專利名稱：晶片傳送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片傳送裝置。本發(fā)明尤其涉及這樣一種晶片傳送裝置，其包 括使用靜電力來(lái)保持晶片的托片。
背景技術(shù)：
一般地，在用作半導(dǎo)體襯底的硅晶片上形成多層并且從所述多層形成電路 圖形而制造出半導(dǎo)體器件。電路圖形通過(guò)依序地或重復(fù)地進(jìn)行單元處理而形 成，例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)處理法、濺射處理法、光刻處理法、蝕刻處 理法、離子植入處理法、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理法等。在單元處理期間， 通過(guò)晶片傳送裝置對(duì)晶片進(jìn)行保持和傳送。
晶片傳送裝置可使用摩擦力、真空力、靜電力等來(lái)保持晶片。使用靜電力 的晶片傳送裝置可在真空氣氛下使用并且該晶片傳送裝置的托片包括電極和 電介質(zhì)以生成靜電力。電介質(zhì)可包括陶瓷材料，并且在制造過(guò)程中可在電介質(zhì) 的表面形成細(xì)孔或微孔。細(xì)孔會(huì)被空氣中的水氣和雜質(zhì)填充，由此晶片會(huì)被水 氣和雜質(zhì)污染。
同時(shí)，電極上會(huì)施加高電壓且將電介質(zhì)的厚度減小以增大靜電力。這樣， 電介質(zhì)會(huì)被高電壓損壞，晶片由此會(huì)通過(guò)損壞的電介質(zhì)與電極電連接，而這會(huì) 使得晶片帶電。從而，該帶電會(huì)損壞晶片。
此外，由于電荷因高電壓無(wú)法從電介質(zhì)充分放電，難以容易地使晶片與托 片分離。為了解決這一問題，可在電極上施加極性與生成靜電力之電壓的極性 相反的電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種傳送晶片的裝置，其能夠防止晶片的污染以及 穩(wěn)固地保持晶片。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面， 一種傳送晶片的裝置包括支撐所述晶片的陶瓷托 片；設(shè)在所述托片內(nèi)的電極，其中將電力施加至所述電極以生成用于保持所述 晶片的靜電力；設(shè)在所述托片上的多個(gè)墊塊，其中所述墊塊提供所述晶片與所 述墊塊之間的摩擦力以防止所述晶片在所述托片上移動(dòng)；及與所述托片連接以 移動(dòng)所述托片的自動(dòng)臂。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述墊塊與所述電極之間的間隙大于所述電極的上表面與所述托片的上表面之間的間隙。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述墊塊包括硅、聚酰亞胺或者橡膠等?？蓡为?dú) 或組合使用這些材料。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述裝置還包括涂層，所述涂層設(shè)在所述托片上 除了設(shè)有所述墊塊之部分之外的上表面部分。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述涂層包括氧化物、氮化物和氧氮化物等。可 單獨(dú)或組合使用這些材料。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述涂層的密度大于所述托片。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述涂層通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)處理法、等
離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理法、高密度等離子化學(xué)氣相沉積 (HDP-CVD)處理法和濺射處理法等形成。
本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述電極包括施加正電極的第一電極和施加負(fù)電 極的第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面， 一種傳送晶片的裝置可包括支撐所述晶片的陶瓷 托片；設(shè)在所述托片內(nèi)的電極，其中將電力施加至所述電極以生成用于保持所 述晶片的靜電力；設(shè)在所述托片上的涂層，其中所述涂層的密度大于所述托片； 及與所述托片連接以移動(dòng)所述托片的自動(dòng)臂。
根據(jù)如前所述的本發(fā)明實(shí)施例，由于保持晶片所需的靜電力因設(shè)在托片上 的墊塊與晶片之間的摩擦力而減小，藉此減小施加到電極以生成靜電力的電 力。由此，可防止因晶片帶電而可能發(fā)生的損壞。
此外，托片上的涂層的密度大于托片的密度，以防止托片被空氣中的濕氣 和雜質(zhì)污染，藉此防止晶片污染。


結(jié)合附圖，詳細(xì)描述具體實(shí)施例可更清楚本發(fā)明的上述以及其它優(yōu)點(diǎn)，其
中
