專利名稱：鐵電存儲裝置、顯示用驅(qū)動ic及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鐵電存儲裝置、顯示用驅(qū)動IC及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
鐵電存儲器(FeRAM、Ferroelectric Random Access Memory)裝置是一種利用鐵電材料的極化和電場之間呈現(xiàn)的磁滯特性來存儲信息的裝置，由于其速度高、功耗低及非易失性等而備受關(guān)注。
同其他存儲裝置一樣，在該鐵電存儲裝置中，實現(xiàn)存儲單元的高集成化或者小型化是永恒的研究課題。
例如，在下列日本專利文件(特開2002-170935)中，記載有連接于規(guī)定的位線的有源區(qū)域沿該位線配置成一列的鐵電存儲器，并公開了通過在板線、字線以及有源區(qū)域的形狀和配置上深入研究而實現(xiàn)縮小鐵電體存儲單元的面積的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2002-170935號公報但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)的鐵電存儲器結(jié)構(gòu)中存在這樣的問題由于位線(方向)的長度變長而導(dǎo)致鐵電存儲器的尺寸變大。
另一方面，由于上述鐵電存儲器具有高速性、低功耗性及非易失性等特性，從而廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備上。例如，在顯示裝置中所使用的顯示用驅(qū)動IC中，如下詳述，在與顯示體等的連接關(guān)系上，配線間隔有可能設(shè)定得比通常的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)(例如，最小的配線間隔)寬。
所以，為了實現(xiàn)鐵電存儲裝置的高集成化或者小型化，必須遵守允許的配線間隔，同時實現(xiàn)存儲單元的高集成化等。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可以解決上述問題的鐵電存儲裝置及顯示用驅(qū)動IC等。
即，以實現(xiàn)鐵電存儲裝置的高集成化或者小型化為目的，特別是，以提供在位線方向的集成度高的鐵電存儲裝置為目的。并且，以實現(xiàn)顯示用驅(qū)動IC(integrated circuit集成電路)中所使用的鐵電存儲裝置的高集成化或者小型化(布局最優(yōu)化)為目的。尤其是，以提高顯示用驅(qū)動IC所使用的鐵電存儲裝置的在位線方向上的集成度為目的。
此目的是通過保護范圍內(nèi)所記載的各方面的組合而實現(xiàn)的。(1)為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，提供一種鐵電存儲裝置，包括第一字線，在第一方向上延伸；多個元件區(qū)域，在第一字線的兩側(cè)沿第一方向排列；以及多個第一鐵電電容器，分別與多個元件區(qū)域連接，并由第一字線驅(qū)動。
根據(jù)上述方式，由于各字線驅(qū)動連接于排列在其兩側(cè)的多個元件區(qū)域的第一鐵電電容器，因此，可以提供與第一方向交叉的第二方向上的長度較短的鐵電存儲器裝置。特別是，根據(jù)上述實施例，與在位線的兩側(cè)排列有多個元件區(qū)域的鐵電存儲裝置相比，可縮短第二方向上的長度。
(2)上述第一鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是第一方向?qū)挾缺扰c第一方向垂直的第二方向?qū)挾葘挕?br> 根據(jù)上述方式，因為使第一鐵電電容器具有第一方向?qū)挾缺扰c第一方向垂直的第二方向?qū)挾葘挼慕Y(jié)構(gòu)，所以，在鐵電電容器上積蓄的電荷量增多，從而使寫入、讀取的容限增大。因此，可以提高寫入、讀取的特性。
(3)上述鐵電存儲裝置還包括多條第一字線；多條第二字線，沿第一方向延伸，與多條第一字線交替配置；以及多個第二鐵電電容器，分別連接于多個元件區(qū)域，并由多條第二字線驅(qū)動。優(yōu)選將多個元件區(qū)域分別排列在第一字線和第二字線之間。并且，優(yōu)選第二鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是第一方向?qū)挾缺鹊诙较驅(qū)挾葘挕?br> 根據(jù)上述方式，在規(guī)定的元件區(qū)域內(nèi)至少連接二個鐵電電容器，并且，由于用于驅(qū)動各鐵電電容器的字線配置在該規(guī)定的元件區(qū)域的兩側(cè)，所以，可提供一種集成度高、且在第二方向上的長度短的鐵電存儲裝置。并且，使第二鐵電電容器為第一方向?qū)挾缺扰c第一方向垂直的第二方向?qū)挾葘挼慕Y(jié)構(gòu)，所以，在鐵電電容器上可以積蓄的電荷量變多，從而使寫入、讀取的容限變大。因此，可提高寫入、讀取的特性。
(4)在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選方式是，各元件區(qū)域在第一方向上包括連接有第一鐵電電容器的一方端部、以及連接有第二鐵電體電容器的另一方端部，并且，在第一方向上，優(yōu)選多個元件區(qū)域在第一字線以及第二字線的兩側(cè)交替排列。
根據(jù)上述方式，在各第一字線和各第二字線之間，在第一方向上交替排列多個元件區(qū)域，因此，在第二方向上的元件區(qū)域之間的距離變得更短，從而可以提供一種在第二方向上的長度更短的鐵電存儲裝置。
(5)在上述鐵電存儲裝置中，俯視中，各元件區(qū)域形成階梯狀，在各元件區(qū)域中，一方端部及另一方端部的寬度比該一方端部和該另一方端部之間的中間部的寬度窄，并且，優(yōu)選第一字線及第二字線在鄰接的多個元件區(qū)域之間彎曲、并沿第一方向延伸。
根據(jù)上述方式，可以進一步縮短在第二方向上的元件區(qū)域之間的距離，因此，可以提供一種在第二方向上的長度更短的鐵電存儲裝置。
(6)在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選方式是，在配置于第一字線的一側(cè)的元件區(qū)域中，一方端部及另一方端部在與第一方向交叉的第二方向上相互錯開配置，并且，優(yōu)選方式是，配置于第一字線的另一側(cè)的元件區(qū)域內(nèi)，一方端部及另一方端部在與第二方向相反的方向上相互錯開配置。
根據(jù)上述方式，可以進一步縮短在第二方向上的元件區(qū)域之間的距離，同時可以使元件區(qū)域具有足夠的寬度，因此，可以充分地確保在元件區(qū)域形成的晶體管的驅(qū)動能力。并且，可以確保對鐵電體電容器存取的充分的存取速度。
(7)在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選第一字線以及第二字線與鄰接的多個元件區(qū)域的配置及形狀對應(yīng)地彎曲。
