專利名稱：半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體處理裝置的真空處理室和真空搬運室之間具備半導(dǎo)體被處 理基板(以下包含半導(dǎo)體晶片及基板狀的試樣等，簡稱為“晶片”)的搬運機構(gòu)的真空處理 系統(tǒng)的構(gòu)成、及使用該系統(tǒng)的真空處理方法。特別是涉及將多個真空處理室經(jīng)由多個真空 搬運室內(nèi)的搬運機構(gòu)串聯(lián)配置的真空處理系統(tǒng)的構(gòu)成及真空處理方法。
背景技術(shù)：
在上述那樣的裝置，特別是在減壓的裝置內(nèi)對處理對象進行處理的裝置中，在尋 求處理的微細化、高精度化的同時，尋求作為處理對象的被處理基板的處理效率的提高。因 此，近年來開發(fā)一個裝置具備多個真空處理室的多腔裝置，使清潔室的單位設(shè)置面積的生 產(chǎn)效率提高。具備這樣的多個真空處理室或腔并進行處理的裝置，各自的真空處理室或腔能夠 減壓地調(diào)節(jié)內(nèi)部的氣體或其壓力，與具備用于搬運被處理基板的機器人臂等的真空處理室 (搬運腔)進行連接。在這樣的構(gòu)成時，真空處理裝置整體的大小由真空搬運室及真空處理室的大小、 數(shù)量及配置決定。真空搬運室的構(gòu)成由相鄰的真空搬運室或真空處理室的連接數(shù)量、內(nèi)部 的搬運機器人的回轉(zhuǎn)半徑、晶片尺寸等決定。另外，真空處理室由晶片尺寸、排氣效率、為處 理晶片而所需的設(shè)備的配置決定。另外，真空搬運室及真空處理室的配置也由生產(chǎn)所需的 處理室的數(shù)量及維護性來決定。在上述基礎(chǔ)上，專利文獻1中記載有，在真空下的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中，關(guān)于對加工 中的制品進行處理的方法及系統(tǒng)，為了將線形處理系統(tǒng)橫斷而用于從臂向臂處理材料的方 法及系統(tǒng)。該專利文獻1中，提供一種真空處理系統(tǒng)，其課題在于對于如下半導(dǎo)體制造裝 置存在需要性能夠避免線形工具的問題，并且能夠克服成束工具固有的限制，在小的設(shè)置 面積移動晶片。專利文獻1 (日本)特表2007-511104號公報但是，上述現(xiàn)有技術(shù)中，搬運晶片時的方法及系統(tǒng)構(gòu)成是重點，對如下方面考慮不 足。S卩，在構(gòu)成真空處理系統(tǒng)的各單元的數(shù)量和配置中，作為主要的單元的對處理對 象的晶片進行處理的處理室及用于進行真空搬運的真空搬運室和真空處理室的配置關(guān)系 未進行生產(chǎn)性的效率最佳的配置關(guān)系的考慮，結(jié)果是單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性不能最佳化。未充分考慮到這種單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性的現(xiàn)有技術(shù)中，構(gòu)成真空處理系統(tǒng)的裝 置的單位設(shè)置面積的晶片的處理能力受到損害。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。為解決所述課題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在 于，具備大氣搬運室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒 內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運 的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運 中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方 連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一 真空搬運室搬運的所述晶片的至少一個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、 處理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的兩個以上的真空處理室，與所述第一真空搬 運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量比與所述第二真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量少。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，作為與所述第一 真空搬運室連結(jié)且處理從所述第一真空搬運室搬運來的所述晶片的第一真空處理室、和 與所述第二真空搬運室連結(jié)且處理從所述第二真空搬運室搬運來的所述晶片的第二及第 三真空處理室，將與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為1個，將與所述第 二真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為2個。