一種有機薄膜晶體管氣體傳感器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有機薄膜晶體管氣體傳感器，屬于氣體傳感器領(lǐng)域。本發(fā)明采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)，包括：位于絕緣襯底下的柵極和位于絕緣襯底上的源、漏電極以及表面的有源層；其特征在于，采用叉指電極結(jié)構(gòu)作為源、漏電極，所述有源層以叉指電極對稱中軸線為對稱軸被分為兩個對稱的分區(qū)，所述各分區(qū)均沉積有對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜。本發(fā)明提供的傳感器可以提高傳感器對氣體選擇性，改善基線漂移的現(xiàn)象，提高了傳感器的穩(wěn)定性和精確度；兼有反應(yīng)速度快、便于測量、便于攜帶、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點；可實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)、滿足現(xiàn)實需求。
【專利說明】
一種有機薄膜晶體管氣體傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機薄膜晶體管氣體傳感器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]氣體傳感器是氣體檢測系統(tǒng)的核心，是一種將某種氣體體積分數(shù)轉(zhuǎn)化成對應(yīng)電信號的器件。無極氧化物半導(dǎo)體式氣體傳感器是當今應(yīng)用最廣泛、最具實用價值的一種氣體傳感器，按其機理分為電阻式和非電阻式兩種。有機薄膜晶體管氣體傳感器(OTFT GasSensor)就是非電阻式半導(dǎo)體氣體傳感器的一種。與傳統(tǒng)的電阻式氣體傳感器相比，OTFTs傳感器不僅響應(yīng)速度快、選擇性好、可室溫條件下工作，而且利用晶體管基本特性將難于檢測的高電阻變化轉(zhuǎn)變?yōu)橐讬z測的電流的變化，器件的靈敏度也可以通過適當選擇器件的柵極工作電壓而被調(diào)節(jié)，甚至大大提高。因此，OTFTs傳感器的研究成為了新型傳感器研究的一個熱點和難點。
[0003]有機薄膜晶體管被認為是最有潛力取代單晶硅晶體管而獲得廣泛應(yīng)用的電子器件。與無機薄膜晶體管相比，OTFT具有以下優(yōu)勢:制備有機薄膜的方法更多、更便捷，如LB技術(shù)、旋涂、分子自組裝技術(shù)、真空蒸鍍、噴墨打印等，便于實現(xiàn)期間的微型化、集成化，而且有機薄膜的制備工藝相對簡單，生產(chǎn)成本低，易于制備大面積器件;通過對作為有機源層的有機半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)進行適當?shù)男揎?，可以極大地改善OTFT的電學(xué)性能;有機半導(dǎo)體材料種類多、來源廣、而且器件制備條件比較溫和;全有機OTFT器件具有極好的柔韌性，拓寬了OTFT的應(yīng)用范圍。
[0004]有機薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)包括基底、柵電極、絕緣層、有源層、源極、漏極，根據(jù)柵極和基底相對位置可分為頂柵結(jié)構(gòu)和底柵結(jié)構(gòu);根據(jù)漏電極和有源層的沉積順序不同可分為頂接觸結(jié)構(gòu)和底接觸結(jié)構(gòu)。對于底柵底接觸型OTFTs，由于有機半導(dǎo)體層沉積在含有源、漏極的絕緣層上，這就導(dǎo)致在源漏極和絕緣層界面處形成臺階，尤其在界面處產(chǎn)生大量的缺陷，進而增大了接觸電阻，電荷的注入效率將會受到限制，因此器件性能會有所降低。頂接觸結(jié)構(gòu)使用漏掩模板的方法沉積源漏電極，這樣避免了化學(xué)溶劑的使用以獲得高性能器件，然而在實際應(yīng)用中，為了滿足電極圖案化和溝道尺寸的要求，就必須采用光刻工藝，這樣則通常采用底接觸型OTFTs。
