專利名稱:具有有機(jī)半導(dǎo)體的薄膜的制作方法
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管(OFET)由一個(gè)位于源極電極和至少一個(gè)漏極電極之間并在其之上的有機(jī)半導(dǎo)體層、一個(gè)位于該半導(dǎo)體層和柵極電極之上的有機(jī)絕緣層構(gòu)成。源極、漏極和柵極電極可以由金屬或有機(jī)導(dǎo)電聚合物構(gòu)成。有機(jī)電極材料是例如聚苯胺和聚吡咯。例如,聚噻吩被用作半導(dǎo)體,聚乙烯基苯酚被用作絕緣體。
OFET或其它有機(jī)聚合物成分的生產(chǎn)需要構(gòu)造導(dǎo)電電極層。其它層的構(gòu)造并不是絕對(duì)必需的,但是可以提高有機(jī)聚合物組成的成分的效率和性能。
WO02/25750描述了使用光刻技術(shù)處理的電極或?qū)w軌線的生產(chǎn)。在此情況中,摻雜聚苯胺(PANI)或聚噻吩二氧噻吩(PEDOT)的導(dǎo)電有機(jī)層被涂在襯底,例如薄膜的一個(gè)區(qū)域上,通過輔助器具來敷設(shè),或者通過噴射、旋涂或絲網(wǎng)印刷來敷設(shè)。光致抗蝕劑薄層被涂覆在其上,暴露在結(jié)構(gòu)配置中。通過顯影,暴露的聚苯胺層由顯影劑作用而脫質(zhì)子(deprotonised),從而變得不導(dǎo)電。保留下來的光致抗蝕劑用溶劑溶解。在該步驟之前或之后,有機(jī)層的非導(dǎo)電矩陣被非堿基溶液溶解掉。
或者,暴露區(qū)域也可以在光致抗蝕劑溶解之前通過反應(yīng)性腐蝕而氧化去除。
WO02/25750還描述了為了構(gòu)造的目的,通過印刷到區(qū)域功能聚合物層,敷設(shè)一種具有脫質(zhì)子(deprotonising)效應(yīng)的化合物。該化合物最好是一種堿基。非導(dǎo)電區(qū)域通過隨后的漂洗被選擇性地去除。
一個(gè)缺點(diǎn)是,光刻處理僅對(duì)聚苯胺材料起作用。另外,現(xiàn)有技術(shù)中用光刻處理來構(gòu)造卷繞材料是未知的。通過其它構(gòu)造工藝,例如印刷,源極和漏極之間的最小可能距離至少介于30μm和50μm之間。但是正在努力達(dá)到大概10μm的長(zhǎng)度,以增加OFET的性能和效率。
WO02/47183提出了在成形層中將功能聚合物引入凹槽,以在OFET中構(gòu)造導(dǎo)電有機(jī)層和其它層。成形層包括一個(gè)具有絕緣特性的在其中打孔的不同有機(jī)材料。該材料例如是一種通過紫外線可硬化的或通過加熱可硬化的漆,它被涂在襯底的整個(gè)表面區(qū)域上。通過照射來硬化漆,例如通過紫外線,這樣在成形層中產(chǎn)生了凹槽。該處理使得制造具有2-5μm范圍內(nèi)的側(cè)向尺寸的極精細(xì)結(jié)構(gòu)成為可能。刮削法也不是與特定材料相關(guān)的,也就是說,它適用于構(gòu)造各種OFET層。除聚苯胺外,其它導(dǎo)電性或半導(dǎo)體有機(jī)材料,如聚吡咯、聚噻吩、或聚乙烯基苯酚,也可以被刮削到凹槽中并成形。另外,用于刮削操作的粘度范圍比用于印刷操作的粘度范圍大非常多,使得功能聚合物可以充分地保持它們的粘稠性。此外還可以制造范圍達(dá)到1μm的較薄的層。還提出,將該處理用于連續(xù)旋轉(zhuǎn)印刷操作中。在該情況中,條帶包括一種其上涂有成形聚合物的襯底材料,它可以是一種通過紫外線可硬化的漆,也可以是一種通過加熱可硬化的漆。最初凹槽被沖壓輥模壓在其中,并且成形聚合物由紫外線來照射進(jìn)行初始硬化。漆最終被用其后的紫外燈硬化。然后功能聚合物被用輔助刮片切削到結(jié)構(gòu)化的漆中。
DE100 33 112描述了一種處理,它將用刷鍍電極引入成形模具的功能聚合物取下,然后將之涂到已存在的襯底或?qū)由稀?br>
現(xiàn)在,本發(fā)明的目的是使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝來改進(jìn)有效成分的生產(chǎn),和/或使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝來為改進(jìn)成分的構(gòu)造做準(zhǔn)備。
該目標(biāo)通過一種薄膜,更具體地,通過一種沖壓薄膜、層壓薄膜或包括至少一種使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的元件的薄膜元件,特別是一種或多種有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管(OFET=有機(jī)FET)來實(shí)現(xiàn)。該目標(biāo)還通過一種用于生產(chǎn)這種薄膜的處理來實(shí)現(xiàn),其中有機(jī)半導(dǎo)體工藝的至少一種元件的一個(gè)或多個(gè)層的構(gòu)造通過熱復(fù)制或紫外線復(fù)制來實(shí)現(xiàn)。
使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的電路生產(chǎn),并不是前面常規(guī)地在晶片上形成,而是作為薄膜的一部分,提供了生產(chǎn)工藝方面的主要優(yōu)勢(shì)。薄膜工藝的試驗(yàn)和測(cè)試法及已有生產(chǎn)安裝可以用于這種電路的生產(chǎn),從而提供可觀的成本優(yōu)勢(shì)。
在這種使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的元件的實(shí)現(xiàn)中,在沖壓或壓層薄膜中得到了特別的優(yōu)勢(shì)。這以多種方式為使用該種產(chǎn)品和中間產(chǎn)品的電路提供了選擇。這以多種不同方式提供了一種可以廉價(jià)生產(chǎn),并可以進(jìn)一步以用戶特有方式使用或采用的中間產(chǎn)品。結(jié)果生產(chǎn)處理更加靈活,并且降低了生產(chǎn)成本。此外還發(fā)現(xiàn),薄膜工藝和用于沖壓和壓層薄膜制造的生產(chǎn)處理特別適用于生產(chǎn)這種電路。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,這種沖壓薄膜、壓層薄膜或薄膜元件具有一個(gè)載體薄膜,至少一個(gè)包括有機(jī)半導(dǎo)體材料、尤其是聚噻吩的層,至少一個(gè)包括電絕緣材料的層,以及兩個(gè)或多個(gè)以區(qū)域方式和模式結(jié)構(gòu)成形的、作為電極層的導(dǎo)電材料的層。在該情況中,導(dǎo)電層最好包括一種有機(jī)導(dǎo)電材料,特別是聚苯胺和聚吡咯。電絕緣層最好包括一種有機(jī)絕緣材料,特別是聚乙烯基苯酚。并且,薄膜最好具有一個(gè)釋放層和一個(gè)粘合層,以及一個(gè)或多個(gè)毗連于功能聚合物層的漆層。
