專利名稱：處理基材的設(shè)備和方法以及用于這種設(shè)備的噴頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開的本發(fā)明涉及基材處理設(shè)備和基材處理方法，更具體地說，涉及能夠均勻處理基材底部表面的基材處理設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
一般來說，在半導(dǎo)體器件制造過程中，在用作基材的晶片上沉積多層薄層，比如多晶體層、氧化物層、氮化物層和金屬層。在這些薄層上涂布光致抗蝕劑層。使用曝光過程在光掩模上形成的圖案被轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑層上。此后，通過蝕刻過程在晶片上形成預(yù)期的圖案。
比如各種薄層和光致抗蝕劑等不必要的雜質(zhì)會(huì)殘留在進(jìn)行上述過程的晶片的底部表面上。這些薄層和光致抗蝕劑在后面的過程中作為顆粒使器材污染。因此，需要蝕刻過程來去除比如各種薄層和光致抗蝕劑等殘留在晶片底部表面上的不必要的雜質(zhì)層。
蝕刻基材底部表面用的基材處理設(shè)備包括向旋轉(zhuǎn)晶片的底部表面噴射化學(xué)品溶液的噴頭。這種噴頭包括設(shè)置在晶片下部中心區(qū)域的主體和從該主體向晶片邊緣區(qū)域延伸的噴射部件。在噴射部件上形成有多個(gè)噴孔。化學(xué)品溶液經(jīng)這些噴孔噴射到晶片底部表面。由于晶片的旋轉(zhuǎn)，噴射到晶片底部表面的化學(xué)品溶液流向晶片邊緣區(qū)域，從而去除殘留在晶片底部表面上的雜質(zhì)。
然而，常規(guī)的基材處理設(shè)備具有以下問題。
供應(yīng)到噴射部件的化學(xué)品溶液從相應(yīng)于晶片中心區(qū)域的噴射部件內(nèi)部流向相應(yīng)于晶片邊緣區(qū)域的噴射部件外部?；瘜W(xué)品溶液首先經(jīng)形成于噴射部件內(nèi)部的噴孔噴射，然后經(jīng)形成于噴射部件外部的噴孔噴射。
當(dāng)噴孔遠(yuǎn)離晶片中心區(qū)域時(shí)，因?yàn)榛瘜W(xué)品溶液經(jīng)噴孔噴射，所以內(nèi)部壓力下降。因此，由于壓力下降，很難精確控制在形成于噴射部件外部的噴孔所噴射的化學(xué)品溶液的流動(dòng)和噴射壓力。此外，雖然未處理面積從晶片中心區(qū)域進(jìn)一步逐漸增加，但是精確控制流動(dòng)和噴射壓力并不困難。因此，形成在晶片邊緣區(qū)域的雜質(zhì)層不能令人滿意地被蝕刻，于是晶片底部表面的蝕刻均勻性降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠充分蝕刻晶片邊緣區(qū)域的噴頭。
本發(fā)明還提供一種能夠均勻蝕刻晶片底部表面的噴頭。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于向所述基材的底部表面噴射流體的基材處理設(shè)備。這種基材處理設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)頭，所述旋轉(zhuǎn)頭支撐基材；噴頭，所述噴頭安裝在所述旋轉(zhuǎn)頭上并用于向支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的底部表面供應(yīng)流體；以及流體供應(yīng)單元，所述流體供應(yīng)單元向所述噴頭供應(yīng)流體。所述噴頭包括主體，所述主體設(shè)置在支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的中心區(qū)域下面并用于從所述流體供應(yīng)單元接收流體；以及噴射部件，所述噴射部件從所述主體延伸到支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的邊緣區(qū)域并用于向所述基材的底部表面噴射由所述主體供應(yīng)的流體。所述噴射部件具有第一噴孔、第二噴孔和流動(dòng)通道，所述第一噴孔向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體，所述第二噴孔向位于所述中心區(qū)域與所述邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域噴射流體，流體經(jīng)所述流動(dòng)通道供應(yīng)到所述第一噴孔，然后供應(yīng)到所述第二噴孔。