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一及第 二真空搬運室的各自內(nèi)部配置搬運機器人，該搬運機器人包括具有多個臂的搬運機器人。另外，為解決所述課題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，使用 半導(dǎo)體處理基板的真空處理系統(tǒng)處理半導(dǎo)體被處理基板，所述半導(dǎo)體被處理基板的真空處 理系統(tǒng)具備大氣搬運室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的 盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬 運的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬 運中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后 方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第 一真空搬運室搬運的所述晶片的多個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處 理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的多個真空處理室，其特征在于，以使用與所述 第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控制所述晶片的搬運。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，其特征在于，在所述第一及第 二真空搬運室的各自內(nèi)部配置有搬運機器人，該搬運機器人包括具有多個臂的搬運機器 人，以使用與所述第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控制 所述搬運機器人進行的所述晶片的搬運。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理 系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。另外，能夠提供低異物且能夠抑制交叉污染的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系 統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。


圖1是說明本發(fā)明第一實施方式的包含真空處理裝置的真空處理系統(tǒng)的整體的 構(gòu)成的概略的圖2A是圖1所示說明了的本發(fā)明實施方式的真空輸送室的放大圖，是縮短了機器 人臂的狀態(tài)；圖2B是圖1所示說明了的本發(fā)明實施方式的真空搬運室的放大圖，是伸展了機器 人臂的狀態(tài)；圖3是說明本發(fā)明其它實施方式的包含真空處理裝置的真空處理系統(tǒng)的整體的 構(gòu)成的概略的圖。符號說明
100真空處理系統(tǒng)
101大氣側(cè)模塊
102真空側(cè)模塊
103真空處理室
104第一真空搬運室
105模塊室
106框體
107盒臺
108真空搬運機器人
109大氣搬運機器人
110第二真空搬運室
111真空搬運中間室
120閥
201第一臂
202第二臂
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及真空處理方法的 實施方式進行詳細說明。圖1說明本發(fā)明第一實施方式的包含多個真空處理室的真空處理系統(tǒng)的整體構(gòu) 成的概略。圖1所示的本發(fā)明第一實施方式的包含多個真空處理室103、103、103的真空處理 系統(tǒng)100大致劃分的話，由大氣側(cè)模塊101和真空側(cè)模塊102構(gòu)成。大氣側(cè)模塊101是在 大氣壓下對被處理物即半導(dǎo)體晶片等進行搬運、收納定位等的部分，真空側(cè)模塊102是在 從大氣壓減壓的壓力下搬運晶片，且在預(yù)定的真空處理室103內(nèi)進行處理的模塊。而且，在 進行搬運或處理的真空側(cè)模塊102和大氣側(cè)模塊101之間具備作為在內(nèi)部具有晶片的狀態(tài) 下使壓力在大氣壓和真空壓之間浮動的部分的鎖定室105。本發(fā)明的真空處理系統(tǒng)100的第一實施例表示如下構(gòu)成的實施例具備三個真空 處理室103，且在真空側(cè)模塊102的搬運時間與在大氣側(cè)模塊101的搬運時間相比較長的狀 態(tài)的情況下，單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性高的系統(tǒng)。另外，本實施例是在真空處理室103處理晶 片的時間或晶片滯留于真空處理室103內(nèi)的時間比搬運晶片所需的時間短的情況的例子。 由此，作為整體的處理時間通過搬運來衡量測定，將該狀態(tài)稱作搬運控速。
