專利名稱：用于繞嵌在電路中的部件構(gòu)造電磁干擾屏蔽的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的前序的用于繞待嵌在電路板中的部件構(gòu)造電磁干擾(EMI)屏蔽的方法。本發(fā)明也涉及根據(jù)權(quán)利要求15的前序的電路板。
專利出版物US 6,388,205 B1公開了使用一體的金屬屏蔽部分或完全嵌在電路板內(nèi)的電路，其中所述金屬屏蔽從所有側(cè)圍繞電路板，并且除了該電路板連接至另一電路板的點之外無開口。
專利申請出版物US 2003/01889 A1公開了一種電路板，其中信號導(dǎo)體由幾個導(dǎo)電開口圍繞，所述開口用導(dǎo)電層鍍覆。因此，與統(tǒng)一的構(gòu)造相比，所述構(gòu)造是更耐久和更靈活的，并且制造也是廉價和快速的。
專利申請出版物WO 03/065778公開了一種嵌在電路板中的半導(dǎo)體部件，所述電路板用在基體的至少一側(cè)上的絕緣層覆蓋，且其中為所述部件制造的孔的側(cè)壁用導(dǎo)電材料鍍覆。
國際專利申請出版物WO 00/14771和WO 00/16443公開了一種用于在電路板中形成EMI屏蔽導(dǎo)體槽的方法，其中該導(dǎo)體槽嵌在兩個傳導(dǎo)層之間的絕緣中，并且由以導(dǎo)電方式排列的溝橫向屏蔽，從而它們形成共軸線。
專利出版物US 6,131,269公開了其中部件嵌在介電基板上的模塊的構(gòu)造，其中金屬層在介電基板下面。在通過介電基板一直延伸到金屬層的部件之間安裝金屬隔離壁。所述部件在所述模塊構(gòu)造中嵌入該介電基板。
專利出版物US 5,987,732公開了多層集成的微波組件的構(gòu)造。光阻層沉積在基板上，并且有選擇地去除光阻層的部分和涂覆第一傳導(dǎo)層。去除光阻層的第二部分，留下隔離壁和空腔。電氣部件被放在空腔中，且第一介電層填充空腔。在所述層上施加第二傳導(dǎo)層，去除所述第二傳導(dǎo)層的部分。從傳導(dǎo)層通過介電層到其它傳導(dǎo)層建立電連接。將液體材料、在250℃固化的聚酰亞胺用作第一介電層。
專利出版物JP 2000183488公開了一種電路板，其中所述部件裝配至凹槽，金屬膜形成在凹槽的壁上。不存在繞所述部件的絕緣材料。
專利出版物JP 2002-16-16 327公開了嵌在鉆在基體中的孔中的部件，其中傳導(dǎo)材料在孔的側(cè)壁上產(chǎn)生。
本發(fā)明目的在于在電路板內(nèi)產(chǎn)生EMI屏蔽結(jié)構(gòu)，使得有源部件、電路、或模塊可嵌在電路板中。
本發(fā)明基于如下思想繞其中嵌入部件的位置在電路板中形成大體圍繞部件的凹槽，且凹槽用導(dǎo)電材料形成表面或用導(dǎo)電材料填充，使得形成表面的或填充的凹槽繞部件形成框架，所述框架至少將到達(dá)電路板側(cè)面的電磁輻射與部件屏蔽開。使部件和框架彼此絕緣的絕緣層優(yōu)選形成在框架和部件的嵌入開口之間。
更具體地，根據(jù)本發(fā)明的方法的特征在于在權(quán)利要求1的特征部分中描述的方法。
進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造的特征在于在權(quán)利要求15的特征部分中描述的構(gòu)造。
利用本發(fā)明獲得相當(dāng)多的優(yōu)點。本發(fā)明允許繞正在嵌入的部件構(gòu)造在電路板內(nèi)的EMI屏蔽。該構(gòu)造類似于金屬屏蔽殼體，但是在這種情形下，部件通過在電路板內(nèi)形成的導(dǎo)電框架屏蔽，該框架由金屬、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電粘合劑、或阻擋電子輻射的某一其它材料制成。凹槽延伸到表示接地參考平面的電路板的傳導(dǎo)層，從而使材料與接地參考平面電接觸。
在電路板內(nèi)形成屏蔽EMI結(jié)構(gòu)允許待嵌入而無殼體的有源或無源部件、電路、或模塊靈敏，因為內(nèi)部EMI屏蔽保護部件免受外部干涉信號和來自電路板內(nèi)的信號的影響。
也通過屏蔽結(jié)構(gòu)的形狀可在結(jié)構(gòu)的制造期間改變的事實了增加該結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。如果想要，屏蔽結(jié)構(gòu)可被構(gòu)造為從各個側(cè)無開口地或以屏蔽件在某一側(cè)上開口的方式(然而，盡管它大體上圍繞部件)圍繞正嵌在電路板中的部件。在一些實施例中，該結(jié)構(gòu)也具有下述優(yōu)點凹槽也可用柔性、半透明的、和/或透明的導(dǎo)電材料表面化或填充。