在一些實(shí)施例中，所述噴射部件包括第一流動(dòng)通道和第二流動(dòng)通道，所述第一流動(dòng)通道使流體從與所述主體連接的所述噴射部件的一端流向所述噴射部件的另一端，所述第二流動(dòng)通道從所述第一流動(dòng)通道延伸并使流體從所述噴射部件的另一端流向所述噴射部件的一端，所述第二噴孔形成在所述第二流動(dòng)通道上。
在另外的實(shí)施例中，所述第一噴孔形成在所述第一流動(dòng)通道上。所述第一流動(dòng)通道與所述第二流動(dòng)通道平行設(shè)置。此外，所述流動(dòng)通道呈“U”形。所述第一噴孔之間的間距比所述第二噴孔之間的間距窄。從所述基材的中心區(qū)域向遠(yuǎn)端方向傾斜地形成所述第一噴孔。傾斜地形成所述第一噴孔，使得所述第一噴孔的各頂端部分朝向所述基材的邊緣區(qū)域。
在另外的實(shí)施例中，所述主體包括氣體噴孔，所述氣體噴孔向所述基材的中心區(qū)域噴射氣體，從而有助于從所述噴射部件噴射的流體流向所述基材的邊緣區(qū)域。此外，所述噴射部件包括向所述基材的中心區(qū)域噴射流體的第三噴孔。朝所述基材的中心傾斜地形成所述第三噴孔。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，噴頭包括供應(yīng)流體的主體；以及噴射部件，所述噴射部件從所述主體延伸并用于噴射由所述主體供應(yīng)的流體。所述噴射部件具有第一流動(dòng)通道、第二流動(dòng)通道和噴孔，所述第一流動(dòng)通道使流體從與所述主體連接的所述噴射部件的一端流向所述噴射部件的另一端，所述第二流動(dòng)通道從所述第一流動(dòng)通道延伸并使流體從所述噴射部件的另一端流向所述噴射部件的一端，并且流體經(jīng)所述噴孔噴射，使得在所述噴射部件兩端之間區(qū)域上的噴孔噴射流體之前，在所述噴射部件的另一端區(qū)域上的噴孔噴射流體。
在一些實(shí)施例中，所述第一流動(dòng)通道具有在所述噴射部件另一端區(qū)域噴射流體的第一噴孔，所述第二流動(dòng)通道具有在所述噴射部件一端與另一端之間的區(qū)域噴射流體的第二噴孔。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，基材處理方法包括從與所述基材的中心區(qū)域相應(yīng)的位置向基材下面設(shè)置的噴射部件供應(yīng)流體，以及在使用所述噴射部件向所述基材的中心區(qū)域與邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域噴射流體之前，向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體。
在一些實(shí)施例中，在向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體之前，向所述基材的中心區(qū)域噴射流體。這種方法還包括向所述基材的中心區(qū)域噴射氣體，從而有助于從所述噴射部件噴射的化學(xué)品溶液流向所述基材的邊緣區(qū)域。


附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，本說明書包括這些附圖并且它們構(gòu)成本說明書的一部分。這些附圖顯示了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是本發(fā)明基材處理設(shè)備的局部剖切的立體圖；圖2是圖1所示的基材處理設(shè)備的俯視圖；圖3是圖1所示的基材處理設(shè)備的正面投影視圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例的噴頭的投影視圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例的噴射部件的俯視投影視圖；圖6A-圖6C是正面投影視圖，闡明使用本發(fā)明實(shí)施例的噴頭的基材處理方法；以及圖7是曲線圖，闡明使用本發(fā)明實(shí)施例的噴頭處理基材的結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合圖1-圖7，更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明限制于在此描述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例將使本發(fā)明內(nèi)容清楚、完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分表達(dá)本發(fā)明的范圍。