如果導(dǎo)電層、由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層及絕緣層基本是透明的,則還可以獲得進(jìn)一步的優(yōu)勢(shì)。這樣,薄膜的光學(xué)外觀可以由沖壓或壓層薄膜的其它層結(jié)構(gòu)來影響,并且簡(jiǎn)化薄膜的多種使用,例如作為電路和作為裝飾元件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,電氣功能,特別是使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的至少一個(gè)電子元件的電氣功能,被結(jié)合在具有光學(xué)特性的薄膜中。因此,一方面,薄膜具有包括一個(gè)或多個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的電子元件的電子電路,另一方面,它為觀察者提供了一種或多種光學(xué)(安全)特性。對(duì)于該目的,例如薄膜可以具有一種在薄膜各層之間成形的空間結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)一方面在模式結(jié)構(gòu)中構(gòu)造了一個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的有機(jī)部件層,另一方面生成了一種形成光學(xué)特性的光衍射效果。在這種情況下空間結(jié)構(gòu)可以由宏觀結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)的疊加來形成,其中宏觀結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)電功能層的模式構(gòu)造,微觀結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)光衍射效果的產(chǎn)生,及負(fù)責(zé)光學(xué)(安全)特性的生成。這樣,空間結(jié)構(gòu)提供了兩個(gè)功能,一方面使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)了電子元件,另一方面為觀察薄膜的人提供了光學(xué)特性。
此外薄膜可以具有一個(gè)或多個(gè)用于產(chǎn)生光衍射安全特性的全息光學(xué)或衍射層,用于利用干涉產(chǎn)生光學(xué)安全特性的一個(gè)或多個(gè)薄膜層序列,以及一個(gè)或多個(gè)裝飾層,籍此除了電氣功能外還提供了光學(xué)功能,例如生成一個(gè)或多個(gè)光學(xué)(安全)特性或裝飾效果。
這樣,這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的薄膜可以作為光學(xué)安全元件來工作,例如用于保護(hù)身份證或護(hù)照、支票、信用卡或現(xiàn)金卡,以及商品。在那方面,這樣一個(gè)薄膜除了光學(xué)安全特性外還可以提供電氣安全特性。防偽安全等級(jí)可以通過這種光學(xué)和電氣安全性的組合大幅增加。另外,薄膜還可以具有兩個(gè)或多個(gè)互相重疊的產(chǎn)生光學(xué)安全特性的層,其中有機(jī)半導(dǎo)體工藝的電子元件的一個(gè)或多個(gè)功能層被排列在具有該特性的光學(xué)活性層之間。這大大增加了防偽的安全等級(jí),因?yàn)槿魏纹髨D對(duì)光學(xué)或電氣安全特性的操縱立即會(huì)被檢測(cè)到,這樣這些安全特性彼此保護(hù)。
生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的薄膜的一種特別有效和廉價(jià)的方法建議,通過熱復(fù)制或紫外線復(fù)制來實(shí)現(xiàn)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的至少一個(gè)元件的一個(gè)或多個(gè)層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,空間結(jié)構(gòu)在要被復(fù)制的層上復(fù)制,所述結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)深度大于或等于要被復(fù)制的層的厚度,使得要被復(fù)制的層通過復(fù)制過程部分完全隔斷。這樣,復(fù)制操作提供了一個(gè)以模式結(jié)構(gòu)根據(jù)空間結(jié)構(gòu)被構(gòu)造的電功能層。該處理使得例如在10μm和100nm之間的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高分辨率成為可能。由于可以生產(chǎn)這么小的結(jié)構(gòu),可以提高封裝密度及電路的性能和效率。該處理的其它優(yōu)勢(shì)在于,可以在一個(gè)步驟中實(shí)現(xiàn)電功能層的高分辨率構(gòu)造。電功能層的構(gòu)造可以高速實(shí)現(xiàn),特別是以輥到輥的處理方式,并以較低的生產(chǎn)成本實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,復(fù)制到要被復(fù)制的層中的是一種其結(jié)構(gòu)深度小于要被復(fù)制的層的厚度的空間結(jié)構(gòu)。涂覆在復(fù)制層上的是一個(gè)電功能層,該層包括一種硬化時(shí)預(yù)定體積減小的材料。該材料以使用量被涂覆到復(fù)制層上,該使用量的選擇使得硬化時(shí)體積減小,一個(gè)根據(jù)復(fù)制結(jié)構(gòu)構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的功能層保持在后面。此外,在此情況下,電功能層可以敷設(shè)到復(fù)制層上,然后電功能層可以被去除至一定深度,該深度被如此選擇,使得在去除后,根據(jù)復(fù)制結(jié)構(gòu)構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的功能層被保留在后面。這種類型的處理使得可以獲得電功能層的高分辨率,因此上文中描述的那些方面的優(yōu)勢(shì)仍然在該處理中保持。
作為替代,元件所需的電極、絕緣層和半導(dǎo)體層中的一個(gè)或多個(gè)還可以通過印刷工藝,特別是刷鍍電極印刷,被引入薄膜結(jié)構(gòu)中,在部分區(qū)域或整個(gè)區(qū)域的上面。
下面,將通過參考附圖的多個(gè)實(shí)施例來以示例的方式描述本發(fā)明。