大氣側(cè)模塊101具有在內(nèi)部具備大氣搬運機器109的大致長方體形狀的框體106， 在該框體106的前面?zhèn)染邆涠鄠€盒臺107、107、107。收納有處理用晶片或真空處理室103 的清潔用的作為被處理物的晶片的盒被載置作為多個盒臺107、107、107。在真空側(cè)模塊102上與大氣側(cè)模塊101相接設(shè)置有一個鎖定室105。該鎖定室105 被配置于真空側(cè)模塊102的第一真空搬運室104和大氣側(cè)模塊101之間，以內(nèi)部具有在大 氣側(cè)和真空側(cè)之間進行互換的晶片的狀態(tài)使內(nèi)部的壓力在大氣壓和真空壓之間變化，搬運 晶片。另外，鎖定室105中具備可將晶片在上下方向重疊兩片以上載置的工作臺。第一真 空搬運室104的平面形狀為大致矩形形狀，內(nèi)部被減壓，向其內(nèi)部搬運晶片。在該第一真空搬運室104，在其兩面能夠連接對晶片進行處理的真空處理室 103。本發(fā)明第一實施例中，僅對于第一真空搬運室104的兩個面中的一個面連接有真空處 理室103。另外，本實施例中，第一真空搬運室104的平面形狀為大致矩形形狀，但也可以為 三角形以上的多角形狀，也可以呈球面狀。另外，在第一真空搬運室104的另一邊具備在與 第二真空搬運室101之間互換晶片的真空搬運中間室111。真空搬運中間室111也與鎖定 室105相同，具備能夠?qū)⒕谏舷路较蛑丿B載置兩片以上的工作臺。由此，能夠縮短整體 的處理時間中花費時間的搬運時間。另外，在真空搬運中間室111的一方連接有第一真空搬運室104，在另一方連接有 第二真空搬運室110。第二真空搬運室110的平面形狀也為大致矩形形狀，可連接三個真空 處理室103，但本實施例中連接有兩個真空處理室103、103。另外，在本實施例中，第二真空 搬運室110的平面形狀為大致矩形形狀，但也可以為其它多邊形狀。在此，與配置于近前的第一真空搬運室104連接的真空處理室103的數(shù)量比與配 置于內(nèi)側(cè)的第二真空搬運室110連接的真空處理室103的數(shù)量少至為重要。本實施例中， 與配置于近前的第一真空搬運室104連接的真空處理室103的數(shù)量為1個，與配置于內(nèi)側(cè) 的第二真空搬運室110連接的真空處理室103的數(shù)量為兩個。在本發(fā)明中，將與配置于近 前的第一真空搬運室104連接的真空處理室103稱作“近前的真空處理室”，將與配置于內(nèi) 側(cè)的第二真空處理室110連接的真空處理室103、103稱作“內(nèi)側(cè)的真空處理室”。該真空側(cè)模塊102為能夠?qū)⒄w減壓而維持在高的真空度的壓力的容器。第一真空搬運室104為在其內(nèi)部搬運晶片的搬運室。在第一真空搬運室104內(nèi)， 在其中央配置有在真空下在鎖定室105和真空處理室103之間、或鎖定室105和真空搬運 中間室111之間搬運晶片的真空搬運機器人108(圖2)。同樣，在第二真空搬運室110內(nèi)， 在其中央配置有在真空下在真空搬運中間室111和兩個真空處理室103、103內(nèi)的任一個真 空處理室103之間搬運晶片的真空搬運機器人108(圖2)。設(shè)于該第一真空搬運室104及 第二真空搬運室110內(nèi)的真空搬運機器人108在其臂上載置晶片，在配置于真空處理室103 的晶片臺上對鎖定室105或真空搬運中間室111的任一個進行晶片的搬入、搬出。在這些 真空處理室103、鎖定室105及真空搬運中間室111和第一真空搬運室104之間設(shè)有通過可 分別氣密閉塞、開放的閥120連通的通路。同樣，在真空處理室103及真空搬運中間室111 和第二真空搬運室110之間設(shè)有通過可分別氣密閉塞、開放的閥120連通的通路。這些通 路通過閥120進行開閉。其次，說明利用如上構(gòu)成的真空處理系統(tǒng)100對晶片進行處理時的晶片的真空處 理方法中的晶片搬運過程的概要。
在載置于多個盒臺107、107、107的任一個上的盒內(nèi)收納的多個半導(dǎo)體晶片等在 調(diào)節(jié)真空處理系統(tǒng)100的動作的控制裝置(未圖示)的判斷下、或接收來自設(shè)置真空處理 系統(tǒng)100的制造生產(chǎn)線的控制裝置等(未圖示)的指令，開始其處理。首先，接收到來自控 制裝置的指令的大氣搬運機器人109從盒中取出盒內(nèi)的特定的晶片，將所取出的晶片搬運 到鎖定室105。搬運并存儲有晶片的鎖定室105在收納了搬運的晶片的狀態(tài)下將閥120閉塞并密 封，減壓至規(guī)定的壓力。在鎖定室105內(nèi)能夠收納兩片以上的多片晶片。之后，使面向第一 真空搬運室104的一側(cè)的閥120開放，使鎖定室105和第一真空搬運室104的搬運室連通， 真空搬運機器人108使其臂伸向鎖定室105內(nèi)，將鎖定室105內(nèi)的晶片搬運至第一真空搬 運室104側(cè)。在第一真空搬運室104內(nèi)能夠收納兩片以上的多片晶片。真空搬運機器人 108將載置于該臂上的晶片在從盒取出了時搬入預(yù)先決定的真空處理室103或真空搬運中 間室111的任一個內(nèi)。本實施例中，各閥120選擇性地開閉一個。即，在將晶片從第一真空搬運室104搬 運到近前的真空處理室103的情況下，使對真空搬運中間室111和第一真空搬運室104之 間進行開閉的閥120、和對鎖定室105和第一真空搬運室104之間進行開閉的閥120關(guān)閉， 使對近前的真空處理室103和第一真空搬運室104之間進行開閉的閥120開放，將晶片搬 運至真空處理室103內(nèi)。