專利名稱：一種薄膜太陽能電池的鍍膜涂裝用屏蔽、及使用該屏蔽的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于 一 種芯片鍍膜系統(tǒng)，特別是關(guān)于 一 種薄膜太陽 能電池的芯片鍍膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
工業(yè)革命的展開，促使人類生活方式發(fā)生改變，地球上各項(xiàng)資源 因被大量開釆而急遽減少，有部分資源經(jīng)轉(zhuǎn)化后，卻產(chǎn)生種種污染問 題，形成地球環(huán)境無形的殺手，甚而引發(fā)種種氣候異?，F(xiàn)象，因此， 各種減少使用后污染的替代性能源便應(yīng)運(yùn)發(fā)展。
太陽能因其用之不盡、取之不竭的特性，而成為注目的替代性能
源來源，太陽能電池的發(fā)展可回溯至1954年，當(dāng)時(shí)由貝爾實(shí)驗(yàn)室所發(fā) 展的太陽能電池系統(tǒng)希望能提供偏遠(yuǎn)地區(qū)供電系統(tǒng)所需的能源，但當(dāng) 時(shí)的太陽能電池卻只有6%的光電效率；目前太陽能電池的研發(fā)大致可 分為l.單晶硅、2.多晶硅、3.非晶硅、4.銅銦鎵二硒(Copper Indium Gallium Diselenide Solar Cells )、 5.鎘碲(Cadmium Telluride Solar Cells )， 隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，硅晶圓太陽能電池一躍成為市場(chǎng)主流，目 前實(shí)驗(yàn)室規(guī)模所制造的硅晶圓單一系統(tǒng)電池已可達(dá)25%的光電效率。
目前硅晶太陽能電池制造廠商亦稱太陽能電池為芯片(cell)，因太 陽能電池由多個(gè)芯片焊上箔條導(dǎo)線(焊帶)，再將許多焊好的芯片用箔條 串聯(lián)成組，再和乙烯-乙酸乙酯共聚物(Ethylene vinly acetate copolymer, EVA)、聚氟乙烯薄膜(Tedlar)與低鐵質(zhì)強(qiáng)化壓紋玻璃(白玻璃)層層疊疊， 同放入層壓機(jī)(Laminate)的機(jī)臺(tái)上做真空封裝，制成一太陽能模塊(亦 稱太陽能板)，將若干太陽能板組成方陣(array),接配上過充放保護(hù)控 制器(controller)及深(循環(huán))放電蓄電池(鉛鈣)以及逆轉(zhuǎn)變流器即成為太 陽能電力系統(tǒng)。
現(xiàn)行太陽能電池的制成由純化的二氧化硅在拉晶爐長(zhǎng)成晶柱后，經(jīng)修角成為四方柱形，該晶柱以切片機(jī)切割成厚度0.4-0.5毫米的薄片， 該薄片再以化學(xué)方法或光成為約0.3毫米的薄片，以清水洗凈該薄片 后，以擴(kuò)散爐將該薄片兩面分別鍍膜形成n型及p型，并印刷以電路 路線，即可成為一商業(yè)用芯片，此外亦可以光刻及坩鍋蒸鍍式制造抗 反射層與表面的輸出導(dǎo)線取代前述的電路印刷方法，并加以其它特殊 技術(shù)，便可提高太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換功率。
中國(guó)臺(tái)灣第465120專利公告號(hào)，專利名稱r太陽能薄膜電池制造 方法」，其中提供了 一種太陽能電池Cu oc (InxGal-x) P (SeySl-y) y薄膜 的制造方法，簡(jiǎn)化了一般薄膜生成的程序，并可提供高品質(zhì)的薄膜芯 片，但是此類芯片為提高供電效率，往往會(huì)在芯片的電極層進(jìn)行切割 形成一條狀串接模式，但所使用的切割法多為利用不同波長(zhǎng)雷射進(jìn)行 不同層面切割，或是利用機(jī)械力將鍍膜層劃破，不但手續(xù)繁雜，也容 易產(chǎn)生微細(xì)粉塵影響芯片良率。
綜上所述，目前采用的習(xí)知方式都仍有待改善之處，本發(fā)明的發(fā) 明人有鑒于上述習(xí)知芯片鍍膜涂裝方法的各項(xiàng)缺失，乃亟思改良而創(chuàng) 作出一種制成步驟簡(jiǎn)單且易于操作的芯片鍍膜涂裝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種薄膜太陽能電池的鍍膜涂裝系統(tǒng)， 可簡(jiǎn)化現(xiàn)有芯片鍍膜、蝕刻的時(shí)程；包括 一屏蔽，由一中空框架及 復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件所組成；及一基板鍍膜涂裝裝置；當(dāng)在太陽能電池芯片 (cell)鍍膜涂裝時(shí)，藉由在欲進(jìn)行鍍膜的一基板上設(shè)立該屏蔽以簡(jiǎn)化薄 膜太陽能電池芯片制程中鍍膜及蝕刻的程序，該程序包括下列步驟 步驟A:設(shè)置一基板；步驟B:在該基板上加設(shè)一遮蔽物；步驟C:進(jìn) 行該基板的鍍膜涂裝；及步驟D:移除該遮蔽物，形成一具有復(fù)數(shù)個(gè) 相鄰鍍膜區(qū)的基板。
