專利名稱：晶片支承板及晶片支承板的使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于支承并運(yùn)送晶片的晶片支承板及該晶片支承板的使用方法。
背景技術(shù)：
例如，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在通過以格子狀形成于大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表面的切割道(分割預(yù)定線)而劃分的各個(gè)區(qū)域分別形成IC、LSI等器件，沿著分割預(yù)定線分割形成有該器件的各個(gè)區(qū)域，從而制造出各個(gè)器件。作為將半導(dǎo)體晶片分割為各個(gè)器件的分割裝置，一般使用被稱為切割裝置的切削裝置，該切削裝置通過具有非常薄的切削刃的切削刀而沿著分割預(yù)定線切削半導(dǎo)體晶片， 從而將晶片分割為各個(gè)器件。這樣被分割的器件被包裝而廣泛利用于便攜電話或個(gè)人電腦等的電氣設(shè)備。近年來，人們要求便攜電話或個(gè)人電腦等電氣設(shè)備的輕量化、小型化，要求更薄的器件。作為將晶片分割為更薄的器件的技術(shù)，開發(fā)了所謂叫作先切割法的分割技術(shù)，并得以實(shí)用(例如，參照日本特開平11-40520號(hào)公報(bào))。該先切割法是沿著分割預(yù)定線從半導(dǎo)體晶片的表面形成預(yù)定深度(相當(dāng)于器件的精加工厚度的深度)的分割槽，然后磨削在表面形成有分割槽的半導(dǎo)體晶片的背面而使得分割槽在該背面外露，從而將晶片分割為各個(gè)器件的技術(shù)，該技術(shù)能夠?qū)⑵骷暮穸燃庸?0 μ m以下。在先切割法中，將晶片不完全切斷而進(jìn)行半切斷，因此無需使用完全切割時(shí)使用的切割帶，而為了節(jié)約切割帶，本申請(qǐng)人開發(fā)了用于實(shí)施半切斷的專用切割裝置(參照日本特開2004-2；35622號(hào)公報(bào))。專利文獻(xiàn)1日本特開平11-40520號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2004-235622號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2005-166969號(hào)公報(bào)但是，專利文獻(xiàn)2中所公開的半切斷專用的切削裝置沒有廣泛的應(yīng)用性，在不實(shí)施半切斷的情況下運(yùn)行被中斷，存在生產(chǎn)性不好的問題。另外，如果通過切割帶，由環(huán)狀框架支承晶片，則雖然可以使用一般的切割帶來實(shí)施半切斷，但由于需要使用切割帶，因此存在不夠經(jīng)濟(jì)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而研發(fā)的，本發(fā)明的目的在于提供一種將晶片半切斷時(shí)無需使用切斷帶的晶片支承板及該晶片支承板的使用方法。根據(jù)技術(shù)方案一的發(fā)明，提供一種用于支承并運(yùn)送晶片的晶片支承板，該晶片支承板的特征在于，包括晶片支承部，其由圓形凹部形成，收納晶片而進(jìn)行支承；多個(gè)通孔， 其形成于該圓形凹部的底部；以及框架部，其圍繞該晶片支承部，且加工裝置的運(yùn)送單元作用于該框架部。
