本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法及裝置。

背景技術(shù)：

內(nèi)存作為服務(wù)器系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其好壞直接影響服務(wù)器能否正常工作。其中，數(shù)據(jù)并不是即時(shí)的寫入存儲電容，需要一定的時(shí)鐘周期。為了保證數(shù)據(jù)的可靠寫入，需要留出足夠的tWR(Write Recovery Time，寫入-校正時(shí)間)。

現(xiàn)有技術(shù)中，可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值來設(shè)置內(nèi)存tWR，在內(nèi)存中進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入之后間隔該tWR之后，進(jìn)行預(yù)充電。

然而，若內(nèi)存實(shí)際的tWR遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于經(jīng)驗(yàn)值對應(yīng)的tWR，那么根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值設(shè)置的tWR會影響數(shù)據(jù)寫入的效率；若內(nèi)存的實(shí)際寫入時(shí)間大于經(jīng)驗(yàn)值對應(yīng)的tWR，那么根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值設(shè)置的tWR可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被完全寫入到內(nèi)存中，就進(jìn)行了預(yù)充電，可能會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。因此，現(xiàn)有技術(shù)無法準(zhǔn)確的確定出內(nèi)存參數(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法及裝置，以便能準(zhǔn)確地確定內(nèi)存的參數(shù)。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法，包括：

S1：確定初始tWR，將所述初始tWR作為當(dāng)前使用的tWR執(zhí)行S2；

S2：當(dāng)確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電；

S3：判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則執(zhí)行S4；否則，將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR；

S4：按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR執(zhí)行S2。

優(yōu)選地，

根據(jù)所述目標(biāo)tWR確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR大于所述目標(biāo)tWR。

優(yōu)選地，

所述根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，包括：

獲取啟動盤；

將tWR的設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到所述啟動盤中；

在所述啟動盤中根據(jù)所述tWR的設(shè)置程序設(shè)置所述當(dāng)前tWR；

根據(jù)內(nèi)存測試程序讀取設(shè)置的所述當(dāng)前tWR，并根據(jù)讀取的所述當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

優(yōu)選地，

所述方法進(jìn)一步包括：設(shè)置第二更新粒度；

進(jìn)一步包括：

S5：確定初始刷新參數(shù)；

S6：利用初始刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新；

S7：判斷刷新后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則執(zhí)行S8；否則，將當(dāng)前使用的刷新參數(shù)確定為目標(biāo)刷新參數(shù)；

S8：按照所述第二更新粒度對所述初始刷新參數(shù)進(jìn)行更新，并利用更新后的刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新，并執(zhí)行S7。

優(yōu)選地，

根據(jù)所述目標(biāo)刷新參數(shù)確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)，其中，所述內(nèi) 存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)小于所述目標(biāo)刷新參數(shù)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置，包括：

第一設(shè)置單元，用于設(shè)置第一更新粒度，將所述更新粒度輸出給第一處理單元；

第一確定單元，用于確定初始tWR，將所述初始tWR輸出給預(yù)充電單元；

所述預(yù)充電單元，用于根據(jù)當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電；

第一判斷單元，用于判斷預(yù)充電后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則觸發(fā)第一處理單元執(zhí)行相應(yīng)操作；否則；觸發(fā)第二確定單元執(zhí)行相應(yīng)操作；

所述第二確定單元，用于將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR；

所述第一處理單元，用于按照更新粒度對所述當(dāng)前tWR進(jìn)行更新，并觸發(fā)所述預(yù)充電單元執(zhí)行相應(yīng)操作。

優(yōu)選地，

所述內(nèi)存參數(shù)的確定裝置，進(jìn)一步包括：

第三確定單元，用于根據(jù)所述目標(biāo)tWR確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR大于所述目標(biāo)tWR。

優(yōu)選地，

所述預(yù)充電單元，進(jìn)一步包括：

獲取模塊，用于獲取啟動盤；

拷貝模塊，用于將tWR的設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到所述啟動盤中；

設(shè)置模塊，用于在所述啟動盤中根據(jù)所述tWR的設(shè)置程序設(shè)置所述當(dāng)前tWR；

處理模塊，用于根據(jù)內(nèi)存測試程序讀取設(shè)置的所述當(dāng)前tWR，并根據(jù)讀取的所述當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