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片傳送裝置的平面圖； 圖2為沿圖1中II-II'的剖視圖3為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的另一晶片傳送裝置的平面圖； 圖4為沿圖3的IV-IV'線的剖視圖5為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的再一晶片傳送裝置的平面圖6為沿圖5中vi-vr線的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
參見示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖，下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施例的限制。相 反，提出這些實(shí)施例是為了達(dá)成充分及完整公開，并且使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人 員完全了解本發(fā)明的范圍。這些附圖中，為清楚起見，可能放大了層及區(qū)域的 尺寸及相對(duì)尺寸。
應(yīng)理解，當(dāng)將元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)?上"或"連接至"另一元件或?qū)?之時(shí)，其可為直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接至其它元件或?qū)?，或者存在?于其間的元件或?qū)印Ｅc此相反，當(dāng)將元件稱為"直接在另一元件或?qū)由?、"直 接連接至"另一元件或?qū)又畷r(shí)，并不存在居于其間的元件或?qū)?。整份說(shuō)明書中相 同標(biāo)號(hào)是指相同的元件。如本文中所使用的，用語(yǔ)"及/或"包括一或多個(gè)相關(guān)的 所列項(xiàng)目的任何或所有組合。
應(yīng)理解，盡管本文中使用第一、第二、第三等來(lái)描述多個(gè)元件、組件、區(qū) 域、層及/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層及/或部分并不受這些用語(yǔ)的 限制。這些用語(yǔ)僅用于使一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)區(qū)域、層 或部分區(qū)別開來(lái)。由此，下文所稱之第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可稱為 第二元件、組件、區(qū)域、層及/或部分，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
與空間相關(guān)的表述，如"下(lower)"、"上(upper)，，等，在本文中使用是為 了容易地表述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。應(yīng)理解， 這些與空間相關(guān)的表述除圖中所示方位之外，還意欲涵蓋該設(shè)備在使用或工作 中的不同方位。例如，若圖中的該設(shè)備翻轉(zhuǎn)，描述為"在其它元件或部件之下"、 "在其它元件或部件下方"的元件則會(huì)確定為"在其它元件或部件上方"。由此， 該示范性的表述"在...下方"可同時(shí)涵蓋"在...上方"與"在...下方"兩者。該設(shè)備 可為另外的朝向(旋轉(zhuǎn)90度或其它朝向)，并且本文中所使用的這些與空間 相關(guān)的表述亦作相應(yīng)的解釋。
本文中所使用的表述僅用于描述特定的實(shí)施例，并且并不意欲限制本發(fā) 明。如本文中所述的，單數(shù)形式的冠詞意欲包括復(fù)數(shù)形式，除非其上下文明示。 還應(yīng)理解，當(dāng)本說(shuō)明書中使用表述"包括"之時(shí)，明確說(shuō)明了存在所描述的部件、 整體、步驟、操作、元件及/或組件，但并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它 部件、整體、步驟、操作、元件、組件及/或它們的組合。
對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例，本文中是參照本發(fā)明的理想化實(shí)施例(以及中間結(jié) 構(gòu))的示意剖視圖來(lái)描述的。照此，預(yù)期會(huì)產(chǎn)生例如因制造工藝及/或公差而造 成形狀上的變化。由此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為將其限制成本文所示的特 定區(qū)域形狀，還應(yīng)包括例如，因制造而導(dǎo)致的形狀偏差。圖中所示的區(qū)域的本 質(zhì)是示意性的，并且其形狀并不意欲示出部件區(qū)域的精確形狀，也不意欲限制 本發(fā)明的范圍。