該結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步的優(yōu)點是，該部件可在電路板的構(gòu)造期間的任何階段或之后嵌到電路板，這具有使得該部件不暴露于對于該部件不適合的環(huán)境(例如，高溫和高壓等)的優(yōu)點。
通過選擇電路板和屏蔽結(jié)構(gòu)的材料使它們互補，從而它們一起提供具有例如柔性、透明、或某一其它的理想屬性的電路板，可使電路板具有新屬性，從而允許擴展它們的可能應(yīng)用范圍。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例相對于其中嵌入孔的框架用金屬鍍覆的解決方法具有優(yōu)點，因為，根據(jù)實施例，部件與EMI屏蔽的隔離在這些實施例中得到更好的保證，所以傳導(dǎo)材料不需要進(jìn)入該部件的安裝孔，以制造EMI屏蔽。另外，在對EMI屏蔽件的傳導(dǎo)材料的選擇上存在較大的自由。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例相對于專利出版物US 6,388,205 B1中公開的解決方法也具有優(yōu)點。在該專利出版物的解決方法中，必須結(jié)合電路板的各層的制造制造EMI屏蔽件，從而實際上電路板的傳導(dǎo)材料必須被選擇為EMI屏蔽件的材料。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，EMI屏蔽件構(gòu)造在完成的或半完成的電路板中。
在專利出版物WO 14771和WO 16443中公開的解決方法中，使用導(dǎo)電材料鍍覆的長溝在電路板的橫向屏蔽導(dǎo)體槽，這使電路板具有剛性結(jié)構(gòu)，并且減少了其耐用性。
專利申請出版物US 2003/018889 A1公開了通過從在分離的孔而不是連續(xù)的壁中形成的導(dǎo)體形成EMI屏蔽件獲得的相當(dāng)多的優(yōu)點。在該US專利申請中公開的結(jié)構(gòu)的制造廉價且快。另外，分離的導(dǎo)體沒有減少電路板的機械耐用性，也與連續(xù)壁相同沒有減少板的柔性。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，例如傳導(dǎo)聚合物和導(dǎo)電粘合劑等柔性材料用于代替金屬制造屏蔽結(jié)構(gòu)，從而保持了電路板的柔性，而不犧牲耐用性。使用傳導(dǎo)聚合物和導(dǎo)電粘合劑，電路板也可獲得其它有利的特性，例如透明性等。連續(xù)槽也容易用聚合物填充。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，與根據(jù)US專利申請出版物的解決方法中必須完成的相同，不需要分開設(shè)計孔的位置。
本發(fā)明具有許多優(yōu)選實施例。使用根據(jù)本發(fā)明的方法，可能將有源或無源部件、或?qū)MI靈敏的結(jié)構(gòu)整體嵌在電路板中。例如，RF電路可借助于這些實施例被埋入。
本結(jié)構(gòu)特別適于將光電部件嵌到電路板。與US 6,131,269中相同，在其中部件在電路板的構(gòu)造期間嵌到絕緣層的用于構(gòu)造電路板的方法中，該部件應(yīng)抵抗在預(yù)固化和熱壓縮期間使用的高溫和高壓。在本發(fā)明中，此后，該部件嵌到多層電路板，從而該部件未暴露于電路板的制造期間需要的條件。存在例如空氣等圍繞光電部件的優(yōu)選的光學(xué)材料。在專利出版物US 5,987,732中，在屏蔽壁之間使用應(yīng)在250℃固化的液體材料。大多數(shù)光學(xué)部件不能抵抗此溫度。
利用根據(jù)優(yōu)選實施例的實施例，也可能將熱傳遞到電路板外面，特別是利用傳導(dǎo)材料，例如使用傳導(dǎo)熱和電的金屬、粘合劑、或聚合物，將熱傳遞到電路板下面。
在下述中，利用應(yīng)用實例并參考附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明。應(yīng)用實例決不是為了限制由權(quán)利要求書限定的保護范圍。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的電路板的基本結(jié)構(gòu)的截面。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一個電路板在部件饋通時的截面。
