半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法及系 統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體制造工藝是一個涉及到多種學(xué)科交叉的復(fù)雜制造領(lǐng)域?？涛g工藝的過程就 是在既定的工藝條件下，如工藝腔室加熱到一定溫度，工藝腔室的壓力穩(wěn)定在工藝要求的 范圍內(nèi)，按照一定的比例對腔室通入多種氣體，然后對射頻設(shè)備加一定的功率，通過電離工 藝氣體對硅片進(jìn)行刻蝕的工藝過程。
[0003] 氣體的種類和流量是工藝當(dāng)中重要的一項參數(shù)。工藝試驗中，會頻繁的遇到氣體 種類或氣體量程或者兩者同時發(fā)生改變已滿足工藝的需要。軟件如何能夠做到快速，準(zhǔn)確 的通過配置文件來滿足該需求是一個很重要的內(nèi)容。在傳統(tǒng)技術(shù)中，當(dāng)半導(dǎo)體制造中氣體 種類或者流量發(fā)生變化時，需要對多個配置文件中的多處進(jìn)行更改，工作量大，錯誤率高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種可以對半導(dǎo)體制造設(shè)備中氣路的氣體種類、流量進(jìn)行簡 便修改的半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法及系統(tǒng)。
[0005] 為實現(xiàn)本發(fā)明目的提供的一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法，包括以下步 驟：
[0006] 在半導(dǎo)體制造工藝中，創(chuàng)建與氣路相關(guān)的氣體名稱的多個第一配置文件，以及所 述氣體名稱相應(yīng)的氣路流量值的多個第二配置文件；
[0007] 將所述第一配置文件以及所述第二配置文件通配到工藝監(jiān)控文件中；
[0008] 在進(jìn)行工藝試驗或者工藝制造時，根據(jù)需求將所述氣體名稱和所述氣路流量值寫 入到相應(yīng)的所述第一配置文件和所述第二配置文件中，并替換到所述工藝監(jiān)控文件中，將 所述工藝監(jiān)控文件中所需氣體和氣路流量值進(jìn)行同批次配置。
[0009] 作為一種可實施方式，所述工藝監(jiān)控文件包括氣路配置啟動文件Driver_C〇nfig. xml、硬件關(guān)聯(lián)文件I0_config.xml、流程控制文件Control_config.xml和/或監(jiān)控文件 ProcessMonitor.xml〇
[0010] 作為一種可實施方式，所述第一配置文件及所述第二配置文件均為XML文件，其 通過ENTITY語句通配到所述工藝監(jiān)控文件中。
[0011] 作為一種可實施方式，所述工藝為MEMS，所述氣路為8路或者4路。
[0012] 作為一種可實施方式，還包括如下步驟：
[0013] 當(dāng)工藝試驗或者工藝制造中氣路的種類和/或流量發(fā)生變更時，修改所述第一配 置文件和/或第二配置文件，將變更后的所述氣體名稱和/或所述氣路流量值寫入所述第 一配置文件和/或第二配置文件；
[0014] 將修改后的所述第一配置文件和/或第二配置文件替換到所述工藝監(jiān)控文件中， 將所述工藝監(jiān)控文件所需氣體和氣路流量值再進(jìn)行同批次配置。
[0015] 基于同一發(fā)明構(gòu)思的一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的系統(tǒng)包括文件創(chuàng)建模塊， 通配模塊，以及工藝配置模塊，其中：
[0016] 所述文件創(chuàng)建模塊，用于在半導(dǎo)體制造工藝中，創(chuàng)建與氣路相關(guān)的氣體名稱的多 個第一配置文件，以及所述氣體名稱相應(yīng)的氣路流量值的多個第二配置文件；
[0017] 所述通配模塊，用于將所述第一配置文件以及所述第二配置文件通配到工藝監(jiān)控 文件中；
[0018] 所述工藝配置模塊，用于在進(jìn)行工藝試驗或者工藝制造時，根據(jù)需求將所述氣體 名稱和所述氣路流量值寫入到相應(yīng)的所述第一配置文件和所述第二配置文件中，并替換到 所述工藝監(jiān)控文件中，將所述工藝監(jiān)控文件中所需氣體和氣路流量值進(jìn)行同批次配置。
[0019] 作為一種可實施方式，所述工藝監(jiān)控文件包括氣路配置啟動文件Driver_C〇nfig. xml、硬件關(guān)聯(lián)文件I0_config.xml、流程控制文件Control_config.xml和/或監(jiān)控文件 ProcessMonitor.xml〇
[0020] 作為一種可實施方式，所述第一配置文件及所述第二配置文件均為XML文件，其 通過ENTITY語句通配到所述工藝監(jiān)控文件中。
[0021] 作為一種可實施方式，所述工藝為MEMS，所述氣路為8路或者4路。
[0022] 作為一種可實施方式，還包括修改模塊，以及修改配置模塊，其中：
[0023] 所述修改模塊，用于當(dāng)工藝試驗或者工藝制造中氣路的種類和/或流量發(fā)生變更 時，修改所述第一配置文件和/或第二配置文件，將變更后的所述氣體名稱和/或所述氣路 流量值寫入所述第一配置文件和/或第二配置文件；
[0024] 所述修改配置模塊，用于將修改后的所述第一配置文件和/或第二配置文件替換 到所述工藝監(jiān)控文件中，將所述工藝監(jiān)控文件所需氣體和氣路流量值再進(jìn)行同批次配置。
[0025] 本發(fā)明的有益效果包括：
[0026] 本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法及系統(tǒng)，當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝 中需要對氣路中的氣體或者流量進(jìn)行更改時，只需更改第一配置文件或第二配置文件中的 內(nèi)容，而無需逐個更改其他配置文件中的對應(yīng)位置。修改簡便，減少修改的錯誤率，提高生 產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0027] 圖1為本發(fā)明一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法的一具體實施例的流程圖；
[0028] 圖2為本發(fā)明一種半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的系統(tǒng)的一具體實施例的系統(tǒng)結(jié) 構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明實 施例的半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法及系統(tǒng)進(jìn)行說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體 實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0030] 本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體制造中氣路配置處理的方法，如圖1所示，包括以下步驟：
[0031] S100,在半導(dǎo)體制造工藝中，創(chuàng)建與氣路相關(guān)的氣體名稱的多個第一配置文件，以 及所述氣體名稱相應(yīng)的氣路流量值的多個第二配置文件。
[0032] 所述包含氣體名稱為具體的，在半導(dǎo)體制造中實際加入到半導(dǎo)體制造設(shè)備氣路中 的氣體的名稱。在后續(xù)半導(dǎo)體制造工藝中根據(jù)所述氣體名稱向工藝腔室中加入氣體。
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