優(yōu)選為，在圓形凹部的底部配置有防滑片。根據(jù)技術(shù)方案三的發(fā)明，提供一種在加工裝置中的權(quán)利要求1或2所述的晶片支承板的使用方法，其中，該加工裝置包括工作盤，其具有保持面，在該保持面上作用有保持晶片的吸引力；加工單元，其對(duì)保持在該工作盤上的晶片實(shí)施預(yù)定的加工；第1運(yùn)送單元， 其向該工作盤運(yùn)入晶片；以及第2運(yùn)送單元，其從該工作盤運(yùn)出晶片，該晶片支承板的使用方法的特征在于，包括晶片運(yùn)入步驟，該第1運(yùn)送單元對(duì)收納有晶片的該晶片支承板的該框架部進(jìn)行作用，將晶片運(yùn)入該工作盤的保持面；保持步驟，向該工作盤的保持面作用吸引力，通過形成于該圓形凹部的底部的該多個(gè)通孔而吸引并保持晶片；加工步驟，通過該加工單元對(duì)晶片實(shí)施預(yù)定的加工；晶片運(yùn)出步驟，使從該工作盤運(yùn)出晶片的該第2運(yùn)送單元作用于該晶片支承板的該框架部，并且解除作用于該工作盤的保持面的吸引力，從該工作盤運(yùn)出晶片。優(yōu)選為，將晶片支承板的圓形凹部的深度設(shè)定得比從形成于晶片的切削槽的底部到晶片的背面的距離淺。通過由本發(fā)明的晶片支承板來支承晶片，即使不使用實(shí)施半切斷的專用的切削裝置，也無需使用切削帶且能夠使用一般的切削裝置而對(duì)晶片進(jìn)行半切斷，因此比較經(jīng)濟(jì)。并且，本發(fā)明的晶片支承板能夠重復(fù)使用，因此比較經(jīng)濟(jì)。進(jìn)一步，在向晶片的表面照射對(duì)晶片具有吸收性的波長的激光束而實(shí)施消融加工來形成分割槽的激光加工裝置及向晶片的內(nèi)部聚光并照射對(duì)晶片具有透過性的波長的激光束而在晶片內(nèi)部形成改質(zhì)層的激光加工裝置中也能夠使用本發(fā)明的晶片支承板，能夠避免切削帶的使用，因此比較經(jīng)濟(jì)。


圖1是切削裝置的外觀立體圖。圖2是表示由本發(fā)明實(shí)施方式的晶片支承板來支承晶片的樣子的分解立體圖。圖3是由晶片支承板來支承晶片的狀態(tài)下的立體圖。圖4是晶片支承板的縱剖面圖。圖5是表示對(duì)由晶片支承板支承的晶片進(jìn)行切削的樣子的立體圖。符號(hào)說明2切削裝置18 工作盤24切削單元28 切削刀30 晶片支承板32圓形凹部(晶片支承部)33 框架部34 通孔
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。參照?qǐng)D1，該圖中表示了能夠使用本發(fā)明的晶片支承板而將晶片半切斷的切削裝置2的外觀立體圖。在切削裝置2的前面?zhèn)仍O(shè)有用于由操作員輸入加工條件等對(duì)裝置的指示的操作單元4。在裝置上部設(shè)有CRT等顯示單元6，在該顯示單元6上顯示對(duì)操作員的導(dǎo)向畫面和通過后述的攝像單元來攝像的圖像。如圖2及圖3所示，在作為切割對(duì)象的器件晶片W的表面，以正交的方式形成有第 1切割道(分割預(yù)定線)Sl和第2切割道(分割預(yù)定線)S2，多個(gè)器件D通過第1切割道Sl 和第2切割道S2被劃分而形成于晶片W上。11是作為表示硅晶片W的結(jié)晶方位的標(biāo)記的切口。參照?qǐng)D2，該圖中表示了由本發(fā)明實(shí)施方式的晶片支承板30來支承晶片W的樣子的分解立體圖。晶片支承板30具有圓形凹部32，該圓形凹部32具有比晶片W的直徑稍大的直徑，在圓形凹部32的底部形成有多個(gè)通孔34。另外，面對(duì)圓形凹部32而形成有與晶片 W的切口 11嵌合的突起31。晶片支承板30具有圍繞圓形凹部32的框架部33，切削裝置2的運(yùn)送單元作用于該框架部33而運(yùn)送晶片支承板30。晶片支承板30優(yōu)選由樹脂形成，但也可以由鋁等金屬形成。晶片支承板30用于對(duì)晶片W進(jìn)行半切斷，因此圓形凹部32的深度被設(shè)定為比從形成于晶片W的切削槽的底部到晶片W的背面的距離稍淺的深度。