根據(jù)上述方式，可以使各字線彎曲，從而可以進一步縮短在第二方向上的元件區(qū)域的距離，因此，可以提供一種在第二方向上的長度更短的鐵電存儲裝置。
(8)在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選第一字線及第二字線包括干線，在第一方向上延伸；多個支線，從干線上分支，并以橫跨鄰接該干線的多個元件區(qū)域的方式配置。并且，在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選第一字線與第二字線的多個支線的配置對應(yīng)而進一步彎曲，優(yōu)選第二字線與第一字線的多個支線的配置對應(yīng)而進一步彎曲。
根據(jù)上述方式，可以進一步縮短在第二方向上的元件區(qū)域之間的距離，因此，可以提供一種在第二方向上的長度更短的鐵電存儲裝置。
(9)上述鐵電存儲裝置優(yōu)選還包括與多個第一鐵電電容器及多個第二鐵電電容器連接的多個板線。
根據(jù)上述方式，連接于各板線的第一鐵電電容器及第二鐵電電容器通過相互不同的字線驅(qū)動，因此，可以提供一種在第二方向上的長度變短、同時可以對需要的鐵電電容器進行存取的鐵電存儲裝置。
(10)在上述鐵電存儲裝置中，優(yōu)選方式是，多個元件區(qū)域在第一方向上交替排列在第一字線以及第二字線的兩側(cè)，并且，優(yōu)選方式是，連接于規(guī)定的元件區(qū)域的第一鐵電電容器隔著與該規(guī)定元件區(qū)域鄰接的第二字線，與第二鐵電電容器連接于相同的板線上，其中，該第二鐵電電容器連接于鄰接該規(guī)定的元件區(qū)域的其他元件區(qū)域。
根據(jù)上述方式，連接于各板線的第一鐵電電容器以及第二鐵電電容器由相互不同的字線驅(qū)動，在這種結(jié)構(gòu)中，可以將各板線設(shè)置成大致直線狀，從而可以降低板線的負(fù)荷。
(11)在上述鐵電存儲裝置中，各板線在第一方向上延伸，所以，也可以連接于多個第一鐵電電容器及多個第二鐵電電容器，其中，多個第一鐵電電容器及多個第二鐵電電容器連接于排列在各第一字線兩側(cè)的多個元件區(qū)域。
根據(jù)上述方式，各板線連接于配置在第一字線兩側(cè)的多個第一鐵電電容器及多個第二鐵電電容器，因此，可以提供一種在第二方向上的長度更短的鐵電存儲裝置。并且，根據(jù)上述方式，可以減少板線的條數(shù)，從而可以減少控制板線的構(gòu)成面積。
(12)在上述鐵電存儲裝置中，各板線在與第一方向交叉的第二方向上延伸，所以，也可以連接于第一鐵電電容器和第二鐵電電容器，其中，第一鐵電電容器連接于規(guī)定的元件區(qū)域，第二鐵電電容器隔著鄰接于該規(guī)定的元件區(qū)域的第二字線，連接于鄰接該規(guī)定的元件區(qū)域的其他元件區(qū)域。
(13)在上述鐵電存儲裝置中，多個元件區(qū)域在第一方向上交替排列在第一字線及第二字線的兩側(cè)，并且，各板線在與第一方向交叉的第二方向上延伸，并交替連接于設(shè)置在第一字線和第二字線之間的第一鐵電電容器及第二鐵電電容器。
根據(jù)上述形式，面對在第二方向上的長度短的鐵電存儲裝置，使各板線在第二方向上延伸，因此，板線變短，從而可以降低板線的負(fù)荷。
(14)在上述鐵電存儲裝置中，還包括在與第一方向交叉的第二方向上延伸的多條位線，并且，各元件區(qū)域優(yōu)選與多條位線中的任一條交叉配置。
(15)根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，提供一種鐵電存儲裝置，包括第一字線、第二字線以及第三字線；第一板線以及第二板線；第一位線以及第二位線；第一晶體管，柵極連接于第一字線，源極及漏極中的一方連接于第一位線；第二晶體管，柵極連接于第三字線，源極以及漏極中的一方連接于第一位線；第三晶體管，柵極連接于第一字線，源極以及漏極中的一方連接于第二位線；第四晶體管，柵極連接于第二字線，源極以及漏極中的一方連接于第二位線；第一鐵電電容器，一端連接于第一晶體管的源極以及漏極中的另一端，另一端連接于第一板線；第二鐵電電容器，一端部連接于第二晶體管的源極以及漏極中的另一端，另一端連接于第二板線；第三鐵電電容器，一端連接于第三晶體管的源極以及漏極中的另一端，另一側(cè)端部連接于第二板線；以及第四鐵電電容器，一端連接于第四晶體管的源極以及漏極中的另一端，另一端連接于第一板線；(16)本發(fā)明提供一種鐵電存儲裝置，包括第一字線、第二字線以及第三字線；第一板線、第二板線以及第三板線；第一位線以及第二位線；第一晶體管，柵極連接于上述第一字線，源極以及漏極中的一方連接于上述第一位線；第二晶體管，柵極連接于上述第三字線，源極以及漏極中的一方連接于上述第一位線；第三晶體管，柵極連接于上述第一字線，源極以及漏極中的一方連接于上述第二位線；第四晶體管，柵極連接于上述第二字線，源極及漏極中的一方連接于上述第二位線；第一鐵電電容器，一端連接于上述第一晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于上述第一板線；第二鐵電電容器，一端連接于上述第二晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于上述第二板線；第三鐵電電容器，一端連接于所述第三晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于上述第二板線；以及第四鐵電電容器，一端連接于上述第四晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于上述第三板線。
根據(jù)上述方式，各構(gòu)成可以配置為排列在字線的兩側(cè)連接有晶體管的元件區(qū)域，由該字線驅(qū)動字線兩側(cè)的晶體管，因此，可提供一種在與字線延伸的方向交叉的方向上的長度短的鐵電存儲裝置。
(17)根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，提供一種包括上述鐵電存儲裝置的顯示用驅(qū)動IC。所謂的顯示用驅(qū)動IC是指例如用于驅(qū)動液晶顯示裝置等的顯示裝置的所有設(shè)備。
(18)根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，提供一種包括上述鐵電存儲裝置的電子設(shè)備。所謂的電子設(shè)備是指具有包括本發(fā)明涉及的鐵電存儲裝置的一定功能的一般設(shè)備，對其結(jié)構(gòu)沒有特定的限定，例如包括上述鐵電存儲裝置的一般計算機裝置、便攜式電話、PHS、PDA、電子記事本、IC卡等需要存儲裝置的所有裝置。


