專利名稱：Oled器件的半透明陽極及oled器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及OLED顯示技術領域，特別是涉及一種OLED器件的半透明陽極及OLED器件。
背景技術：
OLED (有機發(fā)光二級管)顯示技術由于其優(yōu)良的發(fā)光性能及其廣泛的應用前景而得到重視。OLED顯示器件按照驅動方式可分為被動式和主動式兩種，被動式OLED顯示器件主要用于小尺寸、低分辨率顯示屏幕，而主動式OLED顯示器件為每一個像素配有TFT (薄膜場效應管)開關，可實現(xiàn)中、大尺寸的高清顯示，已成為當前OLED顯示技術發(fā)展的主流。根據(jù)OLED器件的光的出射方向的不同，分為底發(fā)射型OLED器件和頂發(fā)射型OLED器件。如果從器件基板方向出射發(fā)射光，稱為底發(fā)射型OLED器件；如果從器件背向基板的方向出射反射光，稱為頂發(fā)射型OLED器件。倒置型OLED器件與一般的OLED器件的制備流程相反，是在基板上首先制備陰極，然后制備有機功能層，最后制備陽極。傳統(tǒng)的倒置型頂發(fā)射OLED器件主要是用ITO (氧化銦錫)或Ag (銀)作為制備陽極的材料。采用ITO作為制備材料具有很好的透光性(>90%)，但是其導電性較差，濺射工藝對有機材料的損傷會很大程度影響OLED器件的發(fā)光性能。采用蒸發(fā)的方式制備20納米左右的金屬Ag(銀)作為半透明陽極，具有較好的導電性能，但是金屬Ag的功函數(shù)較低，空穴注入效果差，因此必須要加上I 3納米左右的空穴注入層進行電極的表面修飾，才能達到較好的空穴注入效果，而I 3納米的空穴注入層在工業(yè)生產中很難保證其均勻性和重復性，這就給其工業(yè)上的大 規(guī)模應用帶來一定的困難。另外，20納米左右金屬Ag薄膜的透光性較差(30%左右)，如果進一步降低其厚度雖然可以進一步提高其透光性，但也將導致Ag薄膜導電性的下降，降低OLED器件的性能。

發(fā)明內容基于此，有必要提供一種導電性能和空穴注入效果好的OLED器件的半透明陽極。一種OLED器件的半透明陽極，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。在優(yōu)選的實施例中，所述高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在優(yōu)選的實施例中，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。此外，還提供了一種OLED器件。一種OLED器件，包括半透明陽極，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
在優(yōu)選的實施例中，所述高導電金屬中高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在優(yōu)選的實施例中，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。在優(yōu)選的實施例中，還包括反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層，所述反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層自反射陰極依次疊加排布，所述半透明陽極疊加在所述空穴傳輸層上。在優(yōu)選的實施例中，所述空穴傳輸層由摻雜所述高功函數(shù)無極半導體材料的空穴傳輸材料制成，所述電子阻擋層由空穴傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。在優(yōu)選的實施例中，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T-NATA、MeO-Tro中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi > Bphen> BAlq中的一種或多種。在優(yōu)選的實施例中，所述反射陰極采用鎂和銀合金材料。上述OLED器件的半透明陽極及OLED器件，高導電金屬中摻雜高功函數(shù)半導體材料既可以保證陽極的導電性又可以提高陽極的功函數(shù)，功函數(shù)的提高使半透明陽極具有較好的空穴注入效果。另外，高導電金屬的含量相應減少，提高了半透明陽極的透光率。

圖1為較佳實施例的OLED器件的結構示意圖。
具體實施方式為了解決傳統(tǒng)的OLED器件的陽極導電性和空穴注入效果不可兼顧的問題，提出了一種OLED器件的半透明陽極及OLED器件。如圖1所示，較佳實施例的OLED器件的半透明陽極，該半透明陽極170由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成。高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鶴、五氧化二釩中的一種或多種。高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。上述OLED器件的半透明陽極，高導電金屬中摻雜高功函數(shù)半導體材料既可以保證陽極的導電性又可以提高陽極的功函數(shù)，功函數(shù)的提高使半透明陽極170具有較好的空穴注入效果。另外，高導電金屬的含量相應減少，提高了半透明陽極的透光率。半透明陽極的透光率提高，可減小OLED器件的微腔效應以及OLED器件發(fā)光光譜的角度變化情況，改善半透明陽極在OLED器件中的顯示效果，提高半透明陽極在透明器件中的應用能力。在本實施例中，高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。由于高功函數(shù)半導體材料的摻雜質量濃度較低，不會顯著影響陽極的導電性。在本實施例中，半透明陽極170采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。蒸發(fā)源采用耐高溫的坩堝或舟，可與有機材料的工藝匹配。半透明陽極170的厚度較低，透光率較好。較佳實施例的OLED器件，包括半透明陽極170。半透明陽極170由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成。高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鶴、五氧化二釩中的一種或多種。高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