在下文中，雖然以晶片W作為基材的例子描述本發(fā)明，但是本發(fā)明可應(yīng)用于除晶片W以外的各種基材。
圖1是本發(fā)明基材處理設(shè)備10的局部剖切的立體圖，圖2是圖1所示的基材處理設(shè)備的俯視圖。圖3是圖1所示的基材處理設(shè)備的正面投影視圖。
本發(fā)明的基材處理設(shè)備10在基材底部表面上進(jìn)行均勻蝕刻處理，并且其包括旋轉(zhuǎn)頭100、旋轉(zhuǎn)軸200、驅(qū)動(dòng)單元300和噴頭400。
呈圓盤形狀的旋轉(zhuǎn)頭100在支撐晶片W的狀態(tài)下使晶片W旋轉(zhuǎn)。在旋轉(zhuǎn)頭100上安裝許多用于支撐晶片W底部表面的支撐銷120和許多用于支撐晶片W側(cè)面的卡盤銷110。晶片W位于支撐銷120上，然后在使晶片W旋轉(zhuǎn)之前使卡盤銷110旋轉(zhuǎn)。當(dāng)卡盤銷旋轉(zhuǎn)時(shí)，卡盤銷110布置和固定晶片W的位置。因此，當(dāng)旋轉(zhuǎn)頭100旋轉(zhuǎn)時(shí)，卡盤銷110可以防止晶片W與旋轉(zhuǎn)頭100分離。
下面將要描述的驅(qū)動(dòng)單元300使與旋轉(zhuǎn)頭100連接的旋轉(zhuǎn)軸200旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)軸200的上端與旋轉(zhuǎn)頭100連接，旋轉(zhuǎn)軸200的下端與驅(qū)動(dòng)單元300連接。旋轉(zhuǎn)軸200將驅(qū)動(dòng)單元300的扭矩傳輸?shù)叫D(zhuǎn)頭100。
呈空心軸形狀的旋轉(zhuǎn)軸200包括沖洗溶液供應(yīng)管線442、氣體供應(yīng)管線444和清潔溶液供應(yīng)管線446。將在下面描述管線442、444和446。
驅(qū)動(dòng)單元300包括驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)310、驅(qū)動(dòng)滑輪320和皮帶330。通過外部電源施加的電力，驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)310產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力。與驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)310連接的驅(qū)動(dòng)滑輪320通過皮帶330與旋轉(zhuǎn)軸200連接。驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)310產(chǎn)生的扭矩通過皮帶330傳輸?shù)叫D(zhuǎn)軸200?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)軸200的內(nèi)外徑比來調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)軸200的旋轉(zhuǎn)速度。
基材處理設(shè)備10還包括容器500。容器500防止了因旋轉(zhuǎn)頭100的旋轉(zhuǎn)而使清潔溶液從晶片W散射到外部。因?yàn)樗嵝匀芤河米髑鍧嵢芤?，所以容?00安裝在旋轉(zhuǎn)頭100周圍以保護(hù)外圍裝置。容器500的上端具有放入和取出晶片W的開口，并且設(shè)置容器500使其圍住旋轉(zhuǎn)頭100。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例的噴頭400的投影視圖。
噴頭400安裝在旋轉(zhuǎn)頭100上，并向晶片W的底部表面供應(yīng)流體。如上所述，需要蝕刻過程去除比如各種薄層和光致抗蝕劑等殘留在晶片W的底部表面上的不必要的雜質(zhì)層。旋轉(zhuǎn)頭100向晶片W的底部表面供應(yīng)流體以蝕刻不必要的雜質(zhì)層。