另外，在將搬運到真空搬運中間室111的晶片向內(nèi)側(cè)的真空處理 室103搬運時，使對真空搬運中間室111和第一真空搬運室104之間進行開閉的閥120關(guān) 閉，密封真空搬運中間室111。之后，將對真空搬運中間室111和第二真空搬運室110之間 進行開閉的閥120開放，使第二真空搬運室110所具備的真空搬運機器人108伸展，將晶片 搬運至第二真空搬運室110內(nèi)。其次，真空搬運機器人108將載置于其臂上的晶片搬運至 配置于內(nèi)側(cè)的兩個真空處理室103、103內(nèi)的預(yù)先決定的任一個真空處理室103內(nèi)。在將晶片搬運到配置于內(nèi)側(cè)的真空處理室103、103內(nèi)的任一個后，使對該真空處 理室103和第二真空搬運室110之間進行開閉的閥120關(guān)閉，將該真空處理室103密封。之 后，向該真空處理室103內(nèi)導(dǎo)入處理用氣體，在使該真空處理室103內(nèi)達到規(guī)定的壓力后， 對晶片進行處理。該真空處理室103內(nèi)的晶片的處理與配置于近前的真空處理室103內(nèi)的 處理也相同。在任一真空處理室103內(nèi)檢測到晶片處理結(jié)束時，使對與該真空處理室103連接 的第一真空搬運室104或第二真空搬運室110的各搬運室之間進行開閉的閥120開放，該 搬運室內(nèi)的真空搬運機器人108將處理完的晶片以與將該晶片搬入該真空處理室103內(nèi)的 情況相反地向鎖定室105或真空搬運中間室111搬出。從內(nèi)側(cè)的真空處理室103經(jīng)由真空 搬運中間室111將晶片搬運到鎖定室105，或從近前的真空處理室103將晶片搬運至鎖定室 105時，使對將該鎖定室105和第一真空搬運室104的搬運室連通的通路進行開閉的閥120 關(guān)閉，將第一真空搬運室104的搬運室密封，使鎖定室105內(nèi)的壓力上升至大氣壓。之后，使框體106內(nèi)側(cè)的閥120開放，將鎖定室105的內(nèi)部和框體106的內(nèi)部連通， 成為大氣壓狀態(tài)，大氣搬運機器人109從鎖定室105將晶片搬運至本來的盒，返回盒內(nèi)本來 的位置。本發(fā)明中，在真空處理室103處理晶片的時間、或晶片滯留于真空處理室103內(nèi)的 時間比搬運晶片的時間短的搬運控速的情況下特別能夠發(fā)揮效果。本發(fā)明第一實施方式的真空處理系統(tǒng)具備配置于近前的第一真空時搬運室104及配置于內(nèi)側(cè)的第二真空搬運 室110，在配置于近前的第一真空搬運室104具備一個真空處理室103，在配置于內(nèi)側(cè)的第 二真空搬運室110具備兩個真空處理室103、103。該情況下，在第一真空搬運室104及第二 真空搬運室110配置有具備兩個臂的真空搬運機器人。這樣，通過設(shè)為在近前具備一個真 空處理室103，在內(nèi)側(cè)具備兩個真空處理室103、103的構(gòu)成，能夠縮短配置于近前的真空處 理室103內(nèi)的處理完的晶片的搬運等待時間，能夠構(gòu)成生產(chǎn)性高的真空處理系統(tǒng)。圖2A、圖2B是圖1所示說明了的第一真空搬運室104的放大圖。真空搬運機器人 108具備用于搬運晶片的第一臂201及第二臂202。本實施例中，臂有兩個，但也可以是三 個或四個的多個。各臂201、202具有經(jīng)由關(guān)節(jié)將多個梁部件的兩端連結(jié)的構(gòu)造。各臂201、202具有 通過可轉(zhuǎn)動地軸支承于多個梁部件的兩端，能夠使各臂201、202分別繞根部側(cè)端部的軸獨 立進行旋轉(zhuǎn)運動、上下方向及水平方向的伸縮動作的構(gòu)成。通過該構(gòu)成，能夠獨立控制多個 晶片的搬入、搬出，通過并列訪問多個搬運點或同時搬入、搬出兩片晶片，能夠提高搬運處 理能力。圖2A表示各臂201、202將晶片從各自的部位搬運到第一真空搬運室104的狀態(tài)。 圖2B表示第一臂201將晶片搬運至真空處理室103，并且第二臂202將晶片搬運至鎖定室 105的狀態(tài)。該情況下，與一片一片地搬運晶片的情況不同，閥120不是選擇性地僅開閉一 個，而必須進行存取時必要的兩個閥120、120的開閉控制。即使在這樣的情況下，如上所述，通過在近前具備一個真空處理室103，在內(nèi)側(cè)具 備兩個真空處理室103、103的構(gòu)成的真空處理系統(tǒng)100，提高單位設(shè)置面積的晶片的處理效率。這是由以下理由引起的。在上述搬運控速的情況下，將向真空處理室103搬運晶 片的時間(在真空搬運機器人108保持晶片的狀態(tài)下從在真空處理室103之前待機的狀態(tài) 到晶片向真空處理室103內(nèi)的搬運完成并關(guān)閉閥102的時間)和向真空搬運中間室111 搬運晶片的時間(在真空搬運機器人108保持晶片的狀態(tài)下從在搬運中間室111之前待機 的狀態(tài)到晶片向搬運中間室111的搬運完成并關(guān)閉閥120的時間)相比較，向真空搬運中 間室111的搬運時間短。因此，假如在配置于近前的第一真空搬運室104連接兩個真空處 理室103，在配置于內(nèi)側(cè)的第二真空搬運室110只連接一個真空處理室103時，配置于近前 的第一真空搬運室104的晶片搬運時間成為真空處理系統(tǒng)100整體的搬運時間的瓶頸。