[0005]大多數(shù)氣體傳感器的輸出信號受使用場所的溫度、濕度、氧氣分壓等多種環(huán)境因素的影響，同時氣體傳感器本身電信號也有時漂現(xiàn)象。這些因素的影響綜合表現(xiàn)為氣體傳感器輸出信號的基線漂移現(xiàn)象。基線漂移造成儀器性能的不穩(wěn)定，為實際應(yīng)用帶來不便。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的是提供一種有機薄膜晶體管氣體傳感器及其制備方法，本發(fā)明提供的氣體傳感器可以提高對氣體的選擇性、改善基線漂移的現(xiàn)象，提高氣體傳感器的穩(wěn)定性和精確度，兼具結(jié)構(gòu)簡單、靈敏度高、生產(chǎn)成本低等優(yōu)勢，采用傳統(tǒng)的微加工技術(shù)便可實現(xiàn)，可以大規(guī)模生產(chǎn)滿足現(xiàn)實要求。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0008]—種有機薄膜晶體管氣體傳感器，采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)，包括:位于絕緣襯底下的柵極和位于絕緣襯底上的源、漏電極以及表面的有源層;其中，采用叉指電極結(jié)構(gòu)作為源、漏電極，所述有源層以叉指電極對稱中軸線為對稱軸被分為兩個對稱的分區(qū)，所述各分區(qū)均沉積有對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜。
[0009]所述叉指電極材料為Au或Cr或Cu或ΙΤ0;在有機薄膜器件中，電極不僅作為電壓的加載端，而且控制載流子的注入，通常電極材料要有利于載流子從源漏電極向有機半導(dǎo)體中注入，一般認為，載流子從電極向有機半導(dǎo)體層的注入過程就是電子和空穴分別向有機半導(dǎo)體層的分子最低未占軌道(LUMO)和分子最高占據(jù)軌道(HOMO)的注入。電子和空穴的注入需要克服一定的勢皇，在OTFT中希望勢皇越低越好，而勢皇的降低其中一方面需要考慮材料本身，要求電極材料的功函數(shù)應(yīng)該和有機半導(dǎo)體材料之間有良好的能級匹配。所述有機半導(dǎo)體材料根據(jù)載流子輸運能力的不同可以分為η型材料和P型材料;空穴起的輸運能力明顯優(yōu)于電子的輸運能力的材料定義為P型材料，電子的輸運能力明顯優(yōu)于空穴的輸運能力定義為η型材料;一般有源層為使用P型材料比較廣泛，按照能級匹配原則，應(yīng)該選擇功函數(shù)較高的電極材料如Au、Cr、Cu、ITO。
[0010]所述單個有源層分區(qū)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜為單層薄膜或分層薄膜或復(fù)合薄膜;單個分區(qū)的分層有源層的設(shè)計必然涉及異質(zhì)結(jié)的存在，可以實現(xiàn)高性能的單極型和雙極型傳輸，提高有源層迀移率，復(fù)合薄膜可以通過材料的摻雜提高薄膜的性能和形態(tài)，兩個分區(qū)的組合可以將各種薄膜類型的優(yōu)勢疊加。
[0011]所述柵極為生長有外延層的N型重摻雜的硅，所述外延層是與重摻雜硅晶向相同的本征硅。
[0012]定義叉指電極溝道寬度為W，溝道長度為L，叉指電極溝道寬長比W:L范圍為40?640。
[0013]—種有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟:
[0014]步驟1:在清洗并預(yù)處理的基片上沉積絕緣層，將其鍍有絕緣層的一面光刻形成叉指電極結(jié)構(gòu)的源極、漏極圖形，在所述源極、漏極圖形上依次鍍Ti層和叉指電極材料層，所述叉指電極材料為Au或Cr或Cu或ΙΤ0;
[0015]步驟2:在步驟I中基片鍍有Ti層和叉指電極材料層的一面使用極性溶劑進行刻蝕形成叉指電極，所述叉指電極溝道寬度與溝道長度比范圍為40?640;
[0016]步驟3:以步驟2中的叉指電極對稱中軸線為對稱軸，在其表面兩個對稱的分區(qū)分別沉積對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜形成有源層，從而制得有機薄膜晶體管氣體傳感器。
[0017]所述步驟2中Ti層厚度為1nm?20nm，Au層厚度為50nm?200nm。
[0018]所述有源層兩個分區(qū)均為單層薄膜或分層薄膜或復(fù)合薄膜。
[0019]所述有源層一個分區(qū)為單層薄膜，另一個分區(qū)為分層薄膜或復(fù)合薄膜。
[0020]所述有源層一個分區(qū)為分層薄膜，另一分區(qū)為復(fù)合薄膜。
[0021]所述步驟I中，主要清洗與預(yù)處理步驟如下:選擇N型重摻雜的硅作為基片，首先使用去離子水在80°C下清洗5分鐘，之后分別在無水乙醇和丙酮中超聲清洗各10分鐘，最后用去離子水沖洗并用干燥氮氣吹干，最后使其表面生長有與重摻雜硅晶向相同的本征硅作為外延層；
[0022]所述步驟I中，采用紫外光刻法，首先利用勻膠機在絕緣層表面旋涂一層均勻的光刻膠，使用正掩膜板在深紫外曝光機上曝光，然后在顯影液中顯影得到掩模圖形，光刻形成合適的叉指電極結(jié)構(gòu)的源極漏極圖形;在光刻好的圖形上沉積Ti層以提高器件表面的附著性，并Ti層表面沉積叉指電極材料層。
