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箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件的制作方法

文檔序號(hào):6990404閱讀:266來源:國知局
專利名稱:箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電力電容器,特別涉及一種2500V以上高壓箔式電力電容器元件的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。
背景技術(shù)
在電力電容器中,電容元件是電容器制造中最關(guān)鍵、最重要的部件,它的好壞直接影響電容器的質(zhì)量。目前,國內(nèi)電容器廠家普遍采用的電容元件結(jié)構(gòu)為傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)如圖ι所示,在絕緣薄膜2的上、下方設(shè)有鋁箔1,該電容元件為單電容,其電氣連接如圖 2。這種電容元件構(gòu)成的電容器,在2500V以下時(shí),由1個(gè)心子元件構(gòu)成整臺(tái)電容器,足以滿足需要。現(xiàn)有的這種傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的電力電容器元件所能承受的電壓都在2500V以下,而對(duì)于 2500V以上電壓使用的電力電容器,必須由2個(gè)心子元件進(jìn)行外串連接,如圖3、4所示,才能加工制造成整臺(tái)電容器,用以滿足電容器高壓的需求,因此,該電力電容器要完成外串連接,在每個(gè)心子元件的端面處,必須設(shè)有鍍錫銅帶3才能完成心子元件的外串連接。譬如, 制造3000V的電力電容器,元件所能承受的電壓不得大于2500V,就必須將2個(gè)心子元件外串連接,即在鍍錫銅帶處須人工焊接。由于外串需要用鍍錫銅帶進(jìn)行人工焊接,因此,存在如下弊端1)外串焊接需要用鍍錫銅帶,需消耗銅錫礦產(chǎn)資源,不僅耗費(fèi)了礦產(chǎn)金屬資源,而且使制造電容器的材料成本提高;2)須要人工焊接,第一,人工成本提高;第二,在焊接的過程中很容易產(chǎn)生毛刺, 這會(huì)增加電容器的局部放電,如果元件所承受的電壓比較低,在相同容量的情況下,電流密度比較高,降低了整臺(tái)電容器產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。綜上所述,由于外串連接需要用鍍錫銅帶進(jìn)行人工焊接,不僅使電容器的制造成本增加(包括人工成本和材料成本),還耗費(fèi)了寶貴的礦產(chǎn)資源,費(fèi)工、費(fèi)時(shí)、費(fèi)力,嚴(yán)重影響了產(chǎn)品生產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量,即產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量降低。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服上述缺陷而進(jìn)行的設(shè)計(jì),提供一種元件串聯(lián)無需焊接工序,制造工藝簡單、成本低、產(chǎn)率高、質(zhì)量可大幅度提高的箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件。本實(shí)用新型的技術(shù)方案一種箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,是由鋁箔和絕緣薄膜構(gòu)成,其特征在于大鋁箔設(shè)置在絕緣薄膜下方,且作為內(nèi)串式電容元件的公共極板; 絕緣薄膜上方設(shè)置2張小鋁箔,中間留有絕緣間隙,其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣,并作為內(nèi)串式電容元件的引出極。本實(shí)用新型更好的方案是在絕緣薄膜上方以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置2張小鋁箔。本實(shí)用新型更好的方案是在絕緣薄膜上方上方設(shè)置的2張小鋁箔是以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置的小鋁箔是2張同樣尺寸的小鋁箔。本實(shí)用新型更好的方案是2張小鋁箔處在中心端的邊緣處折邊。本實(shí)用新型更好的方案是絕緣薄膜下方的大鋁箔兩端均折邊。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的電容元件設(shè)計(jì)非常之巧妙,使高于2500V 以上電力電容器的制造工藝大大簡化,新設(shè)計(jì)的電容元件已經(jīng)構(gòu)成內(nèi)串的2個(gè)電容元件, 無需外串連接,不需要鍍錫銅帶。因此,具有如下顯著特點(diǎn)1.電容元件設(shè)計(jì)巧妙、使整臺(tái)電容器制造工藝大為簡化;2.節(jié)約了寶貴的金屬材料,降低了制造的材料成本和人工成本;3.使用本設(shè)計(jì)的電容元件由于無需焊接,減少了電容器的局部放電量,提高了電容器產(chǎn)品的生產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量,即產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量均得到大幅度提高。4.從根本上解決了 2500V以上電壓使用的電力電容器,必須由2個(gè)心子元件進(jìn)行外串連接所造成的一系列問題。綜上所述,由于新設(shè)計(jì)的電容元件已經(jīng)是2個(gè)電容的內(nèi)串式連接,因此,完全不需要人工再將2個(gè)心子元件用鍍錫銅帶串聯(lián)起來,這種新設(shè)計(jì)的內(nèi)串式電容元件已經(jīng)完成了 2個(gè)電容的串聯(lián),不僅減少了操作步驟,使電容器的制造成本降低(包括人工成本和材料成本),節(jié)省了寶貴的礦產(chǎn)資源,而且減少了外串時(shí)人工焊接對(duì)電容器元件的負(fù)面影響,大大提高了電容器產(chǎn)品的生產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量,即產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量均獲得明顯提高。本實(shí)用新型開創(chuàng)了電容元件自身內(nèi)串2個(gè)電容的新技術(shù),徹底告別了 2500V以上高壓電容元件外串的時(shí)代,面對(duì)金屬原材料資源緊缺乃至枯竭的今天和將來,本實(shí)用新型將給電力電容器行業(yè)帶來一場技術(shù)革命。