除非另行詳細(xì)說(shuō)明，本文所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括科技術(shù)語(yǔ))的意思與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所通常理解的一致。還應(yīng)理解，諸如一般字典中所定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的意思一致，并且不應(yīng)解釋為理想化的或過(guò)度刻板的含義，除非在文中另有明確定義。
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片傳送裝置的平面圖，圖2為沿圖1中II-II'的剖視圖。
參考圖1和2，用于傳送晶片W的裝置100包括托片110、電極120、多個(gè)墊塊130及自動(dòng)臂140。
托片110包括陶瓷材料，并且支撐晶片W。托片IIO可為大致的U形。電極120可設(shè)在托片110內(nèi)以生成靜電力而保持晶片W。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，電極120包括第一電極122和第二電極124。第一電極122和第二電極124分別沿該托片的外部和內(nèi)部延伸。此外，第一電極122和第二電極124各自具有多個(gè)電極腳，所述多個(gè)電極腳朝彼此延伸但并不互相接觸。第一電極122和第二電極124可各自與相互不同的電源連接。例如，可向第一電極122施加正電壓，而向第二電極124施加負(fù)電壓。然而，可使用一個(gè)電極來(lái)生成靜電力。
電極120包括金屬或金屬合金，并且可用于電極120的金屬的例子包括鎢、鉬等。
電極120與晶片W之間的托片IIO的上部用作電介質(zhì)。
墊塊130可設(shè)在托片110的上表面。晶片W與墊塊130之間具有摩擦力，這樣可防止晶片W在托片IIO上移動(dòng)或滑動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，如圖2所示，墊塊130可插入形成在托片IIO的上表面部分的槽中。墊塊130從托片110的上表面凸出以與晶片W形成接觸。當(dāng)墊塊130的凸出高度過(guò)高時(shí)，墊塊130會(huì)使得晶片W翹起。此外，由于晶片W與托片IIO之間的空氣隙可用作電介質(zhì)，可減小電極120的靜電力。例如，墊塊130的凸出高度的范圍可為幾微米到幾十微米，或者小于100微米。或者，墊塊130的上表面可設(shè)為與托片IIO處于同一平面。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，墊塊130可設(shè)在托片110的上表面上。墊塊130的厚度的范圍可為幾微米到幾十微米，或者小于100微米。
同時(shí)，當(dāng)墊塊130與電極120之間的間隙Dl等于或小于電極120的上表面與托片110的上表面之間的間隙D2時(shí)，電力從電極120通過(guò)墊塊130施加，這使得晶片W帶電，這樣晶片W會(huì)被所述帶電損壞。墊塊130與電極120之間的間隙Dl可大于電極120的上表面與托片110的上表面之間的間隙D2。
可用于墊塊130的材料的例子包括硅、聚酰亞胺、橡膠等?？蓡为?dú)或組合使用這些材料。
通過(guò)墊塊130與晶片W之間的摩擦力，可以減小保持晶片W所需的靜電力。即，可以減小施加到電極120上的電力或增大托片110的上部的厚度，例
如間隙D2。由此，可防止晶片W被高電壓損壞，或者因托片110的損壞導(dǎo)致的漏電而損壞。
此外，積聚在晶片W的下部的電荷可隨著所需靜電力的減小而減少。由此，晶片W可容易地脫離托片110。同時(shí)，晶片W與托片IIO之間的空氣隙可用作電介質(zhì)，減少積聚在晶片W的下部的電荷，藉此更容易地使晶片W脫離。
自動(dòng)臂140可與托片IIO連接，并且以旋轉(zhuǎn)軸(未示)為中心旋轉(zhuǎn)。托片IIO可由自動(dòng)臂140的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)，以傳送由托片IIO保持的晶片W。
圖3為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的另一晶片傳送裝置的平面圖，圖4為沿圖3的IV-IV'線的剖視圖。
參考圖3和4，傳送晶片W的裝置200包括托片210、電極220、涂層230和自動(dòng)臂240。
由于托片210、電極220和自動(dòng)臂240與參考圖l和2所描述的這些部件類似，因此省略了這些部件的描述，而僅描述涂層230。'
涂層230設(shè)在托片210上，而且可包括氧化物、氮化物、氧氮化物等。例如，涂層230可包括氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)、氧化鋁(A1203)、氮化鋁(A1N)、氧化鈦(Ti02)、氮化鈦(TiN)等。涂層230可由化學(xué)氣相沉積(CVD)處理法、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理法、高密度等離子化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)處理法、濺射處理法等形成。由此，涂層230比由燒結(jié)形成的托片210的密度更大。即涂層230的密度大于托片210的密度。此外，涂層230機(jī)械特性比托片210有所改進(jìn)。由此，涂層230的表面部分難以形成細(xì)孔。從而，可防止晶片W被空氣中的濕氣和雜質(zhì)污染。