圖1是示出實施例1的顯示用驅(qū)動IC的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是示出實施例1的存儲單元陣列110的結(jié)構(gòu)電路圖；圖3是示出實施例1的存儲單元陣列110的俯視圖；圖4是示出實施例1的存儲單元陣列110的主要部件截面圖；圖5是示出實施例1的存儲單元陣列110的局部結(jié)構(gòu)的主要部分的俯視圖；圖6是示出實施例1的存儲單元陣列110的局部結(jié)構(gòu)的主要部分俯視圖；圖7是示出實施例1的存儲單元陣列110的局部結(jié)構(gòu)的主要部分俯視圖；
圖8是示出實施例1的存儲單元陣列110的局部結(jié)構(gòu)的主要部件俯視圖；圖9是示出實施例1的存儲單元陣列110的部分結(jié)構(gòu)的主要部分俯視圖；圖10是示出實施例1的存儲單元陣列110的簡略俯視圖；圖11是用于說明實施例1的效果的局部俯視圖；圖12是用于說明實施例1的效果的局部俯視圖；圖13是示出實施例2的存儲單元陣列110的俯視圖；圖14是實施例2的存儲單元陣列110的主要部分截面圖；圖15是示出實施例3的存儲單元陣列110的俯視圖；圖16是示出實施例3的存儲單元陣列110的俯視圖；圖17是示出實施例3的存儲單元陣列110的結(jié)構(gòu)電路圖；圖18是示出實施例4的存儲單元陣列110的俯視圖；圖19是示出實施例4的存儲單元陣列110的俯視圖；以及圖20是示出使用顯示體的電子設(shè)備的例圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖，通過實施例對本發(fā)明進行說明。但是，以下的實施例并不用于限定保護范圍所涉及的本發(fā)明，并且，在實施例中所說明的所有各方面的組合并非是實現(xiàn)本發(fā)明的解決方法所必需的。而且，具有對相同功能的部件標(biāo)注相同或相關(guān)的標(biāo)記，并省略對其重復(fù)說明。
(實施例1)圖1是示出本實施例的顯示用驅(qū)動IC結(jié)構(gòu)框圖。顯示用IC包括鐵電存儲裝置、鎖存電路150和顯示驅(qū)動電路160。鐵電存儲裝置包括存儲單元陣列110、多條字線WL、多條板線PL、多條位線BL、字線控制部120、板線控制部130以及位線控制部140。
如后所述，存儲單元陣列110具有配置成陣列狀的多個存儲單元MC。各存儲器單元MC連接有任一字線WL、板線PL以及位線BL。并且，字線控制部120以及板線控制部130控制多條字線WL以及多條板線PL的電壓，向多條位線BL讀取存儲在存儲單元MC中的數(shù)據(jù)，而且，通過位線BL將從外部提供的數(shù)據(jù)存儲于存儲單元MC內(nèi)。鎖存電路150鎖存從存儲單元MC讀取的數(shù)據(jù)，顯示驅(qū)動電路160根據(jù)鎖存電路150所鎖存的數(shù)據(jù)，驅(qū)動外部的顯示體。
在此，外部的顯示體是例如液晶顯示裝置等顯示裝置。例如，構(gòu)成液晶顯示裝置的顯示體的各單元包括開關(guān)晶體管(TFTthinfilmtransistor，薄膜晶體管)和夾入液晶的像素電極，配置成陣列狀。因此，為了驅(qū)動這些單元(像素)，需要有與各TFT的柵極線或源極線等連接的驅(qū)動IC。所涉及的柵極線或源極線等配線間隔，大多設(shè)定成比通常的存儲單元陣列的位線間隔寬。例如，1至1.3倍的間隔。
在此，也可以考慮將顯示體的多條配線直接連接到存儲單元陣列中的間隔更小的多個配線部，但是，這樣可能導(dǎo)致用于連接的配線工作變得繁瑣，從而發(fā)生配線連接質(zhì)量的問題。另外，當(dāng)按照顯示體的多個配線間距形成位線時，可以減少上述配線連接的質(zhì)量問題，但是，由于位線間隔的變大，導(dǎo)致存儲單元陣列也變大了。因此，在保證允許的配線間隔的同時，實現(xiàn)存儲單元的高集成化等技術(shù)顯得尤為重要。
圖2是示出了本實施例的存儲單元陣列110的結(jié)構(gòu)電路圖。在圖2示出了在存儲器單元陣列110中作為重復(fù)單位的存儲單元MC1至MC4的構(gòu)成。存儲單元陣列110將存儲器單元MC1至MC4重復(fù)配置在字線WL的延伸方向以及位線BL的延伸方向上。
存儲單元MC1至MC4分別包括鐵電電容器170以及NMOS(n溝道型MOSMetal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體；n溝道型MISFETMetal lnsulator Semiconductor Field EffectTransistor，金屬絕緣半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)172。在存儲單元MC1至MC4中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL，另一方連接于鐵電電容器170的一端。此外，所謂源極、漏極區(qū)域是指形成晶體管的源極或漏極的區(qū)域。
并且，NMOS 172的柵極與字線WL連接，并對根據(jù)字線WL的電壓是否將鐵電電容器170的一端連接于對應(yīng)的位線BL進行切換。并且，鐵電電容器170的另一端連接于對應(yīng)的板線PL。
具體地說，在存儲單元MC1中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL1，柵極連接于字線WL1，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL1。并且，在存儲單元MC2中，NMOS172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL1，柵極連接于字線WL3，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL2。并且，在存儲單元MC3中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL2，柵極連接于字線WL1，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL2。并且，在存儲單元MC4中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL2，柵極連接于字線WL2，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL1。
圖3是示出本實施例的存儲單元陣列110的俯視圖。圖4是本實施例的存儲單元陣列110的主要部分截面圖。圖4(a)示出圖3中沿A-A線的截面，圖4(b)示出圖3中沿B-B線的截面。圖5至圖9是示出圖3中存儲單元陣列110的布局的局部結(jié)構(gòu)的主要部分俯視圖。
以下，參照圖3至圖9，對于本實施例的存儲單元陣列的結(jié)構(gòu)進行詳細(xì)說明，首先參照圖10對本實施例的主要方面進行說明。圖10是示出本實施例的存儲單元陣列110的簡略俯視圖。
如圖10所示，元件區(qū)域112為在x軸方向具有長邊的大致長方形的區(qū)域，以在x軸方向上相隔一定間距的方式配置有多個該元件區(qū)域112。在該元件區(qū)域中形成有兩個存儲單元(兩個晶體管和兩個鐵電電容器)。
