專利名稱：陽極化處理設(shè)備和與該設(shè)備有關(guān)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底支持器、陽極化處理設(shè)備、半導(dǎo)體處理系統(tǒng)和處理或制造襯底的方法，更具體地說，涉及用于支持待進(jìn)行陽極化處理的襯底的襯底支持器、包含支持器的陽極化處理設(shè)備、半導(dǎo)體處理系統(tǒng)和處理或制造襯底的方法。
多孔硅是由A.Uhlir和D.R.Turner在研究偏置在正電位的單晶硅在氫氟酸(在下文中縮寫為HF)的水溶液中的電解拋光的過程中發(fā)現(xiàn)的。
其后，由于將注意力集中于多孔硅的高電抗性，已研究了將多孔硅應(yīng)用于硅集成電路的制造工藝中需要形成厚的絕緣體的器件隔離步驟，已開發(fā)了一種應(yīng)用多孔硅氧化膜等的全隔離技術(shù)(FIPOS利用多孔氧化硅的全隔離)(K.Imai，Solid State E1ectron 24，159，1981)。
近來也已開發(fā)了一種將上述技術(shù)應(yīng)用于直接粘接的技術(shù)，通過該技術(shù)將生長在多孔硅襯底上的硅外延層經(jīng)氧化膜粘接在非晶襯底或單晶硅襯底上(日本專利公開號5-21338)。
作為另一種應(yīng)用，本身發(fā)射光的多孔硅作為所謂的光致發(fā)光和電致發(fā)光材料已引起注意(日本專利公開號6-338631)。


圖17是示出用于通過對硅襯底進(jìn)行陽極化處理來制造多孔硅的設(shè)備的配置圖。在該設(shè)備中使硅襯底1701的下表面與金屬電極1702進(jìn)行緊密的接觸，在硅襯底1701上放置陽極化處理槽1705，使得硅襯底1701的上表面上的周邊部分被例如O形環(huán)1704所密封。該槽被HF溶液1703所充滿，將對置電極1706配置在該槽中，使其與硅襯底1701相對。通過用對置電極1706作為負(fù)電極和用金屬電極1702作為正電極來加直流電壓，對硅襯底1701進(jìn)行陽極化處理。
該方法有兩個(gè)主要缺點(diǎn)。一個(gè)缺點(diǎn)是，因?yàn)楣枰r底1701的下表面與金屬進(jìn)行緊密接觸，故硅襯底1701被金屬所污染。另一個(gè)缺點(diǎn)是，在硅襯底1701的表面上的待進(jìn)行陽極化處理的區(qū)域只是與HF溶液接觸的一部分，因此多孔硅只在O形環(huán)1704的內(nèi)部形成。
圖18是示出已開發(fā)的為了解決上述問題的陽極化處理設(shè)備(日本專利公開號60-94737)的配置圖。在該陽極化處理設(shè)備中，將抗HF的Teflon(Teflon是Du Pont de Nemours&Co.Inc.，U.S.A的商標(biāo)名)陽極化處理槽1802a和1802b配置成夾住硅襯底1801。分別在陽極化處理槽1802a和1802b中配置鉑電極1803a和1803b。
陽極化處理槽1802a和1802b在與硅襯底1801接觸的側(cè)壁內(nèi)有溝，將由氟橡膠制成的O形環(huán)1804a和1804b嵌入這些溝內(nèi)。分別用這些O形環(huán)1804a和1804b來密封陽極化處理槽1802a、1802b和硅襯底1801。分別用HF溶液1805a和1805b來充滿以上述方式被密封的陽極化處理槽1802a和1802b。
在這些陽極化處理槽中，由于硅襯底不直接與金屬電極接觸，故硅襯底被金屬電極污染的可能性低。但是，待進(jìn)行陽極化處理的硅襯底的前后表面被O形環(huán)所密封。因此，未被陽極化處理的部分留在硅襯底的表面的周邊區(qū)域內(nèi)的問題仍未解決。由于待進(jìn)行陽極化處理的硅襯底直接裝入陽極化處理槽和與該槽結(jié)合為一體，故不可能快速地更換硅襯底。
考慮到上述問題，已開發(fā)了一種支撐硅襯底的斜面區(qū)域的陽極化處理設(shè)備(日本專利公開號5-198556)。該陽極化處理設(shè)備可防止來自金屬電極的污染和對硅襯底表面的全部區(qū)域進(jìn)行陽極化處理。該陽極化處理設(shè)備用兩個(gè)步驟將待進(jìn)行陽極化處理的晶片固定在陽極化處理槽內(nèi)，其中先用支持器來固定晶片，然后將支持器固定在陽極化處理槽內(nèi)。這樣一來，與將晶片直接固定在陽極化處理槽內(nèi)以形成該陽極化處理槽的一部分的常規(guī)設(shè)備相比，較大地改善了可操作性。
在日本專利公開號5-198556中描述的陽極化處理設(shè)備是非常實(shí)用的設(shè)備，該設(shè)備可生產(chǎn)幾乎沒有金屬污染的產(chǎn)品和可對襯底表面的全部區(qū)域進(jìn)行陽極化處理。
但是，希望開發(fā)出一種具有更高的生產(chǎn)率的陽極化處理設(shè)備。例如，當(dāng)必須處理很多類型的在直徑(例如，英寸尺寸)或形狀(例如，取向平面或切口)方面不同的襯底時(shí)，在日本專利公開號5-198556中描述的陽極化處理設(shè)備必須裝有對于單個(gè)襯底的專用的支持器。
另外，在將襯底裝入支持器內(nèi)時(shí)，必須首先使晶片的中心與密封表面的中心一致，使諸如取向平面的特定形狀部分與支持器的相應(yīng)部分匹配，然后相對于晶片的周邊按壓密封表面來固定該晶片。由于需要較大的力來固定晶片，故在固定時(shí)使用例如螺釘。
本發(fā)明是考慮到上述情況而進(jìn)行的，其目的是通過改善襯底支撐方法來提高陽極化處理的效率。
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備是一種用于在電解溶液中對襯底進(jìn)行陽極化處理的陽極化處理設(shè)備，它包括一對對置電極和一個(gè)用于在電極之間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的一部分的支持單元。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，該支持單元的主體最好具有一個(gè)開口，使電解溶液穿過該開口與被支持的襯底的后表面接觸。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該支持單元包括一個(gè)用于利用吸力來支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件，該吸氣部件沿被支持的襯底的外周邊部分的內(nèi)部而配置。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，該吸氣部件最好包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，該吸氣部件最好包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，該吸氣部件最好包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，該吸氣部件最好包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。該吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，最好使該吸氣部件與被支持的襯底進(jìn)行緊密的接觸，以防止在襯底的前表面的電解溶液移到襯底的后表面。
在上述的陽極化處理設(shè)備最好包括多個(gè)支持單元。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的襯底支持器是一種用于在電解溶液中支持待進(jìn)行陽極化處理的襯底的襯底支持器，其中主體包括一個(gè)通過吸力來支持襯底的一個(gè)表面的一部分的吸氣部件和一個(gè)開口，使電解溶液穿過該開口與被支持的襯底的后表面接觸。
在上述的襯底支持器中，該吸氣部件最好沿被支持的襯底的外周邊部分的內(nèi)部而配置。
在上述的襯底支持器中，該吸氣部件最好包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，該吸氣部件最好包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，該吸氣部件最好包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，該吸氣部件最好包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。該吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
在上述的襯底支持器中，最好使該吸氣部件與被支持的襯底進(jìn)行緊密的接觸，以防止在襯底的前表面的電解溶液移到襯底的后表面。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理系統(tǒng)包括上述陽極化處理設(shè)備、一個(gè)用于清洗經(jīng)陽極化處理的襯底的清洗設(shè)備、一個(gè)用于使清洗好的襯底干燥的干燥設(shè)備和一個(gè)用于在設(shè)備之間傳送襯底的傳送設(shè)備。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將陽極化處理設(shè)備、清洗設(shè)備和接受單元基本上以一條直線來配置。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將陽極化處理設(shè)備、清洗設(shè)備和接受單元基本上以一條直線來配置，該傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，該傳送設(shè)備最好包括用于將襯底從陽極化處理設(shè)備傳送到清洗設(shè)備的第1傳送機(jī)械手和用于將包含襯底的載體從清洗設(shè)備傳送到干燥設(shè)備的接受單元的第2傳送機(jī)械手。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，第1和第2傳送機(jī)械手最好只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，其中第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿該直線移動襯底或載體。
上述陽極化處理系統(tǒng)最好還包括一個(gè)用于凈化在該陽極化處理設(shè)備中的電解溶液的過濾設(shè)備。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，該過濾設(shè)備最好包括一個(gè)用于存儲電解溶液的容器和一個(gè)用于將存儲于該容器中的電解溶液供給陽極化處理設(shè)備和將從陽極化處理設(shè)備溢出的電解溶液返回到該容器的循環(huán)機(jī)構(gòu)。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)是用于處理半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，包括一個(gè)用于清洗半導(dǎo)體襯底的清洗設(shè)備、一個(gè)用于對被清洗設(shè)備清洗好的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行干燥的干燥設(shè)備和一個(gè)用于將半導(dǎo)體襯底從清洗之前的步驟傳送到清洗設(shè)備和從清洗設(shè)備傳送到干燥設(shè)備的傳送設(shè)備，其中該干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，該清洗設(shè)備和該接受單元基本上以一條直線來配置，該傳送設(shè)備這樣來傳送半導(dǎo)體襯底，使得半導(dǎo)體襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
在上述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中，該傳送設(shè)備最好包括用于將襯底傳送到清洗設(shè)備的第1傳送積械手和用于將包含在載體內(nèi)的襯底從清洗設(shè)備傳送到干燥設(shè)備的接受單元的第2傳送機(jī)械手。
在上述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中，第1和第2傳送機(jī)械手最好只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，其中第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿該直線移動襯底或載體。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底制造方法包括下述步驟在一對相對的電極之間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的一部分和在充滿電解溶液的情況下通過在電極之間加上電壓對襯底進(jìn)行陽極化處理。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備是一種用于在電解溶液中對襯底進(jìn)行陽極化處理的陽極化處理設(shè)備，包括一對對置電極和一個(gè)用于在電極之間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的支持單元，其中該支持單元包括多個(gè)利用吸力支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件，該吸氣部件在尺寸上不同。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該支持單元的主體具有基本上圓形的開口，該開口具有至少一個(gè)在主體的前后表面之間的基本上環(huán)形的中間面，將主體的前表面和中間面配置成形成臺階形狀，，該主體的前表面和中間面具有在尺寸上不同的吸氣部件。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，每個(gè)吸氣部件最好包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。該吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
上述的陽極化處理設(shè)備最好包括多個(gè)支持單元。
上述的陽極化處理設(shè)備最好還包括一個(gè)用于獨(dú)立地通過吸氣部件來控制襯底吸氣操作的控制單元。
