微波爐腔體及半導(dǎo)體微波爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及家用電器領(lǐng)域，尤其涉及一種微波爐腔體及一種半導(dǎo)體微波爐。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在半導(dǎo)體微波爐中，微波源產(chǎn)生的微波從微波饋入口饋入半導(dǎo)體微波爐的加熱腔室內(nèi)。然而，微波從微波饋入口導(dǎo)入半導(dǎo)體微波爐時(shí)，微波容易直接被食物吸收，造成食物加熱不均勻。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型提供一種微波爐腔體及一種半導(dǎo)體微波爐。
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體開設(shè)有加熱腔室，所述微波爐腔體包括圍成所述加熱腔室的側(cè)面及食物承載面，所述側(cè)面包括上半面及下半面。所述下半面連接所述食物承載面及所述上半面。所述上半面開設(shè)有至少一個(gè)微波饋入口。
[0005]上述微波爐腔體中，由于微波饋入口開設(shè)在在加熱腔室的側(cè)面的上半面，因此，從微波饋入口饋入的一部分微波能夠在加熱腔室內(nèi)反射后被食物吸收，使食物加熱更加均勻。
[0006]在某些實(shí)施方式中，所述側(cè)面包括相對的第一子側(cè)面、與所述第一子側(cè)面相對的第二子側(cè)面及連接所述第一子側(cè)面、所述第二子側(cè)面及所述食物承載面的第三子側(cè)面。
[0007]所述微波爐腔體包括多個(gè)所述微波饋入口，多個(gè)所述微波饋入口開設(shè)在所述第一子側(cè)面的所述上半面及/或所述第三子側(cè)面的所述上半面上;或
[0008]多個(gè)所述微波饋入口開設(shè)在所述第二子側(cè)面的所述上半面及/或所述第三子側(cè)面的所述上半面上。
[0009]在某些實(shí)施方式中，所述第二子側(cè)面上開設(shè)有兩個(gè)所述微波饋入口。
[0010]在某些實(shí)施方式中，所述第三子側(cè)面上開設(shè)有兩個(gè)所述微波饋入口。
[0011 ]在某些實(shí)施方式中，所述微波饋入口的形狀相同。
[0012]在某些實(shí)施方式中，所述微波饋入口呈矩形狀，所述微波饋入口的長度為70?90mm及寬度為30?50mm。
[0013]在某些實(shí)施方式中，所述加熱腔室呈長方體狀，所述加熱腔室的長度為378?438mm、寬度為330?390mm及高度為227?287mm。
[0014]在某些實(shí)施方式中，所述微波饋入口處的微波駐波值小于3，兩兩所述微波饋入口之間的隔離度的絕對值大于或等于10dB。
[0015]在某些實(shí)施方式中，所述微波爐腔體包括與所述食物承載面相對的頂面，所述頂面及所述食物承載面均連接所述側(cè)面以共同形成所述加熱腔室。
[0016]所述第二子側(cè)面上開設(shè)有兩個(gè)所述微波饋入口，所述第三子側(cè)面開設(shè)有兩個(gè)所述微波饋入口；
[0017]位于所述第二子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口沿所述加熱腔室的寬度方向并列設(shè)置。
[0018]位于所述第三子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口沿所述加熱腔室的長度方向并列設(shè)置。
[0019]在某些實(shí)施方式中，位于所述第二子側(cè)面上的所述微波饋入口與所述頂面的距離為60?70mm，位于所述第三子側(cè)面上的所述微波饋入口與所述頂面的距離為60?70mm。
[0020]在某些實(shí)施方式中，位于所述第二子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口中，靠近所述加熱腔室的開口的所述微波饋入口與所述開口的距離為70?90mm。
[0021]在某些實(shí)施方式中，位于所述第二子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口之間的距離為103?123mm0
[0022]在某些實(shí)施方式中，位于所述第三子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口中，靠近所述第二子側(cè)面的所述微波饋入口與所述第一子側(cè)面的距離為64?84mm。
[0023]在某些實(shí)施方式中，位于所述第三子側(cè)面上的兩個(gè)所述微波饋入口之間的距離為55?75mm0
[0024]本實(shí)用新型實(shí)施方式的半導(dǎo)體微波爐包括上述的微波爐腔體。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施方式的半導(dǎo)體微波爐由于應(yīng)用上述的微波爐腔體，食物加熱更加均勻，微波的傳輸效率更高。
[0026]在某些實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體微波爐包括天線，所述天線用于發(fā)射微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波，所述微波經(jīng)過多個(gè)所述微波饋入口饋入所述加熱腔室內(nèi)。
[0027]本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
【附圖說明】
[0028]本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0029]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖2是圖1中微波爐腔體的I1-1I向的剖面示意圖。
[0031]圖3是圖1中微波爐腔體的II1-1II向的剖面示意圖。
[0032]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第一子微波饋入口處的微波駐波值示意圖。
[0033]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第二子微波饋入口處的微波駐波值示意圖。
[0034]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第三子微波饋入口處的微波駐波值示意圖。
[0035]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第四子微波饋入口處的微波駐波值示意圖。
[0036]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第一子微波饋入口與第二子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
[0037]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第一子微波饋入口與第三子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
[0038]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第一子微波饋入口與第四子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
[0039]圖11是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第二子微波饋入口與第三子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
[0040]圖12是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第二子微波饋入口與第四子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
[0041]圖13是本實(shí)用新型實(shí)施方式的微波爐腔體的第三子微波饋入口與第四子微波饋入口之間的隔離度示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0043]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)所述特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0044]在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0045]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0046]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施方式或例子用來實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本實(shí)用新型的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實(shí)用新型提供了的