一種基于最小二乘法的肖特基勢壘高度計算方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種基于最小二乘法的肖特基勢皇高度計算方法，屬于半導體物理領 域。
【背景技術】
[0002] 肖特基勢皇高度4>B是異質結材料的重要參數，所以一直以來人們都在試圖準確 地得到各種異質結的肖特基勢皇高度。獲得肖特基勢皇高度的常用方法有兩種，其一是通 過異質結的內光電流產額與入射光能量的關系獲取，這種方法雖然給出了不敏感于溫度的 本征肖特基勢皇高度4> B，但是由于到目前為止還沒有在足夠寬的實驗范圍內準確描述異 質結的內光電流產額同入射光能量關系的表達式，因此使用內光電流法并不能得到可靠性 比較高的肖特基勢皇高度4>B。另一種獲取肖特基勢皇高度4>B的方法是測量不同溫度時異 質結的電流I隨電壓V的變化數據，接著根據已有的I-V函數去獲得肖特基勢皇高度（i)B。 可是建立在串聯電阻模型中的電流-電壓關系是以隱函數形式存在，這樣的I-V關系實際 上是很難用于實驗所得數據。

【發(fā)明內容】

[0003] 一種基于最小二乘法的肖特基勢皇高度計算方法，其特征在于該計算方法包括以 下步驟：
[0004] 1)根據福勒公式，當具有一定溫度的電子從電場吸收的能量高于異質結的本征肖 特基勢皇尚度時，電流同中壓的關系可以與成：
【主權項】
1. 一種基于最小二乘法的肖特基勢皇高度計算方法，其特征在于該計算方法包括以下 步驟： 1) 根據福勒公式，當具有一定溫度的電子從電場吸收的能量高于異質結的本征肖特基 勢皇高度時，電流同電壓的關系可以寫成：
其中，A為常數；e為電子電量；e X為金屬的逸出功；e X ^為非常接近金屬的逸出功；k 為玻爾茲曼常量；
2) 利用I-V實驗中得到的某個溫度下的實驗數據，對步驟1)中得到的公式進行第一次 非線性曲線最小二乘方數據擬合?？梢缘玫阶顑?yōu)化的各擬合參數P 1, p2, p3, P4; 3) 將步驟2)中得到的擬合參數Pl，p2, p3, p4代回到步驟1)中得到的公式，同時令式 中的V = 0,得到的電流即為該溫度下的熱發(fā)射電流Is。 4) 重復上述工作，對N個溫度下的I-V實驗數據進行擬合，可以得到N組擬合參數，可 以求出N個溫度下的熱發(fā)射電流，即Is (T1)，Is (T2)，... Is (Tn)。
6)利用步驟4)中的擬合結果Is(T1), Is(T2), ...Is (Tn)，對步驟5)中得到的公式進行 第二次非線性曲線最小二乘方數據擬合，可以得到擬合參數P5, P6。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種基于最小二乘法的肖特基勢壘高度計算方法，其特征在于該計算方法包括以下主要步驟：利用I-V實驗中得到的某個溫度下的實驗數據，對福勒公式進行第一次非線性曲線最小二乘方數據擬合；將得到的擬合參數代回到福勒公式，得到該溫度下的熱發(fā)射電流；利用各溫度下的熱發(fā)射電流，對理查德-杜什曼公式進行第二次非線性曲線最小二乘方數據擬合。根據擬合得到的參數計算肖特基勢壘高度。
【IPC分類】G06F19-00
【公開號】CN104820768
【申請?zhí)枴緾N201410773565
【發(fā)明人】張建新, 劉昶時, 劉俊星
【申請人】嘉興學院
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2014年12月3日