并且，多個元件區(qū)域112呈所謂的交錯配置。換句話說，將在x軸方向排列的多個元件區(qū)域112作為元件區(qū)域行時，在y軸方向上交替重復(fù)地配置A配置的元件區(qū)域行和B配置的元件區(qū)域行。所謂A配置的有源區(qū)域行是指例如包括形成圖10的存儲單元MC2的元件區(qū)域112的元件區(qū)域行，所謂B配置的有源區(qū)域行是指起點與A配置的元件區(qū)域錯開規(guī)定的距離而配置的元件區(qū)域行(例如，包括形成有存儲單元MC3的元件區(qū)域112的元件區(qū)域行)。
在此，在各元件區(qū)域行之間，沿x軸方向配置字線WL的干線。如后詳述，該字線WL包括支線，該支線從干線沿y軸方向延伸到元件區(qū)域112上。
并且，位線BL在與各元件區(qū)域112垂直的方向(y軸方向)上延伸，并與構(gòu)成存儲單元MC的NMOS 172的源極、漏極區(qū)域連接。
在本實施例中，在有源區(qū)域112形成兩個NMOS 172和兩個鐵電電容器170，因此，以與兩個NMOS 172的共用的源極、漏極區(qū)域連接、并橫穿元件區(qū)域112的大致中心部上面的方式配置位線BL。
在此，配置在各元件區(qū)域行中的位線BL的圖中右側(cè)的存儲單元MC分別與相同的字線WL(圖中位于上部的字線WL)連接，配置在位線BL的圖中右側(cè)的存儲單元分別與相同的字線WL(圖中位于上部字線WL)連接。
換句話說，元件區(qū)域行之間的字線WL與形成在其兩側(cè)(圖中的上部以及下部)的元件區(qū)域112的存儲單元MC中的任一方(例如，圖中左側(cè))連接。并且，對于與該字線WL鄰接的字線WL，與形成在其兩側(cè)(圖中的上部以及下部)的元件區(qū)域112的存儲單元MC中的另一方(例如，圖中的右側(cè))連接。
并且，換句話說，在同一位線BL間鄰接的存儲單元(例如，MC2和MC3)由不同的字線WL驅(qū)動。
在此，總結(jié)本實施例的主要方面。
首先，關(guān)于第一方面，將元件區(qū)域112的長邊方向配置在與位線BL垂直的方向(x軸方向，與字線WL平行)上。并且，在位線BL之間配置有兩個存儲單元列。并且，在位線BL的兩側(cè)配置有存儲單元列。所謂存儲單元列是指沿y軸方向排列的多個存儲單元。例如，在位線BL的兩側(cè)配置有包括存儲單元MC2的存儲單元列和包括存儲單元MC1的存儲單元列。并且，在位線之間配置有包括存儲單元MC2的存儲單元列和包括存儲單元MC3的存儲單元列。
如上所述，根據(jù)本實施例，可以在位線BL之間高效率地配置存儲單元。特別是，位線BL之間的間距比通常寬時，可以高效率地配置存儲單元。
并且，根據(jù)本實施例的第二方面，在字線WL上設(shè)置支線，并與元件區(qū)域112上的存儲單元連接。即使與字線WL平行地設(shè)置元件區(qū)域的長邊方向，也可以通過字線WL的支線驅(qū)動存儲單元。
并且，根據(jù)本實施例的第三方面，如上所述，交錯配置元件區(qū)域。通過交錯配置，可以縮短y軸方向的元件區(qū)域的間隔。并且，可以確保字線(干線)WL的配置區(qū)域。
并且，根據(jù)本實施例的第四方面，如上所述，因為對在各存儲單元和字線WL之間的連接進行了深入研究，所以，如后所述，1)使字線WL彎曲著延伸，2)或者，將元件區(qū)域的形狀做成Z字狀，這樣可以進一步縮小y軸方向的元件區(qū)域的間隔。即，可以優(yōu)化各存儲單元的配置。
接著，參照圖3至圖9，對于本實施例的存儲單元陣列結(jié)構(gòu)進行詳細(xì)說明。此外，為了使圖面容易理解，在俯視圖中也適當(dāng)?shù)靥砑恿岁幱啊?br> 如圖3等所示，在存儲單元陣列110中配置有多個元件區(qū)域112、多條字線WL、多個插塞、多個鐵電電容器170、多條位線BL、以及多條板線PL。
(1)如圖5所示，元件區(qū)域112在x軸方向上為長的區(qū)域，在本實施例中，大致成Z字形狀(或倒Z字形狀)。在x軸方向配置有多個該元件區(qū)域112，其間隔為DAcx。而且，沿y軸方向鄰接的元件區(qū)域112的在y軸方向上的距離為DAcy。并且，構(gòu)成鄰接的兩列元件區(qū)域行的各元件區(qū)域112在x軸方向交替排列。換言之，交錯配置。在圖5中，各元件區(qū)域112以在x軸方向不重疊的方式配置。
元件區(qū)域112是形成NMOS 172(參照圖2)的區(qū)域，該NMOS172構(gòu)成存儲單元MC1至MC4。在各元件區(qū)域112中，形成兩個NMOS 172(字線WL的支線124)。如圖4及圖5的右下部所示，元件區(qū)域112包括有源區(qū)域114、116以及118，有源區(qū)域114、116以及118作為一方的端部、另一方的端部以及中間部的一個例子。在元件區(qū)域112中，有源區(qū)域114、116以及118分別為NMOS 172的源極、漏極區(qū)域，并作為源極或漏極發(fā)揮功能。并且，字線WL的支線124作為NMOS 172的柵極發(fā)揮功能。元件區(qū)域112通過絕緣層70相互絕緣(分離元件)(參照圖4)。
在此，元件區(qū)域112大致成Z字形狀(或者是略倒Z字狀)。換言之，如圖5的右下的有源區(qū)域112所示，y軸方向的有源區(qū)域118的寬度比y軸方向的有源區(qū)域114以及116的寬度寬。具體地說，元件區(qū)域112的y軸方向為長邊方向，并且，在y軸方向上成階梯狀。即，在元件區(qū)域112中，在x軸方向上，在相互相反方向上錯開配置有源區(qū)域114以及116。
如上所述，由于在元件區(qū)域112的形狀上深入研究，從而可以縮短y軸方向的元件區(qū)域的間隔。即，如圖10所說明，將元件區(qū)域112大致做成長方形時，在y軸方向上必須確保元件區(qū)域的間隔寬度。這是因為，例如，如圖11(a)所示，需要確保與字線WL的支線124鄰接的其他字線的干線122之間的距離(DW)。圖11是用于說明本實施例的效果的局部俯視圖。
如圖11(a)所示，在驅(qū)動自身的字線WL方向(圖中的下方向)上，將元件區(qū)域112的一端彎成曲柄狀，這樣，與字線WL的支線124鄰接的其他字線WL的干線122之間的距離變大，從而可以縮短字線WL和元件區(qū)域112之間的距離。其結(jié)果是，可以縮短y軸方向上的元件區(qū)域之間的間隔。換言之，形成在元件區(qū)域112的一端的存儲單元與驅(qū)動自身的字線WL的干線122接近配置，其距離為D1。另一方面，與不驅(qū)動自身的字線WL的干線122之間離開距離D2(＞D1)配置。
并且，如圖11(b)所示，在相鄰的元件區(qū)域112中，接近側(cè)分別向同一方向折彎，從而確保了元件區(qū)域之間的寬度(Dacy2)。即，排列在各字線WL的一側(cè)的元件區(qū)域(例如形成存儲單元MC2的區(qū)域)112與排列在另一側(cè)的元件區(qū)域(例如形成存儲單元MC3的區(qū)域)112的方向和有源區(qū)域114以及116錯開配置的方向相反。換言之，排列在各字線WL的一側(cè)的元件區(qū)域(例如形成存儲器單元MC2的區(qū)域)112大致成Z字形狀，與此相對應(yīng)，排列在另一側(cè)的元件區(qū)域(例如，形成存儲器單元MC3的元件區(qū)域)112成倒Z字形狀。