優(yōu)選地，

進(jìn)一步包括：

第二設(shè)置單元，用于設(shè)置第二刷新粒度，將所述第二刷新粒度輸出給第二處理單元；

第四確定單元，用于確定初始刷新參數(shù)，將所述初始刷新參數(shù)輸出給刷新單元；

所述刷新單元，用于利用初始刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新；

第二判斷單元，用于判斷刷新后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則觸發(fā)第二處理單元執(zhí)行相應(yīng)操作；否則，觸發(fā)第五確定單元執(zhí)行相應(yīng)操作；

所述第五確定單元，用于將當(dāng)前使用的刷新參數(shù)確定為目標(biāo)刷新參數(shù)；

所述第二處理單元，用于按照刷新粒度對所述初始刷新參數(shù)進(jìn)行更新，并利用更新后的刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新，并觸發(fā)所述第二判斷單元執(zhí)行相應(yīng)操作。

優(yōu)選地，

進(jìn)一步包括：

第六確定單元，用于根據(jù)所述目標(biāo)刷新參數(shù)確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)小于所述目標(biāo)刷新參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法及裝置，通過確定初始tWR參數(shù)，將所述初始tWR作為當(dāng)前使用的tWR，確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)后，根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，直到確定出當(dāng)前使用的tWR使得預(yù)充電后的內(nèi)存無法正常工作時(shí)，將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR。本方案能準(zhǔn)確地確定出內(nèi)存參數(shù)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法流程圖；

圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法流程圖；

圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的裝置所在設(shè)備的硬件架構(gòu)圖；

圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置結(jié)構(gòu)圖；

圖5是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置結(jié)構(gòu)圖；

圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置結(jié)構(gòu)圖；

圖7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置結(jié)構(gòu)圖；

圖8是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置結(jié)構(gòu)圖；

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法，其特征在于，預(yù)先設(shè)置第一更新粒度，包括以下步驟：

步驟101：確定初始tWR，將所述初始tWR作為當(dāng)前使用的tWR執(zhí)行步驟102；

步驟102：當(dāng)確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電；

步驟103：判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則執(zhí)行步驟104；否則，執(zhí)行步驟105；

步驟104：按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR執(zhí)行步驟102；

步驟105：將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法及裝置，通過確定初始tWR，將所述初始tWR作為當(dāng)前使用的tWR，確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)后， 根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，直到確定出當(dāng)前使用的tWR使得預(yù)充電后的內(nèi)存無法正常工作時(shí)，將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR。本方案能準(zhǔn)確地確定出內(nèi)存參數(shù)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，為了更快地確定目標(biāo)tWR，所述利用當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，包括：

獲取啟動盤；

將tWR的設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到所述啟動盤中；

在所述啟動盤中根據(jù)所述tWR的設(shè)置程序設(shè)置所述當(dāng)前tWR；

根據(jù)內(nèi)存測試程序讀取設(shè)置的所述當(dāng)前tWR，并根據(jù)讀取的所述當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

例如，制作一個(gè)DOS(Disk Operating System，磁盤操作系統(tǒng))啟動盤，將tWR設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到DOS盤中，開機(jī)進(jìn)入DOS盤，運(yùn)行tWR設(shè)置程序設(shè)置初始tWR為1，運(yùn)行內(nèi)存測試程序?qū)?nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法，該方法可以包括以下步驟：

步驟201：獲取啟動盤。

在本實(shí)施例中，選擇一個(gè)啟動盤，其中，該啟動盤可以為U盤、光盤、移動硬盤等。本發(fā)明實(shí)施例以DOS啟動盤為例進(jìn)行說明。

步驟202：將參數(shù)設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到DOS啟動盤中。

參數(shù)設(shè)置程序包括tWR設(shè)置程序和刷新參數(shù)設(shè)置程序，本實(shí)施例中，以tWR設(shè)置程序?yàn)槔?/p>