噴頭400包括設(shè)置在晶片W的底部表面的中心區(qū)域下面的主體410、從主體410沿著徑向延伸的第一噴射部件420和從主體410沿著與第一噴射部件420相反的方向延伸的第二噴射部件430。
呈圓盤形狀的主體與沖洗溶液供應(yīng)管線442、氣體供應(yīng)管線444和清潔溶液供應(yīng)管線446連接。因此，沖洗溶液經(jīng)沖洗溶液供應(yīng)管線442供應(yīng)到主體410。氣體經(jīng)氣體供應(yīng)管線444供應(yīng)到主體410。清潔溶液經(jīng)清潔溶液供應(yīng)管線446供應(yīng)到主體410。
在主體410的中心形成有氣體噴孔412。從氣體供應(yīng)管線444供應(yīng)的氣體經(jīng)氣體噴孔412噴射到晶片W的底部表面的中心區(qū)域，從而有助于噴射到晶片W底部表面的清潔溶液平穩(wěn)地流向晶片W的邊緣區(qū)域。優(yōu)選的是，所述氣體使用不活潑氣體，比如氮?dú)狻?br> 圖5是本發(fā)明實(shí)施例的第一噴射部件420的俯視投影視圖。
第一噴射部件420向晶片W的底部表面噴射清潔溶液。清潔溶液用于分離殘留在晶片W的底部表面上的雜質(zhì)層。氫氟酸溶液可以用作清潔溶液。盡管清潔溶液用作本實(shí)施例中的處理溶液，但是本發(fā)明不限于清潔溶液，并且除了清潔溶液以外還可以使用各種化學(xué)品溶液和處理氣體。
在第一噴射部件420的內(nèi)部形成清潔溶液流動(dòng)通道428，經(jīng)清潔溶液供應(yīng)管線446供應(yīng)的清潔溶液經(jīng)過該清潔溶液流動(dòng)通道流動(dòng)。清潔溶液流動(dòng)通道428具有第一流動(dòng)通道428a和第二流動(dòng)通道428b，其中在第一流動(dòng)通道428a中清潔溶液從與主體410連接的第一噴射部件420的一端流向第一噴射部件420的另一端，在第二流動(dòng)通道428b中清潔溶液從第一噴射部件420的另一端流向第一噴射部件420的一端。
參見圖5，呈“U”形的第一流動(dòng)通道428a和第二流動(dòng)通道428b分別沿著與噴頭400上面放置的晶片W相平行的方向設(shè)置。此外，第一流動(dòng)通道428a與第二流動(dòng)通道428b相通。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一流動(dòng)通道428a和第二流動(dòng)通道428b可以單獨(dú)地沿著垂直方向設(shè)置，也就是沿著晶片W的縱向方向設(shè)置。
清潔溶液供應(yīng)管線446與第一流動(dòng)通道428a連接，并且經(jīng)清潔溶液供應(yīng)管線446向第一流動(dòng)通道428a供應(yīng)清潔溶液。供應(yīng)到第一流動(dòng)通道428a的清潔溶液沿著第一流動(dòng)通道428a流向第二流動(dòng)通道428b。
參見圖5，在第一噴射部件420的上部表面上形成有第一噴孔422、第二噴孔424和第三噴孔426。晶片W可以分為邊緣區(qū)域(以下稱為“區(qū)域A”)、中心區(qū)域(以下稱為“區(qū)域C”)和在邊緣區(qū)域與中心區(qū)域之間限定的中間區(qū)域(以下稱為“區(qū)域B”)。這里，清潔溶液經(jīng)第一噴孔422噴射到區(qū)域A上，經(jīng)第二噴孔424噴射到區(qū)域B上，經(jīng)第三噴孔426噴射到區(qū)域C上。
區(qū)域A、區(qū)域B和區(qū)域C的大小分別由第一噴孔422、第二噴孔424和第三噴孔426的布置決定。第一噴孔422、第二噴孔424和第三噴孔426的布置可以由清潔過程的均勻性決定。
此時(shí)，在第一流動(dòng)通道428a上形成第一噴孔422和第三噴孔426，在第二流動(dòng)通道428b上形成第二噴孔424。因此，當(dāng)清潔溶液經(jīng)清潔溶液供應(yīng)管線446供應(yīng)到第一流動(dòng)通道428a時(shí)，供應(yīng)的清潔溶液沿著第一流動(dòng)通道428a流動(dòng)，并且首先在第三噴孔426噴射，然后在第一噴孔422噴射。當(dāng)清潔溶液供應(yīng)到第二流動(dòng)通道428b時(shí)，清潔溶液最后在第二噴孔424噴射。