例如，如果晶片W的厚度為700 μ m,切削槽的深度為100 μ m,則圓形凹部32的深度比600 μ m淺，例如被設(shè)定為 500 μ m0圖3表示將圓形凹部32作為支承晶片W的晶片支承部，使得晶片支承板30的突起31與晶片W的切口 11嵌合，將晶片W插入圓形凹部32中的狀態(tài)下的立體圖。優(yōu)選，如圖4的縱剖面圖所示，在支承晶片的圓形凹部32的底部配置有防滑片36。在防滑片36上也形成有與通孔34連通的多個(gè)通孔37。通過在作為晶片支承部起作用的圓形凹部32的底部設(shè)置防滑片36，從而防止由晶片支承板30來支承晶片W而進(jìn)行運(yùn)送的過程中晶片W從圓形凹部32飛出。再參照?qǐng)D1，在晶片盒8中收納有多枚由晶片支承板30支承的晶片W。晶片盒8 載置于能夠上下移動(dòng)的盒式升降機(jī)9上。在晶片盒8的后方配置有運(yùn)出入單元10，該運(yùn)出入單元10從晶片盒8運(yùn)出切削前的晶片W，并且將切削后的晶片運(yùn)入晶片盒8。在晶片盒8與運(yùn)出入單元10之間設(shè)有暫時(shí)載置運(yùn)出入對(duì)象的晶片W的區(qū)域即臨時(shí)放置區(qū)域12，在臨時(shí)放置區(qū)域12中配置有將晶片W對(duì)位在一定的位置上的對(duì)位單元14。在臨時(shí)放置區(qū)域12的附近配置有運(yùn)送單元16，該運(yùn)送單元16具有旋轉(zhuǎn)臂，該旋轉(zhuǎn)臂吸附支承了晶片W的晶片支承板30的框架部33而進(jìn)行運(yùn)送，運(yùn)出到臨時(shí)放置區(qū)域12的晶片W被運(yùn)送單元16吸附而運(yùn)送到工作盤18上，在該工作盤18的保持面上被吸引，并且通過由多個(gè)夾板19來固定晶片支承板30的框架部33而保持在工作盤18上。工作盤18構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)且能夠在X軸方向上進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)，在工作盤18的X 軸方向的移動(dòng)路徑的上方配置有檢測(cè)晶片W的應(yīng)切削的切割道的對(duì)準(zhǔn)單元20。對(duì)準(zhǔn)單元20具有對(duì)晶片W的表面進(jìn)行攝像的攝像單元22，能夠根據(jù)通過攝像取得的圖像，通過圖案匹配等處理而檢測(cè)應(yīng)切削的切割道。由攝像單元22取得的圖像被顯示在顯示單元6上。在對(duì)準(zhǔn)單元20的左側(cè)配置有切削單元對(duì)，該切削單元M對(duì)保持在工作盤18的晶片W實(shí)施切削加工。切削單元M與對(duì)準(zhǔn)單元20 —體構(gòu)成，兩者聯(lián)動(dòng)而在Y軸方向及Z軸方向上移動(dòng)。切削單元M在能夠旋轉(zhuǎn)的主軸沈的前端安裝切削刀觀而構(gòu)成，且能夠在Y軸方向及Z軸方向上移動(dòng)。切削刀觀位于攝像單元22的X軸方向的延長線上。完成切削的晶片W通過運(yùn)送單元25從工作盤18運(yùn)出而被運(yùn)送到旋轉(zhuǎn)洗滌裝置 27，由旋轉(zhuǎn)洗滌裝置27進(jìn)行自旋洗滌及自旋干燥。下面，對(duì)如上結(jié)構(gòu)的本發(fā)明實(shí)施方式的晶片支承板30的使用方法進(jìn)行說明。晶片支承板的使用方法包括如下步驟晶片運(yùn)入步驟，運(yùn)入晶片W的運(yùn)送單元16作用于收納并支承晶片W的晶片支承板30的框架部33，將晶片W運(yùn)入工作盤18的保持面；以及保持步驟，將吸引力作用于工作盤18的保持面，通過形成于晶片保持板30的圓形凹部32的底部的多個(gè)通孔34而吸引并保持晶片W。