專(zhuān)利名稱(chēng)：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器
可以大致分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)圖像傳感器(CIS)。
在圖像傳感器的制造過(guò)程中，可以使用離子注入在襯底中形成光電二極 管。為了達(dá)到增加像素的數(shù)量而并不增加芯片的尺寸的目的，光電二極管的 尺寸被減小，隨著光電二極管尺寸的減小，光接收部的面積也減小了，從而 導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。
并且，由于堆疊高度的減少并不像光接收部的面積減少的那么多，因此 入射到光接收部的光子的數(shù)量也由于稱(chēng)為艾里斑(Airy disk)的光衍射而減 少。
作為克服該局限的選擇，人們嘗試使用非晶硅(Si)形成光電二極管， 或者使用如晶片-晶片的接合這樣的方法在硅(Si)襯底中形成讀出電路，以 及在讀出電路上和/或上方形成光電二極管(稱(chēng)為"三維(3D)圖像傳感器")。 光電二極管通過(guò)金屬互連件連接到讀出電路。
在晶片-晶片的接合中，可能會(huì)產(chǎn)生接合力的問(wèn)題。
另外，由于轉(zhuǎn)移晶體管的源極和漏極都重?fù)诫s了N-型雜質(zhì)，因此產(chǎn)生了 電荷共享現(xiàn)象。當(dāng)產(chǎn)生電荷共享現(xiàn)象時(shí)，輸出圖像的靈敏度降低，并且可能 產(chǎn)生圖像錯(cuò)誤。
此外，由于光電荷不容易在光電二極管和讀出電路之間移動(dòng)，因此產(chǎn)生 了暗電流(darkcurrent)和/或降低了飽和度和靈敏度
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，其采用垂直型光電二 極管以增強(qiáng)該垂直型光電二極管和讀出電路之間的物理接觸和電接觸。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，其能夠抑制電荷共享 的出現(xiàn)同時(shí)增大填充系數(shù)。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，其通過(guò)提供光電荷在 光電二極管和讀出電路之間的快速移動(dòng)路徑而將暗電流源最小化并且抑制 飽和度和靈敏度的降低。
根據(jù)實(shí)施例，圖像傳感器設(shè)置為可以包括讀出電路，位于第一襯底上; 金屬互連件，位于該讀出電路上；金屬層，位于該金屬互連件上；以及圖像 傳感器件，位于該金屬層上，其中，該金屬層在低溫下沉積。
根據(jù)另一實(shí)施例，圖像傳感器的制造方法可以包括在第一襯底上形成 讀出電路；在該讀出電路上形成金屬互連件；在該金屬互連件上形成以低溫 沉積的金屬層；以及在該金屬層上形成圖像傳感器件。
本發(fā)明能夠?qū)惦娏髟醋钚』⑶乙种骑柡投群挽`敏度的降低。


圖1示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的剖視圖。 圖2A-圖8說(shuō)明了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法。 圖9示出了依據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器的讀出電路部分的剖 視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器及其制造方法。 當(dāng)此處使用術(shù)語(yǔ)"上"或"上方"時(shí)，如果涉及層、區(qū)域、圖案或者結(jié) 構(gòu)，應(yīng)理解為所述的層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)可以直接位于另一層或結(jié)構(gòu)上， 或者也可以存在中間的層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)。當(dāng)此處使用術(shù)語(yǔ)"下方" 或"之下"時(shí)，如果涉及層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)，應(yīng)理解為所述的層、區(qū) 域、圖案或者結(jié)構(gòu)可以直接位于另一層或結(jié)構(gòu)下方，或者也可以存在中間的 層、區(qū)域，圖案或結(jié)構(gòu)。
另外，可以理解，為了清楚理解本發(fā)明，簡(jiǎn)化了本發(fā)明實(shí)施例的附圖和
5描述以?xún)H僅示出相關(guān)的元件，而為了簡(jiǎn)明的目的省略了其它公知的元件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，其它的元件也是需要的和/或必須的。然而，由于這些元件是本領(lǐng)域公知的，并且由于這些器件并不有助于更好地理解本發(fā)明，因此在此處不對(duì)這些元件加以討論。
如圖1所示，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器可以包括讀出電路(未示出)，形成在第一襯底100上；金屬互連件150，形成在讀出電路上并與
讀出電路連接；金屬層220，位于金屬互連件150上；以及圖像傳感器件210，位于金屬層220上。金屬層220可以在低溫下形成。
圖像傳感器件210可以是光電二極管、光柵或其任意組合。雖然實(shí)施例描述了光電二極管形成在晶體半導(dǎo)體層中，但是光電二極管并不限于此。例如，光電二極管可以形成在非晶半導(dǎo)體層中。
在下文中，將參考圖2到圖8描述依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法。圖2A示出了其上形成有金屬互連件150的第一襯底100的簡(jiǎn)化的剖面圖，并且圖2B為依據(jù)圖2A的第一襯底100的一個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)圖。