圖3示出鉆進(jìn)電路板內(nèi)的凹槽的截面。
圖4示出鉆進(jìn)電路板內(nèi)的凹槽的填充的截面。
圖5示出去除在電路板中的部件的嵌入位置的絕緣層的截面。
圖6示出在嵌入位置的部件的連接的截面。
圖7示出電路板的一個部件以及其屏蔽結(jié)構(gòu)的頂視圖。
對于本發(fā)明，術(shù)語“電路板”是指多層電路板，其中不僅存在形成接地參考平面即0電平的導(dǎo)體層，也存在至少兩個通常為導(dǎo)電信號層的導(dǎo)體層。導(dǎo)體層為某種導(dǎo)電金屬，通常為銅。導(dǎo)體層通過絕緣層彼此隔離。
“部件”通常是半導(dǎo)體部件，例如，光電部件或微電路或無源部件(例如，集成無源部件等)。半導(dǎo)體部件通常為硅或鎵基部件(少量磷、硼、或其它合金原子添加到其中)，以改變半導(dǎo)體的電屬性。
術(shù)語“接地參考平面”是指傳導(dǎo)層，其被接地或連接至另一0電勢，例如連接至電路的浮動的0電勢。
術(shù)語“接地參考平面上方”是指部件連接至的電路板側(cè)。術(shù)語“接地參考平面下方”是指所述電路板的相對側(cè)。
在傳導(dǎo)層之間存在可以是塑料或環(huán)氧樹脂或某一類似材料的絕緣材料。絕緣材料是不充當(dāng)電傳輸路徑的材料。絕緣材料舉例來說可選擇自下述的組各種樹脂、環(huán)氧樹脂玻璃、聚酰亞胺(例如，DupontKAPTON)、聚酰亞胺-石英、聚酯、丙烯、雙馬來酰亞胺、玻璃纖維、氰酸酯玻璃、XPC(酚醛紙)、FR-1(具有酚醛膠結(jié)料的紙材料)、FR-2(具有酚醛膠結(jié)料的紙材料，UL94-V0)、FR-3(具有環(huán)氧樹脂的紙材料)、FR-4(玻璃-纖維環(huán)氧樹脂疊層)、CEM(復(fù)合環(huán)氧樹脂材料)、CEM-1(紙基疊層，具有一層編織的玻璃纖維(7628))、CEM-3(玻璃環(huán)氧)、芳香族聚酰胺(芳香纖維，例如Dupont Kevlar，Epoxy-Kevlar，或Nobel’s Twaron)、PTFE(特氟綸)、苯并環(huán)丁烯、微纖維疊層、和類似物。
專用基體通?？梢允卿X、LTCC(低溫共燒陶瓷)、HTCC(高溫共燒陶瓷)、玻璃、石英/二氧化硅、AIN、SIC、硅、BeO、和BN。
可用作電路板中的絕緣材料的塑料包括聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚醚醚酮(例如，由Denso公司和Mitsubishi Plastics有限公司研制的PALAP)、聚氯乙烯、苯乙烯類塑料、纖維素塑料、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、和氟塑料。
導(dǎo)電聚合物和粘合劑可被分成熱固聚合物和熱塑聚合物。為了提高傳導(dǎo)性，可能使用例如銀、金、或鎳等填料。
傳導(dǎo)聚合物包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯乙炔、聚苯胺、聚2，3ethyldioxitiophene。
導(dǎo)電粘合劑通常由三種主要成分形成傳導(dǎo)填料、聚合物(例如，環(huán)氧樹脂、改良環(huán)氧樹脂或硅酮)、和提供抗靜電屬性的制劑。根據(jù)所使用的粘合劑，使用UV光或熱進(jìn)行固化/干燥。某些粘合劑甚至在室溫下固化。
市場上可買到的(一種成分或兩種成分)的導(dǎo)電各向同性粘合劑包括Emerson&CumingAblebond 976-1，柔性導(dǎo)電粘合劑，填料為銀Ablebond 84-1LMI NB，導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀Eccobond 57C，導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀Eccobond 50298，兩種成分的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為鎳AMICON C-850-6環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀AMICON CE 8500導(dǎo)電改良環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀Nor throp Grumman CorporationSE-CURE 9502導(dǎo)電粘合劑，填料為銀