圖1顯示了一種根據(jù)本發(fā)明用于本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜的剖視圖;圖2顯示了一種根據(jù)本發(fā)明用于本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的薄膜的剖視圖;圖3的視圖顯示了一種用于復(fù)制使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的電子元件,特別是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)的裝置;圖4a顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝構(gòu)造元件的一個(gè)層的功能視圖;圖4b和4c顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例構(gòu)造一個(gè)層的詳細(xì)功能視圖;圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的薄膜的剖視圖,其中使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的一個(gè)或多個(gè)層根據(jù)圖4中所示的處理被復(fù)制。
圖6a至6e顯示了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例通過復(fù)制來構(gòu)造使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的一個(gè)層的功能視圖;圖7顯示了薄膜的剖視圖,其中使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的一個(gè)或多個(gè)層根據(jù)圖6a至6e所示的處理而被構(gòu)造;
圖8a顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的層的復(fù)制的功能視圖;圖8b顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的層的復(fù)制的功能視圖;圖9a至9b顯示了根據(jù)本發(fā)明用于本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜的剖視圖。
圖1顯示了一種沖壓薄膜,它包括至少一個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件,特別是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管(OFET)。這種沖壓薄膜特別是一種熱沖壓薄膜。圖2顯示了一種層壓薄膜的結(jié)構(gòu),它包括至少一個(gè)使用半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件,特別是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管(OFET)。但本發(fā)明并不僅限于這兩種薄膜。
圖1顯示了包括一個(gè)載體薄膜11和一個(gè)敷設(shè)在載體薄膜11上的傳遞層部分2的沖壓薄膜1。在載體薄膜11和傳遞層部分2之間提供一個(gè)釋放層12,它用于便于傳遞層部分2從載體薄膜11上釋放。在這方面,也可以忽略釋放層12。
傳遞層部分2具有一個(gè)第一漆層13和一個(gè)第二漆層18,一個(gè)由電絕緣材料構(gòu)成的絕緣層15,和一個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體材料的層16。此外,傳遞層部分2具有兩個(gè)成形為模式結(jié)構(gòu)并由導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極層,圖1顯示了它的一個(gè)形成柵極電極的部分區(qū)域14,和分別形成源極電極和漏極電極的部分區(qū)域17和19。
作為替代,也可以互換柵極或源極和漏極電極在傳遞層部分2中的排列位置,也就是說,源極和漏極電極可以在圖中向下被放置在漆層13上面,柵極電極可以在圖中向上被放置在半導(dǎo)體層16旁邊和上面。
圖2顯示了類似層結(jié)構(gòu)的層壓薄膜3。這樣,下文僅參考沖壓薄膜1描述層的各部分結(jié)構(gòu)。
載體薄膜11是一個(gè)厚度在6μm和200μm之間的塑料薄膜,最好厚度介于19μm和38μm之間。載體薄膜11最好是一種聚酯薄膜。
然后,釋放層12被涂覆到載體薄膜11的整個(gè)表面區(qū)域上,厚度為0.01μm與0.2μm之間。最好是在熱量增加中變軟的層的形式,并且在襯底上敷設(shè)熱沖壓薄膜時(shí)使得其它層可以從載體薄膜11中被釋放。
第一漆層13是一個(gè)保護(hù)漆層,它基本上被涂覆到釋放層的整個(gè)表面區(qū)域上,特別是厚度為0.5至5μm之間的層,最好是1至2μm之間。
現(xiàn)在,具有柵極電極14的第一電極層被涂覆到第一漆層13上。在此情況下,第一電極層最好由導(dǎo)電聚合物構(gòu)成,最好是聚苯胺和聚吡咯。還可以使用金屬作為第一電極層,例如金或銀。
在此情況下,第一電極層可以被在模式結(jié)構(gòu)中例如通過印刷處理(凹板印刷,絲網(wǎng)印刷)或通過涂層處理部分被敷設(shè)到第一漆層13上。然而,第一電極層也可以被敷設(shè)在第一漆層13的整個(gè)區(qū)域或部分區(qū)域上,然后再通過下文描述的復(fù)制處理,通過暴露和蝕刻處理,例如利用脈沖激光部分去除。
根據(jù)所使用的相應(yīng)敷設(shè)處理,在該過程中,導(dǎo)電材料以液體形式、溶解形式或作為懸浮液敷設(shè)到第一漆層13上。
絕緣層15最好由一種有機(jī)絕緣材料,例如聚乙烯基苯酚構(gòu)成。然而,也可以使用氧化物層,例如金屬氧化物,作為絕緣層15的材料。在該情況下,有機(jī)絕緣層通過上述處理中的一種處理以液體形式、溶解形式或作為懸浮液涂覆在構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的電極層上。然后,絕緣層15通過烘干或以其它方式硬化。氧化物層被通過熱蒸鍍或真空噴鍍來敷設(shè)。
現(xiàn)在,由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層16被涂覆到絕緣層15的整個(gè)區(qū)域或部分區(qū)域上。在那方面,可以使用聚噻吩作為有機(jī)半導(dǎo)體材料。在此情況下,利用一種上述處理將有機(jī)半導(dǎo)體材料以液體形式、溶解形式或作為懸浮液涂覆到絕緣層15上,然后進(jìn)行硬化。在該情況下,層16也可以以與第一電極層相同的方式構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu),從而提供圖1和2中所示的層16的成形。
然后,以如上所述的相同方式將分別具有源極和漏極電極17和19的第二電極層敷設(shè)到層16上。對(duì)于用于此層的材料和構(gòu)造處理,主要注意與第一電極層相關(guān)的描述。