在上述的陽極化處理設(shè)備中，由主體的前表面和中間面形成的臺階形狀的臺階差最好至少是5mm。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底支持器是一種用于在電解溶液中支持待進(jìn)行陽極化處理的襯底的襯底支持器，包括具有多個(gè)用于支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件的主體，該吸氣部件在尺寸上不同。
在上述的襯底支持器中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該主體具有基本上圓形的開口，該開口具有至少一個(gè)在主體的前后表面之間的基本上環(huán)形的中間面，將主體的前表面和中間面配置成形成臺階形狀，該主體的前表面和中間面具有在尺寸上不同的吸氣部件。
在上述的襯底支持器中，每個(gè)吸氣部件最好包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
在上述的襯底支持器中，每個(gè)吸氣部件最好包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在該吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。該吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
在上述的襯底支持器中，由主體的前表面和中間面形成的臺階形狀的臺階差最好至少是5mm。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的多孔襯底制造方法通過使用上述的陽極化處理設(shè)備對襯底進(jìn)行陽極化處理。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理系統(tǒng)包括上述陽極化處理設(shè)備、一個(gè)用于清洗經(jīng)陽極化處理的襯底的清洗設(shè)備、一個(gè)用于使清洗好的襯底干燥的干燥設(shè)備和一個(gè)用于在設(shè)備之間傳送襯底的傳送設(shè)備。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將陽極化處理設(shè)備、清洗設(shè)備和接受單元基本上以一條直線來配置。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，以下這一點(diǎn)是較為理想的該干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將陽極化處理設(shè)備、清洗設(shè)備和接受單元基本上以一條直線來配置，該傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，該傳送設(shè)備最好包括用于將襯底從陽極化處理設(shè)備傳送到清洗設(shè)備的第1機(jī)械手和用于將包含襯底的載體從清洗設(shè)備傳送到干燥設(shè)備的接受單元的第2機(jī)械手。
在上述陽極化處理系統(tǒng)中，第1和第2機(jī)械手最好只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，其中第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿該直線移動襯底或載體。
上述的陽極化處理系統(tǒng)適合于通過對襯底進(jìn)行陽極化處理來制造具有多孔層的襯底。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底具有多孔層，該多孔層是通過在一對相對的電極之間利用吸力來支持該襯底的一個(gè)表面的一部分并通過在充滿電解溶液的情況下在電極之間加電壓對該襯底進(jìn)行陽極化處理而得到的。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體襯底制造方法是一種通過使用兩個(gè)襯底來制造半導(dǎo)體襯底的方法，包括下述步驟在一對相對的電極之間利用吸力支持半導(dǎo)體襯底的一個(gè)表面的一部分和在充滿電解溶液的情況下通過在電極之間加上電壓對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行陽極化處理，由此在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)表面上形成多孔層，在該半導(dǎo)體襯底的多孔層上形成單晶硅層，將另一個(gè)襯底粘接到該半導(dǎo)體襯底的單晶硅層上，以及從該多孔層將兩個(gè)已粘接的襯底分離開。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底制造方法是一種制造具有多孔層的襯底的方法，包括下述步驟將襯底浸入充滿電解溶液的陽極化處理槽中和在電極之間通過吸氣部件利用吸力來支持該襯底的表面的一部分；通過在電極之間加電壓對襯底進(jìn)行陽極化處理以在該襯底的一個(gè)表面上形成多孔層；從陽極化處理槽中移出在其上已形成了多孔層的襯底和將該襯底浸入清洗槽以清洗該襯底；從該清洗槽移出完全清洗好的襯底并將襯底傳送到干燥設(shè)備以對襯底進(jìn)行干燥。
在上述的襯底制造方法中，從上面來觀察時(shí)最好將陽極化處理槽、清洗槽和干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，由此這樣來傳送襯底，使得從上面來觀察時(shí)從陽極化處理槽到清洗槽的襯底傳送路徑和從清洗槽到干燥設(shè)備的襯底傳送路徑基本上以一條直線來配置。
以下這一點(diǎn)是較為理想的上述的襯底制造方法還包括下述步驟將已干燥的襯底從干燥設(shè)備傳送到卸載器，通過單一機(jī)械手將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備和從干燥設(shè)備傳送到卸載器。
上述襯底制造方法最好還包括下述步驟在機(jī)械手將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備之后和在機(jī)械手將襯底從干燥設(shè)備傳送到卸載器之前對機(jī)械手進(jìn)行干燥。
在上述的襯底制造方法中對機(jī)械手進(jìn)行干燥的步驟最好在該直線上進(jìn)行。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底處理方法包括下述步驟將襯底浸入充滿化學(xué)處理溶液的處理槽中和對襯底進(jìn)行化學(xué)處理；將經(jīng)化學(xué)處理的襯底從處理槽中移出和將該襯底浸入清洗槽以清洗該襯底；從該清洗槽移出完全清洗好的襯底并將襯底傳送到干燥設(shè)備以對襯底進(jìn)行干燥，其中從上面來觀察時(shí)將處理槽、清洗槽和干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，由此這樣來傳送襯底，使得從上面來觀察時(shí)從處理槽到清洗槽的襯底傳送路徑和從清洗槽到干燥設(shè)備的襯底傳送路徑基本上以一條直線來配置，并使襯底的表面指向與該直線垂直的方向。
以下這一點(diǎn)是較為理想的上述的襯底處理方法還包括下述步驟將已干燥的襯底從干燥設(shè)備傳送到卸載器，通過單一機(jī)械手將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備和從干燥設(shè)備傳送到卸載器。
上述襯底處理方法最好還包括下述步驟在機(jī)械手將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備之后和在機(jī)械手將襯底從干燥設(shè)備傳送到卸載器之前對機(jī)械手進(jìn)行干燥。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的襯底處理系統(tǒng)包括一個(gè)用于對襯底進(jìn)行化學(xué)處理的處理槽；一個(gè)用于清洗由處理槽化學(xué)處理過的半導(dǎo)體襯底的清洗槽、一個(gè)用于對被清洗槽清洗好的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行干燥的干燥設(shè)備和一個(gè)用于將半導(dǎo)體襯底從處理槽傳送到清洗槽和從清洗槽傳送到干燥設(shè)備的傳送設(shè)備，其中從上面觀察時(shí)該處理槽、清洗槽和干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，該傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面指向與該直線垂直的方向。
在上述的襯底處理系統(tǒng)中，該傳送設(shè)備最好包括用于將襯底從處理槽傳送到清洗槽的第1傳送機(jī)械手和用于將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備以及從干燥設(shè)備傳送到卸載器的第2傳送機(jī)械手。
上述的襯底處理系統(tǒng)最好還包括第2干燥設(shè)備，該設(shè)備用于在第2傳送機(jī)械手將襯底從清洗槽傳送到干燥設(shè)備之后和在第2傳送枳械手將襯底從干燥設(shè)備傳送到卸載器之前對第2傳送機(jī)械手進(jìn)行干燥。
本發(fā)明的進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)參照附圖通過以下的對本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述將變得很明顯。
圖1是示出按照本發(fā)明的第1實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備的配置的示意性剖面圖；圖2A是按照第1實(shí)施例的第1配置的支持器的正面圖；圖2B是按照第1實(shí)施例的第1配置的支持器的剖面圖；圖3是示出將該支持器安置在該陽極化處理槽中的方法的圖；圖4是示出能支持多個(gè)支持器的陽極化處理槽的例子的剖面圖；圖5A是按照第1實(shí)施例的第2配置的支持器的正面圖；圖5B是按照第1實(shí)施例的第2配置的支持器的剖面圖；圖6是示出用于將硅襯底安置在該支持器上的晶片傳送機(jī)械手的示意圖；圖7是示出與支持器結(jié)合為一體的陽極化處理槽的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖8是按照第1實(shí)施例的第3配置的支持器的剖面圖；圖9是按照第1實(shí)施例的第4配置的支持器的剖面圖；圖10是按照第1實(shí)施例的第5配置的支持器和陽極化處理槽的示意性剖面圖；圖11是示出適合于第1實(shí)施例的第5配置的支持器的單一晶片傳送機(jī)械手的示意圖；圖12A是按照第1實(shí)施例的第6配置的支持器的正面圖；圖12B是示出按照第1實(shí)施例的第6配置的支持器的吸氣單元的結(jié)構(gòu)圖；圖13是示出按照第1實(shí)施例的自動陽極化處理設(shè)備的一個(gè)配置的示意性平面圖
圖14是用于說明將存儲于晶片載體中的晶片安置到陽極化處理槽中的過程圖；圖15A是用于說明將完全陽極化處理好的晶片傳送到清洗槽和清洗晶片的流程圖；圖15B是示出在清洗槽中的一個(gè)板和晶片載體的布局的平面圖；圖15C是用于說明將完全清洗好的晶片存儲于晶片載體中和從清洗槽中移出晶片的流程圖；圖16是示出循環(huán)過濾系統(tǒng)的實(shí)際配置的示意圖；圖17是示出常規(guī)的陽極化處理設(shè)備的配置圖；圖18是示出常規(guī)的陽極化處理設(shè)備的配置圖；圖19是示出按照第1實(shí)施例的自動陽極化處理設(shè)備的另一個(gè)配置的示意性平面圖；圖20是按照本發(fā)明的第2實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備的配置的示意性剖面圖；圖21A是按照第2實(shí)施例的第1配置的支持器的正面圖；圖21B是按照第2實(shí)施例的第1配置的支持器的剖面圖；圖22是將該支持器安置在該陽極化處理槽中的方法的圖；圖23是示出能支持多個(gè)支持器的陽極化處理槽的例子的剖面圖；圖24是示意性地示出單一晶片傳送機(jī)械手的結(jié)構(gòu)圖；圖25是按照第2實(shí)施例的第2配置的支持器的剖面圖；圖26是按照第2實(shí)施例的第3配置的支持器的剖面圖；圖27是按照第2實(shí)施例的第4配置的支持器的剖面圖；圖28是按照第2實(shí)施例的第5配置的支持器的示意性剖面圖；圖29是示出按照第2實(shí)施例的自動陽極化處理設(shè)備的一個(gè)配置的示意性平面圖；圖30是用于說明將存儲于晶片載體中的晶片安置到陽極化處理槽中的流程圖；圖31是示出按照第2實(shí)施例的自動陽極化處理設(shè)備的另一個(gè)配置的示意性平面圖；以及圖32A至32F是示出半導(dǎo)體襯底制造方法的剖面圖。
通過使用陽極化反應(yīng)使硅襯底變成多孔，即在硅襯底中形成微孔是在例如HF溶液中進(jìn)行的。在硅晶體中存在空穴這一點(diǎn)在該處理中是主要的，該反應(yīng)的機(jī)構(gòu)如以下那樣來評價(jià)。
首先，在HF溶液中施加了電場的硅襯底中的空穴被感應(yīng)于負(fù)電極一側(cè)的表面上。結(jié)果，其存在是為了補(bǔ)償表面上的未鍵合側(cè)的Si-H鍵的密度增加。在負(fù)電極一側(cè)的HF溶液中的F離子對Si-H鍵進(jìn)行親核攻擊以形成Si-F鍵。該反應(yīng)產(chǎn)生H2分子和同時(shí)在正電極一側(cè)發(fā)射一個(gè)電子。由于Si-F鍵的極化特性使接近表面處的Si-Si鍵被削弱。這些弱的Si-Si鍵被HF或H20所破壞，在晶體表面上的Si原子改變?yōu)镾iF4并離開晶體表面。結(jié)果，在晶體表面形成凹陷，在這些凹陷處產(chǎn)生優(yōu)先吸引空穴的場分布(場密度)。該表面的不均勻性延伸，使得硅原子的刻蝕沿電場連續(xù)地進(jìn)行。注意在該陽極化處理中使用的溶液不限于HF溶液，可以是一些其他的電解溶液。
按照本發(fā)明的各個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備這樣來支撐襯底的后表面，使之不干擾在陽極化處理反應(yīng)面(襯底的前表面)上的電場的方向。另外，該陽極化處理設(shè)備用一種方法來支撐襯底，通過該方法對該襯底的表面的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行陽極化處理。再有，該陽極化處理設(shè)備具有利用真空吸力來支撐襯底的后表面的機(jī)構(gòu)。這有助于簡化支撐襯底的操作。