LoctiteProduct 3880導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀(特別用于連接EMI部件)Product 3888環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀Product 5420導(dǎo)電硅酮Product 5421RTV硅酮(提供EMI/RFI屏蔽)Dow CorningDA 6524導(dǎo)電硅酮粘合劑DA 6533導(dǎo)電導(dǎo)熱硅酮粘合劑Panacol-Elosol GmbhElecolit 312LV(無溶劑環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀)Elecolit 323(傳導(dǎo)環(huán)氧樹脂粘合劑，填料為銀)Elecolit 342(傳導(dǎo)丙烯酸酯粘合劑，填料為銀)Elecolit X-160378(傳導(dǎo)環(huán)氧粘合劑，填料為銀)市場上可買到的(一種成分或兩種成分)的導(dǎo)電各向異性粘合劑包括LoctiteProduct 3441(環(huán)氧樹脂粘合劑，金表面化的聚合物)Product 3446(環(huán)氧樹脂粘合劑，熔化填料)Product 3440(填料金聚合物)Product 3445(熔化焊料填料)TelephusAcpMat系列(基于環(huán)氧樹脂的粘合劑樹脂膏，具有傳導(dǎo)填料和其它專用填料)圖1示出一個電路板的基本結(jié)構(gòu)的截面。與電路板的制造有關(guān)，交替的傳導(dǎo)層1，3和絕緣層3建在電路板上。傳導(dǎo)層的一層相應(yīng)于接地參考平面3，即，0平面。在此電路板的實例中，存在至少三個傳導(dǎo)層接地參考平面和位于其上方和下方的信號層。通常，接地參考平面上方和下方存在2-4個信號層。
圖2示出圖1的電路板在用于部件的嵌入孔處的橫截面。在電路板中，多個導(dǎo)電層1和多個絕緣層2交替。多個導(dǎo)電層之一是接地基準(zhǔn)平面3。為了使得更容易將部件嵌入電路板，在部件的至少一側(cè)，也就是嵌入位置的側(cè)面的不存在導(dǎo)電層且僅包含絕緣材料2的區(qū)域，被設(shè)置在部件的嵌入位置處。在如圖2示出的實施例中，開口4被留在嵌入位置處的接地參考平面中。在制造階段中，由例如銅的層3材料形成的連續(xù)或不連續(xù)的金屬層5可被留在這一開口處。絕緣材料2留在開口中。
如果希望使得部件與接地參考平面之下的導(dǎo)電層1電接觸，則在制造金屬層5之前最好采用某些適合的例如微通路法的饋通方法穿過接地參考平面3之下的絕緣層2到位于下方的導(dǎo)電層形成饋通14。饋通14是例如金屬的導(dǎo)電材料。
圖3示出了圖1和2的電路板中鉆出的凹槽6的橫截面。使用選擇的激光鉆或相應(yīng)的方法，延伸至接地參考平面3的凹槽6被圍繞部件的嵌入位置切割。接地參考平面可優(yōu)選位于進(jìn)行鉆孔的整個區(qū)域之下，使得其更容易控制鉆孔的深度。在切割區(qū)域中優(yōu)選沒有信號連接1，使得可以在接地參考平面3的幫助下控制深度，使得信號引線將不通過EMI屏蔽連接至接地參考平面3。例如，選擇的激光鉆不腐蝕金屬，僅腐蝕絕緣層，使得當(dāng)遇到接地參考平面3時切割可停止。
圖4示出了鉆入圖1-3的電路板的凹槽的填充物的橫截面。在一個實施例中，在鉆孔后，凹槽被以導(dǎo)電金屬金屬化。以下述方式進(jìn)行金屬化在第一階段，所選擇的金屬例如銅的籽層8在凹槽中化學(xué)生長，此后，最終的金屬層9以電化學(xué)方式生長。凹槽可被部分填充，例如，僅僅表面被金屬覆蓋，凹槽也可以被完全填充?？蛇x地，凹槽可填充或表面化有導(dǎo)電聚合物或?qū)щ娬澈蟿?。?dāng)使用導(dǎo)電聚合物或粘合劑時，層8和9可以是相同或不同的導(dǎo)電聚合物或粘合劑。當(dāng)使用導(dǎo)電聚合物或粘合劑時，沒有必要在層中進(jìn)行填充，而是可以一次性地進(jìn)行凹槽的填充或表面化。表面化或填充有導(dǎo)電材料的凹槽形成屏蔽電磁輻射的結(jié)構(gòu)，在這種情況下，稱之為框架10。
圖5示出了圖1-4的電路板中的部件的嵌入位置處的絕緣層2的去除的橫截面。在制造EMI框架之后，在凹槽6(或框架10)中，通過例如選擇的激光鉆制作孔11，以用于待嵌入到接地參考平面3層的部件。絕緣材料2的框架7留在被嵌入的部件和凹槽之間。在電路板的制造階段，連續(xù)或不連續(xù)的金屬層的深度保留至接地參考平面。如果通過選擇激光鉆或類似方法執(zhí)行鉆操作，鉆操作將在金屬層停止。這使得正在嵌入的部件的嵌入深度可被控制和調(diào)整。