其中，該tWR設(shè)置程序可以預(yù)先設(shè)計(jì)好，并為該tWR參數(shù)設(shè)置程序進(jìn)行命名，例如，為tWR.exe。該內(nèi)存測試程序也可以預(yù)先設(shè)計(jì)好。在獲取到 DOS啟動盤之后，將tWR.exe和內(nèi)存測試程序拷貝到DOS啟動盤中。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，也可以直接在DOS啟動盤中進(jìn)行tWR設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序的設(shè)計(jì)。

步驟203：確定初始tWR，并將其作為當(dāng)前使用的tWR。

在本實(shí)施例中，所測試內(nèi)存為DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。DRAM進(jìn)行寫操作的時(shí)候，從寫操作完成到預(yù)充電命令執(zhí)行的時(shí)間稱為tWR。數(shù)據(jù)信號由控制器發(fā)出，通過對DRAM內(nèi)部的電容充電操作來完成數(shù)據(jù)的寫入。但是數(shù)據(jù)并不是即時(shí)的寫入存儲電容，真正的寫入需要一定的時(shí)鐘周期。為了保證數(shù)據(jù)的可靠寫入，需要留出足夠的tWR。時(shí)鐘頻率越高，tWR占用周期越長。在本實(shí)施例中，選擇初始tWR為1。

步驟204：開機(jī)進(jìn)入啟動盤，運(yùn)行程序。

在本實(shí)施例中，開機(jī)進(jìn)入DOS盤，運(yùn)行參數(shù)設(shè)置程序tWR.exe和內(nèi)存測試程序。

步驟205：當(dāng)確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

利用當(dāng)前使用的tWR，即初始tWR＝1，對內(nèi)存進(jìn)行測試。

步驟206：判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則執(zhí)行步驟207；否則，執(zhí)行步驟208。

在本實(shí)施例中，預(yù)充電后的內(nèi)存如果包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，則更新tWR為2，繼續(xù)對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，否則將當(dāng)前使用的tWR＝2確定為目標(biāo)tWR。

在本實(shí)施例中，可以通過判斷是否發(fā)生數(shù)據(jù)丟失來確定預(yù)充電后的內(nèi)存能否正常工作，若發(fā)生了數(shù)據(jù)丟失，則表征內(nèi)存無法正常工作，若未發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，則表征內(nèi)存能夠正常工作。

步驟207：按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR執(zhí)行步驟205。

在本實(shí)施例中，第一更新粒度設(shè)置的越小，確定出的目標(biāo)tWR越準(zhǔn)確， 第一更新粒度設(shè)置的越大，在確定出目標(biāo)tWR時(shí)經(jīng)過的預(yù)充電次數(shù)越少，所以，為了平衡目標(biāo)tWR準(zhǔn)確度和預(yù)充電效率，可以選擇最佳的第一更新粒度對應(yīng)的值。例如，

該第一更新粒度為1。

由于初始tWR為1，那么利用第一更新粒度對該初始tWR進(jìn)行更新后，得到更新后的tWR為2，即利用2執(zhí)行步驟205。更新第一更新粒度后，繼續(xù)對所測試內(nèi)存執(zhí)行步驟205。

步驟208：將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR.

當(dāng)預(yù)充電后的內(nèi)存無法正常工作時(shí)，此時(shí)使用的tWR確定為目標(biāo)tWR。

步驟209：根據(jù)所述目標(biāo)tWR確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR大于所述目標(biāo)tWR。

比如，當(dāng)確定的目標(biāo)tWR為5時(shí)，為了保證目標(biāo)內(nèi)存能夠正常工作，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR大于所述目標(biāo)tWR，因此，可以將內(nèi)存使用時(shí)的tWR設(shè)置為6。

步驟210：確定初始刷新參數(shù)。

在本實(shí)施例中，所測試內(nèi)存為DRAM。當(dāng)延長刷新時(shí)間時(shí)，意味著每次刷新數(shù)據(jù)的時(shí)間間隔變長，內(nèi)存中一些保持?jǐn)?shù)據(jù)能力較差的數(shù)據(jù)位經(jīng)過更長時(shí)間的漏電可能由高電平變?yōu)榈碗娖?，?dǎo)致數(shù)據(jù)發(fā)生錯誤。為了確定內(nèi)存正常工作的刷新時(shí)間，本實(shí)施例中，選擇初始刷新時(shí)間為32ms。