然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一噴孔422、第二噴孔424和第三噴孔426的位置可以稍微變化。在本發(fā)明的實(shí)施例中，清潔溶液供應(yīng)到區(qū)域A，然后供應(yīng)到區(qū)域B。因此，可以在第二流動(dòng)通道428a上形成第三噴孔426，也可以在第二流動(dòng)通道428a上形成第一噴孔422。盡管改變了第一噴孔422和第三噴孔426的位置，但是也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。下面將進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
參見圖3，由于支撐銷120的存在，第一噴射部件420不可能延伸到與晶片W的半徑相應(yīng)的長度。因此，清潔溶液難以供應(yīng)到區(qū)域A的端部。此外，在主體410的中心形成氣體噴孔412。主體410的中心相應(yīng)于晶片W的中心。第三噴孔426從主體410的中心偏置預(yù)定距離。因此，清潔溶液難以供應(yīng)到晶片W的中心區(qū)域。
因此，如圖4所示，朝遠(yuǎn)離晶片W中心的方向傾斜地形成第一噴孔422以向區(qū)域A供應(yīng)清潔溶液。此外，朝晶片W的中心方向傾斜地形成第三噴孔426以向晶片W的中心區(qū)域供應(yīng)清潔溶液。
此時(shí)，圓周長度與半徑成比例。因此，當(dāng)晶片旋轉(zhuǎn)完整的一圈時(shí)，噴孔離晶片W的中心越遠(yuǎn)，未處理面積增加越大。在單噴孔的未處理面積中，區(qū)域A的未處理面積大于區(qū)域B的未處理面積。因此，優(yōu)選的是，第一噴孔422的間距比第二噴孔424和第三噴孔426的間距更密。
第二噴射部件430向晶片W的底部表面噴射沖洗溶液。沖洗溶液用于去除使用清潔溶液而與晶片W的底部表面分離的雜質(zhì)。去離子水可以用作沖洗溶液。
在第二噴射部件430的內(nèi)部形成沖洗溶液流動(dòng)通道434，經(jīng)沖洗溶液供應(yīng)管線442供應(yīng)的沖洗溶液經(jīng)過該沖洗溶液流動(dòng)通道流動(dòng)。沖洗溶液流動(dòng)通道434沿著旋轉(zhuǎn)頭100的徑向從旋轉(zhuǎn)頭100的中心區(qū)域向旋轉(zhuǎn)頭100的邊緣區(qū)域延伸。
在第二噴射部件430的上部表面上形成有多個(gè)與沖洗溶液流動(dòng)通道434相通的沖洗溶液噴孔432。在本發(fā)明的實(shí)施例中，盡管沖洗溶液噴孔432設(shè)置成相互分開預(yù)定距離，但是在相應(yīng)于晶片W的邊緣區(qū)域的部分可以更密集地設(shè)置沖洗溶液噴孔432，因?yàn)榫琖的邊緣區(qū)域比晶片W的中心區(qū)域具有更大的將要使用沖洗溶液處理的面積。
沖洗溶液噴孔432包括向晶片W的邊緣區(qū)域供應(yīng)沖洗溶液的第一噴孔432a和向晶片W的中心區(qū)域供應(yīng)沖洗溶液的第二噴孔432b。
由于支撐銷120的存在，第二噴射部件430和第一噴射部件420不可能延伸到與晶片W的半徑相應(yīng)的長度。因此，向晶片W的邊緣區(qū)域供應(yīng)清潔溶液有些困難。此外，在主體410的中心形成氣體噴孔412。沖洗噴孔432從主體410的中心偏置預(yù)定距離。因此，向晶片W的中心區(qū)域供應(yīng)沖洗溶液有些困難。
參見圖4，朝遠(yuǎn)離晶片W中心的方向傾斜地形成第一噴孔432a以向晶片W的邊緣區(qū)域供應(yīng)沖洗溶液。此外，朝晶片W的中心方向傾斜地形成第二噴孔432b以向晶片W的中心區(qū)域供應(yīng)沖洗溶液。
如上所述，氣體供應(yīng)管線444與氣體噴孔412連接，沖洗溶液供應(yīng)管線442與沖洗溶液流動(dòng)通道434連接。此外，清潔溶液供應(yīng)管線446與清潔溶液流動(dòng)通道428連接。在沖洗溶液供應(yīng)管線442、氣體供應(yīng)管線444和清潔溶液供應(yīng)管線446上分別安裝沖洗溶液閥門442a、氣體閥門444a和清潔溶液閥門446a。在各管線的末端分別安裝沖洗溶液貯存器442b、氣體貯存器444b和清潔溶液貯存器446b。
圖6A-圖6C是正面投影視圖，闡明使用本發(fā)明實(shí)施例的噴頭400來處理晶片W的方法，圖7是曲線圖，闡明使用本發(fā)明實(shí)施例的噴頭400來處理晶片W的結(jié)果。
晶片W裝載在旋轉(zhuǎn)頭100上面。裝載的晶片W由支撐銷120支撐并由卡盤銷110固定。