如上所述，通過晶片支承板30而在工作盤18吸引并保持晶片W之后，由切削單元 (加工單元)24實(shí)施對(duì)晶片W進(jìn)行切削加工的切削步驟。關(guān)于該切削步驟，將參照?qǐng)D5來進(jìn)行說明。參照?qǐng)D5，該圖中表示了通過切削單元對(duì)沿著切割道切削被晶片支承板30支承的晶片W的樣子的立體圖。25是切削單元M的主軸殼體，在主軸殼體25中能夠旋轉(zhuǎn)地收納有主軸沈，該主軸沈通過未圖示的伺服馬達(dá)來旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。切削刀觀是電鑄刀，在其外周部具有在鎳母材中分散鉆石砥粒而成的切削刃^a。40是覆蓋切削刀觀的刀蓋，安裝有沿著切削刀觀的側(cè)面延伸的未圖示的切削水噴嘴和將切削水噴射到切削刀觀的切削刃^a與晶片W之間的接觸區(qū)域的切削水噴射噴嘴46。來自切削水供給部44的切削水通過管42而供給到未圖示的切削水噴嘴，通過管 48而供給到切削水噴射噴嘴46。切削水在切削水供給部44中例如被加壓為約0. 3MPa,以每分鐘1. 6 2. 0升的流量從切削水噴射噴嘴46噴射。50是裝卸蓋，通過螺釘52能夠裝卸地安裝在刀蓋40上。裝卸蓋50具有沿著切削刀28的側(cè)面延伸的切削水噴嘴M，切削水通過管56而供給到切削水噴嘴M。60是內(nèi)置有檢測(cè)切削刀觀的切削刃^a的缺口或磨耗的刀片傳感器的刀片檢測(cè)塊，通過螺釘62能夠裝卸地安裝在刀蓋40上。刀片檢測(cè)塊60具有調(diào)整刀片傳感器的位置的調(diào)整螺釘64。在沿著切割道S1、S2切削被晶片支承板30支承的晶片W之前，通過周知的圖案匹配等手法，實(shí)施應(yīng)切削的切割道Si、S2與切割刀觀之間的對(duì)準(zhǔn)。在實(shí)施對(duì)準(zhǔn)之后，進(jìn)行第1切割道Sl與切削刀觀之間的對(duì)位，將工作盤18在圖 5中由箭頭X所示的X軸方向上移動(dòng)，并且在將切削刀觀向箭頭A的方向高速旋轉(zhuǎn)(例如 30000rpm)的同時(shí)，使得切削單元M下降，在對(duì)位后的第1切割道Sl上形成預(yù)定的深度(與器件的精加工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽。該分割槽的深度形成為不到達(dá)晶片支承板30的框架部33的上面的深度，例如為 100 μ m。如上所述，通過由切削刀觀對(duì)晶片W進(jìn)行半切斷，從而在不損壞晶片支承板30的情況下能夠形成預(yù)定深度的分割槽。將切削單元M按照存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器的切割道間距在Y軸方向上分度送出的同時(shí)進(jìn)行切削，從而將第1切割道Sl全部半切斷，形成相同的分割槽。另外，如果將工作盤18旋轉(zhuǎn)90度之后，進(jìn)行與上述相同的切削，則將第2切割道S2全部半切斷，形成相同的分割槽。這樣，在實(shí)施將所有切割道Si、S2半切斷的加工步驟之后，解除工作盤18的吸引力，將運(yùn)送單元25的吸附部作用于晶片支承板30的框架部33而吸引并保持晶片支承板 30，運(yùn)送至旋轉(zhuǎn)洗滌裝置27，通過旋轉(zhuǎn)洗滌裝置27對(duì)晶片W進(jìn)行自旋洗滌及自旋干燥。接著，在晶片W的表面粘貼保護(hù)帶之后，通過使用磨削裝置的背面磨削步驟而磨削形成有分割槽的晶片的背面，使得分割槽外露在該背面，從而能夠?qū)⒕琖分割為各個(gè)器件D。