第1實(shí)施例圖1是示出按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備的配置的示意性剖面圖。參照數(shù)字101表示硅襯底(例如，一個(gè)晶片)。一般來說，空穴的存在對于陽極化處理是重要的，因此p型硅襯底是適合的。但是，通過利用光照射等促使空穴的產(chǎn)生也可使用n型硅襯底。
參照數(shù)字102表示用于支撐硅襯底的支持器。該支持器102由諸如四氟乙烯樹脂(商標(biāo)名Teflon)的抗HF材料來制成。在支持器102中形成一個(gè)開口103，該開口具有圓形或接近于圓的形狀(以下假定術(shù)語“圓”也包括接近于圓的形狀)，其直徑小于被支撐的硅襯底的直徑。
在該支持器102的一個(gè)面上設(shè)置利用吸力來支撐硅襯底101的吸氣機(jī)構(gòu)。作為該吸氣機(jī)構(gòu)可以有各種形式。
作為該吸氣機(jī)構(gòu)，以下所述是較為理想的沿支持器102的開口103形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)溝，將O形環(huán)104嵌入這些溝內(nèi)，利用泵111經(jīng)過減壓管路105減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間中的壓力，由此利用吸力來支持硅襯底101。
在另一種優(yōu)選的吸氣機(jī)構(gòu)中，沿開口103配置其剖面具有中凹形狀、U形、或一些其他的形狀的環(huán)形的吸氣襯墊。利用泵111減少在由該吸氣襯墊的開口(例如該中凹形狀的凹陷處)和硅襯底101形成的穴部內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持硅襯底101。
在又一個(gè)優(yōu)選的吸氣機(jī)構(gòu)中，在該支持器102的吸氣表面內(nèi)形成溝，通過利用泵111減少在該溝內(nèi)的壓力利用吸力來支持該硅襯底101。在該機(jī)構(gòu)中，如支持器102的材料太硬以致于難以變形，則HF溶液107通過吸氣表面容易漏泄于硅襯底101的前后表面之間。因而，以下所述是較為理想的與硅襯底101接觸的支持器102的至少一部分由例如抗HF的橡膠來制成。當(dāng)然可通過使用例如抗HF的橡膠來形成整個(gè)支持器102或支持器102的整個(gè)表面。
硅襯底101的前和后表面最好用以上描述的吸氣機(jī)構(gòu)完全地分離開。但是，本發(fā)明的該實(shí)施例不一定需要這種完全的分離。例如，可使用這樣的吸氣機(jī)構(gòu)，通過該機(jī)構(gòu)硅襯底101的一個(gè)或幾個(gè)部分被支撐，該硅襯底和該支持器未被完全密封。
開口103的形狀基本上與硅襯底101的后表面和HF溶液接觸的部分的形狀匹配。該開口103的尺寸可比硅襯底101小一些。
例如，開口直徑可比硅襯底101的直徑小約60mm，即，可使用這樣的開口直徑，通過使用該開口直徑硅襯底101不與HF溶液107接觸的區(qū)域從硅襯底101的邊緣算起約為30mm。本發(fā)明者已確認(rèn)，即使使用如這樣的開口直徑，硅襯底101的經(jīng)陽極化處理的部分的厚度從中心到邊緣基本上是恒定的。
因此，當(dāng)支持器102的開口103的直徑是例如90mm時(shí)，可處理任何具有100mm(4英寸)、125mm(5英寸)和150mm(6英寸)的直徑的硅襯底。在所有具有這些直徑的硅襯底中，陽極化處理的產(chǎn)物的分布是良好的，它們的質(zhì)量是相同的。注意通過在上述的條件下設(shè)置開口103的直徑，也可處理超過6英寸的晶片，例如8英寸和12英寸的晶片。
如支持器102的開口103的直徑比硅襯底的直徑小60mm或更多，則在硅襯底的周邊部分的多孔硅膜中逐漸產(chǎn)生不理想的分布。但是，根據(jù)陽極化處理后的工藝容限，可使用其開口直徑小于上述值的支持器。在硅襯底101的直徑和開口103的直徑之間的可容許的差別也依賴于諸如硅襯底的雜質(zhì)濃度(電阻率)和電極與硅襯底之間的距離等的參數(shù)。
以下描述其他的組成部分。參照數(shù)字106a和106b分別表示負(fù)和正電極，這些電極最好由化學(xué)穩(wěn)定的鉑材料形成。參照數(shù)字107表示HF溶液。在需要的情況下可將諸如酒精的醇混合于HF溶液107中，以便立即從硅襯底表面除去作為反應(yīng)產(chǎn)物的例如H2的氣泡。圖1中的箭頭109表示電場的方向。參照數(shù)字110表示經(jīng)過陽極化處理的硅襯底101的放大的剖面，示出從硅襯底表面形成多孔膜的狀態(tài)。
在本發(fā)明的該優(yōu)選實(shí)施例中，通過改善襯底支持機(jī)構(gòu)可得到適合于批量生產(chǎn)的陽極化處理設(shè)備。例如，為了將待處理的襯底固定到支持器上，只需要相對于支持器的吸氣表面按壓襯底的后表面和利用吸力來支持后表面。并且，通過適當(dāng)?shù)販p少與襯底的直徑相比的支持器的吸氣機(jī)構(gòu)的直徑，不再需要限制利用吸力被支持的襯底的取向平面的位置。另外，襯底的中心可稍微偏離支持器的中心。再有，由于支持襯底的操作得到簡化，故陽極化處理易于實(shí)現(xiàn)自動化。
以下將列舉和描述本實(shí)施例的優(yōu)選配置。
第1配置圖2A是按照本實(shí)施例的第1配置的支持器的正面圖。圖2B是圖2A中示出的支持器的縱向剖面圖。
參照數(shù)字201表示待進(jìn)行陽極化處理的5英寸硅襯底，202表示由諸如四氟乙烯樹脂(商標(biāo)名Teflon)制成的支持器。在支持器202的中心形成具有90mm直徑的開口203。沿開口203的邊緣形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)圓形的溝，將由基于氟樹脂的全氟化乙烯制成的O形環(huán)204a和204b嵌入這些溝內(nèi)。外O形環(huán)204a的內(nèi)直徑是117mm，內(nèi)O形環(huán)204b的內(nèi)直徑是108mm，每個(gè)O形環(huán)的剖面的直徑是2.5mm。
在外O形環(huán)204a和內(nèi)O形環(huán)204b之間形成用于減少由這兩個(gè)O形環(huán)和硅襯底201確定的空間內(nèi)的壓力的吸氣孔205。為了利用吸力來支持硅襯底201，只需要利用連接到吸氣孔205的泵(未示出)減少在O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力即可。
5英寸的硅襯底201的直徑是125mm。因而，只要硅襯底201的中心和開口203的中心基本上互相一致，取向平面的位置可指向任何方向。因此，當(dāng)通過支持器202利用吸力來支持硅襯底201時(shí)，不需要考慮取向平面的位置。
并且，可將直徑大于5英寸的硅襯底安置在支持器202上，可形成與5英寸硅襯底的多孔層類似的多孔層。但是，如果是這種情況，必須這樣來調(diào)整電源，使得在陽極化處理中所供給的電流密度基本上與在5英寸的襯底的情況相同。
在實(shí)際上對硅襯底201進(jìn)行陽極化處理中，將利用吸力支持硅襯底201的支持器202安置在陽極化處理槽中。圖3是示出將支持器202安置在陽極化處理槽中的方法的圖。
陽極化處理槽208如支持器202那樣由四氟乙烯樹脂制成。將鉑電極206a和206b安裝在陽極化處理槽208的兩側(cè)。在陽極化處理槽208的中部，形成用于支撐支持器202的支持器溝209。當(dāng)將利用吸力支持硅襯底201的支持器202嵌入該支持器溝209時(shí)，該陽極化處理槽208被分為右和左部分，并將充滿于該槽內(nèi)的HF溶液207分開。
在這種情況下，通過使用鉑電極206a作為負(fù)電極和鉑電極206b作為正電極，施加直流電壓。這樣就對硅襯底201的前表面的整個(gè)區(qū)域和外O形環(huán)204a之外的其后表面的一部分(以下將其稱為后表面周邊部分)進(jìn)行陽極化處理。因此，可在硅襯底201的整個(gè)前表面和后表面周邊部分上形成多孔硅層。
圖4是示出能支持多個(gè)支持器202的陽極化處理槽的一個(gè)例子的剖面圖。如圖4中所示，通過在陽極化處理槽208’中形成多個(gè)支持器溝209。可支持多個(gè)支持器202。這進(jìn)一步改善了生產(chǎn)率。注意在該陽極化處理槽的例子中支持器以串聯(lián)方式配置，但也可以平行方式或以矩陣方式來配置支持器。
第2配置圖5A是按照本實(shí)施例的第2配置的支持器的正面圖。圖5B是圖5A中示出的支持器的剖面圖。圖6是示意性地示出用于將硅襯底安置在支持器上的晶片傳送機(jī)械手的圖。
參照數(shù)字501表示待進(jìn)行陽極化處理的5英寸硅襯底，502表示由諸如四氟乙烯樹脂制成的支持器。在支持器502的中心形成具有90mm直徑的開口503。在支持器502上這樣來形成環(huán)形伸出部515，使其從支持器502的主表面伸出4mm。在該伸出部515中形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)圓形的溝，將由基于氟樹脂的全氟化乙烯制成的O形環(huán)504a和504b嵌入這些溝內(nèi)。外O形環(huán)504a的內(nèi)直徑是117mm，內(nèi)O形環(huán)504b的內(nèi)直徑是108mm，每個(gè)O形環(huán)的剖面的直徑是2.5mm。
在外O形環(huán)504a和內(nèi)O形環(huán)504b之間形成用于減少由這兩個(gè)O形環(huán)和硅襯底501確定的空間內(nèi)的壓力的吸氣孔505。為了利用吸力來支持硅襯底501，只需要利用連接到吸氣孔505的泵(未示出)減少在O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力即可。
形成該伸出部515是為了有助于通過使用晶片傳送機(jī)械手自動地進(jìn)行將硅襯底501安置在支持器502上和支持器502移出硅襯底501的操作。晶片傳送機(jī)械手的夾持單元510夾緊硅襯底501，故夾持單元510具有較大的寬度。因而，伸出部515必須將利用夾持單元510夾住的硅襯底501安置在支持器502上和從支持器502移出。注意伸出部515的伸出高度可基于例如夾持單元510的結(jié)構(gòu)和尺寸來確定。
伸出部515的形成使由晶片傳送機(jī)械手的自動操作變得容易。即使當(dāng)陽極化處理槽和支持器結(jié)合為一體時(shí)，可利用晶片傳送機(jī)械手容易地安裝和卸下硅襯底。
圖7是示出與支持器結(jié)合為一體的陽極化處理槽的結(jié)構(gòu)的剖面圖。參照數(shù)字508表示與多個(gè)支持器502結(jié)合為一體的陽極化處理槽的主體；506a和506b表示鉑電極。以這種方式將陽極化處理槽與支持器結(jié)合為一體減少了HF溶液507在被這些支持器502隔開處理室之前和之后的漏泄(從正到負(fù))的可能性。其結(jié)果是可得到抑制下述現(xiàn)象的效果由于溶液漏泄(電流漏泄)多孔層厚度的分布變得不均勻。
注意在該陽極化處理槽的例子中支持器以串聯(lián)方式配置，但也可以平行方式或以矩陣方式來配置支持器。
將硅襯底安置在圖7示出的陽極化處理槽中，通過使用鉑電極506a作為負(fù)電極和鉑電極506b作為正電極，施加直流電壓。這樣就對每個(gè)硅襯底的前表面的整個(gè)區(qū)域和后表面周邊部分進(jìn)行陽極化處理。因此，可在硅襯底501的整個(gè)前表面和后表面周邊部分上形成多孔硅層。
第3配置圖8是按照本實(shí)施例的第3配置的支持器的剖面圖。該支持器可與例如按照第1配置的陽極化處理槽208或208’一起使用。
參照數(shù)字801表示待進(jìn)行陽極化處理的硅襯底，802表示由四氟乙烯樹脂制成的支持器。在支持器202的中心形成開口803。沿開口803的邊緣形成圓形的溝，將由全氟化乙烯制成的并具有中凹剖面的吸氣襯墊804嵌入這些溝內(nèi)。在該吸氣襯墊804內(nèi)形成連接到吸氣孔805的孔。
注意也可將中凹吸氣襯墊804粘附于支持器802的表面，而不是在支持器802內(nèi)形成任何溝。也要注意可這樣來形成中凹吸氣襯墊804，使得與硅襯底801接觸的吸氣襯墊804的表面(吸氣表面)和支持器801的表面分開一個(gè)預(yù)定距離(例如4mm)。如以上所述，這樣便于使用晶片傳送機(jī)械手自動地進(jìn)行安裝和卸下的操作。
當(dāng)使用泵(未示出)經(jīng)過吸氣孔805使中凹吸氣襯墊804的內(nèi)部中的壓力減少時(shí)，通過支持器802利用吸力來支持硅襯底801。當(dāng)使用該吸氣襯墊804時(shí)，與當(dāng)使用前面已描述的雙O形環(huán)時(shí)相比，可更容易地增加減壓部分的體積。并且，由于與硅襯底801接觸的部分的自由度增加，故利用吸力支持硅襯底801的點(diǎn)的自由度也可增加。
第4配置圖9是按照本實(shí)施例的第4配置的支持器的剖面圖。該支持器可與例如按照第1配置的陽極化處理槽208或208’一起使用。
參照數(shù)字901表示待進(jìn)行陽極化處理的硅襯底，902表示由四氟乙烯樹脂制成的支持器。在支持器902的中心形成開口903。沿開口903的邊緣形成圓形的溝，將由全氟化乙烯制成的并具有U形剖面的吸氣襯墊904嵌入這些溝內(nèi)。該吸氣襯墊904的厚度向著與硅襯底901接觸的部分逐漸減少。在該吸氣襯墊904內(nèi)形成連接到吸氣孔905的孔。
注意也可將U形吸氣襯墊904粘附于支持器902的表面，而不是在支持器902內(nèi)形成任何溝。也要注意可這樣來形成U形吸氣襯墊904，使得與硅襯底901接觸的吸氣襯墊904的表面(吸氣表面)和支持器901的表面分開一個(gè)預(yù)定距離(例如4mm)。如以上所述，這樣便于使用晶片傳送機(jī)械手自動地進(jìn)行安裝和卸下的操作。
如以上所描述的，該吸氣襯墊904這樣來形成，其剖面形狀是U形，其厚度向著遠(yuǎn)側(cè)端部逐漸減少。這樣就進(jìn)一步改善了在利用吸力支持硅襯底901的自由度。
第5配置圖10是按照本實(shí)施例的第5配置的支持器和陽極化處理槽的示意性剖面圖。參照數(shù)字1001表示待進(jìn)行陽極化處理的硅襯底，1002表示由四氟乙烯樹脂制成的支持器，1008表示也由四氟乙烯樹脂制成的陽極化處理槽。雖然支持器1002和陽極化處理槽1008在圖10中被結(jié)合在一起，但它們也可以是分離開的。并且，陽極化處理槽1008可包括多個(gè)支持器1002。
在支持器1002的中心形成開口1003。沿開口1003形成圓形的溝，將由基于氟樹脂的全氟化乙烯制成的吸氣襯墊1004嵌入這些溝內(nèi)。該吸氣襯墊1004具有平坦的吸氣面，從而吸氣襯墊1004利用吸力與被支持的硅襯底1001進(jìn)行表面接觸。形成圓形的溝1004a，并連接到吸氣孔1005。為了利用吸力來支持硅襯底1001，通過泵(未示出)經(jīng)過吸氣孔1005減少在該溝1004a內(nèi)的空間中的壓力。