然后將漆層18和粘合層20敷設(shè)到整個(gè)表面區(qū)域上。層18的厚度最好是2-10μm。粘合層20是一種本身已知的、并且通常相對(duì)于傳遞薄膜或熱沖壓薄膜的厚度介于大約1μm至10μm之間的粘合層,其中用于熱沖壓薄膜的粘合層是這樣一種成分,它只有在經(jīng)受相應(yīng)的熱動(dòng)作時(shí)才變粘。
層12、13、18和20可以根據(jù)下面的成分生產(chǎn)釋放層12(分離層)甲苯 99.5份酯蠟(滴點(diǎn)90℃) 0.5份漆層13(保護(hù)漆層)甲乙酮 61.0份雙丙酮醇 9.0份甲烷丙烯酸脂(Tg=122℃) 18.0份聚乙烯分散劑(23%二甲苯)(軟化溫度140℃) 7.5份高分子分散添加劑(40%,胺化指數(shù)20) 0.5份稀釋劑(硅酸鋁) 20.0份漆層18(中間層)雙丙酮醇 40.0份甲苯 22.0份乙烯醋酸乙烯三聚物(mp=60℃) 2.5份聚氯乙烯(Tg89℃) 5.5份聚氯乙烯(Tg40℃) 3.0份分散添加劑(50%,酸值51) 1.0份二氧化鈦(d=3.8-4.2g/cm3)26.0份粘合層20雙丙酮醇 55.0份甲苯 12.5份乙醇 3.5份多乙酸乙烯酯(軟化點(diǎn)80℃) 6.0份丁基/異丁烯酸甲酯(Tg80℃) 8.0份乙基丙酸烯樹脂(Tg63℃) 3.0份異丁烯酸酯共聚物(Tg80℃) 5.0份非飽和聚酯樹脂(軟化點(diǎn)103℃) 3.5份二氧化硅 3.5份漆層13和18一方面具有電絕緣性,并且還為封入其中的電功能聚合物層提供保護(hù)層的功能。
也可以省略第一漆層13和第二漆層18。
在此方面,有機(jī)半導(dǎo)體材料、有機(jī)導(dǎo)電材料和有機(jī)絕緣材料由具有相應(yīng)導(dǎo)電特性的有機(jī)、有機(jī)金屬和/或無機(jī)塑料材料形成。在此方面,這些可以用在使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝的元件的構(gòu)造中的有機(jī)、有機(jī)金屬和/或無機(jī)材料可以被用作功能聚合物。因此功能聚合物這一術(shù)語也包括非聚合物成份。
圖1中所示的薄膜1的部分具有柵極電極14、源極電極17和漏極電極19,使得通過這些電極與由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的絕緣層15及層16的協(xié)作,薄膜1的圖1中所示區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了一個(gè)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管。根據(jù)第一和第二電極層的相應(yīng)構(gòu)造,以及在某些情況下,根據(jù)對(duì)絕緣層15以及由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層16的構(gòu)造,可以在薄膜1中實(shí)現(xiàn)一種包括多個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件構(gòu)成的復(fù)雜電路。
在此方面,使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件這一術(shù)語用于表示一種包括一個(gè)作為功能元件部分的有機(jī)半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體層區(qū)域的電子元件,例如晶體管、FET、三端雙向可控硅開關(guān)元件、二極管等。
在此方面,圖1中所示的多個(gè)層13至16還可以以相互重疊的關(guān)系來排列,以在薄膜1中包含兩個(gè)或多個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的互相重疊的元件。
為了使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)元件,在此情況下,第一電極層及第二電極層都可以以構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的形式來生產(chǎn),如上面已述。然而,絕緣層15和由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層16也可以以涉及構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的形式來生產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的電氣功能。在該方面,提出下列處理或下列處理的組合以用于這些模式化構(gòu)造建議元件功能所需的電極、絕緣和半導(dǎo)體層通過印刷工藝引入到一個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)中,設(shè)置在它的整個(gè)表面區(qū)域或部分區(qū)域上。
但是,當(dāng)前已知的用于在部分區(qū)域上印刷的高分辨率印刷工藝涉及50μm的側(cè)向分辨率,因此僅有限地適合于生產(chǎn),特別是制造源極和漏極電極。
相反在本文中優(yōu)選處理的情況下,首先在整個(gè)表面區(qū)域?qū)崿F(xiàn)印刷,然后通過熱復(fù)制或紫外線復(fù)制實(shí)現(xiàn)適合的層構(gòu)造。用于該目的的一個(gè)適當(dāng)裝置顯示于圖3中,其結(jié)果顯示在圖4a至4c中。此外,為紫外線復(fù)制操作提供了一個(gè)紫外燈(未顯示)和一個(gè)掩模(也未顯示)。通過那種復(fù)制處理實(shí)現(xiàn)了0.5μm至5μm范圍內(nèi)的高等級(jí)側(cè)向分辨率。
圖3示出了一個(gè)復(fù)制輥51、一個(gè)背壓輥52、一個(gè)載體薄膜41、一個(gè)層42和一個(gè)結(jié)構(gòu)化層43。在復(fù)制輥51和背壓輥52在圖3中所示的方向滾動(dòng)時(shí),由層42和載體薄膜41構(gòu)成的薄膜體被沿饋送方向53運(yùn)送。在此情況下,如圖3中所示,結(jié)構(gòu)在層42上被復(fù)制,使得層42獲得圖3中所示的結(jié)構(gòu),而形成結(jié)構(gòu)化層43。
層42是一個(gè)使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的功能層,例如是一個(gè)圖1和圖2中所示的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的層,例如第一電極層、由絕緣材料構(gòu)成的層、第二電極層或由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層。載體薄膜41可以是載體薄膜11或具有載體薄膜11和一個(gè)或多個(gè)放置在其上的層的多層薄膜體,例如具有載體薄膜11、釋放層12和漆層13的多層薄膜體。