根據(jù)上述的本發(fā)明的實(shí)施方式，通過由晶片支承板30來支承晶片W，從而即使不使用進(jìn)行半切斷的專用的切削裝置，而使用一般的切割裝置且不使用切割帶，也能夠?qū)琖進(jìn)行半切斷，因此非常經(jīng)濟(jì)。并且，晶片支承板30能夠重復(fù)使用，因此比較經(jīng)濟(jì)。在上述的實(shí)施方式中對(duì)將本發(fā)明的晶片支承板30適用于切削裝置2的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的晶片支承板30不限于這樣的使用方法，本發(fā)明同樣適用于向晶片W的表面照射對(duì)晶片W具有吸收性的波長的激光束而實(shí)施消融加工來形成分割槽的激光加工裝置及向晶片W的內(nèi)部聚光并照射對(duì)晶片W具有透過性的波長的激光束而在晶片內(nèi)部形成改質(zhì)層的激光加工裝置中。
權(quán)利要求
1.一種用于支承并運(yùn)送晶片的晶片支承板，其特征在于包括晶片支承部，其由圓形凹部形成，收納晶片而進(jìn)行支承；多個(gè)通孔，其形成于該圓形凹部的底部；以及框架部，其圍繞該晶片支承部，且加工裝置的運(yùn)送單元作用于該框架部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承板，其特征在于，在該圓形凹部的底部配置有防滑片。
3.—種加工裝置中的權(quán)利要求1或2所述的晶片支承板的使用方法，該加工裝置包括 工作盤，其具有保持面，在該保持面上作用有保持晶片的吸引力；加工單元，其對(duì)保持在該工作盤上的晶片實(shí)施預(yù)定的加工；第1運(yùn)送單元，其向該工作盤運(yùn)入晶片；以及第2運(yùn)送單元，其從該工作盤運(yùn)出晶片，該晶片支承板的使用方法的特征在于包括晶片運(yùn)入步驟，該第1運(yùn)送單元作用于收納有晶片的該晶片支承板的該框架部，將晶片運(yùn)入該工作盤的保持面；保持步驟，向該工作盤的保持面作用吸引力，通過形成于該圓形凹部的底部的該多個(gè)通孔而吸引并保持晶片；加工步驟，通過該加工單元對(duì)晶片實(shí)施預(yù)定的加工；以及晶片運(yùn)出步驟，使從該工作盤運(yùn)出晶片的該第2運(yùn)送單元作用于該晶片支承板的該框架部，并且解除作用于該工作盤的保持面的吸引力，從該工作盤運(yùn)出晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片支承板的使用方法，其特征在于，該加工單元由切削單元構(gòu)成，該切削單元具有對(duì)晶片實(shí)施切削加工的切削刀，在該加工步驟中，在被該晶片支承板支承的晶片上形成切削槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片支承板的使用方法，其特征在于，該晶片支承板的該圓形凹部的深度比從形成于晶片的切削槽的底部到晶片的背面的距離稍淺。
全文摘要
本發(fā)明提供在不使用切削帶的情況下能夠?qū)M(jìn)行半切斷的晶片支承板及晶片支承板的使用方法。一種支承并運(yùn)送晶片的晶片支承板，該晶片支承板的特征在于，包括晶片支承部，其由圓形凹部形成，收納晶片而進(jìn)行支承；多個(gè)通孔，其形成于該圓形凹部的底部；以及框架部，其圍繞該晶片支承部，且加工裝置的運(yùn)送單元作用于該框架部。
文檔編號(hào)H01L21/687GK102468207SQ201110329279
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者關(guān)家一馬 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科