當(dāng)使用鉑電極1006a作為負(fù)電極和鉑電極1006b作為正電極通過施加直流電壓來進(jìn)行陽極化處理同時(shí)利用吸力支持硅襯底1001時(shí)，只對硅襯底1001的前表面進(jìn)行陽極化處理，其后表面未被陽極化處理。之所以如此，是因?yàn)槭刮鼩庖r墊1004與硅襯底1001的后表面進(jìn)行緊密的接觸，這樣后表面不與HF溶液1007接觸。這就是說，當(dāng)通過使用該陽極化處理設(shè)備進(jìn)行陽極化處理時(shí)，只使硅襯底1001的前表面變成多孔的，在后表面上不形成多孔層。因此，可擴(kuò)大有效的區(qū)域(例如，在打算形成SOI襯底時(shí)的有用的區(qū)域)。
以下將描述用于自動地將硅襯底1001安置在支持器1002上和從支持器1002卸下硅襯底1001的晶片傳送機(jī)械手的一個(gè)例子。當(dāng)使用按照本配置的支持器時(shí)，難以使用諸如圖6中示出的晶片傳送機(jī)械手，這是因?yàn)閵A持單元510緊靠在支持器1002或吸氣襯墊1004上。
圖11是示意性地示出適合于該配置的單一晶片傳送機(jī)械手的配置圖。該晶片傳送機(jī)械手是通過將兩個(gè)晶片傳送機(jī)械手1101和1102結(jié)合起來而構(gòu)成的。
第1機(jī)械手1101利用真空吸力支持硅襯底1001的后表面。如用箭頭a所表示的，第1機(jī)械手1101將硅襯底1001傳送到支持器1002的前表面附近，并將硅襯底1001轉(zhuǎn)移到第2傳送機(jī)械手1102。當(dāng)?shù)?傳送機(jī)械手1102利用真空吸力支持硅襯底1001時(shí)，第1傳送機(jī)械手1101在圖11中一次性地向上移動，然后在與箭頭a相反的方向上從該陽極化處理槽移出。
在利用真空吸力支持硅襯底1001的后表面后，第2傳送機(jī)械手1102如箭頭b所表示的那樣傳送硅襯底1001。使該硅襯底1001與吸氣襯墊1004接觸，并通過吸氣襯墊1004利用吸力來支持硅襯底1001。其后，第2傳送機(jī)械手1102進(jìn)一步在箭頭b的方向上移動，然后如箭頭c所表示的那樣向上移動，從陽極化處理槽移出。
在傳送硅襯底1001之前，第2傳送機(jī)械手1102在與箭頭c和b相反的方向上移動到第2傳送積械手1102利用真空吸力支持硅襯底1001的位置(如圖11所示)。
使用進(jìn)行如以上描述的操作的晶片傳送機(jī)械手，即使當(dāng)使用具有平坦的吸氣襯墊的支持器時(shí)也可使陽極化處理的自動化變得可行。
注意具有如圖6中示出的夾持單元的傳送機(jī)械手也如第1傳送積械手那樣是可用的。
第6配置上述的按照第1至第5配置的支持器通過使用諸如雙重O形環(huán)的吸氣單元或沿開口形成的吸氣襯墊利用吸力來支持硅襯底。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是，該結(jié)構(gòu)是簡單的，硅襯底和支持器可基本上被完全密封。
但本發(fā)明不排除沿開口配置的環(huán)形的吸氣機(jī)構(gòu)之外的機(jī)構(gòu)。圖12A是按照本發(fā)明的第6配置的支持器的正面圖。該支持器1202具有多個(gè)分離的O形環(huán)1204。通過使用泵(未示出)經(jīng)過吸氣孔1205減少在由這些O形環(huán)圍繞的空間內(nèi)的壓力利用吸力來支持硅襯底1201。
在圖12A中示出的配置中，HF溶液在硅襯底的前后表面之間經(jīng)過不形成O形環(huán)1204的部分而移動。因而，如圖12B中所示，形成用于密封不形成O形環(huán)1204的部分的密封部件1210是較為理想的。該密封部件1210最好由例如基于氟樹脂的全氟化乙烯制成。
第7配置圖13是自動陽極化處理設(shè)備的示意性平面圖。參照數(shù)字1301表示自動陽極化處理設(shè)備主體。該陽極化設(shè)備的操作例如由計(jì)算機(jī)來控制。裝載器1302具有下述功能將放置在裝載器1302上的晶片載體移動到單一晶片傳送機(jī)械手1307可夾住晶片的位置上。該晶片傳送機(jī)械手1307具有如圖6中示出的夾持晶片的邊緣的功能。為此，陽極化處理槽1303的支持器例如具有如圖5A和5B中示出的伸出部，該伸出部防止晶片傳送機(jī)械手1307的夾持單元510接觸該支持器的主表面。該陽極化處理槽1303如圖7中所示與支持器結(jié)合為一體。在該結(jié)構(gòu)中，以串聯(lián)方式配置25個(gè)支持器。因此，陽極化處理槽1303具有同時(shí)處理25個(gè)晶片的能力。
圖14是用于說明將存儲于晶片載體內(nèi)的晶片安置在陽極化處理槽1303中的流程圖。當(dāng)操作者將晶片載體1312放置在裝載器1302的臺1302a上時(shí)，該晶片載體1312在計(jì)算機(jī)的控制下自動地將晶片載體1312傳送到臺1302b，然后傳送到臺1302c。其后，帶有用于支持晶片的溝的板1311從臺1302c上的晶片載體1312之下經(jīng)過晶片載體1312的下部內(nèi)的一個(gè)窗口(開口)而上升。結(jié)果，所有存儲于晶片載體1312的晶片被該板1311的溝所支持，并從晶片載體1312向上移動(在圖14中示出該狀態(tài))。
在該狀態(tài)下，晶片傳送積械手1307從最末端的晶片起一個(gè)接著一個(gè)地夾住晶片，并將每個(gè)晶片傳送到陽極化處理槽1303。當(dāng)晶片被傳送到晶片與陽極化處理槽1303內(nèi)的支持器1303a的晶片吸氣表面接觸的位置時(shí)，支持器1303a的真空管路的閥門被打開以便利用吸力來支持晶片。當(dāng)利用吸力支持晶片時(shí)，晶片傳送機(jī)械手1307釋放晶片，并遵循相同的流程將下一個(gè)晶片安置在下一個(gè)支持器內(nèi)。以這種方式，在板1311上的所有的晶片都被安置在陽極化處理槽1303的晶片支持器1303a內(nèi)。
然后通過在形成于該陽極化處理槽1303的兩端的鉑電極1303b和1303c之間施加直流電壓，來進(jìn)行陽極化處理。
其后，用純水來清洗完全陽極化處理好的晶片。圖15A是用于說明將完全陽極化處理好的晶片傳送到清洗槽和清洗這些晶片的流程圖。圖15B是示出在圖15A中示出的清洗槽中的板和晶片載體的布局的平面圖。圖15C是用于說明將完全清洗好的晶片存儲于晶片載體和從清洗槽移出晶片的流程圖。
晶片傳送機(jī)械手1307逐一地從陽極化處理槽1303將完全陽極化處理好的晶片取出，并在用圖15A中的箭頭表示的方向上傳送每個(gè)晶片。這就是說，首先將晶片移動到清洗槽1304上的一個(gè)位置，然后將其浸入清洗槽1304內(nèi)的純水中。將具有25個(gè)晶片支持溝的板1314固定在清洗槽1304中，在這些溝內(nèi)逐一地安置晶片。
預(yù)先將晶片載體1313浸入清洗槽1304中。該晶片載體1313具有在使晶片載體1313向上移動時(shí)通過舀取晶片能接受所有在板1314的溝內(nèi)被支持的晶片的形狀。并且，晶片載體1313具有開口1313a，當(dāng)晶片載體1313舀取在板1314上的晶片時(shí)該開口1313a允許板1314通過它。
當(dāng)將晶片完全清洗好時(shí)，如圖15C所示，載體傳送機(jī)械手1308提升晶片載體1313，將所有在板1314上的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)，并將晶片載體1313傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a。以下述方式將晶片載體1313放置在該載體接受單元1305a上，使晶片面指向與載體傳送機(jī)械手1308的移動方向垂直的方向。該狀態(tài)適合于使晶片載體1313圍繞其軸在旋轉(zhuǎn)干燥器1305上旋轉(zhuǎn)。
通過載體傳送機(jī)械手1308將被旋轉(zhuǎn)干燥器1305干燥的晶片在保持存儲于晶片載體1313內(nèi)的狀態(tài)下傳送到卸載器1306的臺上。通過一系列這些操作，可得到25個(gè)多孔晶片。
在該設(shè)備中，晶片傳送機(jī)械手1307沿垂直軸1307a垂直地移動，沿水平軸1350水平地移動。載體傳送機(jī)械手1308沿垂直軸1308a垂直地移動，沿水平軸1350水平地移動。
在該自動陽極化處理設(shè)備中，將陽極化處理槽1303、清洗槽1304和旋轉(zhuǎn)干燥器1305的載體接受單元1305a在平面圖上基本上配置成直線，使晶片表面指向與晶片傳送機(jī)械手1307和載體傳送機(jī)械手1308的移動方向垂直的方向。這一點(diǎn)改善了在各個(gè)步驟(陽極化處理、清洗和干燥)之間的晶片傳送的效率和增加生產(chǎn)率。另外，因?yàn)槿缫陨纤枋龇e械手只在兩個(gè)方向上移動，故可簡化配置。
以下將描述HF溶液循環(huán)過濾系統(tǒng)。在圖13中示出的循環(huán)過濾系統(tǒng)中的過濾單元1309具有下述功能循環(huán)和過濾從陽極化處理槽1303溢出的HF溶液并使該HF溶液返回到陽極化處理槽1303。該循環(huán)過濾系統(tǒng)具有除去在陽極化處理槽1303中產(chǎn)生的粒子等的功能和有效地除去由陽極化反應(yīng)產(chǎn)生并保持粘于晶片表面的微小氣泡的功能。
圖16是示出該循環(huán)過濾系統(tǒng)的實(shí)際配置的示意圖。首先將HF溶液存儲于存儲容器1319內(nèi)。然后利用泵1315經(jīng)過傳輸管1320將存儲容器1319內(nèi)的HF溶液向上壓。在沿該傳輸管1320的途中設(shè)置過濾器1316，并從該HF溶液除去粒子。利用多支管(分配器)1317將通過過濾器1316的HF溶液分配到26條流線，并從陽極化處理槽1303的下部將其供給被25個(gè)支持器1303a隔開的處理室。由溢出槽1318一次接受從陽極化處理槽的每個(gè)處理室溢出的HF溶液，并返回到存儲容器1319。
第8配置該配置是通過改善按照第7配置的自動陽極化處理設(shè)備而完成的。圖19為按照該配置經(jīng)過改善的自動陽極化處理設(shè)備的示意性平面圖。按照該配置的自動陽極化處理設(shè)備具有用于在通過載體傳送機(jī)械手1308將完全清洗好的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)和將其從清洗槽1304傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a之后對載體傳送機(jī)械手1308的一個(gè)臂1308b進(jìn)行干燥的干燥器1360。
作為對臂1308b進(jìn)行干燥的方法，在臂1308b上噴射氮?dú)饣蛞恍┢渌麣怏w的方法是較為理想的。
以下將通過將按照本配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程與按照第7配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程相比較，來描述本配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程。
遵循與按照第7配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程相同的流程，通過載體傳送機(jī)械手1308將清洗槽1304中的完全清洗好的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)和將其傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a。
在該傳送期間，用于清洗的純水附著于載體傳送機(jī)械手1308的臂1308b上。因此，如利用附著了純水的載體傳送機(jī)械手1308將由旋轉(zhuǎn)干燥器1305完全干燥了的晶片載體1313傳送到卸載器1306，則純水可再次附著于已干燥的晶片。
因而，在按照本配置的自動陽極化處理設(shè)備中，在將晶片載體1313從清洗槽1304傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305之后，移動載體傳送機(jī)械手1308，將臂1308b定位于干燥器1360上。該干燥器1360通過在臂1308b上噴射例如氮?dú)鈦硎乖摫?308b干燥。
在通過干燥器1360使該臂1308b干燥和通過旋轉(zhuǎn)干燥器1305使晶片和晶片載體1313干燥后，傳送機(jī)械手1308用臂1308b夾住晶片載體1313，并將晶片載體1313傳送到卸載器1306的臺上。
在以上描述的實(shí)施例中，通過改善襯底支撐方法可增加陽極化處理的效率。
更具體地說，上述的實(shí)施例使用具有下述結(jié)構(gòu)的陽極化處理設(shè)備，其中當(dāng)使半導(dǎo)體襯底的前表面制成多孔時(shí)，利用吸力由具有圓形或接近于圓形形狀的密封部件來支持半導(dǎo)體襯底的后表面，在密封部件內(nèi)部區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的后表面的一部分與正的電解溶液接觸，半導(dǎo)體襯底的表面與負(fù)的電解溶液接觸。結(jié)果，可對半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面區(qū)域進(jìn)行陽極化處理。
并且，在上述的實(shí)施例中，可用非常簡單的操作將半導(dǎo)體襯底安置在陽極化處理設(shè)備中。其結(jié)果是，可得到迄今難以進(jìn)行的、實(shí)現(xiàn)了多片批處理的自動陽極化處理設(shè)備。
第2實(shí)施例圖20是示出按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備的配置的示意性平面圖。參照數(shù)字2101表示硅襯底(例如，晶片)。一般來說，空穴的存在對于陽極化處理是重要的，因此，p型硅襯底是合適的。但是，通過利用光照射等促使空穴的產(chǎn)生也可使用n型硅襯底。
參照數(shù)字2102表示用于支撐硅襯底的支持器。該支持器2102由諸如四氟乙烯樹脂(商標(biāo)名Teflon)的抗HF材料來制成。在支持器2102中形成一個(gè)開口2103，該開口具有圓形或接近于圓的形狀，其直徑小于被支撐的硅襯底的直徑。
在該支持器2102的一個(gè)面上設(shè)置利用吸力來支撐硅襯底2101的吸氣機(jī)構(gòu)。作為該吸氣機(jī)構(gòu)可以有各種形式。