步驟211：利用初始刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新。

利用初始刷新時(shí)間，即32ms，對內(nèi)存進(jìn)行測試。

步驟212：判斷刷新后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則執(zhí)行步驟213；否則，執(zhí)行步驟214。

在本實(shí)施例中，刷新后的內(nèi)存如果能正常工作，則更新刷新參數(shù)為64ms，繼續(xù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新，否則將當(dāng)前使用的刷新參數(shù)32ms確定為目標(biāo)刷新參數(shù)。

在本實(shí)施例中，可以通過判斷是否發(fā)生數(shù)據(jù)丟失來確定刷新后的內(nèi)存能 否正常工作，若發(fā)生了數(shù)據(jù)丟失，則表征內(nèi)存無法正常工作，若未發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，則表征內(nèi)存能夠正常工作。

步驟213：按照第二更新粒度對當(dāng)前使用的刷新參數(shù)進(jìn)行更新，并利用更新后的刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新，并執(zhí)行步驟212。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，該第二更新粒度可以為1ms-32ms。

在本實(shí)施例中，第二更新粒度設(shè)置的越小，確定出的目標(biāo)刷新參數(shù)越準(zhǔn)確，第二更新粒度設(shè)置的越大，在確定出目標(biāo)刷新參數(shù)時(shí)經(jīng)過的刷新次數(shù)越少，所以，為了平衡目標(biāo)刷新參數(shù)準(zhǔn)確度和刷新效率，可以選擇最佳的第二更新粒度對應(yīng)的值。例如，

該刷新粒度為32ms。

由于初始刷新時(shí)間為32ms，那么利用第二更新粒度對該初始刷新時(shí)間進(jìn)行更新后，得到更新后的刷新參數(shù)為64ms，即利用64ms執(zhí)行步驟206。

步驟214：將當(dāng)前使用的刷新參數(shù)確定為目標(biāo)刷新參數(shù)。

當(dāng)刷新后的內(nèi)存無法正常工作時(shí)，此時(shí)使用的刷新時(shí)間確定為目標(biāo)刷新時(shí)間。

步驟215：根據(jù)所述目標(biāo)刷新參數(shù)確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)小于所述目標(biāo)刷新參數(shù)。

比如，當(dāng)確定的目標(biāo)刷新參數(shù)為64ms時(shí)，為了保證目標(biāo)內(nèi)存能夠正常工作，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)小于所述目標(biāo)刷新參數(shù)，因此，可以將內(nèi)存使用時(shí)的刷新參數(shù)設(shè)置為63ms。

步驟210至步驟215為內(nèi)存刷新參數(shù)的確定步驟，該確定步驟可以發(fā)生在內(nèi)存目標(biāo)tWR的確定步驟之前，也可以發(fā)生在內(nèi)存目標(biāo)tWR的確定步驟之后。

如圖3、圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定裝置。裝置實(shí)施例可以通過軟件實(shí)現(xiàn)，也可以通過硬件或者軟硬件結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)。從硬件層面而言，如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)存參數(shù)的確定裝置所在設(shè)備的一種硬件結(jié)構(gòu)圖，除了圖3所示的處理器、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)接口、以 及非易失性存儲器之外，實(shí)施例中裝置所在的設(shè)備通常還可以包括其他硬件，如負(fù)責(zé)處理報(bào)文的轉(zhuǎn)發(fā)芯片等等。以軟件實(shí)現(xiàn)為例，如圖4所示，作為一個(gè)邏輯意義上的裝置，是通過其所在設(shè)備的CPU將非易失性存儲器中對應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序指令讀取到內(nèi)存中運(yùn)行形成的。本實(shí)施例提供的內(nèi)存參數(shù)的確定裝置，包括：