本發(fā)明的另 一 目的為提供一種可應(yīng)用于全真空制程的芯片鍍膜涂 裝用屏蔽，即于真空中分離開屏蔽與基板，便能使基板不破真空而繼 續(xù)進(jìn)行下一道真空制程，該屏蔽包括一中空框架；及裝設(shè)于該框架中空區(qū)域上的復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件。
其中，該框架可為四邊形。
其中，該遮蔽件可為一金屬細(xì)弦。
其中，該遮蔽件可為一垂直版金的薄金屬片。
其中，該遮蔽件可為一水平版金的薄金屬片。
其中，該遮蔽件可為長(zhǎng)條狀。
其中，該遮蔽件可為網(wǎng)狀。
其中，該遮蔽件的切面可為一圓形。
其中，該遮蔽件可為非直線狀。
本發(fā)明的又一目的為提供一種薄膜太陽能電池的鍍膜涂裝方法， 該方法在芯片鍍膜涂裝時(shí)，藉由在欲進(jìn)行鍍膜的 一基板上設(shè)立該屏蔽 以筒化薄膜太陽能電池芯片制程中鍍膜及蝕刻的程序，該程序包括下
列步驟
步驟A:設(shè)置一基板；
步驟B:在該基板上加設(shè)該遮罩；
步驟C:進(jìn)行該基板的鍍膜涂裝；及
步驟D:移除該遮蔽物，形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰鍍膜區(qū)的基板。 藉由本發(fā)明可簡(jiǎn)化太陽能電池芯片制作中的鍍膜及蝕刻步驟，大 大簡(jiǎn)化了現(xiàn)有的刻劃設(shè)備的支出與全程制造的時(shí)程，為使熟悉該項(xiàng)技 藝人士了解本創(chuàng)作的目的、特征及功效，茲藉由下述具體實(shí)施例，并 配合所附的圖式，對(duì)本創(chuàng)作詳加說明，說明如后。


圖1為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的實(shí)施方式立體
圖2為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施
例平面圖3為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施 例狀態(tài)示意圖；圖4為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施 例完成圖5為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第二較佳實(shí)施 例圖；及
圖6為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第三較佳實(shí)施 例圖。
圖號(hào)說明
l屏蔽 11框架
12遮蔽件 2基板拖盤
A基板 B薄膜
具體實(shí)施例方式
以下將參照相關(guān)圖標(biāo)，說明依本發(fā)明的較佳實(shí)施例，說明中提及 的符號(hào)參照?qǐng)D標(biāo)符號(hào)，為便于理解，相同的組件將以相同的參照符號(hào) 力口以i兌明。
圖1為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的實(shí)施方式立體 圖，本發(fā)明包括一屏蔽1及一基板鍍膜涂裝裝置，其中該屏蔽1由一 中空框架11及復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件12所組成，該框架11由一平板挖空內(nèi)部 所組成，該挖空處可為一四邊形，并架設(shè)該遮蔽件12,該遮蔽件12可 為一金屬細(xì)弦，利用張力調(diào)整組裝且相互平行排列。
本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝實(shí)施方式利用該屏蔽1調(diào)整一 基板A上鍍膜的區(qū)域，當(dāng)鍍膜過程進(jìn)行時(shí)，先將該基板A放置于一基 板托盤2上，再將該屏蔽l固定于該基板A上方，使該基板A上受到 該遮蔽件12遮擋的區(qū)域，便不會(huì)產(chǎn)生薄膜，鍍膜完成后該基板A的薄 膜具有如蝕刻效果般的區(qū)隔，因而使該基板A上具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰的鍍 膜區(qū)。