如上所述，通過對元件區(qū)域112的形狀以及配置上深入研究，從而可以縮小y軸方向上的元件區(qū)域之間的間隔。
并且，在鄰接的字線WL之間，元件區(qū)域112沿x軸方向排列。即，在存儲單元陣列110中，字線WL和元件區(qū)域112的列在y軸方向交替配置。并且，在各字線WL的兩側(cè)，元件區(qū)域112沿x軸方向交替配置。換言之，交錯配置。在本實施例中，排列在各字線WL的一側(cè)的元件區(qū)域112和排列在另一側(cè)的元件區(qū)域112在x軸方向上不以重疊的方式配置。
(2)如圖6所示，各字線WL包括大致在x軸方向上延伸的干線122、以及在與x軸方向大致垂直的y軸方向上延伸的支線124，整體上，在x軸方向上延伸。干線122在與其鄰接的多個元件區(qū)域112之間彎曲，在x軸方向上延伸。具體地說，干線122根據(jù)鄰接的多個元件區(qū)域112的形狀以及配置，沿x軸方向及y軸方向彎曲，以通過該多個元件區(qū)域112之間的方式延伸。
并且，干線122還根據(jù)鄰接的其他字線WL的支線124的配置而彎曲。具體地說，支線124從干線122分支后，從元件區(qū)域112的一側(cè)到另一側(cè)，以沿y軸方向橫跨元件區(qū)域112的方式配置，其端部從元件區(qū)域112突出。這是為了通過將元件區(qū)域112的y軸方向的整體寬度用作溝道而提高晶體管的驅(qū)動能力。并且，由于形成突出部分，所以，可以減少掩模錯位或制造誤差引起的質(zhì)量問題。
并且，在元件區(qū)域112中，支線124經(jīng)由后述的有源區(qū)域114和118之間、以及有源區(qū)域116和118之間(參照圖4)，其端部從該元件區(qū)域112中突出。此外，干線122以與鄰接的其他字線WL的支線124的該端部相隔規(guī)定的距離配置的方式彎曲。
這樣，使字線WL彎曲的同時并在元件區(qū)域之間延伸，從而可以縮短y方向上的元件區(qū)域間隔。即，如圖10中說明，元件區(qū)域112大致成長方形時，必須要確保較寬的y軸方向上的元件區(qū)域的間隔。例如，如圖12所示，這是因為需要確保字線WL的支線124和鄰接的其他字線WL的干線122之間的距離(DW)。圖12是用于說明本實施例效果的局部俯視圖。
如圖12所示，將字線WL的干線122接近其支線124所延伸的元件區(qū)域112配置，即，相隔距離D3(＜D4)而配置。并且，使字線WL的干線122從與其他字線WL的支線124相對的元件區(qū)域112側(cè)相隔距離D4(＞D3)配置。
這樣，通過以彎曲的方式配置字線WL的干線122，使字線WL的干線122重復(fù)接近或遠(yuǎn)離其兩側(cè)的元件區(qū)域112，從而可以縮短字線WL和元件區(qū)域112之間的間隔。其結(jié)果是，可以縮短y方向上的元件區(qū)域之間的間隔。
(3)如圖7所示，鐵電電容器170形成在元件區(qū)域112的一側(cè)端部和另一側(cè)端部(有源區(qū)域114、116)之上(參照圖4、圖5)。如圖4所示，鐵電電容器170具有下部電極50、鐵電體層52以及上部電極54的層壓結(jié)構(gòu)，并分別設(shè)置在x軸方向上的元件區(qū)域112兩端的上層。鐵電電容器170的下部電極50通過插塞56分別連接于活性區(qū)域114以及116。
在本實施例中，在存儲單元陣列110中交替配置用于驅(qū)動連接于活性區(qū)域114的鐵電電容器170的字線WL和用于驅(qū)動連接于有源區(qū)域116的鐵電電容器170的字線WL。并且，以只驅(qū)動連接于有源區(qū)域114以及有源區(qū)域116的任一方的鐵電電容器170(參照圖4、圖7)的方式，配置從規(guī)定的字線WL分支的多條支線124。在圖3中，以字線WL 1驅(qū)動連接于有源區(qū)域114的鐵電電容器170、鄰接字線WL1的字線WL2以及WL3驅(qū)動連接于有源區(qū)域116的鐵電電容器170的方式配置。此外，也可以該多條支線124驅(qū)動連接于有源區(qū)域114以及有源區(qū)域116雙方的鐵電電容器170的方式配置。
(4)如圖8等所示，各位線BL在x軸方向上相互具有一定的間隔，大致成直線狀在y軸方向上延伸。如上所述，在x軸方向上，元件區(qū)域112交替配置在各字線WL的兩側(cè)，并且，如圖8等所示，以與位線BL交叉的方式配置。如圖4等所示，各位線BL通過插塞56在有源區(qū)域118上與元件區(qū)域112連接。并且，如果向支線124(字線WL)提供規(guī)定的電壓，則在元件區(qū)域112上，各NMOS172在該支線124的下部形成溝道，并與位線BL和鐵電電容器170的下部電極50連接。
并且，如圖8所示，配線72與位線BL設(shè)置在同層上，并從規(guī)定的元件區(qū)域112的有源區(qū)域114開始，橫跨鄰接該有源區(qū)域114的其他元件區(qū)域112的有源區(qū)域116而設(shè)置。并且，如圖4(b)等所示，連接與有源區(qū)域114連接的鐵電電容器170和與鄰接于該有源區(qū)域114的其他元件區(qū)域112的有源區(qū)域116連接的鐵電電容器170。即，通過插塞60分別連接于鐵電電容器170的上部電極54。
(5)如圖3、圖4以及圖9等所示，各板線PL在y方向上x相互之間具有一定的間隔，在x方向上大致延伸成直線狀。各板線PL沿著元件區(qū)域112的排列，以與元件區(qū)域112相重疊的方式配置。而且，各板線PL只與配置在該板線PL的下層的多個鐵電電容器170中的連接于活性區(qū)域114的鐵電電容器170連接，并且，只與配置在鄰接該板線PL的其他板線PL的下層的鐵電電容器170中的連接于活性區(qū)域116的鐵電電容器170連接。即，連接于設(shè)置在指定的字線WL的一側(cè)的活性區(qū)域114的鐵電電容器170和連接于設(shè)置在另一側(cè)的活性區(qū)域116的鐵電電容器170連接于同一板線PL。
如上詳述，根據(jù)本實施例，各字線WL驅(qū)動連接于排列在其兩側(cè)的多個元件區(qū)域112的鐵電電容器170，所以，可以提供y方向上的長度短的鐵電電容器。特別是，根據(jù)本實施例，與在位線BL的兩側(cè)排列多個元件區(qū)域112的鐵電電容器相比，可以縮短y方向的長度。
根據(jù)本實施例，在規(guī)定的元件區(qū)域112至少連接有兩個的鐵電體電容器170，并且，驅(qū)動各鐵電電容器170的字線WL配置在該規(guī)定的元件區(qū)域112的兩側(cè)，因此，可提供一種集成度高、且在y方向上的長度短的鐵電體存儲器裝置。