參見(jiàn)圖2B，圖像傳感器的制造方法可以包括提供其上形成有金屬互連件150和讀出電路120的第一襯底100。第一襯底100可以是第二導(dǎo)電類(lèi)型襯底，但是不限于此。在實(shí)施例中，器件隔離層110可以形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型的第一襯底100中，以定義有源區(qū)。包括至少一個(gè)晶體管的讀出電路120可以形成在有源區(qū)上。在一個(gè)實(shí)施例中，讀出電路可以包括轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)121、復(fù)位晶體管(Rx) 123、驅(qū)動(dòng)晶體管(Dx) 125以及選擇晶體管(Sx)127?？梢孕纬砂ǜ≈脭U(kuò)散區(qū)(FD) 131和各個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)133、135和137的離子注入?yún)^(qū)130。依據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，可以形成噪聲去除電路，以使靈敏度最大。
在第一襯底IOO上形成讀出電路120可以包括在第一襯底100中形成電結(jié)區(qū)(electrical junction region) 140，和形成插入到金屬互連件150與電結(jié)區(qū)140之間并與金屬互連件150和電結(jié)區(qū)140電連接的第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147。
電結(jié)區(qū)140可以是PN結(jié)，但不限于此。例如，電結(jié)區(qū)140可以包括形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型阱141 (或第二導(dǎo)電類(lèi)型外延層)上的第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入層143，和形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入層143上的第二導(dǎo)電類(lèi)型離
6子注入層145。例如，PN結(jié)140可以是如圖2B所示的P0(145)/N-(143)/P-(141) 結(jié)，但不限于此。
依據(jù)實(shí)施例，對(duì)器件進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得位于轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121兩側(cè)的 源極和漏極之間具有電勢(shì)差，從而可以將光電荷完全卸出(dump)。因此， 光電二極管產(chǎn)生的光電荷完全被卸出到浮置擴(kuò)散區(qū)，從而可以使輸出圖像的 靈敏度最大。
因此，電結(jié)區(qū)140可以形成在其中形成有讀出電路120的第一襯底100 中，以允許在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121的源極和漏極之間產(chǎn)生電勢(shì)差，從而可 以完全卸出光電荷。
在下文中，將詳細(xì)描述依據(jù)實(shí)施例的光電荷的卸出結(jié)構(gòu)。
與浮置擴(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)(其為N+結(jié))不同，PNP結(jié)140 (其為 電結(jié)區(qū)140，并且所施加的電壓并未完全轉(zhuǎn)移到該P(yáng)NP結(jié)140)在預(yù)定電壓 下被夾斷(pinched-off)。這一電壓叫做釘扎電壓(pinning voltage)，其取 決于P0區(qū)145和N-區(qū)143的摻雜濃度。
更具體地說(shuō)，從光電二極管210產(chǎn)生的電子移動(dòng)到PNP結(jié)140，并且上 述電子被轉(zhuǎn)移到浮置擴(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)并在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121導(dǎo) 通時(shí)被轉(zhuǎn)換成電壓。
由于P0/N-7P-結(jié)140的最大電壓值變成釘扎電壓，并且浮置擴(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)的最大電壓值變成Vdd^ 123的閥值電壓Vth ，因此利用施加在轉(zhuǎn) 移晶體管(Tx) 131兩側(cè)之間的電勢(shì)差，從位于芯片上部中的光電二極管210 產(chǎn)生的電子可以完全卸出到浮置擴(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)，而不會(huì)電荷共享。
意即，依據(jù)實(shí)施例，P0/N-7P-阱結(jié)(不是N+7P-阱結(jié))形成在第一襯底 100中，以使得在4-Tr有源像素傳感器(APS)復(fù)位操作過(guò)程中，a+電壓被 施加到P0/N-7P-阱結(jié)的N-區(qū)143，而接地電壓被施加到P0區(qū)145和P-阱141， 從而如同雙極結(jié)晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中一樣，在預(yù)定電壓或更大電壓下在 P0/N-7P-阱產(chǎn)生夾斷。其被稱(chēng)為釘扎電壓。因此，在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121 的源極和漏極之間產(chǎn)生電勢(shì)差，以抑制在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121的開(kāi)啟/關(guān)閉 操作過(guò)程中出現(xiàn)電荷共享現(xiàn)象。