最好是將熱復(fù)制或紫外線復(fù)制作為復(fù)制工藝。
在熱復(fù)制過程中,復(fù)制通過層42的熱變形而實(shí)現(xiàn)。具有熱塑特性的材料用作層42。然后,利用加熱的復(fù)制輥51,對(duì)應(yīng)于復(fù)制輥51的表面形狀的結(jié)構(gòu)被壓印到層42中。
例如,涂膜重量為2.2g/m2的聚苯胺或聚吡咯溶液在干燥后利用模壓印刷光柵輥敷設(shè)到載體薄膜41的薄膜體上。在此情況下,干燥是在一個(gè)溫度在100至120℃之間的干燥通道中實(shí)現(xiàn)的。然后,利用例如包括鎳的復(fù)制輥在約130℃將結(jié)構(gòu)模壓到層42中。在該情況下,為模壓該結(jié)構(gòu)復(fù)制輥?zhàn)詈帽浑娂訜?。除了?fù)制輥外,這里還可以使用復(fù)制模具。在從層42上移走之前,這種模具可以被再次冷卻。在結(jié)構(gòu)被模壓之后,層43通過交聯(lián)或其它方式來硬化。
在紫外線復(fù)制過程中,通過紫外線可硬化的材料用于層42。在復(fù)制輥51或復(fù)制輥51的下游中提供一個(gè)紫外燈,它使得根據(jù)復(fù)制輥51的表面結(jié)構(gòu)成形的層43硬化。復(fù)制輥51還可以具有以掩模的形式部分暴露層42的光滑表面。層42在暴露區(qū)域內(nèi)硬化。層42在非暴露區(qū)域內(nèi)不硬化,并在洗滌處理中被去除,這樣給出層43的構(gòu)造,如圖3中所示。
如圖4a所示,在該情況下,空間結(jié)構(gòu)在層42中被復(fù)制,結(jié)構(gòu)深度大于或等于要復(fù)制的層厚度。因此要復(fù)制的層42的一部分完全被復(fù)制過程隔斷,從而提供了根據(jù)空間結(jié)構(gòu)構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的電功能層43。
在此方面,尤其是熱復(fù)制操作中的結(jié)構(gòu)深度最好大于層42的厚度。在此方面具有優(yōu)點(diǎn)的是,如圖4b中所示,最好由復(fù)制漆構(gòu)成的另外的漆層44被放置在層42下面。這樣,復(fù)制輥的沖壓模具可以通過層42沖壓,而不會(huì)破壞漆層44下面的載體薄膜或觀察到的其它層。圖4c顯示了一個(gè)層42的厚度遠(yuǎn)小于復(fù)制厚度的實(shí)施例。這保證了實(shí)現(xiàn)電功能層43的區(qū)域的可靠分隔。
現(xiàn)在圖5顯示了一個(gè)沖壓薄膜6,其中第一和第二電極層被利用圖3至圖4c所示的工藝構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)。
圖5顯示了一個(gè)沖壓薄膜6,它包括一個(gè)載體薄膜11、一個(gè)釋放層62、一個(gè)漆層63、一個(gè)第一電極層64、一個(gè)絕緣層65、一個(gè)由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層67、一個(gè)第二電極層66、一個(gè)漆層68和一個(gè)粘合層69。
漆層63由復(fù)制漆構(gòu)成。第一電極層64被涂覆在漆層63的整個(gè)相關(guān)的表面區(qū)域,然后利用參考圖3和圖4a、圖4b或圖4c所述的復(fù)制工藝構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)。然后將絕緣層65涂覆到相關(guān)的整個(gè)表面區(qū)域。然后,由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層67被涂覆到整個(gè)表面區(qū)域上。第二個(gè)釋放層62被涂覆到其上,也利用參考圖3至圖4c所述的復(fù)制工藝構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)。第二電極層66也可以通過印刷和涂層工藝而部分涂敷,特別是當(dāng)源極和柵極電極在層結(jié)構(gòu)中向下排列,而柵極電極在其中向上排列時(shí)。
然后將層68和69涂覆到整個(gè)表面區(qū)域上。
如上已述,然而絕緣層65和由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層67也可以利用圖3至圖4c的工藝構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu),使得可以在沖壓薄膜6中實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的電路。
此外,還可以在要復(fù)制的層中復(fù)制結(jié)構(gòu)深度小于要復(fù)制的層的厚度的空間結(jié)構(gòu)。這通過圖6a中的例子說明。這樣,參考圖3所述的復(fù)制工藝被用于在層42中復(fù)制一個(gè)并不穿透層42結(jié)構(gòu),從而將圖6a中所示的層48提供為復(fù)制結(jié)果?,F(xiàn)在,如圖6b中所示,在下一個(gè)步驟中,電功能層49通過印刷、涂層或噴涂而敷設(shè)到結(jié)構(gòu)化層48上。在該方面,高粘性材料用于電功能層49,使得通過層49完全填充層48的凹槽。此外,一種硬化時(shí)經(jīng)歷預(yù)定體積減小的材料被用于電功能層49。這樣,例如可以使用通過紫外線可硬化的材料,最好是丙烯酸脂系統(tǒng),在紫外線硬化時(shí),經(jīng)歷事先明確規(guī)定的體積縮小。此外,體積的縮小還可以通過蒸發(fā)溶解有功能聚合物的溶液來實(shí)現(xiàn)。
在此情況下,層49的材料被以每表面區(qū)域的單位使用量來涂敷,這樣一方面層48的凹槽完全被層49的材料填充,另一方面,在層49硬化時(shí),產(chǎn)生體積的縮小,這樣的結(jié)果是層49完全或部分地填充了層48中的凹槽,而不再覆蓋層48的板面。這例如顯示在圖6c中,其中可以看出,在硬化后,層49僅填充層48的凹槽到95%的程度。這使得在層49硬化后,保留一個(gè)根據(jù)復(fù)制結(jié)構(gòu)構(gòu)造為模式結(jié)構(gòu)的電功能層49。
作為替代或者附加地,也可以如圖6d所示,在層48上敷設(shè)一電功能層50,該層硬化后,完全覆蓋層48,然后如圖6e所示在相關(guān)的整個(gè)表面區(qū)域去除一定厚度的層50,使得剩下一個(gè)構(gòu)造為與該復(fù)制結(jié)構(gòu)一致的模式結(jié)構(gòu)的電功能層50。該功能層50的去除例如可通過腐蝕或其他燒蝕處理,如激光燒蝕。