[0023]所述步驟3中薄膜生長技術(shù)對于有機半導(dǎo)體材料制備方法很多，比如真空蒸發(fā)法、濺射沉積法、旋涂法、氣噴法、Sol-gel法等任何合適的薄膜生長技術(shù);一般使用噴涂法，在噴涂結(jié)束后將器件放入真空干燥箱在一定溫度下退火處理，可以提高薄膜結(jié)晶度，減少晶粒和晶界，提高載流子的注入，然后在合適溫度下進行真空干燥，固化成膜。
[0024]本發(fā)明所提供的有機薄膜晶體管氣體傳感器，所述的兩個對稱的有源層分區(qū)分別沉積有對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的氣體敏感材料，上述不同氣敏材料同時接觸到同種特定氣體時，每種材料吸附待測氣體后會產(chǎn)生響應(yīng)的變化，發(fā)生溶脹效應(yīng)或者基于電子空穴交換理論的電子空穴變化，兩種氣體的響應(yīng)變化相疊加導(dǎo)致對不同氣體響應(yīng)的差異疊加從而導(dǎo)致傳感器對氣體選擇性的提高;此外，氣體敏感材料在測試環(huán)境中進行測試時，由于通入載氣的時間限制，不可避免地會存在一定程度的基線漂移，可以選擇兩種在載氣環(huán)境中基線分別向上漂移和向下漂移的敏感材料進行誤差補償，抑制基線漂移帶來的誤差，提高傳感器的穩(wěn)定性和測量精度。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0026]1、本發(fā)明傳感器在左右對稱的兩個有源層分區(qū)沉積對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的氣體敏感材料，使不同氣敏材料響應(yīng)效果組合疊加后得到對同一特定氣體的綜合響應(yīng)，從而提尚對該氣體的選擇性。
[0027]2、本發(fā)明傳感器在左右對稱的兩個有源層分區(qū)沉積對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的氣體敏感材料，使得基線漂移現(xiàn)象可以相互補償，抑制了基線漂移對氣體檢測的影響，提高了氣體傳感器的穩(wěn)定性和測量精度。
[0028]3本發(fā)明提供傳感器結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，對制備工藝要求不高，采用傳統(tǒng)的微加工技術(shù)便可以實現(xiàn)，解決了基于敏感膜氣體吸附的電阻式傳感器在單一氣體敏感材料下氣敏選擇性不尚和存在基線漂移等缺點。
[0029]4、本發(fā)明提供的有機薄膜晶體管氣體傳感器結(jié)構(gòu)為氣體傳感器的研究與應(yīng)用開創(chuàng)了新的途徑。
[0030]綜上所述，本發(fā)明提供的有機薄膜晶體管氣體傳感器結(jié)構(gòu)在氣體檢測中有非常廣闊的應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0031 ]圖1是本發(fā)明的實施例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2是本發(fā)明的叉指電極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3是本發(fā)明的原理不意圖；
[0034]圖4是本發(fā)明的實施例測試示意圖；
[0035]圖5四種有機薄膜晶體管傳感器在不同濃度氨氣下的響應(yīng)對比圖；其中，(a)是P3HT單層膜有機薄膜晶體管的實時響應(yīng)圖；(b)是MoS2單層膜有機薄膜晶體管的實時響應(yīng)圖；(c)是P3HT-MoS2復(fù)合薄膜有機薄膜晶體管的實時響應(yīng)圖；(d)是一個有源層分區(qū)為P3HT另一有源層分區(qū)為MoS2的有機薄膜晶體管晶體管的實時響應(yīng)圖；
【具體實施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述:
[0037]實施例:
[0038]如圖1所示，本發(fā)明提供了一種有機薄膜晶體管氣體傳感器，采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)，包括:位于絕緣襯底下的柵極和位于絕緣襯底上的源、漏電極以及表面的有源層;其中，源極和漏極之間的溝道設(shè)計為金叉指電極結(jié)構(gòu)，叉指電極間距為25μπι，溝道寬長比為160，所述有源層以金叉指電極對稱中軸線為對稱軸被分為兩個對稱的分區(qū)，如圖2所示一個分區(qū)沉積氣敏材料A，另一個分區(qū)沉積氣敏材料B，所述氣敏材料A與氣敏材料B為對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜。