因此，和光電二極管僅僅連接到N+結(jié)的情況不同，可以抑制如飽和度 降低和靈敏度降低的局限。在形成P0/N-ZP-結(jié)140之后，可以在光電二極管和讀出電路之間形成第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147，以提供光電荷的快速移動(dòng)路徑，從而可以使暗電流源最小化，并且可以抑制飽和度和靈敏度的降低。
為此，可以在P0/N-7P-結(jié)140的表面上形成用于歐姆接觸的第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147 (例如，N+區(qū)147)?？梢孕纬蒒+區(qū)147以延伸通過(guò)PO區(qū)145并接觸N-區(qū)143。
為了抑制第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147變成泄漏源，可以使第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147的寬度最小。因此，依據(jù)某些實(shí)施例，在蝕刻用于第一接觸件151a的通孔之后，可以執(zhí)行插塞注入。然而，實(shí)施例并不限于此。例如，可以形成離子注入圖案(未示出)，然后可以使用離子注入圖案作為離子注入掩模來(lái)形成第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147。
在上述實(shí)施例中，僅僅對(duì)接觸件形成部分以N-型雜質(zhì)進(jìn)行局部重?fù)诫s的原因是其有利于形成歐姆接觸，同時(shí)將暗信號(hào)最小化。當(dāng)對(duì)整個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管源極進(jìn)行重?fù)诫s時(shí)，通過(guò)Si表面懸掛鍵可以增加暗信號(hào)。
可以在第一襯底IOO上形成層間電介質(zhì)160?？梢孕纬裳由齑┻^(guò)層間電介質(zhì)160并電連接到第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)147的金屬互連件150。金屬互連件150可以包括第一金屬接觸件151a、第一金屬151、第二金屬152、第三金屬153以及第四金屬接觸件154a，但不限于此。
再次參照?qǐng)D2A，可以在第一襯底100上形成金屬層220，從而使金屬層220接觸金屬互連件150。
在某些實(shí)施例中，第一襯底100上的金屬層220可以是低k金屬層。例如，金屬層220可以是選自由鉻(Cr)、鋁(Al)和銅(Cu)組成的組中的至少一種，但是不限于此。在上述實(shí)施例中，由于低k金屬層插入到形成有光電二極管的襯底和形成有讀出電路的襯底之間，因此可以增加這兩個(gè)襯底之間的接合力。
依據(jù)實(shí)施例，第一襯底100上的金屬層220可以是通過(guò)光化學(xué)沉積在約150° C -170° C的低溫范圍內(nèi)沉積的金屬層。如果在低于150° C的溫度下執(zhí)行沉積，可能不會(huì)發(fā)生光化學(xué)沉積的分解(dissociation)，而如果沉積溫度高于170。C，可能產(chǎn)生熱損傷。
例如，金屬層220可以由金(An)形成，但是不限于此。
8在特定的實(shí)施例中，(CH3)2Au[CH(COCF3)2]可以用作Au的光化學(xué)沉積 的源。Au可以以數(shù)微米的單位而低溫沉積。由于光化學(xué)沉積是通過(guò)使用光 來(lái)分解有機(jī)金屬化合物而執(zhí)行的，因此Au可以在溫度小于或等于160° C下 沉積。更有利地是，Au對(duì)由例如鎢(W)的金屬組成的金屬互連件和晶體半 導(dǎo)體層具有良好的粘附力。
艮P，依據(jù)實(shí)施例，由于可以在低溫下沉積的金屬層被插入到其上方形成 有光電二極管的襯底和其上方形成有讀出電路的襯底之間，因此可以增加金 屬層與上面的晶體半導(dǎo)體層和下面的金屬互連件之間的粘附力。
參見(jiàn)圖3，晶體半導(dǎo)體層210a可以形成在第二襯底200上。依據(jù)實(shí)施例， 光電二極管210可以形成在晶體半導(dǎo)體層210a中。因此，圖像傳感器件采 用將圖像傳感器件設(shè)置在讀出電路上的三維(3D)圖像傳感器排列，以提高 填充因數(shù)，并且圖像傳感器件形成在晶體半導(dǎo)體層的內(nèi)部，從而可以減少圖 像傳感器件內(nèi)部的缺陷。
在實(shí)施例中，使用外延生長(zhǎng)，可以在第二襯底200上形成晶體半導(dǎo)體層 210a。然后，可以將氫離子注入到第二襯底200和晶體半導(dǎo)體層210a之間， 以形成插入在第二襯底200和晶體半導(dǎo)體層210a之間的氫離子注入層207a。 在一個(gè)實(shí)施例中，氫離子的注入可以在用于形成光電二極管210的離子注入 后進(jìn)行。
參見(jiàn)圖4，可以使用離子注入在晶體半導(dǎo)體層210a中形成光電二極管 210。例如，可以在晶體半導(dǎo)體層210a的下部中形成第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216， 并且該第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216可以與氫離子注入層207a接觸。第二導(dǎo)電 類(lèi)型導(dǎo)電層216可以是高濃度P-型導(dǎo)電層216，并且可以通過(guò)在不使用掩模 的情況下在第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí)行第一毯覆式離子注入(blanket-ion implantation)，在晶體半導(dǎo)體層210a中形成該第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216。例 如，第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216可以形成為從晶體半導(dǎo)體層210a的下部起具 有小于約0.5jim的結(jié)深度。