作為該吸氣機(jī)構(gòu)，在圖20中使用具有矩形剖面形狀和作為整體具有環(huán)形形狀的吸氣襯墊2105，在該吸氣襯墊2105的表面內(nèi)形成溝，該溝利用吸力來支持硅襯底2101。利用泵2120經(jīng)過吸氣孔2110和減壓管路2121減少在該溝內(nèi)的空間中的壓力，通過該吸氣襯墊2105利用吸力來支持硅襯底2101。也可將吸氣孔2110連接到吸氣襯墊2105的溝的幾個(gè)部分。該吸氣襯墊2105的材料最好是例如抗HF橡膠。
在另一個(gè)優(yōu)選的吸氣機(jī)構(gòu)中，沿支持器2102的開口2103形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)溝，將O形環(huán)嵌入這些溝內(nèi)，利用泵2120經(jīng)過吸氣孔2110和減壓管路2121減少在兩個(gè)O形環(huán)之間的空間中的壓力，由此利用吸力來支持硅襯底2101。
在又一種優(yōu)選的吸氣機(jī)構(gòu)中，沿開口2103配置其剖面具有中凹形狀、U形、或一些其他形狀的環(huán)形吸氣襯墊。利用泵2120減少在由該吸氣襯墊的開口(例如該中凹形狀的凹陷處)和硅襯底2101形成的穴部內(nèi)的壓力，從而利用吸力來支持硅襯底2101。
在又一種優(yōu)選的吸氣機(jī)構(gòu)中，在支持器2102的吸氣表面中形成溝，利用泵2120通過減少在該溝內(nèi)的壓力，利用吸力來支持硅襯底。
硅襯底2101的前后表面最好用以上描述的吸氣機(jī)構(gòu)完全地分離開。但是，本發(fā)明的該實(shí)施例不一定需要這種完全的分離。例如，可使用這樣的吸氣機(jī)構(gòu)，通過該機(jī)構(gòu)硅襯底2101的一個(gè)或幾個(gè)部分被支撐，該硅襯底和該支持器未被完全密封。
開口2103的形狀基本上與硅襯底2101的后表面與HF溶液2115接觸部分的形狀一致。該開口2103的尺寸可比硅襯底2101小一些。
例如，開口直徑可比硅襯底2101的直徑小60mm，即，可使用這樣的開口直徑，通過使用該開口直徑硅襯底2101不與HF溶液2115接觸的區(qū)域從硅襯底2101的邊緣算起約為30mm。本發(fā)明者已確認(rèn)，即使使用如這樣的開口直徑，硅襯底2101的經(jīng)陽極化處理的部分的厚度從中心到邊緣基本上是恒定的。
因此，當(dāng)支持器2102的開口2103的直徑是例如90mm時(shí)，可處理任何具有100mm(4英寸)、125mm(5英寸)和150mm(6英寸)的直徑的硅襯底。在所有具有這些直徑的硅襯底中，陽極化處理產(chǎn)物的分布是良好的，它們的質(zhì)量是相同的。
但是，在利用吸力支持具有100mm(4英寸)直徑的硅襯底時(shí)，當(dāng)考慮在吸氣期間完全密封取向平面的容限和容許一個(gè)差別的容限時(shí)，開口2103的直徑最好是90mm或更小。
但是，如開口2103的直徑減少到90mm或更小，則當(dāng)通過吸氣襯墊2105利用吸力來支持直徑為150mm(6英寸)的硅襯底和對其進(jìn)行陽極化處理時(shí)，難以形成均勻的多孔膜。
再有，當(dāng)通過吸氣襯墊2105利用吸力來支持直徑為200mm(8英寸)的硅襯底和對其進(jìn)行陽極化處理時(shí)，在硅襯底的直徑和開口2103之間的差別大大超過60mm。這就更難以形成均勻的多孔膜。
在本實(shí)施例中，形成吸氣襯墊2108，以便很好地對其直徑比開口2103的直徑大一個(gè)預(yù)定值的硅襯底進(jìn)行陽極化處理。該吸氣襯墊2108除了直徑外實(shí)質(zhì)上具有與吸氣襯墊2105相同的結(jié)構(gòu)。該吸氣襯墊2108利用泵2120經(jīng)過吸氣孔2111和減壓管路2122減少在溝內(nèi)的壓力，利用吸力來支持硅襯底。
在其上形成了吸氣襯墊2108的支持器表面2107和在其上形成了吸氣襯墊2105的中間面2104之間形成臺階差。即使在準(zhǔn)備對具有大的直徑(例如，200mm)的硅襯底進(jìn)行陽極化處理時(shí)，該臺階差可大大地增加HF溶液2115與硅襯底的后表面接觸的面積。因此，可將所形成的多孔膜做得均勻。
為了得到良好分布的多孔膜，在吸氣表面2104和吸氣表面2107之間的臺階差最好是5mm或更多。但是，即使該臺階差小于5mm，通過在處理期間提供用于除去所產(chǎn)生的H2氣體的裝置和充分地將HF溶液2115供給通過吸氣襯墊2108利用吸力被支持的硅襯底的后表面，可得到具有良好分布的多孔膜。一個(gè)優(yōu)選的例子是在中間面2104內(nèi)形成多個(gè)孔，使孔延伸穿過支持器2102并從硅襯底的后表面經(jīng)過這些孔除去H2氣體。如果是這種情況，則這些孔最好在通過吸氣襯墊2105利用吸力支持硅襯底和對其進(jìn)行陽極化處理時(shí)被關(guān)閉。
以下將描述其他組成部分。參照數(shù)字2109a和2109b分別表示負(fù)和正電極，這些電極最好由化學(xué)穩(wěn)定的鉑材料形成。參照數(shù)字2112和2113表示分別在減壓管路2121和2122中設(shè)置的關(guān)閉閥。硅襯底的吸氣可通過控制這些關(guān)閉閥2112和2113來控制。參照數(shù)字2114表示多支管，2115表示HF溶液。在需要的情況下可將諸如酒精的醇混合于HF溶液2115中，以便立即從硅襯底表面除去作為反應(yīng)產(chǎn)物的例如H2的氣泡。圖20中的箭頭2117表示電場的方向。參照數(shù)字2118表示經(jīng)過陽極化處理的硅襯底2101的放大的剖面，示出從硅襯底表面形成多孔膜的狀態(tài)。
注意該設(shè)備包括在圖20中示出的實(shí)施例中的兩個(gè)吸氣表面。但是，該設(shè)備也可包括三個(gè)或更多的吸氣表面，在這種情況下可處理具有更多的不同尺寸的硅襯底。
在本發(fā)明的該優(yōu)選實(shí)施例中，可提供適合于批量生產(chǎn)和處理具有各種尺寸的襯底的陽極化處理設(shè)備。
更具體地說，為了將準(zhǔn)備進(jìn)行處理的襯底固定到支持器上，只需要相對于支持器的吸氣表面按壓襯底的后表面，利用吸力支持后表面。這也便于襯底的操作。
并且，按照襯底的尺寸可選擇最佳的吸氣機(jī)構(gòu)，將待處理的襯底固定到支持器上。因而，不管襯底的尺寸如何，都可形成均勻的多孔膜。例如，通過只設(shè)置一個(gè)支持器，可適當(dāng)?shù)靥幚砥涑叽绶秶鷱?英寸或更小到12英寸或更大的襯底。
再有，通過與襯底的直徑相比適當(dāng)?shù)販p少支持器的每個(gè)吸氣機(jī)構(gòu)的直徑，不再需要限制利用吸力被支持的襯底的取向平面的位置。另外，襯底的中心可稍微偏離支持器的中心。
并且，由于支持襯底的操作得到簡化，故陽極化處理易于實(shí)現(xiàn)自動化。
以下將列舉和描述本實(shí)施例的優(yōu)選配置。
第1配置圖21A是按照本實(shí)施例的第1配置的支持器的正面圖。圖21B是圖21A中示出的支持器的縱向剖面圖。
參照數(shù)字2201表示待進(jìn)行陽極化處理的4或5英寸硅襯底，2202表示由四氟乙烯樹脂(商標(biāo)名Teflon)制成的支持器。在支持器2202的中心形成具有75mm直徑的開口2203。
該支持器2202具有利用吸力支持4英寸硅襯底2201的中間面2204和利用吸力支持6英寸或更大的硅襯底2210的支持器表面2207。該中間面2204是這樣形成的，在從支持器表面2207朝向開口2203的方向上形成臺階差。
該臺階差最好是5mm或更多，以便在硅襯底2210的陽極化處理期間除去所產(chǎn)生的H2氣體和很好地將HF溶液供給硅襯底2210的后表面。并且，該中間面2204的外周邊最好與開口2203同心。在該配置中，中間面2104的外直徑是130mm。
在中間面2204中沿開口2203的邊緣形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)圓形的溝，將由基于氟樹脂的全氟化乙烯制成的O形環(huán)2205a和2205b嵌入這些溝內(nèi)。外O形環(huán)2205a的內(nèi)直徑是92mm，內(nèi)O形環(huán)2205b的內(nèi)直徑是79mm，每個(gè)O形環(huán)的剖面的直徑是2.5mm。
在外O形環(huán)2205a和內(nèi)O形環(huán)2205b之間形成用于減少由這兩個(gè)O形環(huán)和硅襯底2201確定的空間內(nèi)的壓力的吸氣孔2206。該吸氣孔2206向支持器2202的上部延伸。為了利用吸力來支持硅襯底2201，只需要利用連接到吸氣孔2206的泵(未示出)經(jīng)過減壓管路減少在O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力即可。
4英寸的硅襯底2201的直徑是100mm。因而，只要硅襯底2201的中心和開口2203的中心基本上互相一致，取向平面的位置可指向任何方向。因此，當(dāng)通過支持器2202利用吸力來支持硅襯底2201時(shí)，不需要考慮取向平面的位置。這同樣適用于5英寸的硅襯底2201。
另外，在支持器表面2207內(nèi)沿中間面2204的外周邊形成構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的兩個(gè)圓形的溝，將由基于氟樹脂的全氟化乙烯制成的O形環(huán)2208a和2208b嵌入這些溝內(nèi)。外O形環(huán)2208a的內(nèi)直徑是141mm，內(nèi)O形環(huán)2208b的內(nèi)直徑是133mm，每個(gè)O形環(huán)的剖面的直徑是2.5mm。
在外O形環(huán)2208a和內(nèi)O形環(huán)2208b之間形成用于減少由這兩個(gè)O形環(huán)和硅襯底2210確定的空間內(nèi)的壓力的吸氣孔2209。該吸氣孔2209向支持器2202的上部延伸。為了利用吸力來支持硅襯底2210，只需要利用連接到吸氣孔2209的泵(未示出)經(jīng)過減壓管路減少在O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力即可。
6英寸的硅襯底2210的直徑是150mm。因而，只要硅襯底2210的中心和開口2203的中心基本上互相一致，取向平面的位置可指向任何方向。因此，當(dāng)通過支持器2202利用吸力來支持硅襯底2210時(shí)，不需要考慮取向平面的位置。這同樣適用于大于6英寸的硅襯底2210。
該支持器2202可使用于4英寸(或5英寸)的硅襯底2201和6英寸或更大的硅襯底2210。當(dāng)然，這兩種類型的硅襯底不同時(shí)利用吸力被支持和進(jìn)行陽極化處理，即，一次只處理一種類型的襯底。
注意可按照待處理的硅襯底的尺寸適當(dāng)?shù)馗淖冎С制?202的各個(gè)部分的尺寸。
在實(shí)際上對硅襯底進(jìn)行陽極化處理中，將利用吸力支持硅襯底的支持器2202安置在陽極化處理槽中。圖22是示出將支持器2202安置在陽極化處理槽中的方法的圖。注意支持器2202和陽極化處理槽2211也可結(jié)合為一體。
陽極化處理槽2211如支持器2202那樣由四氟乙烯樹脂制成。將鉑電極2213a和2213b安裝在陽極化處理槽2211的兩側(cè)。在陽極化處理槽2211的中部，形成用于支撐支持器2202的支持器溝2212。當(dāng)將利用吸力支持硅襯底的支持器2202嵌入該支持器溝2212時(shí)，該陽極化處理槽2211被分為右和左部分，并將充滿于該槽內(nèi)的HF溶液2214分開。
在這種情況下，通過使用鉑電極2213a作為負(fù)電極和鉑電極2213b作為正電極，施加直流電壓。這樣就對硅襯底的前表面的整個(gè)區(qū)域和外O形環(huán)2205a之外的其后表面的一部分(后表面周邊部分)進(jìn)行陽極化處理。因此，可在硅襯底的整個(gè)前表面和后表面周邊部分上形成多孔硅層。
圖23是示出能支持多個(gè)支持器2202的陽極化處理槽的一個(gè)例子的剖面圖。如圖23中所示，通過在陽極化處理槽2211’中形成多個(gè)支持器溝2212。可支持多個(gè)支持器2202。這進(jìn)一步改善了生產(chǎn)率。注意在該陽極化處理槽的例子中支持器以串聯(lián)方式配置，但也可以平行方式或以矩陣方式來配置支持器。注意也可將支持器2202和陽極化處理槽2211’結(jié)合為一體。
以下將描述用于自動地將硅襯底安置在支持器2202上和從支持器2202卸下硅襯底的晶片傳送機(jī)械手的一個(gè)例子。
圖24是示意性地示出適合于該配置的單一晶片傳送機(jī)械手的配置圖。該晶片傳送機(jī)械手是通過將兩個(gè)晶片傳送機(jī)械手1307和1330結(jié)合起來而構(gòu)成的。
第1晶片傳送機(jī)械手1307利用真空吸力支持硅襯底2220的后表面。如用箭頭a所表示的，第1晶片傳送機(jī)械手1307將硅襯底2220傳送到支持器2202的前表面附近，并將硅襯底2220轉(zhuǎn)移到第2傳送機(jī)械手1330。當(dāng)?shù)?晶片傳送機(jī)械手1330利用真空吸力支持硅襯底2220時(shí)，第1晶片傳送機(jī)械手1307一次性地向上移動，然后在與箭頭a相反的方向上從該陽極化處理槽2211′移出。
在利用真空吸力支持硅襯底2220的后表面后，第2傳送機(jī)械手1330如箭頭b所表示的那樣傳送硅襯底2220。第2傳送機(jī)械手1330的操作按照硅襯底2220的尺寸而改變。這就是說，當(dāng)硅襯底2220的尺寸是4英寸(或5英寸)時(shí)，第2傳送機(jī)械手1330將硅襯底2220傳送到O形環(huán)2205的位置。另一方面，當(dāng)硅襯底2220的尺寸是6英寸(或更多)時(shí)，第2傳送機(jī)械手1330將硅襯底2220傳送到O形環(huán)2208的位置。
當(dāng)硅襯底2220被傳送到與O形環(huán)2205或2208接觸并被O形環(huán)2205或2208利用吸力支持的位置時(shí)，第2晶片傳送機(jī)械手1330釋放硅襯底2220。其后，第2晶片傳送機(jī)械手1330進(jìn)一步在箭頭b的方向上移動，然后如箭頭c所表示的那樣向上移動，從陽極化處理槽2211′移出。
在傳送硅襯底2220之前，第2晶片傳送機(jī)械手1330在與箭頭c和b相反的方向上移動并到達(dá)第2晶片傳送機(jī)械手1330利用真空吸力支持硅襯底2220的位置(在圖24中示出)。
使用進(jìn)行如以上描述的操作的晶片傳送機(jī)械手使陽極化處理的自動化變得可行。
第2配置圖25是按照本實(shí)施例的第2配置的支持器的剖面圖。該支持器2303可與例如按照第1配置的陽極化處理槽2211或2211’結(jié)合起來使用。并且，在圖24中示出的單一晶片傳送機(jī)械手適合于硅襯底的安裝和卸下。
按照本配置的支持器2303是通過用其他的吸氣機(jī)構(gòu)來代替按照第1配置的支持器中的雙O形環(huán)而得到的。這就是說，該支持器2303包括利用吸力支持4英寸(或5英寸)硅襯底2301的吸氣機(jī)構(gòu)和利用吸力支持6英寸或更大的硅襯底2302的吸氣機(jī)構(gòu)。