在本實施例中，高導電金屬中高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。在本實施例中，半透明陽極170采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。蒸發(fā)源采用耐高溫的坩堝或舟，可與有機材料的工藝匹配。半透明陽極170的厚度較低，透光率較好。在本實施例中，OLED器件還包括反射陰極110、電子傳輸層120、空穴阻擋層130、發(fā)光層140、電子阻擋層150、空穴傳輸層160。反射陰極110、電子傳輸層120、空穴阻擋層130、發(fā)光層140、電子阻擋層150、空穴傳輸層160自反射陰極110依次疊加排布，半透明陽極170疊加在空穴傳輸層150上。高功函數(shù)半導體材料的摻雜可相應提高高導電金屬陽極的功函數(shù)，功函數(shù)的提高使半透明陽極160具有較好的空穴注入效果，因此不再需要采用空穴注入層的工藝即可達到很好的空穴注入效果，提高了其大規(guī)模工業(yè)應用的能力。在本實施例中，空穴傳輸層160由摻雜高功函數(shù)無極半導體的空穴傳輸材料制成，電子阻擋層由空穴傳輸材料制成，空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，電子傳輸層由電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。摻雜的電子傳輸材料中的摻雜成分為碳酸銫。在本實施例中，空穴傳輸材料選自NPB (N, N ' Bis (naphthalene-l-yl)-N,N 1 -bis (phenyl)-benzidine)> TPD (N, N 1 Bis (3-methylphenyl)-N,N' -bis (phenyl)-benzidine)、m-MTDATA(4,4' ,4" -tris (N-3-methylpheny 1-N-pheny1-amino)triphenylamine)、2T-NATA(4,4' ,4" -tris(N-(naphthalene-2-yl)-N-phenyl-amino) triphenylamine)、MeO-TPD (N，N，N'，N' -Tetrakis (4-methoxyphenyl) benzidine)中的一種或多種，電子傳輸材料選自 Alq3 (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium)、Liq(8-Hydroxyquinolinolato-lithium)、TPBi(2,21 ,2" -(1，3，5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-l-H-benzimidazole))、Bphen (4，7-Dipheny 1-1,10-phenanthroline)、BAlq (Bis(2-methyl-8-quino lino late) ~4~ (pheny lpheno lato) aluminium)中的一種或多種。在本實施例中，反射陰極采用鎂和銀合金材料。反射陰極還可以采用摻雜碳酸銫的高導電金屬制成。上述OLED器件的半透明陽極及OLED器件，半透明陽極170中高功函數(shù)半導體材料的摻雜可相應提高高導電金屬陽極的功函數(shù)，功函數(shù)的提高使半透明陽極160具有較好的空穴注入效果，因此不再需要采用空穴注入層的工藝即可達到很好的空穴注入效果。當采用摻雜高功函數(shù)無極半導體的空穴傳輸材料作為空穴傳輸層160時，可達到近似歐姆接觸的空穴注入效果。電子阻擋層150以及空穴阻擋層130提高了器件的載流子平衡。器件中不含有傳統(tǒng)OLED器件的電子注入層和空穴注入層結構，制作工藝較簡單，有助于該OLED器件在工業(yè)中的大規(guī)模應用。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
2.根據(jù)權利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。
3.根據(jù)權利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。
4.一種OLED器件，包括半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。
5.根據(jù)權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述高導電金屬中高功函數(shù)無極半導體材料的摻雜質量濃度大于O且小于10%。
6.根據(jù)權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進行制作，厚度為10 25納米。
7.根據(jù)權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，還包括反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層，所述反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層自反射陰極依次疊加排布，所述半透明陽極疊加在所述空穴傳輸層上。
8.根據(jù)權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層由摻雜所述高功函數(shù)無極半導體材料的空穴傳輸材料制成，所述電子阻擋層由所述空穴傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。
9.根據(jù)權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T_NATA、MeO-TTO中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi,Bphen> BAlq中的一種或多種。
10.根據(jù)權利要求7至9中任意一項所述的OLED器件，其特征在于，所述反射陰極采用鎂和銀合金材料。
全文摘要
一種OLED器件的半透明陽極，該半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機半導體材料的高導電金屬制成，高功函數(shù)無極半導體材料選自氧化鉬、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。上述OLED器件的半透明陽極，提高了陽極的導電性和空穴注入效果，適于OLED器件的大規(guī)模工業(yè)應用。此外，還提供了一種OLED器件。
文檔編號H01L51/52GK103165822SQ20111041344
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權日2011年12月13日
發(fā)明者曹進, 王立, 榮佳玲, 張建華 申請人:上海大學