第一設(shè)置單元401，用于設(shè)置第一更新粒度，將所述第一更新粒度輸出給第一處理單元；

第一確定單元402，用于確定初始tWR，將所述初始tWR輸出給預(yù)充電單元；

預(yù)充電單元403，用于根據(jù)當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電；

第一判斷單元404，用于判斷預(yù)充電后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則觸發(fā)第一處理單元執(zhí)行相應(yīng)操作；否則；觸發(fā)第二確定單元執(zhí)行相應(yīng)操作；

第二確定單元405，用于將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR；

第一處理單元406，用于按照第一更新粒度對所述當(dāng)前tWR進(jìn)行更新，并觸發(fā)所述預(yù)充電單元執(zhí)行相應(yīng)操作。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，請參考圖5，該內(nèi)存參數(shù)的確定裝置可以進(jìn)一步包括：

第三確定單元501，用于根據(jù)所述目標(biāo)tWR確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的tWR大于所述目標(biāo)tWR。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，請參考圖6，所述預(yù)充電單元403，可以包括：

獲取模塊601，用于獲取啟動盤；

拷貝模塊602，用于將tWR的設(shè)置程序和內(nèi)存測試程序拷貝到所述啟動盤中；

設(shè)置模塊603，用于在所述啟動盤中根據(jù)所述tWR的設(shè)置程序設(shè)置所述當(dāng)前tWR；

處理模塊604，用于根據(jù)內(nèi)存測試程序讀取設(shè)置的所述當(dāng)前寫tWR，并 根據(jù)讀取的所述當(dāng)前tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，請參考圖7，該內(nèi)存參數(shù)的確定裝置可以進(jìn)一步包括：

第二設(shè)置單元701，用于設(shè)置第二刷新粒度，將所述第二刷新粒度輸出給第二處理單元；

第四確定單元702，用于確定初始刷新參數(shù)，將所述初始刷新參數(shù)輸出給刷新單元；

刷新單元703，用于利用初始刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新；

第二判斷單元704，用于判斷刷新后的內(nèi)存是否正常工作，若正常工作，則觸發(fā)第二處理單元執(zhí)行相應(yīng)操作；否則，觸發(fā)第五確定單元執(zhí)行相應(yīng)操作；

第五確定單元705，用于將當(dāng)前使用的刷新參數(shù)確定為目標(biāo)刷新參數(shù)；

第二處理單元706，用于按照第二刷新粒度對所述初始刷新參數(shù)進(jìn)行更新，并利用更新后的刷新參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行刷新，并觸發(fā)所述第二判斷單元執(zhí)行相應(yīng)操作。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，請參考圖8，該內(nèi)存參數(shù)的確定裝置可以進(jìn)一步包括：

第六確定單元，用于根據(jù)所述目標(biāo)刷新參數(shù)確定內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)，其中，所述內(nèi)存使用時(shí)對應(yīng)的刷新參數(shù)小于所述目標(biāo)刷新參數(shù)。

綜上，本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例具有如下效果：

1、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存參數(shù)的確定方法及裝置，通過確定初始tWR，將所述初始tWR作為當(dāng)前使用的tWR，確定在內(nèi)存中寫入目標(biāo)數(shù)據(jù)后，根據(jù)當(dāng)前使用的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，判斷預(yù)充電后的內(nèi)存中是否包括所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，若包括，則按照所述第一更新粒度對當(dāng)前使用的tWR進(jìn)行更新，并利用更新后的tWR對內(nèi)存進(jìn)行預(yù)充電，直到確定出當(dāng)前使用的tWR使得預(yù)充電后的內(nèi)存無法正常工作時(shí)，將當(dāng)前使用的tWR確定為目標(biāo)tWR。本方案能準(zhǔn)確地確定出內(nèi)存參數(shù)。

2、在本發(fā)明實(shí)施例中，通過改變參數(shù)對內(nèi)存進(jìn)行測試，不但可以更快地 確定目標(biāo)內(nèi)存的參數(shù)，還可以篩選出故障內(nèi)存和一些有風(fēng)險(xiǎn)的內(nèi)存，有效的保障篩選后的內(nèi)存在客戶端穩(wěn)定正常的工作，可以提高內(nèi)存的穩(wěn)定性和可靠性。

上述裝置內(nèi)的各單元之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲在計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)中。

最后需要說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。