接著，當(dāng)旋轉(zhuǎn)頭100使晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，向安裝在晶片W下面的噴頭400供應(yīng)清潔溶液和氣體。
供應(yīng)的氣體經(jīng)氣體噴孔412向晶片W的底部表面噴射，供應(yīng)的清潔溶液沿著第一流動(dòng)通道428a流動(dòng)。
沿著第一流動(dòng)通道428a流動(dòng)的清潔溶液首先經(jīng)在第一流動(dòng)通道428a上形成的第三噴孔426噴射，然后經(jīng)第一噴孔422噴射。沒有經(jīng)第一噴孔422和第三噴孔426噴射的清潔溶液流入第二流動(dòng)通道428b中，然后經(jīng)在第二流動(dòng)通道428b上形成的第二噴孔424噴射。此時(shí)，向晶片W的底部表面噴射的清潔溶液移動(dòng)到晶片W的邊緣區(qū)域，并且經(jīng)氣體噴孔412噴射的氣體促進(jìn)了清潔溶液的移動(dòng)。
清潔過程之后，將沖洗溶液經(jīng)沖洗溶液供應(yīng)管線446供應(yīng)到?jīng)_洗溶液流動(dòng)通道434，然后沖洗溶液去除殘留在晶片W的底部表面上的雜質(zhì)。
如上所述，經(jīng)清潔溶液供應(yīng)管線446供應(yīng)的清潔溶液經(jīng)形成在晶片W的邊緣區(qū)域下面的第一噴孔422噴射，從而在預(yù)定的噴射壓力下向晶片W的邊緣區(qū)域噴射足夠的清潔溶液。因此，可以在晶片W的整個(gè)底部表面上均勻地進(jìn)行清潔過程。
以上公開的主題被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，所附權(quán)利要求書意圖用來覆蓋所有落入本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神和范圍內(nèi)的修改、改進(jìn)以及其他實(shí)施例。因此，在法律允許的最大程度上，本發(fā)明的范圍將由所附權(quán)利要求書及其等同物所允許的最寬泛解釋來確定，而不應(yīng)受前述詳細(xì)說明的約束或限制。
權(quán)利要求
1.一種基材處理設(shè)備，包括可旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)頭，所述旋轉(zhuǎn)頭支撐基材；噴頭，所述噴頭安裝在所述旋轉(zhuǎn)頭上并用于向支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的底部表面供應(yīng)流體；以及流體供應(yīng)單元，所述流體供應(yīng)單元向所述噴頭供應(yīng)流體，其中所述噴頭包括主體，所述主體設(shè)置在支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的中心區(qū)域下面并用于從所述流體供應(yīng)單元接收流體；以及噴射部件，所述噴射部件從所述主體延伸到支撐在所述旋轉(zhuǎn)頭上的基材的邊緣區(qū)域并用于向所述基材的底部表面噴射由所述主體供應(yīng)的流體，所述噴射部件具有第一噴孔、第二噴孔和流動(dòng)通道，所述第一噴孔向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體，所述第二噴孔向位于所述中心區(qū)域與所述邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域噴射流體，流體經(jīng)所述流動(dòng)通道供應(yīng)到所述第一噴孔，然后供應(yīng)到所述第二噴孔。
2.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中所述噴射部件具有第一流動(dòng)通道和第二流動(dòng)通道，所述第一流動(dòng)通道使流體從與所述主體連接的所述噴射部件的一端流向所述噴射部件的另一端，所述第二流動(dòng)通道從所述第一流動(dòng)通道延伸并使流體從所述噴射部件的另一端流向所述噴射部件的一端，所述第二噴孔形成在所述第二流動(dòng)通道上。
3.如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述第一噴孔形成在所述第一流動(dòng)通道上。