層49和50可分別包括一個(gè)各自的有機(jī)絕緣層,一個(gè)包括一個(gè)有機(jī)導(dǎo)電材料的層或一個(gè)包括有機(jī)半導(dǎo)體材料的層,該半導(dǎo)體材料用作一個(gè)利用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的功能層。該層48也可以是這樣一個(gè)功能層或一個(gè)改善電功能層的構(gòu)造的輔助層。
現(xiàn)在圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的薄膜的一個(gè)實(shí)施例,該薄膜具有以與附圖6a至6e描述的過程一致的模式結(jié)構(gòu)方式構(gòu)造的電功能層。
圖7顯示了一個(gè)沖壓薄膜7,它包括一個(gè)載體薄膜71,一個(gè)釋放層72,一個(gè)漆層73,一個(gè)絕緣層75,一個(gè)由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層76,兩個(gè)電極層74和77,一個(gè)漆層78和一個(gè)粘合層79。
層73由一個(gè)包含透明熱塑材料的復(fù)制漆層構(gòu)成。
漆層73可包含以下示例性成分
一種空間結(jié)構(gòu)現(xiàn)在在層73中被復(fù)制,由有機(jī)導(dǎo)體材料如聚苯胺或聚吡咯構(gòu)成的層74通過涂層工藝來敷設(shè),然后被硬化,從而具有圖6b和6c所描述的效果。絕緣層75例如通過印制工藝敷設(shè)在整個(gè)表面區(qū)域上。此時(shí)絕緣層75可以包含與漆層73相同的材料。由有機(jī)半導(dǎo)體材料如聚噻吩構(gòu)成的層76然后通過印刷敷設(shè)在相關(guān)的整個(gè)表面區(qū)域上。一種結(jié)構(gòu)然后被復(fù)制到層76中,由導(dǎo)電材料構(gòu)成的層77被敷設(shè)和硬化,從而得到圖6b和圖6c的效果。漆層78和粘合層79然后通過印刷敷設(shè)在相關(guān)的整個(gè)表面區(qū)域上,例如通過凹版印刷輥來敷設(shè)。
可以理解的是也可以通過復(fù)制工藝產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中描述的成型層,及利用輔助器具或刮削工藝構(gòu)造OFET層。關(guān)于現(xiàn)有技術(shù),只需關(guān)注說明書前言部分所描述的現(xiàn)有技術(shù)。
可以理解的是還可以設(shè)想采用其他層(圖1和2中未顯示),特別是全息光學(xué)層,光效薄膜層,保護(hù)層等。
電功能(具有有機(jī)半導(dǎo)體電路)與光學(xué)特征的結(jié)合是有利的。這二者在如圖8a所示的復(fù)制過程中在一個(gè)步驟中生成。特別地,可以以一種特定光學(xué)印象的方式產(chǎn)生具有衍射光結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu),如公司標(biāo)志。特定的防偽度通過在層系統(tǒng)的不同的高度位置,尤其是以互相疊加的方式設(shè)置衍射結(jié)構(gòu)來保證。因此以這種方式生成的光電元件非常適合作為鈔票、文件和安全商品和數(shù)據(jù)載體的防偽安全元件。
圖8a顯示了一個(gè)復(fù)制過程的功能性描述,其中用于光學(xué)安全特征的衍射光學(xué)結(jié)構(gòu)和電功能層的構(gòu)造同時(shí)生成。因此圖8a顯示了圖4a,圖4b,圖4c或圖6a所示的載體薄膜41和層42。如圖8a所示,結(jié)構(gòu)47在層42中被復(fù)制,該結(jié)構(gòu)47由一種宏觀結(jié)構(gòu)和一種微觀機(jī)構(gòu)疊加而成。該宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)成了層42的模式結(jié)構(gòu),從而給出了模式構(gòu)造的層42的電功能層。微觀結(jié)構(gòu)描述了該復(fù)制的層46的表面的精細(xì)構(gòu)造。該微觀結(jié)構(gòu)最好由一種衍射光學(xué)結(jié)構(gòu)構(gòu)成,該結(jié)構(gòu)例如產(chǎn)生一種全息圖或光學(xué)衍射效應(yīng),如kinegram,kineform等??梢岳斫獾氖窃撐⒂^結(jié)構(gòu)也可涉及一個(gè)產(chǎn)生特定顏色和顏色傾斜效應(yīng)的零階衍射結(jié)構(gòu)。另外也可由一個(gè)各向同性或各向異性結(jié)構(gòu)形成該微觀結(jié)構(gòu)。
特別推薦的是,在熱復(fù)制的情況下,結(jié)構(gòu)深度大于層42的厚度。如圖8b所示,提供一個(gè)其他的漆層44是有利的,在層42的下面最好包含一個(gè)復(fù)制漆層。復(fù)制輥的沖壓??梢砸阅菢拥姆绞酵ㄟ^層42沖壓,而不會(huì)損傷載體薄膜或被觀察的漆層44以下的其他層。
然后在層46上敷設(shè)一(漆)層,其材料的折射率大大不同于層46所使用的材料的折射率,這樣該微觀結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光學(xué)效應(yīng)對(duì)于觀察該薄膜的人而言將是可見的?;蛘咴?6上以一種完全或部分敷設(shè)有金屬層或HRI層(HRI=高折射率)的方式另外敷設(shè)一反射層。鉻、鋁、銅、鐵、鎳、銀、金或這些材料的合金都可考慮作為該反射層的材料。
現(xiàn)在圖9a顯示在一個(gè)薄膜內(nèi)將利用電子半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的電子元件和光學(xué)安全特征結(jié)合起來的另一種可能的方式。
圖9a顯示了包含一個(gè)載體薄膜81的沖壓薄膜8,一個(gè)釋放層82,兩個(gè)漆層83和84,一個(gè)第一電極層86,一個(gè)絕緣層87,一個(gè)由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層88,一個(gè)第二電極層89,一個(gè)漆層90,一個(gè)漆層91,一個(gè)由吸收層94、間隔層95、反射層96和粘合層97構(gòu)成的薄膜層系統(tǒng)。
第一和第二電極層86和89,絕緣層87和由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層88與圖1和2中所示的對(duì)應(yīng)層相同。電極層86和89的構(gòu)造可以例如通過參考圖3至圖4c所述的復(fù)制工藝來實(shí)現(xiàn)。