另 一方面，在本發(fā)明第一實施例中，由于配置于內(nèi)側(cè)的第二真空搬運室110成為瓶頸，從而抑 制配置于近前的第一真空搬運室104成為瓶頸，能夠防止損害作為真空處理系統(tǒng)100整體 的處理效果，因此，通過本實施例那樣的真空處理室的配置構(gòu)成，能夠提高單位設(shè)置面積的 晶片的處理效率。另外，在該第一實施例中，由于為將第一真空搬運室104和近前的真空處理室103 或鎖定室105(或第二真空搬運室110和內(nèi)側(cè)的真空處理室103或真空搬運中間室111)之 間經(jīng)由排他性開閉的閥120連通的構(gòu)造，所以對于異物或交叉污染的抑制是有效的。在圖1的系統(tǒng)構(gòu)成的情況下，能夠連接真空處理室103的物理的最大數(shù)量為5個。 但是，在本發(fā)明中，與配置于近前的第一真空搬運室104連接的真空處理室103的數(shù)量比與 配置于內(nèi)側(cè)的第二真空搬運室110連接的真空處理室103的數(shù)量少至為重要。于是，下一實施例是連接有四個真空處理室的情況下得到與圖1所示的第一實施例同等的晶片的處 理效率的運用例。圖3中，對于圖1所示的第一實施例，在配置于近前的第一真空搬運室104加上 一個真空處理室103，且具備兩個真空處理室103、103。在這樣的第二實施例的方式中，在 處理晶片時，根據(jù)處理時間選擇性地僅使用第一真空搬運室104所具備的兩個真空處理室 103,103內(nèi)的任一單側(cè)的真空處理室103。而且，通過使用與距大氣搬運側(cè)遠的內(nèi)側(cè)的第二 真空搬運室Iio連接的多個真空處理室103、103進行生產(chǎn)，得到與圖1所示的第一實施方 式相同的生產(chǎn)效率提高的效果。但是，在不是以本發(fā)明為對象的場合的、在配置于近前的第一真空搬運室104的 晶片搬運時間成為真空處理系統(tǒng)100整體的搬運時間的瓶頸的情況的情況下，如果在配置 于近前的第一真空搬運室104也連接多個真空處理室103、103，則根據(jù)真空處理室103的晶 片的處理時間或真空處理室103內(nèi)的滯留時間，也有時即使在近前使用所有的真空處理室 103、103的方式使生產(chǎn)效率提高，因此，真空處理裝置所具備的控制裝置(未圖示)不排斥 對應(yīng)于處理時間的真空處理室103的生產(chǎn)效率進行最佳的運用。在第二實施例中，各閥120也選擇性地使一個進行開閉。即，使對真空搬運中間室 111和第一真空搬運室104之間進行開閉的閥120、和對鎖定室105和第一真空搬運室104 之間進行開閉的閥關(guān)閉，進而使對近前右的真空處理室103和第一真空搬運室104之間進 行開閉的閥120關(guān)閉，使對近前左的真空處理室103和第一真空搬運室104之間進行開閉 的閥120開放，將晶片搬運至近前左的真空處理室103。使用左右哪一個真空處理室103是 任意的。另外，搬運到真空搬運中間室111的晶片，將與第一真空搬運室104之間進行開閉 的閥120關(guān)閉，將真空搬運中間室111密封。之后，將對真空搬運中間室111和第二真空搬 運室110之間進行開閉的閥120開放，使第二真空搬運室110所具備的真空搬運機器人108 伸展，將晶片搬運至第二真空搬運室110內(nèi)。真空搬運室機器人108將載置于其臂上的晶 片在從盒取出時搬運至預(yù)先決定的內(nèi)側(cè)的任一真空處理室103。將晶片搬運到內(nèi)側(cè)的任一真空處理室103后，使對該真空處理室103和第一真空 搬運室104之間進行開閉的閥120關(guān)閉，將真空處理室103密封。之后，將處理用氣體導(dǎo)入 真空處理室103，在真空處理室103內(nèi)達到規(guī)定的壓力后，對晶片進行處理。當(dāng)檢測到晶片的處理結(jié)束時，使對與上述的真空處理室103連接的第一真空搬運 室104或第二真空搬運室110的搬運室之間進行開閉的閥120開放，真空搬運機器人108 將處理完的晶片與將該晶片搬入真空處理室103內(nèi)的情況相反地向鎖定室105搬出。當(dāng)將 晶片搬運到鎖定室105時，對將該鎖定室105和第一真空搬運室104的搬運室連通的通路 進行開閉的閥120關(guān)閉，將第一真空搬運室104的搬運室密封，使鎖定室105內(nèi)的壓力上升 至大氣壓。之后，使框體106的內(nèi)側(cè)的閥120開放，使鎖定室105的內(nèi)部和框體106的內(nèi)部連 通，大氣搬運機器人109將晶片從鎖定室105搬運到本來的盒，并返回到盒內(nèi)的本來的位置。本發(fā)明即使如第二實施例那樣在配置于近前的第一真空搬運室104具備兩個真 空處理室103、103，通過任意選擇地使用近前的真空處理室103、103的任一真空處理室 103，也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。