根據(jù)本實施例，在各字線WL之間，沿x方向交替排列多個元件區(qū)域112，因此，y方向上的元件區(qū)域區(qū)域112之間的距離變得更短，從而可以提供y方向上的長度更短的鐵電存儲器裝置。
根據(jù)本實施例，在元件區(qū)域112中，可以加寬NMOS 172的溝道寬度，所以，即使縮短y方向上的長度，也可以充分地確保形成于元件區(qū)域112的NMOS 172的驅(qū)動能力。并且，可以確保對鐵電電容器170存取的充分的存取速度。
根據(jù)本實施例，進一步縮短y方向上的元件區(qū)域112之間的距離的同時，使元件區(qū)域112具有足夠的寬度，因此，可以充分地確保形成在元件區(qū)域112的NMOS 172的驅(qū)動能力。并且，可以確保對鐵電體電容器170存取的充分的存取能力。
根據(jù)本實施例，使各字線彎曲，因此，可以進一步縮短y方向上的元件區(qū)域112之間的距離，從而可以提供y方向上的長度更短的鐵電存儲區(qū)裝置。
根據(jù)本實施例，可以通過相互不同的字線WL驅(qū)動連接于同一字線WL上的多個鐵電電容器170，因此，可以縮短y方向上的長度，并且，可以對需要的鐵電電容器170進行存取的鐵電存儲器裝置。
根據(jù)本實施例，在利用不同的字線WL驅(qū)動連接在相同的字線WL上的多個鐵電電容器170的結(jié)構(gòu)中，將各板線PL設(shè)置成略直線狀，因此，可以減低板線PL的負(fù)荷。
(實施例2)圖13是示出本實施例的存儲單元陣列110的俯視圖。圖14是本實施例的存儲單元陣列110的主要部分截面圖。圖14(a)示出圖13中的沿A-A線的截面，圖14(b)示出圖13中的沿B-B線的截面。以下，在與實施例1對應(yīng)的部分上標(biāo)注相同的符號，省略其詳細(xì)的說明，主要以與實施例1不同的部分為中心進行說明。
在本實施例中，如圖13所示，各板線PL在x方向上延伸，并與連接于排列在字線WL兩側(cè)的多個元件區(qū)域112的多個鐵電電容器170連接。具體地說，板線PL以兩條字線WL與一條板線之比設(shè)置，并與配置在對應(yīng)的字線WL兩側(cè)的有源區(qū)域114以及116連接的多個鐵電電容器170連接。
并且，在本實施例中，如圖14所示，位線BL配置在板線PL的上層。具體地說，板線PL通過插塞60與鐵電電容器170的上部電極54連接，位線BL通過與插塞62、板線PL配置在同一層的焊盤74和插塞56連接于有源區(qū)域118。
根據(jù)本實施例，各板線PL與配置在字線WL的兩側(cè)的多個鐵電電容器170連接，所以，在實施例1的效果的基礎(chǔ)上，可以提供y方向上的長度更短的鐵電體存儲器裝置。并且，根據(jù)本實施例，可減少板線PL的條數(shù)，因此，可減少板線控制部的構(gòu)成面積(參照圖1)。
此外，在本實施例中，位線BL是設(shè)置在板線PL下層的結(jié)構(gòu)，但是，位線BL也可以是設(shè)置在板線PL的上層的結(jié)構(gòu)。
(實施例3)圖15以及圖16是示出本實施例的存儲單元陣列110的俯視圖。圖16是明示圖15中的位線BL及板線PL之間關(guān)系的俯視圖。圖17示出本實施例的存儲單元陣列110的結(jié)構(gòu)電路圖。
以下，在與實施例1對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的符號，省略其詳細(xì)的說明，主要以實施例1不同的部分為中心進行說明。
在本實施例中，如圖15及圖16所示，各板線PL沿y方向延伸。換言之，在位線BL之間，各板線PL以與位線BL大致平行地延伸。
具體地說，板線PL以從規(guī)定的元件區(qū)域112的有源區(qū)域114在鄰接該有源區(qū)域114的其他元件區(qū)域112的有源區(qū)域116上延伸的方式設(shè)置。并且，板線PL連接與有源區(qū)域114連接的鐵電電容器170和與鄰接該有源區(qū)域114的其他元件區(qū)域112的有源區(qū)域116連接的鐵電電容器170。
根據(jù)本實施例，如在實施例1中說明的，縮短存儲單元陣列110的位線BL延伸的方向(y軸方向)上的長度，因此，與使板線PL在x軸方向上延伸的情況相比，板線PL變短，從而可以降低板線PL的負(fù)荷。
并且，根據(jù)本實施例，使板線PL和位線BL沿同一方向延伸，因此，可以在同一層上形成板線PL和位線BL。在這種情況下，板線PL位于圖4(a)以及(b)中的配線72的位置。
并且，圖17示出在本實施方式的存儲單元陣列110中，成為重復(fù)單位的存儲單元MC1至MC4的構(gòu)成。在字線WL的延伸方向及位線BL的延伸方向上重復(fù)配置存儲單元陣列110的存儲單元MC1至MC4。
存儲單元MC1至MC4分別包括鐵電電容器170及NMOS 172。在存儲單元MC1至MC4中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域的一方連接于位線BL，另一方連接于鐵電體電容器170的一個端部。并且，NMOS 172的柵極連接于字線WL，根據(jù)字線WL的電壓對是否將鐵電體電容器170的一端連接于對應(yīng)的位線BL進行切換。并且，鐵電電容器170的另一端連接于對應(yīng)的板線PL。
具體地說，在存儲單元MC1中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL1，柵極連接于字線WL1，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL1。并且，在存儲單元MC2中，NMOS172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL1，柵極連接于字線WL3，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL2。并且，在存儲單元MC3中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL2，柵極連接于字線WL1，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL2。并且，在存儲單元MC4中，NMOS 172的源極、漏極區(qū)域中的一方連接于位線BL2，柵極連接于字線WL2，鐵電電容器170的另一端連接于板線PL3上。
(實施例4)圖18及圖19是示出本實施例的存儲單元陣列110的俯視圖。圖19示出圖18中的鐵電電容器170以及位線BL的配置的俯視圖。以下，在與實施例1對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的符號，省略對其詳細(xì)的說明，主要以實施例1不同的部分為中心進行詳細(xì)說明。
在本實施例中，如圖18及圖19所示，鐵電電容器170的形成面積大于實施例1(圖7)等的形成面積。
具體地說，如圖19所示，使鐵電電容器170為在x方向上具有長邊的大致長方形。如圖所示，在與驅(qū)動自身的位線BL鄰接的位線BL方向上，確保較長的鐵電電容器170的形成區(qū)域。