圖1是傳統(tǒng)電容元件結(jié)構(gòu)截面示意圖,其中1、鋁箔;2、絕緣薄膜圖2是傳統(tǒng)電容元件電氣連接圖圖3是傳統(tǒng)電容元件組成的2個(gè)心子元件外串電氣連接示意圖圖4是傳統(tǒng)電容元件組成的2個(gè)心子元件外串裝配示意圖其中3、鍍錫銅帶圖5是箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件結(jié)構(gòu)截面示意圖其中2、絕緣薄膜;3、大鋁箔;4、小鋁箔圖6是箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件電氣連接圖圖7箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件構(gòu)成的2個(gè)心子元件電氣連接示意圖圖8是本實(shí)用新型的內(nèi)串式電容元件構(gòu)成的2個(gè)心子元件裝配示意圖
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例1如圖5所示,本實(shí)用新型的箔式電力電容器內(nèi)串式電容元件采用三張鋁箔的結(jié)構(gòu),在絕緣薄膜2下方設(shè)有大鋁箔3,并作為內(nèi)串式電容元件的公共極板;在絕緣薄膜2上方設(shè)置小鋁箔4兩張,在兩張小鋁箔中間留一絕緣間隙,其小鋁箔4另一邊均長于絕緣薄膜邊緣,并分別作為內(nèi)串式電容元件的兩個(gè)引出極。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)很巧妙地達(dá)到了元件內(nèi)串的目的和要求,足以使電容元件承受2500V以上電壓,其電氣連接如圖6所示,圖7是箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件構(gòu)成的2個(gè)心子元件電氣連接示意圖,圖8是本實(shí)用新型的內(nèi)串式電容元件構(gòu)成的2個(gè)心子元件裝配示意圖,可見省去了鍍鋅銅帶。實(shí)施例2本實(shí)用新型更好的方案是在絕緣薄膜2上方上方設(shè)置的2張小鋁箔是以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置2張小鋁箔4,其余同實(shí)施例1。實(shí)施例3本實(shí)用新型更好的方案是在絕緣薄膜2上方以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置的小鋁箔4是2張同樣尺寸的小鋁箔4,其余同實(shí)施例2。實(shí)施例4本實(shí)用新型更好的方案是2張小鋁箔4處在中心端的邊緣處折邊,其余同實(shí)施例3。實(shí)施例5本實(shí)用新型更好的方案是絕緣薄膜2下方的大鋁箔3兩端均折邊,其余同實(shí)施例4。以上內(nèi)容是結(jié)合具體優(yōu)選方式對(duì)本實(shí)用新型所做的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施僅限于這些說明,對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出許多變化、簡單推演或替換,都應(yīng)視為包括在本權(quán)利要求書所涵蓋的范圍之內(nèi),屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,是由鋁箔和絕緣薄膜構(gòu)成,其特征在于大鋁箔設(shè)置在絕緣薄膜下方,且作為內(nèi)串式電容元件的公共極板;絕緣薄膜上方設(shè)置2張小鋁箔,中間留有絕緣間隙,其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣,并作為內(nèi)串式電容元件的引出極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,其特征是絕緣薄膜上方以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置2張小鋁箔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,其特征是絕緣薄膜上方以中心線為界左右對(duì)稱設(shè)置的小鋁箔是2張同樣尺寸的小鋁箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,其特征是小鋁箔處在中心端的邊緣處折邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,其特征是絕緣薄膜下方的大鋁箔兩端均折邊。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種箔式電力電容器的內(nèi)串式電容元件,解決了電容元件外串耗費(fèi)寶貴礦產(chǎn)資源費(fèi)工、費(fèi)時(shí)、費(fèi)力,嚴(yán)重影響生產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量的問題。技術(shù)方案是由鋁箔和絕緣薄膜構(gòu)成,其特征在于大鋁箔設(shè)置在絕緣薄膜下方,且作為內(nèi)串式電容元件的公共極板;絕緣薄膜上方設(shè)置2張小鋁箔,中間留有絕緣間隙,其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣,并作為內(nèi)串式電容元件的引出極。新設(shè)計(jì)的內(nèi)串式電容元件已構(gòu)成內(nèi)串的2個(gè)電容,無需外串連接,不需鍍錫銅帶,使生產(chǎn)過程中減少了浪費(fèi),大大降低了人工、材料成本,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。告別2500V以上高壓電容元件外串的時(shí)代,面對(duì)金屬原材料資源緊缺乃至枯竭的今天和將來,乃電力電容器行業(yè)的一場技術(shù)革命。
文檔編號(hào)H01G4/33GK202307534SQ20112041025
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者蔣益興, 賈佳峰 申請(qǐng)人:上虞電力電容器有限公司
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