在本配置中使用各具有U剖面形狀和作為一個(gè)整體的環(huán)形形狀的吸氣襯墊2305和2306作為硅襯底吸氣機(jī)構(gòu)。
分別在吸氣襯墊2305和2306的部分形成與減壓管路2307和2308相連的吸氣孔2312和2313。分別在減壓管路2307和2308的端部設(shè)置關(guān)閉閥2309和2310。在這些關(guān)閉閥之后設(shè)置多支管2311，并將兩個(gè)減壓管路合為一個(gè)單一管路。為了支持硅襯底2301和2302，只需要分別打開關(guān)閉閥2309和2310即可。
當(dāng)如在本配置中那樣使用具有U形剖面的吸氣襯墊時(shí)，與第1配置相比，與硅襯底接觸部分的自由度增加。因此就不需要準(zhǔn)確地將硅襯底傳送到接觸部分。
第3配置圖26是按照本實(shí)施例的第3配置的支持器的剖面圖。該支持器2303’可與例如按照第1配置的陽極化處理槽2211或2211’結(jié)合起來使用。并且，在圖24中示出的單一晶片傳送機(jī)械手適合于硅襯底的安裝和卸下。
按照本配置的支持器2303’是通過用其他的吸氣機(jī)構(gòu)、即分別具有中凹剖面的吸氣襯墊2305’和2306’來代替按照第1配置的支持器中的吸氣襯墊2305和2306而得到的。注意與圖25中相同的參照數(shù)字表示相同的部分，將省略其詳細(xì)描述。
當(dāng)如本實(shí)施例那樣使用具有中凹剖面的吸氣襯墊作為吸氣機(jī)。構(gòu)時(shí)，如第2配置中的情況一樣，與硅襯底接觸部分的自由度增加。因此就不需要準(zhǔn)確地將硅襯底傳送到接觸部分。
第4配置圖27是按照本實(shí)施例的第4配置的支持器的平面圖。該支持器2403可與例如按照第1配置的陽極化處理槽2211或2211’結(jié)合起來使用。并且，在圖24中示出的單一晶片傳送機(jī)械手適合于硅襯底的安裝和卸下。
按照本結(jié)構(gòu)的支持器2403是通過用其他的吸氣機(jī)構(gòu)來代替按照第1配置的支持器中的雙O形環(huán)而得到的。這就是說，該支持器2403包括利用吸力支持4英寸(或5英寸)硅襯底2401的吸氣機(jī)構(gòu)和利用吸力支持6英寸或更大的硅襯底2402的吸氣機(jī)構(gòu)。
在本配置中使用各具有矩形剖面形狀和作為一個(gè)整體的環(huán)形形狀的吸氣襯墊2405和2406作為硅襯底吸氣機(jī)構(gòu)。
在這些吸氣襯墊2405和2406中形成利用吸力來支持硅襯底2401和2402的溝。在這些溝內(nèi)形成與減壓管路2411和2412相連的吸氣孔2407和2408。分別在減壓管路2411和2412的端部設(shè)置關(guān)閉閥2409和2410。在這些關(guān)閉閥之后設(shè)置多支管2413，并將兩個(gè)減壓管路合為一個(gè)單一管路。為了支持硅襯底2401和2402，只需要分別打開關(guān)閉閥2409和2410即可。
當(dāng)通過使用按照本配置的支持器2403并和陽極化處理槽2211或2211’一起對硅襯底進(jìn)行陽極化處理時(shí)，只對硅襯底的前表面進(jìn)行陽極化處理，其后表面未被陽極化處理。之所以如此，是因?yàn)槭刮鼩庖r墊2405或2406與硅襯底2401或2402的后表面進(jìn)行緊密的接觸，這樣在硅襯底的前表面上的HF溶液不移動到硅襯底的后表面。這就是說，當(dāng)通過使用該支持器2403進(jìn)行陽極化處理時(shí)，只使硅襯底的前表面變成多孔，在后表面上不形成多孔層。因此，可擴(kuò)大有效區(qū)(即，打算形成SOI襯底時(shí)的可用區(qū))。
第5配置圖28是按照本實(shí)施例的第5配置的支持器的剖面圖。該支持器2505可與例如按照第1配置的陽極化處理槽2211或2211’結(jié)合起來使用。并且，在圖24中示出的單一晶片傳送機(jī)械手適合于硅襯底的安裝和卸下。
按照本配置的支持器2505包括多個(gè)處理具有各種不同尺寸的硅襯底的吸氣機(jī)構(gòu)。這就是說，在支持器主體中形成臺階狀的孔，使其從支持器主體的前表面延伸到后表面，該支持器2505在該支持器主體的每個(gè)臺階(中間面)上具有硅襯底吸氣機(jī)構(gòu)。
參照數(shù)字2505表示用于支撐硅襯底的支持器。該支持器2505由諸如四氟乙烯樹脂(商標(biāo)名Teflon)的抗HF材料制成。該支持器2505從前表面到后表面包括分別在支持器表面2524、中間面2523、中間面2522和中間面2521上的用于12英寸襯底、8英寸襯底、6英寸襯底和5英寸(和4英寸)襯底的吸氣機(jī)構(gòu)。注意臺階(吸氣機(jī)構(gòu))的數(shù)目可增加以便支持超過12英寸的硅襯底，或者可省略不必要的中間面。
在圖28示出的配置中，使用雙O形環(huán)2507、2508、2509和2510作為吸氣機(jī)構(gòu)。但是，使用諸如在以上描述的第2至第4配置中的吸氣機(jī)構(gòu)也是有效的。
在本配置中，用于8英寸襯底的中間面2523的外直徑是280mm，用于6英寸襯底的中間面2522的外直徑是180mm，用于4英寸(和5英寸)襯底的中間面2521的外直徑是130mm，開口2506的直徑是75mm。但是，其他尺寸也可使用。
為了得到對于這些尺寸的硅襯底的具有良好分布的多孔膜，在鄰近的吸氣表面之間的臺階差最好是5mm或更多。但即使該臺階差小于5mm，通過在處理期間提供用于除去所產(chǎn)生的H2氣體的裝置和充分地將HF溶液供給被處理的硅襯底的后表面，也可得到具有良好分布的多孔膜。一個(gè)優(yōu)選的例子是在吸氣表面2521至2523內(nèi)形成多個(gè)孔2531至2533，使孔延伸穿過支持器2505并從硅襯底的后表面經(jīng)過這些孔除去H2氣體。如果是這種情況，則這些孔最好按照所處理的硅襯底的尺寸被關(guān)閉以防止HF溶液在硅襯底的前后表面之間移動。例如，當(dāng)打算處理硅襯底2503時(shí)，不希望存在孔2533，因此最好關(guān)閉該孔2533。另一個(gè)優(yōu)選的例子是通過將除了用于支持O形環(huán)作為吸氣機(jī)構(gòu)的部分之外的中間面朝向后表面一側(cè)作成凹形，以擴(kuò)大硅襯底的后表面一側(cè)的的空間。
在支持器2505的上部對于雙O形環(huán)2507至2510形成用于減少在這些O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力的吸氣孔2511至2514，并分別將這些O形環(huán)連接到減壓管路2541至2544。將減壓管路2541至2544分別連接到關(guān)閉閥2515至2518，然后連接到多支管2519。該多支管2519將這4個(gè)減壓管路合為一個(gè)單一管路。為了支持硅襯底2501至2504，只需要分別打開關(guān)閉閥門2515至2518即可。
在本配置中，因?yàn)樵O(shè)置了多個(gè)吸氣機(jī)構(gòu)，故可處理具有各種不同尺寸的硅襯底。
注意通過使用具有多個(gè)在上述各個(gè)實(shí)施例中的支持器的陽極化處理槽，可同時(shí)處理具有不同尺寸的硅襯底。如果是這種情況，則可按照打算處理的硅襯底的尺寸獨(dú)立地控制各個(gè)支持器的關(guān)閉閥。例如，當(dāng)打算同時(shí)處理4英寸硅襯底和6英寸硅襯底時(shí)，通過控制對于處理4英寸硅襯底的支持器的4英寸關(guān)閉閥來安裝和卸下4英寸硅襯底。類似地，通過控制對于處理6英寸硅襯底的支持器的6英寸關(guān)閉閥來安裝和卸下6英寸硅襯底。
第6配置
本配置提供包括按照第1配置的陽極化處理槽2111’、第1晶片傳送機(jī)械手1307和第2晶片傳送機(jī)械手1330的自動陽極化處理槽。圖29是該自動陽極化處理槽的示意性平面圖。在該配置中，陽極化處理槽2211’包括25個(gè)支持器2202，具有同時(shí)處理25個(gè)晶片的能力。
參照數(shù)字1301表示自動陽極化處理設(shè)備主體。該陽極化設(shè)備的操作例如由計(jì)算機(jī)來控制。裝載器1302具有下述功能將放置在裝載器1302上的晶片載體移動到第1晶片傳送機(jī)械手1307能利用吸力支持晶片的位置上。
圖30是用于說明將存儲于晶片載體內(nèi)的晶片安置在陽極化處理槽2211’中的流程圖。當(dāng)操作者將晶片載體1312放置在裝載器1302的臺1302a上時(shí)，該晶片載體1312在計(jì)算機(jī)的控制下自動被傳送到臺1302b，然后傳送到臺1302c。其后，帶有用于支持晶片的溝的板1311從臺1302c上的晶片載體1312之下經(jīng)過晶片載體1312的下部內(nèi)的一個(gè)窗口(開口)而上升。結(jié)果，所有存儲于晶片載體1312的晶片被該板1311的溝所支持，并從晶片載體1312向上移動(在圖30中示出該狀態(tài))。
在該狀態(tài)下，晶片傳送機(jī)械手1307從最末端的晶片起一個(gè)接著一個(gè)地夾住晶片，并如箭頭d所示，將每個(gè)晶片傳送到陽極化處理槽2211’中相應(yīng)的支持器2202的前表面。此時(shí)，第2晶片傳送機(jī)械手1330已移動到晶片接受位置并在該位置等待著。因而，第2晶片傳送機(jī)械手1330利用吸力支持被傳送的晶片，并將晶片傳送到晶片與相應(yīng)支持器的O形環(huán)接觸的位置上。
在這種狀態(tài)下，在計(jì)算機(jī)的控制下通過打開相應(yīng)的關(guān)閉閥可利用吸力來支持晶片。當(dāng)以這種方式利用吸力支持晶片時(shí)，第2晶片傳送機(jī)械手1 330釋放晶片，并準(zhǔn)備安置下一個(gè)晶片。
通過重復(fù)上述的流程，在板1311上的所有晶片都被安置在陽極化處理槽2211’的晶片支持器2202內(nèi)。
然后在計(jì)算機(jī)的控制下，通過在形成于該陽極化處理槽2211’的兩端的鉑電極2213a和2213b之間施加直流電壓，來進(jìn)行陽極化處理。
其后，用純水來清洗完全陽極化處理好的晶片。圖15A是用于說明將完全陽極化處理好的晶片傳送到清洗槽和清洗這些晶片的流程圖。圖15B是示出在圖15A中示出的清洗槽中的板和晶片載體的布局的平面圖。圖15C是用于說明將完全清洗好的晶片存儲于晶片載體和從清洗槽移出晶片的流程圖。
第2晶片傳送機(jī)械手1330將完全陽極化處理好的晶片從這些O形環(huán)分離開并轉(zhuǎn)移到第1晶片傳送機(jī)械手1307。第1晶片傳送機(jī)械手1307跨過第2晶片傳送機(jī)械手1330，在如箭頭e所示(圖30)的箭頭的方向上將晶片傳送到清洗槽1304上的一個(gè)位置，然后將其浸入清洗槽1304內(nèi)的純水中。將具有25個(gè)晶片支持溝的板1314固定在清洗槽1304中，在這些溝內(nèi)逐一地安置晶片。
預(yù)先將晶片載體1313浸入清洗槽1304中。該晶片載體1313具有在使晶片載體1313向上移動時(shí)通過舀取晶片能接受所有在板1314的溝內(nèi)被支持的晶片的形狀。并且，晶片載體1313具有開口1313a，當(dāng)晶片載體1313舀取在板1314上的晶片時(shí)該開口1313a允許板1314通過它。
當(dāng)將晶片完全清洗好時(shí)，如圖15C所示，載體傳送機(jī)械手1308提升晶片載體1313，將所有在板1314上的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)，并將晶片載體1313傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a。以下述方式將晶片載體1313放置在該載體接受單元1305a上，使晶片面指向與載體傳送機(jī)械手1308的移動方向垂直的方向。該狀態(tài)適合于使晶片載體1313圍繞其軸在旋轉(zhuǎn)干燥器1305上旋轉(zhuǎn)。
通過載體傳送機(jī)械手1308將被旋轉(zhuǎn)干燥器1305干燥的晶片在保持存儲于晶片載體1313內(nèi)的狀態(tài)下傳送到卸載器1306的臺上。通過一系列這些操作，可得到25個(gè)多孔晶片。
在該設(shè)備中，第1晶片傳送機(jī)械手1307沿垂直軸1307a垂直地移動，沿水平軸1350水平地移動。第2晶片傳送積械手1330沿垂直軸1330a垂直地移動，沿水平軸1351水平地移動。載體傳送機(jī)械手1308沿垂直軸1308a垂直地移動，沿水平軸1350水平地移動。
以下將描述HF溶液循環(huán)過濾系統(tǒng)。在循環(huán)過濾系統(tǒng)中的過濾單元1309具有下述功能循環(huán)和過濾從陽極化處理槽2211’溢出的HF溶液并使該HF溶液返回到陽極化處理槽2211’。該循環(huán)過濾系統(tǒng)具有除去在陽極化處理槽2211’中產(chǎn)生的粒子等的功能和有效地除去由陽極化反應(yīng)產(chǎn)生并保持粘于晶片表面的微小氣泡的功能。
在該自動陽極化處理設(shè)備中，將陽極化處理槽2211’、清洗槽1304和旋轉(zhuǎn)干燥器1305的載體接受單元1305a在平面圖上基本上配置成直線，使晶片表面指向與第1和第2晶片傳送機(jī)械手1307和1330的移動方向垂直的方向。這一點(diǎn)改善了在各個(gè)步驟(陽極化處理、清洗和干燥)之間的晶片傳送的效率和增加生產(chǎn)率。另外，因?yàn)槿缫陨纤枋鰴C(jī)械手只在兩個(gè)方向上移動，故可簡化配置。
在上述的自動陽極化處理設(shè)備中，也可使用通過用相同的水平軸來驅(qū)動晶片傳送機(jī)械手1307和1330的配置。
該配置可通過設(shè)置提升機(jī)構(gòu)和水平驅(qū)動機(jī)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，該提升機(jī)構(gòu)用于通過將晶片傳送機(jī)械手1307和1330的主體1307b和1330b結(jié)合為一體沿水平軸水平地驅(qū)動晶片傳送機(jī)械手1307和1330以及使晶片傳送機(jī)械手1307的吸氣單元1307a向上或向下移動，該水平驅(qū)動機(jī)構(gòu)用于在水平軸1350的軸向(水平方向)移動晶片傳送機(jī)械手1330的吸氣單元1330a。
在該配置中為了將晶片安置在陽極化處理槽2211’中，被支持于板1311中的晶片被吸氣單元1307a利用吸力而支持并如圖30中的箭頭d所示，被傳送到陽極化處理槽2211’相應(yīng)支持器2202的前表面上。在通過水平驅(qū)動機(jī)構(gòu)使晶片傳送機(jī)械手1330的吸氣單元1330a移動到圖30中的左方從而利用吸力支持晶片之后，通過提升機(jī)構(gòu)使吸氣單元1307a向上移動。其后，通過水平驅(qū)動機(jī)構(gòu)使吸氣單元1330a移動到圖30中的右方的晶片與支持器2202的O形環(huán)接觸的位置，支持器2202利用吸力來支持晶片。