自然地，鉆操作還可以相反的次序進(jìn)行，例如，首先鉆位于部件的嵌入位置處的孔，并僅在這之后形成圍繞嵌入位置的凹槽。在這兩種情況下，絕緣層7被留在凹槽和部件的嵌入位置之間。然而，應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)凹槽將被填充金屬時，通常首先優(yōu)選制作和填充凹槽，使得金屬不進(jìn)入為部件制作的孔11。如果凹槽填充有導(dǎo)電聚合物或?qū)щ娬澈蟿疾酆陀糜诓考拈_口可被以任意順序或同時填充。因為導(dǎo)電聚合物或粘合劑可濺射，所以其優(yōu)選首先制造并填充凹槽。
圖6示出嵌入到圖1-5的電路板的空間中的部件的橫截面。使用具有足夠強的導(dǎo)電性的粘合劑或焊料或?qū)щ娋酆衔飳⒉考?2例如以各向同性或各向異性方式連接至其接觸座。在圖6的實施例中，借助于導(dǎo)電粘合劑13，將部件連接至金屬層5。從部件12到位于其下的導(dǎo)電導(dǎo)體層1的電連接采用如上所述的某些饋通法例如微通孔法(微通孔14)穿過絕緣層2形成。接地參考平面之下的導(dǎo)體層1也可僅在已經(jīng)形成通過接地參考平面3之下的絕緣層2電連接之后建立?？蛇x地，接地參考平面之下的傳導(dǎo)層可以完成，通過其實現(xiàn)連接。
在例如導(dǎo)熱和導(dǎo)電金屬、粘合劑、或聚合物的傳導(dǎo)材料的幫助下，熱量可以由部件傳遞到電路板之外，尤其是其之下，或傳遞到整個殼體結(jié)構(gòu)。
如上所述，使用某些饋通方法，可以形成電連接到位于接地參考平面之下的導(dǎo)體層?？蛇x地，例如通過接合(例如使用金或鋁線的線焊接)可將連接或某些連接形成到位于接地參考平面之上的導(dǎo)體層。
在將部件12嵌入之后，圍繞部件保留的空洞11可保留為空的，或可選的用適合的填充材料填充。
如果需要，在導(dǎo)電粘著劑的幫助下，從上面，例如，從部件與連接點相對的一側(cè)，屏蔽部件。
圖7示出圖1至6的電路板的一個部件連同其屏蔽結(jié)構(gòu)的頂視圖。圍繞部件12的被填充凹槽形成框架10，該框架為部件屏蔽至少來自電路板方向的電磁輻射。絕緣層7保留在部件12和框架10之間，同時可看到絕緣層2位于絕緣層和部件12之間。
權(quán)利要求
1.一種繞嵌在電路板中的部件構(gòu)造電磁干擾屏蔽的方法，其中電路板包括交替的導(dǎo)體層(1)和絕緣層(2)，且至少部件(2)的相當(dāng)大的部分嵌在所述電路板內(nèi)，并且繞其放置屏蔽電磁輻射的結(jié)構(gòu)(10)，所述結(jié)構(gòu)至少屏蔽來自電路板的方向的電磁輻射，其特征在于，所述部件是光電部件，凹槽(6)繞部件(12)的嵌入位置形成，使得絕緣層(7)留在部件(12)的嵌入位置和凹槽(6)之間，并且使得凹槽從所述電路板的表面延伸到例如表示接地參考平面(3)的絕緣層，凹槽(6)被用導(dǎo)電材料(8，9)填充或表面化，使得所述材料與所述接地參考平面(3)電接觸，所述材料在電路板的方向上大體圍繞作為框架(10)的部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽(6)時，僅從所述電路板去除不充當(dāng)電傳輸路徑(2)的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在其中形成所述凹槽(6)的整個區(qū)域下面存在接地參考平面(3)。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在所述凹槽的鍍覆或填充之后，為所述部件(12)形成延伸到所述接地參考平面(3)高度的空腔(11)，且所述部件嵌在已經(jīng)形成的空腔中。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述部件是半導(dǎo)體部件或例如集成無源部件等無源部件。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，用來給凹槽形成表面或填充凹槽的導(dǎo)電材料(8，9)是透明的、半透明的和/或柔性材料。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，用來給凹槽形成表面或填充凹槽的導(dǎo)電材料(8，9)是導(dǎo)電聚合物或?qū)щ娬澈蟿?br> 8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，用來給凹槽形成表面或填充凹槽的導(dǎo)電材料(8，9)是金屬。