其結(jié)果是，在實施例1的效果的基礎(chǔ)上，在鐵電電容器170上可積蓄的電荷量變多，從而使寫入、讀取容限變大，并且，可以提高寫入、讀取特性。
并且，鐵電電容器170所占有的面積變大，從而可以減少有無鐵電電容器170而產(chǎn)生的高低差異。
此外，也可以使板線PL的結(jié)構(gòu)具有如實施例2或?qū)嵤├?中所說明的形狀。
此外，在實施例1及實施例3中，是位線BL位于板線PL的下層的結(jié)構(gòu)，但是，如實施例2，位線BL也可以是位于板線PL的上層的結(jié)構(gòu)。
并且，在實施例1至3中，使有源區(qū)域的形狀成大致長方形，但也可以是其它形狀(例如，橢圓形等)。并且，在實施例1至3中，在一個有源區(qū)域上形成兩個單元(兩個晶體管和兩個電容器)，但是，并不限于此，也適用于在一個有源區(qū)域上形成一個單元(一個晶體管和一個電容器)的鐵電存儲裝置等。
并且，在實施例1至3中，以根據(jù)顯示體的多條配線間距形成位線位前提進行了說明，但是，顯示體的多個配線間隔與位線間隔并沒有必要一致。這是因為，只是減少這些間隔差，也可以使這些配線的連接變得更容易，從而減少配線之間的連接質(zhì)量的問題。因此，只要至少在存儲單元區(qū)域具有上述實施例的存儲單元的結(jié)構(gòu)即可。
(電氣光學(xué)裝置以及電子設(shè)備的說明)接下來，對使用這樣的顯示體的電氣光學(xué)裝置和電子設(shè)備進行說明。
本發(fā)明作為例如電氣光學(xué)裝置(顯示裝置)的驅(qū)動電路而使用。圖20示出使用顯示體的電子設(shè)備的例子。圖20(A)是在便攜式電話中的應(yīng)用例，圖20(B)是在攝像機中的應(yīng)用例。此外，圖20(C)是在電視(TV)中的應(yīng)用例，圖20(D)是在上卷式電視機中的應(yīng)用例。
如圖20(A)所示，便攜式電話530包括天線部531、音頻輸出部532、音頻輸入部533、操作部534以及電氣光學(xué)裝置(顯示部、顯示體)500。本發(fā)明可以適用于該電氣光學(xué)裝置。
如圖20(B)所示，在攝像機540中包括顯像部541、操作部542、音頻輸入部543以及電氣光學(xué)裝置500。在該電氣光學(xué)裝置中可以適用本發(fā)明。
如圖20(C)所示，電視550包括電氣光學(xué)裝置500。在該電氣光學(xué)裝置中可以適用本發(fā)明。此外，也可以將本發(fā)明適用于個人計算機等監(jiān)視器裝置中。
如圖20(D)所示，上卷式電視560包括電氣光學(xué)裝置500。在該電氣光學(xué)裝置中也可以適用本發(fā)明。
而且，作為具有電氣光學(xué)裝置的電子設(shè)備，除上述之外，還有具有顯示功能的傳真裝置、數(shù)字照相機的取景器、便攜式TV、電子記事本、電氣光學(xué)布告板、宣傳廣告用顯示器等。
并且，在實施例1至3中，對連接于顯示體的驅(qū)動電路的存儲單元陣列的情況進行了說明，但是，并不限定所述用途，可以廣泛適用于鐵電存儲裝置自身以及具有鐵電存儲器的各種電子設(shè)備中。
并且，根據(jù)用途，可以對通過上述發(fā)明的實施方式說明的實施例或應(yīng)用例進行適當(dāng)?shù)慕M合，或者變更、改良后使用，本發(fā)明并不限定于上述實施方式的描述。從權(quán)利要求保護范圍的記載中明確了在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)可以包含加入上述組合、或變更、或改良的實施方式。
符號說明50下部電極52鐵電體層54上部電極56、60、62插塞70絕緣層 72配線74焊盤110存儲單元陣列112各元件區(qū)域 112元件區(qū)域114、116、118有源區(qū)域 120字線控制部122干線 124支線130板線控制部 140位線控制部150鎖存電路 160顯示驅(qū)動電路170電電容器 172NMOS500電氣光學(xué)裝置 530便攜式電話531天線部 532音頻輸出部533音頻輸入部 534操作部540攝像機 541顯像部542操作部 543音頻輸入部550電視 560上卷式電視BL位線MC存儲單元PL板線WL字線
權(quán)利要求
1.一種鐵電存儲裝置，其特征在于，包括第一字線，在第一方向上延伸；多個元件區(qū)域，在所述第一字線的兩側(cè)沿所述第一方向排列；以及多個第一鐵電電容器，分別連接于所述多個元件區(qū)域，并通過所述第一字線驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述第一鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是所述第一方向的寬度比垂直于所述第一方向的第二方向的寬度寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鐵電存儲裝置，其特征在于，還包括多條所述第一字線；多條第二字線，在所述第一方向上延伸，并與所述多條第一字線交替配置；以及，多個第二鐵電電容器，分別連接于所述多個元件區(qū)域，并通過所述第二字線驅(qū)動，其中，所述多個元件區(qū)域分別排列在所述第一字線和所述第二字線之間，所述第二鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是所述第一方向的寬度比所述第二方向的寬度寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鐵電存儲裝置，其特征在于各元件區(qū)域在所述第一方向上具有一方端部，連接有所述第一鐵電電容器；以及另一方端部，連接有所述第二鐵電電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述多個元件區(qū)域在所述第一方向上交替排列在所述第一字線及所述第二字線的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鐵電存儲裝置，其特征在于各元件區(qū)域在俯視中形成為階梯狀，在各元件區(qū)域中，所述一方端部以及所述另一方端部的寬度比該一方端部和該另一方端部之間的中間部的寬度窄，所述第一字線及所述第二字線在鄰接的多個元件區(qū)域之間彎曲、并在所述第一方向上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鐵電存儲裝置，其特征在于在配置于所述第一字線的一側(cè)的元件區(qū)域中，所述一方端部及所述另一方端部在與所述第一方向交叉的所述第二方向上相互錯開配置，在配置于所述第一字線的另一側(cè)的元件區(qū)域中，所述一方端部及所述另一方端部在與所述第二方向相反的方向上相互錯開配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述第一字線及所述第二字線根據(jù)鄰接的多個元件區(qū)域的配置及形狀彎曲。