本發(fā)明有別于以往先將一整塊基板鍍膜后，再利用雷射或機(jī)械方 法刻畫不同鍍膜層的繁瑣程序，本發(fā)明的太陽能電池鍍膜涂裝的統(tǒng)可 將鍍膜及蝕刻程序于同一步驟同時(shí)進(jìn)行，且該屏蔽1體積與該基板A近似，具有輕巧的優(yōu)點(diǎn)，可使整體程序于全真空狀態(tài)下完成，不需另
行搬移破真空，可減少大氣粉塵附著于該基板A的機(jī)率。
圖2為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施 例平面圖，本發(fā)明的實(shí)施方式先將一屏蔽1固定于一欲鍍膜涂裝的基 板A上，該屏蔽1為一四邊形平板狀裝置，中心挖空成為與該基板A 近似的大小區(qū)域，該屏蔽1的外圍則形成一框架11,該框架可鑲設(shè)復(fù) 凄t個(gè)遮蔽件12，該遮蔽件12為長(zhǎng)條狀，另外，該遮蔽件12亦可為非 直線形或網(wǎng)狀(未圖標(biāo))。
本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝實(shí)施方式利用該屏蔽1調(diào)整一 基板A上鍍膜的區(qū)域，當(dāng)鍍膜過程進(jìn)行時(shí)，先將該基板A放置于一基 板托盤2上，再將該屏蔽l固定于該基板A上方，使該基板A上受到 該遮蔽件12遮擋的區(qū)域，便不會(huì)產(chǎn)生薄膜，鍍膜完成后該基板A的薄 膜具有如蝕刻效果般的區(qū)隔，因而使該基板A上具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰的鍍 膜區(qū)。
圖3為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施 例狀態(tài)示意圖，本發(fā)明利用一遮蔽件12在欲鍍膜的該基板A上形成一 阻擋空間，使鍍膜時(shí)，該薄膜B會(huì)生長(zhǎng)于該遮蔽件12表面及未受該遮 蔽件12遮文件的區(qū)域，本發(fā)明所使用的該遮蔽件12可為一長(zhǎng)條狀金 屬細(xì)弦，具有一圓形切面，相互平行排列，使該基板A上會(huì)產(chǎn)生復(fù)數(shù) 個(gè)相鄰的鍍膜區(qū)。
圖4為本發(fā)明的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第一較佳實(shí)施 例完成圖，利用本發(fā)明的太陽能電池鍍膜涂裝裝置為一屏蔽l，該屏蔽 1具有一方形框架11及復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件12,該遮蔽件12為一直條狀金 屬細(xì)弦，以張力調(diào)整組裝于該框架12，鍍膜時(shí)該屏蔽l固定于該基板 A上方，完成鍍膜后的該基板A受到該遮蔽件12遮擋的區(qū)域薄膜無法 生成，未受到該遮蔽件12遮擋的區(qū)域則可產(chǎn)生薄膜B，使該基板A上 具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰的鍍膜區(qū)。
此外，本發(fā)明的屏蔽1由一中空框架11及復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件12所組 成，其中，如圖5所示，說明薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第二較佳實(shí)施例圖，該遮蔽件12可為一垂直版金的薄金屬片，另，請(qǐng)參考 圖6,說明薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽的第三較佳實(shí)施例圖，其中， 該遮蔽件12為一水平版金的薄金屬片。
藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本創(chuàng)作的 特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本創(chuàng)作的范 疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安 排于本創(chuàng)作所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)，包括一屏蔽，由一中空框架及復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件所組成及一基板鍍膜涂裝裝置在芯片鍍膜涂裝時(shí)，藉由在欲進(jìn)行鍍膜的一基板上設(shè)立該屏蔽以簡(jiǎn)化薄膜太陽能電池芯片制程中鍍膜及蝕刻的程序，該程序包括下列步驟步驟A設(shè)置一基板；步驟B在該基板上加設(shè)一遮蔽物；步驟C進(jìn)行該基板的鍍膜涂裝；及步驟D移除該遮蔽物，形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰鍍膜區(qū)的基板。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該屏蔽可使用于全真空狀態(tài)。
3、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該框架可為四邊形。
4、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件可為 一 金屬細(xì)弦。
5、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件可為一垂直版金的薄金屬片。
6、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件可為一水平版金的薄金屬片。
7、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件可為長(zhǎng)條狀。
8、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件可為網(wǎng)狀。
9、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)， 其中該遮蔽件的切面可為 一 圓形。
10、 如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)，所述的屏蔽 所述的屏蔽 所述的屏蔽其中該框架可為四邊 其中該遮蔽件可為一 其中該遮蔽件可為一 其中該遮蔽件可為一所述的屏蔽，其中該遮蔽件可為長(zhǎng)其中該遮蔽件可為非直線狀。
11、 一種薄膜太陽能電池鍍膜涂裝用屏蔽，包括一框架，為一中空框架；及 復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件，裝設(shè)于該框架中空區(qū)域上。
12、 如權(quán)利要求11所述的屏蔽形。
13、 如權(quán)利要求11 金屬細(xì)弦。
14、 如權(quán)利要求11 垂直版金的薄金屬片。
15、 如權(quán)利要求11 水平版金的薄金屬片。
16、 如權(quán)利要求11 條狀。
17、 如權(quán)利要求11狀。
18、 如權(quán)利要求11 可為一圓形。
19、 如權(quán)利要求11 直線狀。
20、 一種薄膜太陽能電池鍍膜涂裝方法，其特征為藉由 在欲進(jìn)行鍍膜的 一基板上設(shè)立 一屏蔽以簡(jiǎn)化芯片制程中鍍 膜及蝕刻的程序，包括下列步驟步驟A:設(shè)置一基板； 步驟B:在該基板上加設(shè)該遮罩； 步驟C:進(jìn)行該基板的鍍膜涂裝；及 步驟D:移除該屏蔽，形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰鍍膜區(qū)的 基板。所述的屏蔽 所述的屏蔽其中該遮蔽件可為網(wǎng)其中該遮蔽件的切面所述的屏蔽，其中該遮蔽件可為非
全文摘要
本發(fā)明一種薄膜太陽能電池鍍膜涂裝系統(tǒng)，包括一屏蔽，由一中空框架及復(fù)數(shù)個(gè)遮蔽件所組成；及一基板鍍膜涂裝裝置在芯片鍍膜涂裝時(shí)，藉由在欲進(jìn)行鍍膜的一基板上設(shè)立該屏蔽以簡(jiǎn)化薄膜太陽能電池芯片制程中鍍膜及蝕刻的程序，該程序包括下列步驟步驟A設(shè)置一基板；步驟B在該基板上加設(shè)一遮蔽物；步驟C進(jìn)行該基板的鍍膜涂裝；及步驟D移除該遮蔽物，形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)相鄰鍍膜區(qū)的基板。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101315956SQ20071010606
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者彭光中 申請(qǐng)人:鈺衡科技股份有限公司