然后，可以通過(guò)在不使用掩模的情況下在第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí) 行第二毯覆式離子注入，在第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo) 電層214。例如，低濃度的第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層214的結(jié)深度可以形成在范 圍介于約1,到約2|um內(nèi)。第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層214可以形成為比第二導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層216厚，從而可以增加電荷存儲(chǔ)容量。即，可以通過(guò)形成比P-型導(dǎo)電層216厚的N-型導(dǎo)電層214而增大N-型導(dǎo)電層214的面積，從而增加存儲(chǔ)光電子的容量。
在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通過(guò)在不使用掩模的情況下，在第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí)行第三毯覆式離子注入，可以在第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層214上形成高濃度的第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層212，從而使第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層214可以有助于歐姆接觸。例如，高濃度的第一導(dǎo)電類(lèi)型導(dǎo)電層212的結(jié)深度可以形成為介于約0.05|Lim到約0.2|Lim的范圍內(nèi)。
然后，參見(jiàn)圖5，將第一襯底100和第二襯底200進(jìn)行接合，使得光電二極管210接觸金屬互連件150。在第一襯底100和第二襯底200相互接合之前，可以通過(guò)增大將要經(jīng)由等離子體的激活而結(jié)合的表面的表面能量，從而可以執(zhí)行接合。
參見(jiàn)圖6，通過(guò)在第二襯底200上執(zhí)行熱處理，氫離子注入層207a可以變成氫氣層。
參見(jiàn)圖7，然后，可以去除一部分第二襯底200并將光電二極管210保留在第一襯底100上，從而可以暴露光電二極管210?？梢允褂们懈钤O(shè)備(如刀片)去除第二襯底200。
參見(jiàn)圖8，然后，可以執(zhí)行光電二極管210的蝕刻工藝以用于每個(gè)單位像素。然后，可以執(zhí)行接地金屬形成工藝(ground metal formation process)、濾色鏡工藝等，以完成圖像傳感器的制造工藝。
圖9是圖像傳感器的剖視圖，并且具體提供了依據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第一襯底的細(xì)節(jié)圖。可以使用這些結(jié)構(gòu)代替參考圖2B描述的結(jié)構(gòu)。
如圖9所示，依據(jù)實(shí)施例的圖像傳感器可以包括形成在電結(jié)區(qū)140的一側(cè)的第一導(dǎo)電類(lèi)型(N+)連接區(qū)148。
依據(jù)實(shí)施例，可以鄰近PO/N-ZP-結(jié)140來(lái)形成N+連接區(qū)148。由于器件以施加在P0/N-7P-結(jié)140的反偏壓進(jìn)行操作，從而可以在Si表面上產(chǎn)生電場(chǎng)(EF)，因此形成N+連接區(qū)148和MIC接觸件151a的工藝可以提供泄漏源。在接觸件形成的工藝中在電場(chǎng)內(nèi)部產(chǎn)生的晶體缺陷用作泄漏源。
另夕卜，在N+連接區(qū)148形成在P0/N-ZP-結(jié)140的表面上的情況下，由于N+/P0結(jié)148/145而可以產(chǎn)生電場(chǎng)。該電場(chǎng)可以用作泄漏源。因此，依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一接觸插塞151a形成在未摻雜有P0層但是 包括N+連接區(qū)148的有源區(qū)中。然后，第一接觸插塞151a通過(guò)N+連接區(qū) 148連接到N-結(jié)143。
依據(jù)實(shí)施例，在Si表面上不產(chǎn)生電場(chǎng)，并且可以減少3D集成CIS的暗 電流。
盡管實(shí)施例通常涉及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，但 是實(shí)施例并不限于這種CMOS圖像傳感器，并且可以容易地應(yīng)用于任何使用 光電二極管的圖像傳感器上。
雖然這里對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可 以推導(dǎo)出落在此公開(kāi)原理的精神和范圍內(nèi)的其它任何改型和實(shí)施例。更具體 地，可以在此公開(kāi)、附圖以及所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)對(duì)組件和/或主題組合 排列的設(shè)置可以進(jìn)行各種改變與改型。除了組件和/或設(shè)置的改變與改型之 外，本發(fā)明的其它應(yīng)用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1. 一種圖像傳感器，包括讀出電路，位于第一襯底上；金屬互連件，連接至該讀出電路；低溫沉積的金屬層，位于該金屬互連件上；以及圖像傳感器件，位于該金屬層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該金屬層通過(guò)光化學(xué)方法而形成。