層83是一個(gè)在其中模壓了光衍射結(jié)構(gòu)85的復(fù)制漆層。然后敷設(shè)漆層84,它包括一種折射系數(shù)與漆層83非常不同的材料。如圖9a所示,衍射結(jié)構(gòu)85并不覆蓋整個(gè)表面區(qū)域,而是覆蓋部分區(qū)域。層90還涉及一個(gè)在其中模壓了光衍射結(jié)構(gòu)93的復(fù)制層。漆層91以模式結(jié)構(gòu)部分涂覆到層90上,層91的折射系數(shù)與層90的折射系數(shù)非常不同。光衍射結(jié)構(gòu)93也只被部分提供,使得光衍射結(jié)構(gòu)93產(chǎn)生的光特性被疊加于并由結(jié)構(gòu)85產(chǎn)生的光特性補(bǔ)充。
薄膜層系統(tǒng)包括吸收層94(最好有30%至65%的透射)、作為顏色變化生成層(例如四分之一λ或半λ層)的透明間隔層85,和折射層96或光隔離層,如果薄膜系統(tǒng)用作傳輸元件。
層94、95和96利用干涉產(chǎn)生一個(gè)依賴于觀察角度的顏色偏移。由薄膜層系統(tǒng)產(chǎn)生的顏色偏移在該情況下最好處于人眼可見光的范圍內(nèi)。
薄膜元件還可以由連續(xù)的高折射和低折射層構(gòu)成。例如這種薄膜元件可以在三個(gè)和九個(gè)這種層之間或兩個(gè)和十個(gè)這種層之間構(gòu)成。包括的層的數(shù)目越多,就可以更明顯地調(diào)節(jié)顏色改變效應(yīng)的波長(zhǎng)。
折射層96可以是整個(gè)區(qū)域或部分的金屬層或HRI層(HRI=高反射率)。這樣,鉻、鋁、銅、鐵、鎳、銀、金或這些材料的合金都可以考慮作為該反射層的材料。
漆層83、84、90和91也可以被著色。層86、87、88和89最好是透明的或在整個(gè)表面區(qū)域上著色,使得這些電功能層并不影響薄膜元件的光學(xué)影像。應(yīng)該理解,可以在復(fù)制電極層86和87時(shí),采用參考圖8a或圖8b描述的復(fù)制處理,使得上文中圖9a中指示的光學(xué)效果也可以增加額外的光學(xué)效果。在此情況下,以該方式產(chǎn)生的光學(xué)效果被添加例如由衍射結(jié)構(gòu)85和93產(chǎn)生的光學(xué)效果,由此這些效果中的一個(gè)的操縱或改變可以立即被觀察者察覺。
應(yīng)該理解,還可以使參考圖9a描述的光學(xué)效果被包含在根據(jù)本發(fā)明的薄膜中,但僅這些效果中的一個(gè)選擇被實(shí)現(xiàn)在薄膜中。
圖9b顯示了薄膜結(jié)構(gòu)的一個(gè)變化,其中分別為層83或?qū)?0在相關(guān)的整個(gè)表面區(qū)域或部分區(qū)域上以金屬層或HRI層的形式涂覆額外的反射層98和99。在該情況下,層84和83所使用的材料的折射率不必一定是不同的。同樣地,層90和層91所使用的材料的折射率也可以相同。
權(quán)利要求
1.一種薄膜(1、3、6、7、8、9),特別是一種沖壓薄膜或?qū)訅罕∧?,其特征在于薄?1、3、6、7、8、9)包括至少一種使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件,特別是一個(gè)或多個(gè)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于該薄膜是一種沖壓或?qū)訅罕∧ぁ?br>
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于沖壓或?qū)訅罕∧ぞ哂幸粋€(gè)載體薄膜(11、61、71、81),至少一個(gè)由一種有機(jī)半導(dǎo)體元件、特別是聚噻吩構(gòu)成的層(16、67、76、88),至少一個(gè)由電絕緣材料構(gòu)成的層(15、65、75、87),以及兩個(gè)或多個(gè)在模式結(jié)構(gòu)中以區(qū)域方式成形的由導(dǎo)電材料構(gòu)成的層(14、17、19、64、66、74、77、86、89)。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于導(dǎo)電層(14、17、19、64、66、74、77、86、89)包括有機(jī)導(dǎo)電材料,特別是聚苯胺或聚吡咯。
5.如權(quán)利要求3或4所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于電絕緣層(1、3、6、7、8、9)包括有機(jī)絕緣材料,特別是聚乙烯基苯酚。
6.如權(quán)利要求2至5所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于該薄膜是一種具有一個(gè)釋放層(12、62、72、82)和一個(gè)粘合層(20、69、79、97)的沖壓薄膜。
7.如權(quán)利要求2至6所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于該沖壓或?qū)訅罕∧ぞ哂幸粋€(gè)或多個(gè)毗連于功能聚合物層的漆層(13,18,63,68,73,78,84,90)。
8.如權(quán)利要求3所述的薄膜(1,3,6,7,8,9),其特征在于導(dǎo)電層、由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層、以及由電絕緣材料構(gòu)成的層是透明的。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜(2),其特征在于該薄膜是一種薄膜元件(2),它具有一個(gè)由有機(jī)半導(dǎo)體材料(16)、特別是聚噻吩構(gòu)成的層,由電絕緣材料構(gòu)成的層(15),以及兩個(gè)或更多的由導(dǎo)電材料(14,17,19)構(gòu)成、并在模式結(jié)構(gòu)中以區(qū)域方式成形的層。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜,其特征在于該薄膜(2)是一種通過尤其是如權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的沖壓或?qū)訅罕∧?1)敷設(shè)在襯底上的薄膜元件。
11.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜(8),其特征在于電氣功能、尤其是至少一個(gè)利用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的電子元件的電氣功能與光學(xué)特征相結(jié)合。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜(8),其特征在于該薄膜具有一種在該薄膜的各層之間成形的空間結(jié)構(gòu),一方面以模式結(jié)構(gòu)構(gòu)造一個(gè)利用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的電子元件的層(46),另一方面產(chǎn)生一種作為一種光學(xué)特征的光學(xué)衍射效應(yīng)。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜,其特征在于,該空間結(jié)構(gòu)(47)通過一種微觀結(jié)構(gòu)和一種宏觀結(jié)構(gòu)的疊加而形成,其中該宏觀結(jié)構(gòu)用于利用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的電子元件的層(46)的模式化構(gòu)造,該微觀結(jié)構(gòu)用于產(chǎn)生光學(xué)特征。