4.如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述第一流動(dòng)通道與所述第二流動(dòng)通道平行設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中所述流動(dòng)通道呈“U”形。
6.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中所述第一噴孔之間的間距比所述第二噴孔之間的間距窄。
7.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中傾斜地形成所述第一噴孔，使得所述第一噴孔的各頂端部分朝向所述基材的邊緣區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中所述主體包括氣體噴孔，所述氣體噴孔向所述基材的中心區(qū)域噴射氣體，從而有助于從所述噴射部件噴射的流體流向所述基材的邊緣區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中所述噴射部件具有向所述基材的中心區(qū)域噴射流體的第三噴孔。
10.如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中傾斜地形成所述第三噴孔，使得所述第三噴孔的各頂端部分朝向所述基材的中心區(qū)域。
11.一種噴頭，包括供應(yīng)流體的主體；以及噴射部件，所述噴射部件從所述主體延伸并用于噴射由所述主體供應(yīng)的流體，其中所述噴射部件具有第一流動(dòng)通道、第二流動(dòng)通道和噴孔，所述第一流動(dòng)通道使流體從與所述主體連接的所述噴射部件的一端流向所述噴射部件的另一端，所述第二流動(dòng)通道從所述第一流動(dòng)通道延伸并使流體從所述噴射部件的另一端流向所述噴射部件的一端，并且流體經(jīng)所述噴孔噴射，使得在所述噴射部件兩端之間區(qū)域上的噴孔噴射流體之前，在所述噴射部件的另一端區(qū)域上的噴孔噴射流體。
12.如權(quán)利要求11所述的噴頭，其中所述第一流動(dòng)通道具有在所述噴射部件另一端區(qū)域噴射流體的第一噴孔，所述第二流動(dòng)通道具有在所述噴射部件一端與另一端之間的區(qū)域噴射流體的第二噴孔。
13.一種基材處理方法，包括在基材下面設(shè)置噴射部件，從與所述基材的中心區(qū)域相應(yīng)的所述噴射部件的一端向所述噴射部件供應(yīng)流體；以及在使用所述噴射部件向所述基材的中心區(qū)域與邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域噴射流體之前，向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在向所述基材的邊緣區(qū)域噴射流體之前，向所述基材的中心區(qū)域噴射流體。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括向所述基材的中心區(qū)域噴射氣體，從而有助于從所述噴射部件噴射的化學(xué)品溶液流向所述基材的邊緣區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供噴頭、基材處理設(shè)備以及使用它的基材處理方法。該基材處理設(shè)備包括支撐基材的可旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)頭；安裝在旋轉(zhuǎn)頭上并用于向支撐在旋轉(zhuǎn)頭上的基材的底部表面供應(yīng)流體的噴頭；以及向噴頭供應(yīng)流體的流體供應(yīng)單元。該噴頭包括設(shè)置在支撐在旋轉(zhuǎn)頭上的基材的中心區(qū)域下面并用于從流體供應(yīng)單元接收流體的主體；以及從主體延伸到支撐在旋轉(zhuǎn)頭上的基材的邊緣區(qū)域并用于向基材的底部表面噴射由主體供應(yīng)的流體的噴射部件，該噴射部件具有第一噴孔、第二噴孔和流動(dòng)通道，第一噴孔向基材的邊緣區(qū)域噴射流體，第二噴孔向位于中心區(qū)域與邊緣區(qū)域之間的中間區(qū)域噴射流體，流體經(jīng)流動(dòng)通道供應(yīng)到第一噴孔，然后供應(yīng)到第二噴孔。
文檔編號H01L21/67GK101079373SQ200710107589
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月25日
發(fā)明者金賢鐘, 安英基 申請人:細(xì)美事有限公司