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權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，具備大氣搬運室，其前面?zhèn)?配置多個盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置 于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其 與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室 的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶 片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的至 少一個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第二真空搬運室搬運 的所述晶片的兩個以上的真空處理室，與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量比與所述第二真空搬運室連結(jié)的真 空處理室的數(shù)量少。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，作為與所述第一真空搬運室連結(jié)且處理從所述第一真空搬運室搬運來的所述晶片的 第一真空處理室、和與所述第二真空搬運室連結(jié)且處理從所述第二真空搬運室搬運來的所 述晶片的第二及第三真空處理室，將與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為1個，將與所述第二真空搬運 室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為2個。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一及第二真空搬運室的各自內(nèi)部配置搬運機器人，該搬運機器人包括具有多 個臂的搬運機器人。
4.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，使用半導(dǎo)體處理基板的真空處理系統(tǒng)處 理半導(dǎo)體被處理基板，所述半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)具備大氣搬運室，其前面?zhèn)?配置多個盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置 于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其 與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室 的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶 片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的多 個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第二真空搬運室搬運的所 述晶片的多個真空處理室，其特征在于，以使用與所述第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處 理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控制所述晶片的搬運。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，其特征在于，在所述第一及第二真空搬運室的各自內(nèi)部配置有搬運機器人，該搬運機器人包括具有 多個臂的搬運機器人，以使用與所述第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控 制所述搬運機器人進行的所述晶片的搬運。
全文摘要
本發(fā)明提供將真空搬運室所具備的真空處理室的配置最佳化，且單位設(shè)置面積的被處理物的生產(chǎn)能力高的裝置。一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及使用該系統(tǒng)的真空處理方法，半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)具備大氣搬運室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的至少一個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的兩個以上的真空處理室，與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量比與所述第二真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量少，或者將與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的使用限制為一個。
文檔編號H01L21/67GK102064123SQ20101026884
公開日2011年5月18日 申請日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者下田篤, 仲田輝男, 智田崇文, 田內(nèi)勤, 近藤英明, 野木慶太 申請人:株式會社日立高新技術(shù)