[0039]如圖3所示，本發(fā)明采用底柵底接觸的OTFT結(jié)構(gòu)，它是在襯底上形成柵極和絕緣層后再在絕緣層上制作源漏極，最后形成有機半導(dǎo)體薄膜，這種結(jié)構(gòu)制備工藝簡單且有機薄膜直接暴露在測試環(huán)境中，從而在氣體傳感器領(lǐng)域占有優(yōu)勢。
[0040]本實施例的制備方法:
[0041]步驟1:選擇N型重摻雜的硅作為基片，首先使用去離子水在80°C下清洗5分鐘，之后分別在無水乙醇和丙酮中超聲清洗各10分鐘，最后用去離子水沖洗并用干燥氮氣吹干，最后使其表面生長有與重摻雜硅晶向相同的本征硅作為外延層;在清洗并預(yù)處理的基片上用熱氧化法生長絕緣層，在基片鍍有絕緣層的一面用勻膠機涂一層均勻的光刻膠，然后利用光刻機設(shè)備以及已制備好叉指電極圖形的光刻板在基片表面進行紫外曝光工藝，然后在顯影液中顯影得到叉指電極結(jié)構(gòu)的源極、漏極圖形，其中，叉指電極結(jié)構(gòu)中兩個叉指間距為25μπι，叉指電極溝道寬長比為160，在叉指電極結(jié)構(gòu)的源極、漏極圖形通過濺射沉積法先鍍厚度為20nm的Ti層使得基片與金電極之間的附著力增強，然后在Ti層上鍍50nm的Au層；
[0042]步驟2:將基片鍍有Au層的一面使用極性溶劑進行刻蝕形成金叉指電極，其中，叉指電極結(jié)構(gòu)中兩個叉指間距為25μπι，叉指電極溝道寬長比為160，；
[0043]步驟3:以步驟2中的金叉指電極對稱中軸線為對稱軸將其分為兩個對稱的有源層分區(qū)，借助掩膜擋板用氣噴法分別在兩個有源層分區(qū)噴涂有對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感材料形成薄膜。具體步驟如下:
[0044](I)取60mg聚(三-己基噻吩)粉末(Ρ3ΗΤ)溶于20ml三氯甲烷溶液中，超聲10分鐘得到均勻分散的聚(三-己基噻吩)溶液備用。
[0045](2)取1ml濃度為0.lmg/ml的二硫化鉬(MoS2)乙醇分散液備用。
[0046](3)借助掩膜擋板噴涂法分別在圖2中所示一個分區(qū)噴涂0.5ml濃度為3mg/ml的聚(三-己基噻吩)(P3HT)溶液敏感材料，另一個分區(qū)噴涂0.5ml濃度為0.lmg/ml的二硫化鉬(MoS2)分散液敏感材料，在真空干燥箱內(nèi)70°C下真空干燥30分鐘，從而制得本發(fā)明下的分區(qū)有源層結(jié)構(gòu)的有機薄膜晶體管氣體傳感器。
[0047]此外，依據(jù)上述實施例制備方法制作噴涂Iml濃度為3mg/ml的聚(三-己基噻吩)(P3HT)制得有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器，和噴涂Iml濃度為0.lmg/ml的二硫化鉬(MoS2)制得有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器，以及噴涂步驟3中步驟(I)與步驟(2)中兩種配制好的溶液等體積混合，超聲10分鐘制得的MoS2-P3HT復(fù)合材料溶液制得有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器。將上述三種有機薄膜晶體管氣體傳感器作為對比驗證本發(fā)明有機薄膜晶體管氣體傳感器的有益效果。
[0048]通過將源極、漏極和柵極三端電極分別通過封裝外接引線來實現(xiàn)OTFT的測試。將上述4個有機薄膜晶體管氣體傳感器分別在不同濃度的NH3下進行氣敏性能測試，所使用的測試裝置及流程如圖4所示:測試時OTFT器件的Vds和Vgs均固定在-50V，將器件放入測試腔進行密封，通入干燥空氣至源漏電流基本穩(wěn)定后，分別依次通入濃度為4??111、8??1]1、12口?1]1、16ppm、20ppm的NH3,每次通入時間為10分鐘，并在通入各濃度NH3后重新通入10分鐘的干燥空氣進行恢復(fù)。
