱圖案上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件陣列，其中所述導(dǎo)熱構(gòu)件由具有比基底層高的導(dǎo)熱率的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件陣列，其中所述導(dǎo)熱構(gòu)件包括鉛(Pb)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件陣列，其中所述導(dǎo)熱構(gòu)件的厚度是所述發(fā)光器件封裝的厚度的0. I至0. 3倍。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述絕緣層包括PSR墨和絕緣膜中的至少一個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述絕緣層與所述散熱圖案的一部分重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其 中所述基板包括印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路板(FPCB)以及金屬芯PCB (MCPCB)中的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列，其中所述第一引線框架包括第一重疊突出，所述第一重疊突出與所述第二引線框架的至少一部分重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件陣列，其中所述第一重疊突出包括 突出部分，所述突出部分相對(duì)于所述第二引線框架的表面在第一方向上形成；以及 延伸部分，所述延伸部分在與所述第一方向相交的第二方向上從所述突出部分延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件陣列，其中所述突出部分的長(zhǎng)度是所述發(fā)光器件的厚度的I至4倍。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件陣列，其中所述延伸部分的長(zhǎng)度是所述第一引線框架和第二引線框架之間的分離距離的I. I至3倍。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件陣列，其中所述第二引線框架包括第二重疊突出，所述第二重疊突出與所述第一引線框架的至少一部分重疊并且與所述第一重疊突出分離。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件陣列，其中所述第二重疊突出的尺寸等于所述第一重疊突出的尺寸，或者小于所述第一重疊突出的尺寸。
20.一種照明系統(tǒng)，所述照明系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的發(fā)光器件陣列。
全文摘要
本發(fā)明所公開的是一種發(fā)光器件陣列。該發(fā)光器件陣列包括發(fā)光器件和主體，該主體包括電連接到發(fā)光器件的第一引線框架和第二引線框架和發(fā)光器件封裝設(shè)置在其上的基板，該基板包括基底層和設(shè)置在基底層上并且電連接到發(fā)光器件封裝的金屬層，其中金屬層包括第一電極圖案和第二電極圖案，該第一電極圖案和第二電極圖案電連接到第一引線框架和第二引線框架；以及散熱圖案，該散熱圖案與第一電極圖案或(和)第二電極圖案中的至少一個(gè)絕緣，吸收從基底層或(和)發(fā)光器件封裝中的至少一個(gè)生成的熱并且然后散熱。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102751271SQ20121011686
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者晉洪范, 樸東昱, 李相雨 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司