3. 如權(quán)利要求l所述的圖像傳感器，其中該金屬層包括金。
4. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括電結(jié)區(qū)，位于該第一襯底上 且電連接至該讀出電路。
5. 如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中該電結(jié)區(qū)包括 第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)，位于該第一襯底上；以及 第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)，位于該第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)上。
6. 如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中該讀出電路包括晶體管，該電 結(jié)區(qū)設(shè)置在該晶體管的一側(cè)，使得該晶體管的源極和漏極之間存在電勢(shì)差。
7. 如權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中該晶體管包括轉(zhuǎn)移晶體管，并 且該轉(zhuǎn)移晶體管的源極的離子注入濃度低于浮置擴(kuò)散區(qū)的離子注入濃度。
8. 如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，還包括第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)，位于 該電結(jié)區(qū)和該金屬互連件之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中該第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)設(shè)置在 該電結(jié)區(qū)的上部且電連接至該金屬互連件。
10. 如權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中該第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)設(shè)置 在該電結(jié)區(qū)的一側(cè)且電連接至該金屬互連件。
11. 一種圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟 在第一襯底上形成讀出電路；在該讀出電路上形成金屬互連件； 在該金屬互連件上形成以低溫沉積的金屬層；以及 在該金屬層上形成圖像傳感器件。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成該金屬層的步驟包括在約150°C -170 。C之間的低溫下沉積金屬。
13. 如權(quán)利要求ll所述的方法，其中該金屬層包括金。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成該金屬層的步驟包括執(zhí)行光化 學(xué)沉積。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中使用(CH3)2Au[CH(COCF3)2]作為源 來(lái)執(zhí)行該光化學(xué)沉積。
16. 如權(quán)利要求ll所述的方法，還包括在該第一襯底上形成電結(jié)區(qū)，并 且該電結(jié)區(qū)電連接至該讀出電路。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成該電結(jié)區(qū)的步驟包括 在該第一襯底中形成第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)；以及 在該第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)上方形成第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入?yún)^(qū)。
18. 如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在該電結(jié)區(qū)和該金屬互連件之間 形成第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中該第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)形成在該電 結(jié)區(qū)的上部且電連接至該金屬互連件。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中該第一導(dǎo)電類(lèi)型連接區(qū)形成在該電 結(jié)區(qū)的一側(cè)且電連接至該金屬互連件。
全文摘要
一種圖像傳感器及其制造方法，其中，該圖像傳感器可以包括讀出電路、金屬互連件、金屬層和圖像傳感器件。該金屬互連件可以形成在該讀出電路上方，并且該金屬層可以形成在該金屬互連件上方。該圖像傳感器件可以形成在該金屬層上方。該金屬層可以通過(guò)低溫沉積方法在低溫下形成。本發(fā)明能夠?qū)惦娏髟醋钚』⑶乙种骑柡投群挽`敏度的降低。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101465363SQ200810178089
公開(kāi)日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者宋日鎬 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司