另一方面，為了使晶片從陽極化處理槽2211’轉(zhuǎn)移到清洗槽1304，晶片的后表面被吸氣單元1330a利用吸力來支持，釋放支持器2202的O形環(huán)對于晶片的吸力。將吸氣單元1330a移動到圖30中的左方以在晶片和支持器2202之間形成預(yù)定的間隔。通過提升機(jī)構(gòu)將吸氣單元1307a向下移動到晶片和支持器2202之間的位置，并支持晶片的后表面。釋放吸氣單元1330a的吸力，通過水平驅(qū)動機(jī)構(gòu)將吸氣單元1330a移動到圖30中的右方。其后，如圖30中的箭頭e’所示，將結(jié)合為一體的晶片傳送機(jī)械手1307和1330移動到清洗槽1304。
該配置不需要如箭頭e所示那樣在將晶片從陽極化處理槽2211’傳送到清洗槽1304時(shí)跨過晶片傳送機(jī)械手1330來移動晶片傳送機(jī)械手1307。因而，可將結(jié)合為一體的晶片傳送機(jī)械手1307和1330如圖30中的箭頭e’所示的那樣來移動。因此，可縮短晶片傳送路徑。
第7配置該配置是通過改善按照第6配置的自動陽極化處理設(shè)備而完成的。圖31是按照該配置的經(jīng)過改進(jìn)的自動陽極化處理設(shè)備的示意性平面圖。按照該配置的自動陽極化處理設(shè)備具有干燥器1360，該干燥器1360用于在通過載體傳送機(jī)械手1308將完全清洗好的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)和將其從清洗槽1304傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a之后對載體傳送機(jī)械手1308的一個(gè)臂1308b進(jìn)行干燥。
作為對臂1308b進(jìn)行干燥的方法，在臂1308b上噴射氮?dú)饣蛞恍┢渌麣怏w的方法是較為理想的。
以下將通過將按照本配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程與按照第6配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程相比較，來描述本配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程。
遵循與按照第6配置的自動陽極化處理設(shè)備的晶片處理流程相同的流程，通過載體傳送機(jī)械手1308將清洗槽1304中的完全清洗好的晶片存儲于晶片載體1313內(nèi)和將其傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305上的載體接受單元1305a。
在該傳送期間，用于清洗的純水附著于載體傳送機(jī)械手1308的臂1308b上。因此，如利用附著了純水的載體傳送機(jī)械手1308將由旋轉(zhuǎn)干燥器1305完全干燥了的晶片載體1313傳送到卸載器1306，則純水可再次附著于已干燥的晶片。
因而，在按照本配置的自動陽極化處理設(shè)備中，在將晶片載體1313從清洗槽1304傳送到旋轉(zhuǎn)干燥器1305之后，將載體傳送機(jī)械手1308這樣來移動，將臂1308b放置于干燥器1360上。該干燥器1360通過在臂1308b上噴射例如氮?dú)鈦硎乖摫?308b干燥。
在通過干燥器1360使該臂1308b干燥和通過旋轉(zhuǎn)干燥器1305使晶片和晶片載體1313干燥后，傳送機(jī)械手1308用臂1308b夾住晶片載體1313，并將晶片載體1313傳送到卸載器1306的臺上。
在以上描述的實(shí)施例中，通過改善襯底支撐方法可提高陽極化處理的效率和增加可處理的襯底的尺寸數(shù)。
第3實(shí)施例本實(shí)施例提供一種通過使用以上描述的按照第1或第2實(shí)施例的設(shè)備在一些制造步驟中制造半導(dǎo)體基底的方法。
圖32A至32F是示出半導(dǎo)體基底的制造方法的步驟圖。以下將簡要地描述該制造方法。這就是說，在單晶硅襯底上形成多孔硅層，并在該多孔硅層上形成非多孔層。將在其上最好形成絕緣膜的第1襯底和分開制備的第2襯底以絕緣膜夾在其中的方式粘接在一起。其后，從第1襯底的后表面除去單晶硅襯底。另外，對多孔硅層進(jìn)行刻蝕以制造半導(dǎo)體襯底。
以下將參照圖32A至32F描述制造半導(dǎo)體基底的實(shí)際方法。
首先，制備用于形成第1襯底的單晶硅襯底51，在該襯底51的主表面上形成多孔硅層52(圖32A)。該多孔硅層52可通過使用以上描述的按照第1或第2實(shí)施例的陽極化處理設(shè)備，通過對單晶硅襯底51的主表面進(jìn)行加工來形成。
其后，在多孔硅層52上形成至少一個(gè)非多孔層53(圖32B)。該非多孔層53最好是例如單晶硅層、多晶硅層、非晶硅層、金屬膜層、化合物半導(dǎo)體層或超導(dǎo)層。并且，在該非多孔層53內(nèi)可形成諸如MOSFET的器件。
以下所述是較為理想的在非多孔層53上形成SiO2層54，最好將所得到的結(jié)構(gòu)用作第1襯底(圖32C)。在下述的意義上該SiO2層54也是有用的在其后的步驟中將第1襯底和第2襯底55粘接在一起時(shí)，可將被粘接的表面之間的界面的界面態(tài)密度從有源層分離開。
其后，使第1襯底和第2襯底55在室溫下互相緊密地接觸，以使SiO2層54夾在它們之間(圖32D)。其后，也可通過進(jìn)行下述工藝中的任一個(gè)陽極結(jié)工藝、加壓工藝，以及，如需要的話，退火，或者通過將這些工藝結(jié)合起來，使該粘接得到增強(qiáng)。
當(dāng)單晶硅層作為非多孔層53被形成時(shí)，最好在通過例如熱氧化在該單晶硅層的表面上形成SiO2層54之后將該單晶硅層粘接到第2襯底55上。
作為第2襯底55，最好使用例如硅襯底、通過在硅襯底上形成SiO2層而得到的襯底、諸如石英或藍(lán)寶石的透光襯底。但是，只要被粘接的表面足夠平坦，第2襯底55也可以是一些其他類型的襯底。
注意圖32D示出第1和第2襯底經(jīng)SiO2層54被粘接在一起的狀態(tài)。但是，如非多孔層53或第2襯底不是硅，則不需要形成SiO2層54。
并且，在將第1和第2襯底粘接在一起時(shí)可在它們之間夾入薄的絕緣板。
其后，從第2襯底除去第1襯底，使多孔硅層53留下(圖32E)。作為除去的方法，可采用利用研磨、拋光或刻蝕的第1方法(通過該方法第1襯底被消耗)，或者使第1和第2襯底從多孔層53分離開的第2方法。當(dāng)采用第2方法時(shí)，通過除去留在襯底上的多孔硅，被分離的第1襯底可被重新利用，而且，如需要的話，對襯底表面進(jìn)行平面化處理。
其后，有選擇地將多孔硅層52刻蝕掉(圖32F)。
圖32E示意性地示出通過上述制造方法得到的半導(dǎo)體襯底。在該制造方法中，在第2襯底55的表面的整個(gè)區(qū)域上平坦地和均勻地形成非多孔層53(例如，單晶硅層)。
例如，當(dāng)使用絕緣襯底作為第2襯底55時(shí)，通過上述制造方法得到的半導(dǎo)體襯底在形成絕緣電子器件方面非常有用。
本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可作各種變更和修正。因而，為了向公眾告知本發(fā)明的范圍而提出了下面的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種用于在電解溶液中對襯底進(jìn)行陽極化處理的陽極化處理設(shè)備，包括一對對置電極；和支持單元，用于在所述電極間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述支持單元的主體具有一個(gè)開口，使電解溶液穿過所述開口與被支持的襯底的后表面接觸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中所述支持單元包括一個(gè)用于利用吸力來支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件，所述吸氣部件沿被支持的襯底的外周邊部分的內(nèi)部而配置。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述吸氣部件包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在所述兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
5.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述吸氣部件包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
6.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述吸氣部件包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
7.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述吸氣部件包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔，所述吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
8.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中使所述吸氣部件與被支持的襯底進(jìn)行緊密的接觸，以防止在襯底的前表面的電解溶液移到襯底的后表面。
9.如權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括多個(gè)所述支持單元。
10.一種用于在電解溶液中支持待進(jìn)行陽極化處理的襯底的襯底支持器，其中的主體包括用于通過吸力來支持襯底的一個(gè)表面的一部分的吸氣部件；和開口，使電解溶液穿過所述開口與被支持的襯底的后表面接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的支持器，其中所述吸氣部件沿被支持的襯底的外周邊部分的內(nèi)部而配置。
12，如權(quán)利要求11所述的支持器，其中所述吸氣部件包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在所述兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
13.如權(quán)利要求11所述的支持器，其中所述吸氣部件包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
14，如權(quán)利要求11所述的支持器，其中所述吸氣部件包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
15.如權(quán)利要求11所述的支持器，其中所述吸氣部件包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔，所述吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
16.如權(quán)利要求11所述的支持器，其中使所述吸氣部件與被支持的襯底進(jìn)行緊密的接觸，以防止在襯底的前表面的電解溶液移到襯底的后表面。
17.一種陽極化處理系統(tǒng)，包括按照權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的陽極化處理設(shè)備、用于清洗經(jīng)陽極化處理的襯底的清洗設(shè)備、用于使清洗好的襯底干燥的干燥設(shè)備和用于在設(shè)備之間傳送襯底的傳送設(shè)備。
18.權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將所述陽極化處理設(shè)備、所述清洗設(shè)備和所述接受單元基本上以一條直線來配置。
19.權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的襯底的接受單元，將所述陽極化處理設(shè)備、所述清洗設(shè)備和所述接受單元基本上以一條直線來配置，所述傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
20.權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述傳送設(shè)備包括用于將襯底從所述陽極化處理設(shè)備傳送到所述清洗設(shè)備的第1傳送機(jī)械手和用于將包含襯底的載體從所述清洗設(shè)備傳送到所述干燥設(shè)備的所述接受單元的第2傳送機(jī)械手。
21.權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中第1和第2傳送機(jī)械手的每一個(gè)只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿該直線移動襯底或載體。
22.一種用于處理半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，包括用于清洗半導(dǎo)體襯底的清洗設(shè)備；用于對被所述清洗設(shè)備清洗好的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行干燥的干燥設(shè)備；和用于將半導(dǎo)體襯底從清洗之前的步驟傳送到所述清洗設(shè)備和從所述清洗設(shè)備傳送到所述干燥設(shè)備的傳送設(shè)備，其中所述干燥設(shè)備包括一個(gè)用于接受清洗好的半導(dǎo)體襯底的接受單元，所述清洗設(shè)備和所述接受單元基本上以一條直線來配置，和所述傳送設(shè)備這樣來傳送半導(dǎo)體襯底，使得半導(dǎo)體襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
23.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述傳送設(shè)備包括用于將襯底傳送到所述清洗設(shè)備的第1傳送機(jī)械手和用于將包含在載體內(nèi)的襯底從所述清洗設(shè)備傳送到所述干燥設(shè)備的所述接受單元的第2傳送機(jī)械手。
24.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中第1和第2傳送機(jī)械手的每一個(gè)只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，其中第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿該直線移動襯底或載體。