[0049]有機薄膜晶體管氣體傳感器的電流在接觸到NH3后，源漏電流迅速變小。關(guān)閉NH3之后，當有機薄膜晶體管氣體傳感器再次暴露在干燥空氣中，傳感器的源漏電流值會緩慢恢復(fù)。如圖5(a)和(b)所示，采用單一敏感材料P3HT為有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器及采用單一敏感材料MoS2有機薄膜晶體管氣體傳感器對4?20ppm NH3進行測試時，采用單一敏感材料P3HT為有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器在接連通入4?20ppm濃度的NH3后再通入干燥空氣進行恢復(fù)時，傳感器的電流無法恢復(fù)到初始電流，整體呈現(xiàn)明顯的向上漂移的趨勢；同樣，采用單一敏感材料MoS2有機薄膜晶體管氣體傳感器的恢復(fù)也呈現(xiàn)明顯的向上漂移的趨勢，同時這兩種單一傳感器對NH3的響應(yīng)度較小。而如圖5(c)所示，采用傳統(tǒng)的方式將兩種材料直接混合起來，制備出的？3!^052復(fù)合敏感薄膜雖然在響應(yīng)度上有所提高，但仍呈現(xiàn)出與單一材料傳感器相同的基線嚴重上漂的趨勢。但采用了本發(fā)明分區(qū)有源層的有機薄膜晶體管氣體傳感器如圖5(d)所示，不但表現(xiàn)出對NH3較大的響應(yīng)度，同時在每個響應(yīng)一恢復(fù)循環(huán)中源漏電流都基本能夠恢復(fù)到初始值，基線漂移的現(xiàn)象得到了良好的改口 ο
[0050]以上結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行了闡述，但是本發(fā)明并不局限于上述的【具體實施方式】，上述【具體實施方式】僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種有機薄膜晶體管氣體傳感器，采用底柵底接觸結(jié)構(gòu)，包括:位于絕緣襯底下的柵極和位于絕緣襯底上的源、漏電極以及表面的有源層;其特征在于，采用叉指電極結(jié)構(gòu)作為源、漏電極，所述有源層以叉指電極對稱中軸線為對稱軸被分為兩個對稱的分區(qū)，所述各分區(qū)均沉積有對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器，其特征在于，所述叉指電極材料為Au或Cr或Cu或I TO。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器，其特征在于，所述柵極為生長有外延層的N型重摻雜的硅，所述外延層是與重摻雜硅晶向相同的本征硅。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器，其特征在于，所述單個有源層分區(qū)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜為單層薄膜或分層薄膜或復(fù)合薄膜。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器，其特征在于，定義叉指電極溝道寬度為W，溝道長度為L，叉指電極溝道寬長比W:L范圍為40?640。6.—種有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1:在清洗并預(yù)處理的基片上沉積絕緣層，將其鍍有絕緣層的一面光刻形成叉指電極結(jié)構(gòu)的源極、漏極圖形，在所述源極、漏極圖形上依次鍍Ti層和叉指電極材料層，所述叉指電極材料為Au或Cr或Cu或ITO; 步驟2:在步驟I中基片鍍有Ti層和叉指電極材料層的一面使用極性溶劑進行刻蝕形成叉指電極，所述叉指電極溝道寬度與溝道長度比范圍為40?640; 步驟3:以步驟2中的叉指電極對稱中軸線為對稱軸，在其表面兩個對稱的分區(qū)分別沉積對同一特定氣體具有不同響應(yīng)的有機半導(dǎo)體氣體敏感薄膜形成有源層，從而制得有機薄膜晶體管氣體傳感器。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟2 中 Ti層厚度為 10]11]1?2011111，411層厚度為50111]1?200111]1。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，其特征在于，所述有源層兩個分區(qū)均為單層薄膜或分層薄膜或復(fù)合薄膜。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，其特征在于，所述有源層一個分區(qū)為單層薄膜，另一個分區(qū)為分層薄膜或復(fù)合薄膜。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機薄膜晶體管氣體傳感器的制備方法，其特征在于，所述有源層一個分區(qū)為分層薄膜，另一分區(qū)為復(fù)合薄膜。
【文檔編號】B82Y30/00GK105866215SQ201610173978
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月24日
【發(fā)明人】謝光忠, 吳寸雪, 唐詩, 馬行方, 蘇元捷, 太惠玲, 杜曉松, 杜鴻飛
【申請人】電子科技大學(xué)