14.如前面任何一權(quán)利要求所述的薄膜(8),其特征在于該薄膜具有一個(gè)全息光學(xué)層或衍射層(83,84,90,91)。
15.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜(8),其特征在于該薄膜具有一個(gè)薄膜層序列(94、95)。
16.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜,其特征在于該薄膜具有一個(gè)裝飾層。
17.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜(8),其特征在于薄膜(8)具有兩個(gè)或多個(gè)互相疊加的、產(chǎn)生光學(xué)安全特性的層(83、84、90、91、94、95),其中使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的電子元件的一個(gè)或多個(gè)功能層(86、87、88、89)被排列在這些光活性層之間。
18.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜,其特征在于使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的元件的功能層的構(gòu)造通過一個(gè)或多個(gè)層的熱復(fù)制或紫外線復(fù)制而實(shí)現(xiàn)在薄膜中。
19.如前面任一權(quán)利要求所述的薄膜,其特征在于該薄膜用作安全元件。
20.一種用于生產(chǎn)如權(quán)利要求1中所述的薄膜(1、3、6、7、8、9)的方法,其特征在于,使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的至少一個(gè)元件的一個(gè)或多個(gè)層(43、49、50)的構(gòu)造通過熱復(fù)制或紫外線復(fù)制來實(shí)現(xiàn)。
21.一種如權(quán)利要20所述的方法,其特征在于復(fù)制到要復(fù)制的層(42)中的是一種其結(jié)構(gòu)深度大于或等于要復(fù)制的層(42)的厚度的空間結(jié)構(gòu),使得要復(fù)制的層被部分通過復(fù)制操作完全隔斷,并且形成了一個(gè)根據(jù)空間結(jié)構(gòu)以模式結(jié)構(gòu)構(gòu)造的電功能層(43)。
22.一種如權(quán)利要21所述的方法,其特征在于這種空間結(jié)構(gòu)被復(fù)制在由導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極層中,然后由非導(dǎo)電或半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電功能層被涂覆到所述層上。
23.一種如權(quán)利要20所述的方法,其特征在于復(fù)制到要被復(fù)制的層(42)中的是一種其結(jié)構(gòu)深度小于要被復(fù)制的層(48)的厚度的空間結(jié)構(gòu)。
24.一種如權(quán)利要23所述的方法,其特征在于涂覆在復(fù)制層(46)上的是一種硬化時(shí)經(jīng)歷預(yù)定體積減小的材料的電功能層(49),所述材料被以使用量涂覆到復(fù)制層(46)上,由此在硬化時(shí),在根據(jù)復(fù)制結(jié)構(gòu)以模式結(jié)構(gòu)構(gòu)造的功能層(49)通過體積縮小而保留。
25.一種如權(quán)利要24所述的方法,其特征在于功能層由通過紫外線可硬化的材料構(gòu)成。
26.一種如權(quán)利要23所述的方法,其特征在于電功能層(50)被涂覆到復(fù)制層(46)上,然后電功能層尤其通過蝕刻被去除至一定深度,從而保留根據(jù)復(fù)制結(jié)構(gòu)以模式結(jié)構(gòu)構(gòu)造的功能層(50)。
27.一種如權(quán)利要23至26中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于該空間結(jié)構(gòu)被復(fù)制在一個(gè)由非導(dǎo)電或半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電功能層中,然后將由導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極層被涂覆到所述層上。
28.一種用于生產(chǎn)如權(quán)利要1所述薄膜的方法,尤其是如權(quán)利要求20中所述的方法,其特征在于使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的至少一個(gè)元件的功能所需的電極、絕緣和半導(dǎo)體層中的所有或一個(gè)或多個(gè)通過印刷工藝在整個(gè)表面區(qū)域或部分表面區(qū)域上被引入薄膜結(jié)構(gòu)中。
29.一種如權(quán)利要20至28中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于電氣功能,特別是使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的一個(gè)或多個(gè)元件,以及光學(xué)特性,特別是光衍射結(jié)構(gòu),通過復(fù)制操作產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜(1),特別是一種沖壓或?qū)訅罕∧ぃ约耙环N用于生產(chǎn)這種薄膜的方法。本發(fā)明的特征在于,使用有機(jī)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的至少一個(gè)元件,特別是一個(gè)或多個(gè)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管,被集成在薄膜(1)中。
文檔編號(hào)H01L51/30GK1689175SQ03824470
公開日2005年10月26日 申請(qǐng)日期2003年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月2日
發(fā)明者諾伯特·盧茲, 海因里奇·維爾德, 盧德維格·布萊姆 申請(qǐng)人:雷恩哈德庫(kù)茲兩合公司