25.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，還包括一個(gè)用于凈化所述陽極化處理設(shè)備中電解溶液的過濾設(shè)備。
26.如權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述過濾設(shè)備包括一個(gè)用于存儲電解溶液的容器和一個(gè)用于將存儲于所述容器中的電解溶液供給所述陽極化處理設(shè)備和將從所述陽極化處理設(shè)備溢出的電解溶液返回到所述容器的循環(huán)機(jī)構(gòu)。
27.一種制造具有多孔層的襯底的方法，包括下述步驟在一對對置電極之間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的一部分和在充滿電解溶液的情況下通過在所述電極之間加上電壓對該襯底進(jìn)行陽極化處理。
28.一種用于在電解溶液中對襯底進(jìn)行陽極化處理的設(shè)備，包括一對對置電極；和用于在所述電極之間利用吸力支持襯底的一個(gè)表面的一部分的支持單元，其中所述支持單元包括多個(gè)利用吸力支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件，所述吸氣部件在尺寸上不同。
29.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其中所述支持單元的主體具有基本上圓形的開口，所述開口具有至少一個(gè)在所述主體的前后表面之間的基本上環(huán)形的中間面，將所述主體的前表面和中間面配置成形成臺階形狀，所述主體的前表面和中間面具有在尺寸上不同的所述吸氣部件。
30.如權(quán)利要求28或29所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述吸氣部件包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在所述兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
31.如權(quán)利要求28或29所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
32.如權(quán)利要求28或29所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
33.如權(quán)利要求28或29所述的設(shè)備，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔，所述吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
34.如權(quán)利要求28至33的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括多個(gè)所述支持單元。
35.如權(quán)利要求28至33的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，還包括一個(gè)用于獨(dú)立地通過所述吸氣部件來控制襯底吸氣操作的控制單元。
36.如權(quán)利要求29至33的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中由所述主體的前表面和中間面形成的臺階形狀的臺階差至少是5mm。
37.一種用于在電解溶液中支持待進(jìn)行陽極化處理的襯底的襯底支持器，包括具有多個(gè)用于支持襯底的基本上環(huán)形的吸氣部件的主體，所述吸氣部件在尺寸上不同。
38.如權(quán)利要求37所述的支持器，其中所述主體具有基本上圓形的開口，所述開口具有至少一個(gè)在所述主體的前后表面之間的基本上環(huán)形的中間面，將所述主體的前表面和中間面配置成形成臺階形狀，所述主體的前表面和中間面具有在尺寸上不同的所述吸氣部件。
39.如權(quán)利要求37或38所述的支持器，其中每個(gè)所述吸氣部件包括兩個(gè)構(gòu)成雙重結(jié)構(gòu)的O形環(huán)和一個(gè)通過減少在所述兩個(gè)O形環(huán)之間的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
40.如權(quán)利要求37或38所述的支持器，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)具有中凹剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
41.如權(quán)利要求37或38所述的支持器，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)具有U剖面形狀的吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的凹陷處內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔。
42.如權(quán)利要求37或38所述的支持器，其中每個(gè)所述吸氣部件包括一個(gè)吸氣襯墊和一個(gè)通過減少在所述吸氣襯墊的溝內(nèi)的空間內(nèi)的壓力從而利用吸力來支持襯底的吸氣孔，所述吸氣襯墊具有與被支持的襯底的后表面接觸的平坦的接觸部分和在接觸部分的表面內(nèi)的基本上環(huán)形的溝。
43.如權(quán)利要求38至42的任一項(xiàng)所述的支持器，其中由所述主體的前表面和中間面形成的臺階形狀的臺階差至少是5mm。
44.一種制造具有多孔層的襯底的方法，通過使用權(quán)利要求28至36的任一項(xiàng)所述的陽極化處理設(shè)備對襯底進(jìn)行陽極化處理。
45.一種陽極化處理系統(tǒng)，包括權(quán)利要求28至36的任一項(xiàng)所述的陽極化處理設(shè)備、用于清洗經(jīng)陽極化處理的襯底的清洗設(shè)備、用于使清洗好的襯底干燥的干燥設(shè)備和用于在所述設(shè)備之間傳送襯底的傳送設(shè)備。
46.如權(quán)利要求45所述的系統(tǒng)，其中所述干燥設(shè)備包括用于接受清洗好的襯底的接受單元，將所述陽極化處理設(shè)備、所述清洗設(shè)備和所述接受單元基本上以一條直線來配置。
47.如權(quán)利要求45所述的系統(tǒng)，其中所述干燥設(shè)備包括用于接受清洗好的襯底的接受單元，將所述陽極化處理設(shè)備、所述清洗設(shè)備和所述接受單元基本上以一條直線來配置，所述傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面平行于與該直線垂直的方向。
48.如權(quán)利要求47所述的系統(tǒng)，其中所述傳送設(shè)備包括用于將襯底從所述陽極化處理設(shè)備傳送到所述清洗設(shè)備的第1機(jī)械手和用于將包含襯底的載體從所述清洗設(shè)備傳送到所述干燥設(shè)備的所述接受單元的第2機(jī)械手。
49.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，其中第1和第2傳送機(jī)械手的每一個(gè)只具有第1驅(qū)動軸和第2驅(qū)動軸作為用于傳送襯底或載體的驅(qū)動軸，其中第1驅(qū)動軸用于將襯底或載體移到各個(gè)設(shè)備上的一個(gè)部分，第2驅(qū)動軸用于沿所述直線移動襯底或載體。
50.一種制造具有多孔層的襯底的方法，通過使用權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的陽極化處理設(shè)備對襯底進(jìn)行陽極化處理。
51.一種具有多孔層的襯底，所述多孔層是通過在一對對置電極之間利用吸力來支持所述襯底的一個(gè)表面的一部分并通過在充滿電解溶液的情況下在所述電極之間加電壓對所述襯底進(jìn)行陽極化處理而得到的。
52.一種通過使用兩個(gè)襯底來制造半導(dǎo)體襯底的方法，包括下述步驟在一對對置電極之間利用吸力支持半導(dǎo)體襯底的一個(gè)表面的一部分和在充滿電解溶液的情況下通過在所述電極之間加上電壓對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行陽極化處理，由此在半導(dǎo)體襯底的一個(gè)表面上形成多孔層；在所述半導(dǎo)體襯底的多孔層上形成單晶硅層；將另一個(gè)襯底粘接到所述半導(dǎo)體襯底的單晶硅層一側(cè)上；以及從所述多孔層將兩個(gè)已粘接的襯底分離開。
53.一種制造具有多孔層的襯底的方法，包括下述步驟將襯底浸入充滿電解溶液的陽極化處理槽中和在一對電極之間通過吸氣部件利用吸力來支持所述襯底的一個(gè)表面的一部分；通過在所述電極之間加電壓對襯底進(jìn)行陽極化處理以在所述襯底的一個(gè)表面上形成多孔層；從所述陽極化處理槽中移出在其上已形成了多孔層的襯底和將所述襯底浸入清洗槽以清洗所述襯底；和從所述清洗槽移出完全清洗好的襯底并將襯底傳送到干燥設(shè)備以對襯底進(jìn)行干燥。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，其中從上面來觀察時(shí)將所述陽極化處理槽、所述清洗槽和所述干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，由此這樣來傳送襯底，使得從上面來觀察時(shí)從所述陽極化處理槽到所述清洗槽的襯底傳送路徑和從所述清洗槽到所述干燥設(shè)備的襯底傳送路徑基本上以一條直線來配置。
55.如權(quán)利要求53或54所述的方法，還包括下述步驟將已干燥的襯底從所述干燥設(shè)備傳送到卸載器，其中通過單一機(jī)械手將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備和從所述干燥設(shè)備傳送到所述卸載器。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，還包括下述步驟在所述機(jī)械手將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備之后和在所述機(jī)械手將襯底從所述干燥設(shè)備傳送到所述卸載器之前對所述機(jī)械手進(jìn)行干燥。
57.如權(quán)利要求56所述的方法，其中對所述機(jī)械手進(jìn)行干燥的步驟在該直線上進(jìn)行。
58.一種處理襯底的襯底處理方法，包括下述步驟將襯底浸入充滿化學(xué)處理溶液的處理槽中和對襯底進(jìn)行化學(xué)處理；將經(jīng)化學(xué)處理的襯底從所述處理槽中移出和將所述襯底浸入清洗槽以清洗所述襯底；和從所述清洗槽移出完全清洗好的襯底并將襯底傳送到干燥設(shè)備以對襯底進(jìn)行干燥，其中從上面來觀察時(shí)將所述處理槽、所述清洗槽和所述干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，由此這樣來傳送襯底，使得從上面來觀察時(shí)從所述處理槽到所述清洗槽的襯底傳送路徑和從所述清洗槽到所述干燥設(shè)備的襯底傳送路徑基本上以一條直線來配置，并使襯底的表面指向與該直線垂直的方向。
59.如權(quán)利要求58所述的方法，還包括下述步驟將已干燥的襯底從所述干燥設(shè)備傳送到卸載器，其中通過單一機(jī)械手將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備和從所述干燥設(shè)備傳送到所述卸載器。
60.如權(quán)利要求59所述的方法，還包括下述步驟在所述機(jī)械手將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備之后和在所述機(jī)械手將襯底從所述干燥設(shè)備傳送到所述卸載器之前對所述機(jī)械手進(jìn)行干燥。
61.一種處理襯底的襯底處理系統(tǒng)，包括用于對襯底進(jìn)行化學(xué)處理的處理槽；用于清洗由所述處理槽化學(xué)處理過的半導(dǎo)體襯底的清洗槽；用于對被所述清洗槽清洗好的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行干燥的干燥設(shè)備；和用于將半導(dǎo)體襯底從所述處理槽傳送到所述清洗槽和從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備的傳送設(shè)備，其中從上面觀察時(shí)所述處理槽、所述清洗槽和所述干燥設(shè)備基本上以一條直線來配置，所述傳送設(shè)備這樣來傳送襯底，使得襯底的表面指向與該直線垂直的方向。
62.如權(quán)利要求61所述的系統(tǒng)，其中所述傳送設(shè)備包括用于將襯底從所述處理槽傳送到所述清洗槽的第1傳送機(jī)械手和用于將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備以及從所述干燥設(shè)備傳送到卸載器的第2傳送機(jī)械手。
63.如權(quán)利要求62所述的系統(tǒng)，還包括第2干燥設(shè)備，所述第2干燥設(shè)備用于在所述第2傳送機(jī)械手將襯底從所述清洗槽傳送到所述干燥設(shè)備之后和在所述第2傳送機(jī)械手將襯底從所述干燥設(shè)備傳送到所述卸載器之前對所述第2傳送機(jī)械手進(jìn)行干燥。
64.一種通過權(quán)利要求27所述的方法制造的襯底。
65.一種通過權(quán)利要求52所述的方法制造的襯底。
66.一種通過權(quán)利要求53至57的任一項(xiàng)所述的方法制造的襯底。
67.一種通過權(quán)利要求58至60的任一項(xiàng)所述的方法處理的襯底。
全文摘要
由抗HF材料制成的支持器,包括環(huán)形吸氣襯墊(105,108)。吸氣襯墊(105)利用吸力支持小的硅襯底,吸氣襯墊(108)利用吸力支持大的硅襯底。這樣就可處理具有各種尺寸的硅襯底。利用泵減少吸氣襯墊溝內(nèi)空間的壓力用吸力支持硅襯底。在該支持器中形成開口使得硅襯底的兩個(gè)表面與HF溶液接觸。使用鉑作為正負(fù)電極并通過施加直流電壓對硅襯底進(jìn)行陽極化處理,制造具有多孔層的襯底。
文檔編號C25D17/00GK1188820SQ9712302
公開日1998年7月29日 申請日期1997年11月27日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月28日
發(fā)明者山方憲二 申請人:佳能株式會社