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述第一字線及所述第二字線包括干線，在所述第一方向上延伸；多個支線，從所述干線分支，橫跨鄰接于該干線的多個元件區(qū)域配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述第一字線根據(jù)所述第二字線的所述多條支線的配置而進一步彎曲，所述第二字線根據(jù)所述第一字線的所述多條支線的配置而進一步彎曲。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至10中任一項所述的鐵電存儲裝置，其特征在于還包括連接于所述多個第一鐵電電容器及所述多個第二鐵電電容器的多條板線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鐵電存儲裝置，其特征在于，所述多個元件區(qū)域在所述第一方向上交替配列在所述第一字線及所述第二字線的兩側(cè)，連接于規(guī)定的元件區(qū)域的第一鐵電電容器與所述第二鐵電電容器連接于相同的板線上，其中，所述第二鐵電電容器隔著鄰接于該規(guī)定的元件區(qū)域的第二字線連接在鄰接于該規(guī)定元件區(qū)域的另一元件區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鐵電存儲裝置，其特征在于各板線在第一方向上延伸，并連接于所述多個第一鐵電電容器及所述多個第二鐵電電容器，其中，所述多個第一鐵電電容器連接于排列在各第一字線的兩側(cè)的多個元件區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鐵電層存儲裝置，其特征在于所述各板線在與所述第一方向交叉的所述第二方向上延伸，所述各板線連接于所述第一鐵電電容器和所述第二鐵電電容器，其中，所述第一鐵電電容器連接于規(guī)定的元件區(qū)域，所述第二鐵電電容器隔著鄰接于該規(guī)定的元件區(qū)域的所述第二字線連接于鄰接該規(guī)定的元件區(qū)域的另一元件區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鐵電存儲裝置，其特征在于所述多個元件區(qū)域在所述第一方向上交替排列在所述第一字線及所述第二字線的兩側(cè)，各板線在與所述第一方向交叉的所述第二方向上延伸，并交替連接于設(shè)置在所述第一字線和所述第二字線之間的所述第一鐵電電容器及所述第二鐵電電容器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的鐵電存儲裝置，其特征在于還包括在與所述第一方向交叉的所述第二方向上延伸的位線，所述各元件區(qū)域與所述多條位線中的任一條交叉配置。
17.一種鐵電存儲裝置，其特征在于，包括第一字線、第二字線及第二字線；第一板線及第二板線；第一位線及第二位線；第一晶體管，柵極連接于所述第一字線，源極及漏極中的一方連接于所述第一位線；第二晶體管，柵極連接于所述第三字線，源極及漏極中的一方連接于所述第一位線；第三晶體管，柵極連接于所述第一字線，源極及漏極中的一方連接于所述第二位線；第四晶體管，柵極連接于所述第二字線，源極及漏極中的一方連接于所述第二位線；第一鐵電電容器，一端連接于所述第一晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第一板線；第二鐵電電容器，一端連接于所述第二晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第二板線；第三鐵電電容器，一端連接于所述第三晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第二板線；以及第四鐵電電容器，一端連接于所述第四晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第一板線。
18.一種鐵電存儲裝置，其特征在于，包括第一字線、第二字線及第三字線；第一板線、第二板線及第三板線；第一位線及第二位線；第一晶體管，柵極連接于所述第一字線，源極及漏極中的一方連接于所述第一位線；第二晶體管，柵極連接于所述第三字線，源極及漏極中的一方連接于所述第一位線；第三晶體管，柵極連接于所述第一字線，源極及漏極中的一方連接于所述第二位線；第四晶體管，柵極連接于所述第二字線，源極及漏極中的一方連接于所述第二位線；第一鐵電電容器，一端連接于所述第一晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第一板線；第二鐵電電容器，一端連接于所述第二晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第二板線；第三鐵電電容器，一端連接于所述第三晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第二板線；以及第四鐵電電容器，一端連接于所述第四晶體管的源極及漏極中的另一方，另一端連接于所述第三板線。
19.一種顯示用驅(qū)動IC，其包括鐵電存儲裝置，其特征在于所述鐵電存儲裝置包括第一字線，在第一方向上延伸；多個元件區(qū)域，在所述第一字線的兩側(cè)沿所述第一方向排列；以及多個第一鐵電電容器，分別連接于所述多個元件區(qū)域，并通過所述第一字線驅(qū)動，其中，所述第一鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是所述第一方向的寬度比垂直于所述第一方向的第二方向的寬度寬。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于包括鐵電存儲裝置，所述鐵電存儲裝置包括第一字線，在第一方向上延伸；多個元件區(qū)域，在所述第一字線的兩側(cè)沿所述第一方向排列；以及多個第一鐵電電容器，分別連接于所述多個元件區(qū)域，并通過所述第一字線驅(qū)動，其中，所述第一鐵電電容器的結(jié)構(gòu)是所述第一方向的寬度比垂直于所述第一方向的第二方向的寬度寬。
全文摘要
本發(fā)明提供一種位線方向短的鐵電存儲裝置。該鐵電存儲裝置包括第一字線WL，在第一方向上延伸；多個元件區(qū)域(112)，在第一字線WL的兩側(cè)沿第一方向排列；以及多個第一鐵電電容器(170)，分別連接于多個元件區(qū)域(112)，由第一字線WL驅(qū)動。其中，優(yōu)選多個元件區(qū)域(112)在俯視圖中形成階梯狀，第一字線WL在多個元件區(qū)域(112)之間彎曲配置。
文檔編號G11C11/22GK1892898SQ20061009847
公開日2007年1月10日 申請日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月7日
發(fā)明者村上泰彥, 小出泰紀(jì) 申請人:精工愛普生株式會社