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述部件(12)電連接至位于所述接地參考平面下面的導(dǎo)體層(1)。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在所述部件(12)的嵌入位置，連續(xù)或不連續(xù)的金屬層(5)留在所述接地參考平面上，且所述部件電連接至所述金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，利用焊料或?qū)щ娋酆衔锘驅(qū)щ娬澈蟿┬纬伤鲞B接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述金屬層(5)電連接至位于所述接地參考平面(3)下面的導(dǎo)體層(1)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，僅在所述金屬層(5)和所述導(dǎo)體層(1)之間形成電接觸后制造所述接地參考平面(3)下面的導(dǎo)體層(1)。
14.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述部件(12)電連接至位于所述接地參考平面(3)上方的導(dǎo)體層(1)。
15.一種電路板，包括部件(12)，其至少相當(dāng)大的部分嵌在所述電路板內(nèi)，以及繞所述部件(12)構(gòu)造的結(jié)構(gòu)(10)，用于屏蔽至少來自所述電路板的方向的電磁輻射，其特征在于，所述部件是光電部件，結(jié)構(gòu)(10)包括圍繞所述部件的嵌入位置的凹槽(6)，凹槽(6)延伸至接地參考平面(3)，在所述凹槽(6)和孔(11)之間的絕緣層設(shè)置在所述部件的嵌入位置處，該凹槽在電路板(12)的方向大致環(huán)繞所述部件(12)，該凹槽(6)填充有導(dǎo)電材料(8、9)，使得所述材料與所述接地參考平面(3)電接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路板，其特征在于，所述電路板和被設(shè)置在其內(nèi)的用于防止電磁輻射的框架(10)是柔性的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的電路板，其特征在于，所述凹槽(6)填充有導(dǎo)電聚合物或?qū)щ娬澈蟿?br> 18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項所述的電路板，其特征在于，所述部件(12)被電連接至導(dǎo)體層(1)，所述導(dǎo)體層(1)位于所述接地參考平面(3)之下。
19.根據(jù)權(quán)利要求15至18中任一項所述的電路板，其特征在于，在所述部件(12)的嵌入位置處，在位于接地參考平面的高度上有連續(xù)或不連續(xù)的金屬層(5)，所述部件電連接至所述金屬層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電路板，其特征在于，所述部件(12)在導(dǎo)電粘合劑或?qū)щ娋酆衔?13)的協(xié)助下連接至所述金屬層(5)。
21.根據(jù)權(quán)利要求15至20中任一項所述的電路板，其特征在于，所述金屬層(5)被電連接至位于所述接地參考平面(3)之下的導(dǎo)體層(1)。
22.根據(jù)權(quán)利要求15至21中任一項所述的電路板，其特征在于，所述部件(12)被電連接至位于所述接地參考平面(3)之上的導(dǎo)體層(1)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種繞嵌在電路中的部件構(gòu)造EMI屏蔽的方法。根據(jù)此方法，繞部件的嵌入位置形成延伸到表示接地參考平面的絕緣層的凹槽。以使得導(dǎo)電材料與接地參考平面電接觸且該材料大體在電路板的方向上圍繞該部件的方式，用導(dǎo)電材料填充或用導(dǎo)電材料表面化該凹槽。
文檔編號H01L23/552GK1891023SQ200480036607
公開日2007年1月3日 申請日期2004年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月9日
發(fā)明者E·穆克科南 申請人:阿斯波康普科技公司