圖5為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的再一晶片傳送裝置的平面圖，圖6為沿圖5中VI-VI'線的剖視圖。
參考圖5和6，傳送晶片W的裝置300包括括托片310、電極320、多個(gè)墊塊330、涂層340和自動(dòng)臂350。
由于托片310、電極320、墊塊330和自動(dòng)臂350與參考圖1和2所描述的這些部件類似，因此省略了這些部件的描述。
涂層340可設(shè)在托片310的除了設(shè)有墊塊330的上表面部分。由于涂層340與參考圖3和4所描述的涂布層類似，因此省略了涂布層340的描述。工業(yè)應(yīng)用性
如前所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片傳送裝置包括多個(gè)設(shè)在托片上的墊塊。由此，保持晶片所需的靜電力較之現(xiàn)有技術(shù)相對(duì)降低。從而，可防止晶片被高電壓或者因托片損壞而造成的帶電所損壞。此外，由于所需的靜電力因墊塊的摩擦力以及晶片和托片之間的空氣隙而減小，因此積聚在晶片中的電荷得以減少。由此，可容易地使得晶片脫離托片。
同時(shí)，所述晶片傳送裝置可包括設(shè)在托片上且密度大于托片的涂層。涂層的表面部分上難以形成細(xì)孔，由此防止晶片被空氣中的濕氣和雜質(zhì)污染。
盡管業(yè)已描述了上述實(shí)施例，應(yīng)理解本發(fā)明不應(yīng)限制為這些實(shí)施例，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可如所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明精神和范圍之內(nèi)作出變化和修改。
權(quán)利要求
1、一種傳送晶片的裝置，包括支撐所述晶片的陶瓷托片；設(shè)在所述托片內(nèi)的電極，其中將電力施加至所述電極以生成用于保持所述晶片的靜電力；設(shè)在所述托片上的多個(gè)墊塊，其中所述墊塊提供所述晶片與所述墊塊之間的摩擦力以防止所述晶片在所述托片上移動(dòng)；及與所述托片連接以移動(dòng)所述托片的自動(dòng)臂。
2、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述墊塊與所述電極之間的間隙大 于所述電極的上表面與所述托片的上表面之間的間隙。
3、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述墊塊包括硅、聚酰亞胺或者橡膠。
4、 如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括涂層，所述涂層設(shè)在所述托片上 除了設(shè)有所述墊塊之部分以外的上表面部分。
5、 如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述涂層包括氧化物、氮化物和氧 氮化物。
6、 如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述涂層的密度大于所述托片。
7、 如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述涂層通過(guò)化學(xué)氣相沉積處理法、 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積處理法、高密度等離子化學(xué)氣相沉積法和濺射處理法 中的一種形成。
8、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電極包括施加有正電壓的第一 電極和施加有負(fù)電壓的第二電極。
9、 一種傳送晶片的裝置，包括 支撐所述晶片的陶瓷托片；設(shè)在所述托片內(nèi)的電極，其中將電力施加至所述電極以生成用于保持所述 晶片的靜電力；設(shè)在所述托片上的涂層，其中所述涂層的密度大于所述托片；及 與所述托片連接以移動(dòng)所述托片的自動(dòng)臂。
全文摘要
一種傳送晶片的裝置，包括陶瓷托片、電極、多個(gè)墊塊、涂層以及自動(dòng)臂。所述托片支撐所述晶片，并且所述電極設(shè)在所述托片內(nèi)。電力施加至所述電極以生成用于保持所述晶片的靜電力。所述墊塊設(shè)在所述托片上，由此所述晶片與所述墊塊之間具有摩擦力。所述涂層設(shè)在所述托片上。所述自動(dòng)臂與所述托片連接以移動(dòng)所述托片。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101663745SQ200880007932
公開日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2008年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月12日
發(fā)明者安晟敦, 崔珽晧, 張喜碩, 曹尚范, 許康一, 鄭炳晉 申請(qǐng)人:高美科株式會(huì)社