專利名稱：高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍膜工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)，特別是一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍 膜工藝方法，具體說為采用磁控濺射法生產(chǎn)高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器的制造方 法。
背景技術(shù)：
金屬膜電阻器具有高穩(wěn)定性、低噪音、頻率特性好等優(yōu)點(diǎn)，同時工作環(huán)境溫度范圍寬， 單位面積承受的功耗較高，有利于電子設(shè)備的小型化，另外，其溫度系數(shù)、電壓系數(shù)都比 較小，適合在精密的電子儀器中應(yīng)用。因此，金屬膜電阻器的應(yīng)用范圍極為廣泛，如需要 高穩(wěn)定性、高可靠性的太空、航空用、國防用以及在電子計(jì)算機(jī)中應(yīng)用。它逐漸成為替代 碳膜電阻器的新一代通用電阻器。
目前，國內(nèi)外先進(jìn)的制膜工藝是采用磁控濺射滾式沉積電阻合金，這種方法易獲得與 靶材成分相同的合金膜，并能大幅度地提高產(chǎn)量，還能精確地控制膜層性能，提高電阻器 的穩(wěn)定性和精度。
生產(chǎn)高阻值的金屬膜電阻器，濺射工藝是非常關(guān)鍵的，它制約著金屬膜電阻器的穩(wěn)定 性、精度、電阻溫度系數(shù)等性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍膜工藝方 法。該工藝生產(chǎn)的高阻值電阻器穩(wěn)定性好、精度高，電阻溫度系數(shù)小。
本發(fā)明提供的一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器為該金屬膜電阻器的阻值 100MQ,精度0.5%，過載0.5%，電阻溫度系數(shù)TCR50PPm/'C，它是在高阻濺射靶材上通過 磁控濺射方法制備而成，具體操作是由恒流電源供給的小電流進(jìn)行長時間的慢濺射。
本發(fā)明提供的一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器的濺射鍍膜工藝方法是靶材在 磁控濺射鍍膜機(jī)上進(jìn)行濺射的工藝參數(shù)
在真空3X10力a下進(jìn)行，濺射真空為5X10—'Pa，濺射電壓為300 400V，濺射電流 為0.1 0.2A，氬氣輸入量30L/min，氧氣輸入量1.5L/min，濺射時間1 3h。
本發(fā)明提供一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍膜工藝方法，獲得均勻 一致的膜層，高阻值的金屬膜電阻器膜層很薄，使每個基體獲得均勻的膜層，使阻值和技 術(shù)性能達(dá)到較好的一致性。生產(chǎn)的高阻值電阻器穩(wěn)定性好、精度高，電阻溫度系數(shù)小。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍膜工藝方法，是采用通 用的磁控濺射鍍膜機(jī)(型號TRC2020，美國)進(jìn)行磁控濺射，靶材是采用Cr-Si系(Si 45-55%，Cr 40-50%， Ni 3-6%, Ti 0. 1-0. 3%)高阻耙材。
實(shí)施例1
靶材是Cr-Si高阻靶材，美國TRC2020磁控濺射鍍膜機(jī)，抽真空到3X10-3Pa,沖入 氬氣和氧氣，真空度到5X10-1Pa開始濺射。濺射電壓為350V，濺射電流為0.2A，氬氣 輸入量為30L/min，氧氣輸入量為1. 5L/min，濺射時間為1 h，得到高阻值金屬膜電阻器， 測定結(jié)果(由天津市電子儀表實(shí)驗(yàn)所測定，所用儀器設(shè)備是數(shù)字多用表8508A型，可程控 多功能標(biāo)準(zhǔn)源YS87B型，電子秒表JG900型，超低溫調(diào)溫箱PG-2G)為阻值100MQ，精 度O. 5%，過載O. 5%，電阻溫度系數(shù)TCR50PPm/。C。
實(shí)施例2
靶材是Cr-Si高阻靶材，美國TRC2020磁控濺射鍍膜機(jī)，抽真空到3X10-3Pa,沖入 氬氣和氧氣，真空度到5X10-lPa開始濺射。濺射電壓為350V，濺射電流為0. 1A，氬氣 輸入量為30L/min，氧氣輸入量為1. 5L/min，濺射時間為3 h，得到高阻值金屬膜電阻器， 測定結(jié)果(測定方法同上)為阻值IOOMQ，精度0.5%，過載0.5%，電阻溫度系數(shù) TCR50PPm〃C。
權(quán)利要求
1、一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器，其特征在于該金屬膜電阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，過載0.5％，電阻溫度系數(shù)TCR50PPm/℃，它是在高阻濺射靶材上通過磁控濺射方法制備而成，具體操作是由恒流電源供給的小電流進(jìn)行長時間的慢濺射。
2、 權(quán)利要求1所述的高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器的濺射鍍膜工藝方法，其特征在于靶材在磁控濺射鍍膜機(jī)上進(jìn)行濺射的工藝參數(shù)在真空3X10'Spa下進(jìn)行，濺射真空度為5X10"Pa，濺射電壓為300 400V，濺射電流為0.1 0.2A，氬氣輸入量30L/min，氧氣輸入量1.5L/min，濺射吋間1 3h。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高穩(wěn)定高精度高阻值金屬膜電阻器及其濺射鍍膜工藝方法。該金屬膜電阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，過載0.5％，電阻溫度系數(shù)TCR50PPm/℃，它是在高阻濺射靶材上通過磁控濺射方法制備而成。具體工藝參數(shù)在真空3×10^-3Pa下進(jìn)行，濺射真空為5×10^-1Pa，濺射電壓為300～400V，濺射電流為0.1～0.2A，氬氣輸入量30L/min，氧氣輸入量1.5L/min，濺射時間1～3h。本發(fā)明獲得均勻一致的膜層，高阻值的金屬膜電阻器膜層很薄，使每個基體獲得均勻的膜層，使阻值和技術(shù)性能達(dá)到較好的一致性。生產(chǎn)的高阻值電阻器穩(wěn)定性好、精度高，電阻溫度系數(shù)小。
文檔編號H01C7/00GK101477858SQ20081015452
公開日2009年7月8日 申請日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者常力峰, 張之圣, 潘有桐, 潘有勝, 王秀宇, 天 白, 強(qiáng) 鄒 申請人:天津大學(xué)